JPH06232550A - Manufacture of ceramic multilayer wiring board - Google Patents
Manufacture of ceramic multilayer wiring boardInfo
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- JPH06232550A JPH06232550A JP13747391A JP13747391A JPH06232550A JP H06232550 A JPH06232550 A JP H06232550A JP 13747391 A JP13747391 A JP 13747391A JP 13747391 A JP13747391 A JP 13747391A JP H06232550 A JPH06232550 A JP H06232550A
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 CuOを主成分とする配線パターンをグリー
ンシート上に形成し、積層して多層化し、還元性雰囲気
中で熱処理しCuに還元する還元工程の後、全Cu量に
対するCuO量が3〜30モル%の範囲となるように部
分酸化させるための酸化処理工程を経て、グリーンシー
トを非酸化性雰囲気中で焼結させる。
【効果】 銅とセラミックの収縮率を整合でき、両者の
濡れ性が改善されるために、多層基板の反り、変形、導
体材料の剥がれ、多層基板内層での空洞の発生が抑止で
きる。
(57) [Summary] [Structure] After the reduction step of forming a wiring pattern containing CuO as a main component on the green sheet, stacking and multilayering, and performing heat treatment in a reducing atmosphere to reduce to Cu, the total amount of Cu is reduced. The green sheet is sintered in a non-oxidizing atmosphere through an oxidation treatment step for partial oxidation so that the amount of CuO with respect to 3 is in the range of 3 to 30 mol%. [Effect] Since the contraction rates of copper and ceramic can be matched and the wettability of both can be improved, it is possible to prevent warpage and deformation of the multilayer substrate, peeling of the conductive material, and formation of voids in the inner layers of the multilayer substrate.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体LSI、チップ部
品などを搭載し、かつそれらを相互配線するためのセラ
ミック多層配線基板の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic multilayer wiring board for mounting semiconductor LSIs, chip parts and the like and interconnecting them.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、セラミック多層基板に使用される
導体材料には通常、金、銀、パラジウムまたはそれらの
混合物が用いられる。ところがこれらの金属は、貴金属
であり高価でかつ価格変動が大きいことから、安価で価
格変動の少ないCu電極材料の使用が望まれている。2. Description of the Related Art In recent years, gold, silver, palladium, or a mixture thereof is usually used as a conductive material for a ceramic multilayer substrate. However, these metals are precious metals, are expensive, and have large price fluctuations. Therefore, it is desired to use Cu electrode materials that are inexpensive and have little price fluctuations.
【0003】そこでCu電極を用いた多層基板の製造方
法の一例を述べる。その方法は、アルミナなどの焼結基
板上にCuペーストをスクリーン印刷にて配線パターン
を形成し、乾燥後、Cuの融点以下の温度(850〜9
50℃程度)で、かつCuが酸化されず導体ペースト中
の有機成分が十分燃焼するように酸素分圧を制御した窒
素雰囲気中で焼成を行なうものである。多層する場合
は、同様の条件で絶縁層を印刷焼成して得られる。しか
しながら上記のようなCuペーストを用いた場合、いく
つかの課題を有している。まず第1に焼成工程における
雰囲気を適度な酸素分圧下にコントロールすることが困
難であること。つまり酸素が多いとCuが酸化され、逆
に少ないとペースト中の有機バインダが分解されず良好
なメタライズも得られないからである。第2に多層化す
る場合、各ペーストを印刷後その都度焼成を繰り返し行
なう必要があり、リードタイムが長くなり設備などのコ
ストアップにつながるなどの課題を有している。そこで
平成3−20914号公報において、セラミック多層基
板の作製にあたり、酸化第二銅ペーストを用い、脱バイ
ンダ工程、還元工程、焼成工程の3段階とする方法がす
でに開示されている。それは酸化第二銅を導体の出発原
料とし多層体を作製し、脱バインダ工程は、炭素に対し
て充分な酸素雰囲気でかつ内部の有機バインダを熱分解
させるに充分な温度で熱処理を行なう。次に酸化第二銅
を銅に還元する還元工程、基板の焼結を行なう焼成工程
により成立しているものである。これにより、焼成時の
雰囲気制御が容易になり緻密な焼結体が得られるように
なった。Therefore, an example of a method for manufacturing a multilayer substrate using Cu electrodes will be described. The method is to form a wiring pattern by screen-printing a Cu paste on a sintered substrate such as alumina, and after drying, a temperature (850 to 9) below the melting point of Cu.
Firing is performed at about 50 ° C.) in a nitrogen atmosphere in which the oxygen partial pressure is controlled so that Cu is not oxidized and the organic components in the conductor paste are sufficiently burned. In the case of multiple layers, it is obtained by printing and firing the insulating layer under the same conditions. However, when using the Cu paste as described above, there are some problems. First of all, it is difficult to control the atmosphere in the firing step under an appropriate oxygen partial pressure. That is, if oxygen is large, Cu is oxidized, and if it is small, the organic binder in the paste is not decomposed and good metallization cannot be obtained. Secondly, in the case of forming multiple layers, it is necessary to repeat firing each time after printing each paste, which leads to a long lead time, leading to an increase in the cost of equipment and the like. Therefore, in Japanese Patent Laid-Open No. 3-20914, there has been already disclosed a method of using a cupric oxide paste in three steps of a binder removal step, a reduction step, and a firing step in manufacturing a ceramic multilayer substrate. It uses cupric oxide as a starting material for a conductor to form a multilayer body, and in the binder removal step, heat treatment is performed in a sufficient oxygen atmosphere for carbon and at a temperature sufficient to thermally decompose the organic binder inside. Next, the reduction step of reducing cupric oxide to copper and the firing step of sintering the substrate are established. As a result, it became easy to control the atmosphere during firing, and a dense sintered body could be obtained.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以下に
示すような課題が明かとなった。それは、セラミック多
層に使用する材料によって導体材料である銅との収縮開
始温度が異なるという点、焼成後の収縮度が異なるとい
う点、加えて還元が完全に行なわれることで銅とセラミ
ックの濡れが悪いため反応が起こらず良好な密着できな
いなどの点である。その結果多層基板の反り、変形、導
体材料の剥がれが生じ、また多層基板の内層では絶縁材
料と導体材料の間に空洞ができてしまう。However, the following problems have become clear. This is because the contraction start temperature of copper, which is a conductor material, differs depending on the material used for the ceramic multilayer, the contraction degree after firing is different, and in addition, the reduction is completely performed to prevent wetting of copper and ceramics. Since it is bad, no reaction occurs and good adhesion cannot be achieved. As a result, the multilayer board is warped, deformed, and the conductor material is peeled off, and a cavity is formed between the insulating material and the conductor material in the inner layer of the multilayer board.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の製造方法は、CuOを主成分とする配線パタ
ーンをグリーンシート上に形成し、所望枚数積層して多
層化する工程と、還元性雰囲気中で熱処理しCuOを還
元する還元工程と、前記グリーンシートを非酸化性雰囲
気中で焼結させる焼成工程を含むセラミック多層配線基
板の製造方法において、前記還元工程と前記焼成工程の
間に、全Cu量に対するCuOの存在量が3〜30モル
%の範囲となるように部分酸化させる酸化処理工程を付
加し、セラミック多層配線基板を作製する。In order to solve the above problems, the manufacturing method of the present invention comprises a step of forming a wiring pattern containing CuO as a main component on a green sheet and laminating a desired number of layers to form a multilayer structure. In the method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board, which includes a reducing step of heat-treating in a reducing atmosphere to reduce CuO and a firing step of sintering the green sheet in a non-oxidizing atmosphere, between the reducing step and the firing step. Then, an oxidation treatment step of partially oxidizing so that the existing amount of CuO with respect to the total Cu amount is in the range of 3 to 30 mol% is added to produce a ceramic multilayer wiring board.
【0006】[0006]
【作用】本発明は前記記述のように酸化処理工程を還元
工程と焼成工程の間に追加することで還元した導体Cu
をわずかに酸化し、Cu導体の一部にCuOをつくる。
そうすることで焼成時の収縮率を制御でき、絶縁材料の
収縮率と導体の収縮率とを合わせることが可能となり、
また一部のCuOが導体層と基板間の反応を助けことが
可能になった。According to the present invention, the conductive Cu reduced by adding the oxidation treatment step between the reduction step and the firing step as described above.
Is slightly oxidized to form CuO in a part of the Cu conductor.
By doing so, it is possible to control the shrinkage rate during firing, and it is possible to match the shrinkage rate of the insulating material with that of the conductor.
Moreover, it became possible for some CuO to assist the reaction between the conductor layer and the substrate.
【0007】[0007]
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0008】まずセラミック基板作製方法を説明する
と、前記の基板組成セラミック粉を無機成分とし、有機
バインダとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてヂ
−n−ブチルフタレート、溶剤としてトルエンとイソプ
ロピルアルコールの混合液(30対70重量比)を混合
しスラリーとした。このスラリーをドクターブレード法
で有機フィルム上にシート成形した。この時、造膜から
乾燥、打ち抜きさらには、必要に応じてスルーホール加
工を行う各工程を連続的に行うシステムを使用した。こ
のグリーンシートに酸化銅ペーストを用いて導体パター
ンの形成をスクリーン印刷法によって行った。導体ペー
ストは、CuO粉末(平均粒径3μm)に接着強度を得
るためのガラスフリット(コーニング社製#7059ガ
ラス粉末、平均粒径3μm)を5wt%加えたものを無
機成分とし、有機バインダであるエチルセルロースをタ
ーピネオールに溶かしたビヒクルとともに加えて、3段
ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用
いた。この印刷を行なったグリーンシートを所定の枚数
用意し、熱圧着して積層体を形成し、以下に述べる方法
で焼成した。First, the method for producing a ceramic substrate will be described. The ceramic powder having the above-mentioned substrate composition is used as an inorganic component, polyvinyl butyral as an organic binder, di-n-butyl phthalate as a plasticizer, and a mixed solution of toluene and isopropyl alcohol (30). (70 weight ratio) was mixed to form a slurry. This slurry was formed into a sheet on an organic film by the doctor blade method. At this time, a system was used in which each step of continuously drying, punching, and if necessary, through hole processing from the film formation was performed. A conductor pattern was formed on this green sheet by using a copper oxide paste by a screen printing method. The conductor paste is an organic binder in which 5 wt% of glass frit (# 7059 glass powder manufactured by Corning Inc., average particle size 3 μm) for obtaining adhesive strength is added to CuO powder (average particle size 3 μm) as an inorganic component. Ethyl cellulose was added together with a vehicle dissolved in terpineol, and mixed by a three-stage roll so as to have an appropriate viscosity. A predetermined number of the printed green sheets were prepared, thermocompression bonded to form a laminate, and fired by the method described below.
【0009】次に、焼成の工程を説明する。まず最初
は、脱バインダ工程である。発明に使用したグリーンシ
ート、CuOペーストの有機バインダは、PVB及びエ
チルセルロースである。したがって空気中での分解温度
は、500℃以上あれば良いので、600℃の温度で行
なった。その後前記積層体を水素ガス100%雰囲気中
で300℃ー5時間で還元した。この時のCu層をX線
回折により分析したところ100%Cuであることを確
認した。セラミック多層配線基板の斜視図を(図1)に
示す。11、12、13、14はそれぞれ積層したセラ
ミック絶縁層で、15、16は導体である。Next, the firing process will be described. The first is a binder removal step. The organic binders of the green sheet and CuO paste used in the invention are PVB and ethyl cellulose. Therefore, since the decomposition temperature in air should be 500 ° C. or higher, the temperature was 600 ° C. Then, the laminated body was reduced in an atmosphere of 100% hydrogen gas at 300 ° C. for 5 hours. When the Cu layer at this time was analyzed by X-ray diffraction, it was confirmed to be 100% Cu. A perspective view of the ceramic multilayer wiring board is shown in FIG. Reference numerals 11, 12, 13, and 14 denote laminated ceramic insulating layers, and reference numerals 15 and 16 denote conductors.
【0010】次に本発明の酸化処理工程の工程条件を以
下の実験より求めた。まず有機バインダ、可塑材を含む
CuOグリーンシートを作製する。所望枚数積層し、厚
さ2mmのCuOグリーンシートにする。前記CuOグ
リーンシートを短冊状にカットし、2×2×15mmの
柱状物を作製する。前記柱状物を空気中で前記と同様の
条件でCuOグリーンシート内部の有機バインダが分解
・飛散するまで熱する。その後前記柱状物を水素もしく
は水素100%雰囲気中で還元する。この時還元済み柱
状物をX線回折により分析したところ100%Cuであ
ることを確認した。還元の後、柱状物の重量を測定す
る。次に乾燥機で前記の柱状物を(表1)に示す条件で
酸化処理し、酸化した後の柱状物の重量を測定する。前
記の測定結果より重量の増加分を算出し柱状物の酸化度
を得る。酸化の度合として酸化度Oを定義する。酸化度
Oの定義は増加した重量分(酸素の重量)をCuOに換
算しCuに対するモル比(100分率)で表わしたもの
である。その時の温度設定と酸化度を(表1)に示す。Next, the process conditions of the oxidation treatment process of the present invention were determined by the following experiments. First, a CuO green sheet containing an organic binder and a plasticizer is prepared. A desired number of sheets are laminated to form a CuO green sheet having a thickness of 2 mm. The CuO green sheet is cut into strips to form 2 × 2 × 15 mm pillars. The columnar material is heated in air under the same conditions as described above until the organic binder inside the CuO green sheet is decomposed and scattered. After that, the columnar material is reduced in hydrogen or 100% hydrogen atmosphere. At this time, when the reduced columnar material was analyzed by X-ray diffraction, it was confirmed to be 100% Cu. After the reduction, the weight of the columnar product is measured. Next, the columnar article is subjected to oxidation treatment with a dryer under the conditions shown in (Table 1), and the weight of the columnar article after oxidation is measured. The increase in weight is calculated from the above measurement results to obtain the degree of oxidation of the columnar material. The degree of oxidation O is defined as the degree of oxidation. The degree of oxidation O is defined as the increased weight (oxygen weight) converted into CuO and expressed as a molar ratio to Cu (100 fraction). The temperature settings and the degree of oxidation at that time are shown in (Table 1).
【0011】[0011]
【表1】 [Table 1]
【0012】次に、酸化処理を行った柱状物の焼成収縮
カーブを熱分析装置によって測定した。測定結果を(図
3)に示す。この図は焼成温度と収縮率との関係及びC
uの酸化度と収縮率との関係を示したものである。なお
基板の収縮率ΔL/Lを以下のように定義する。Next, the firing shrinkage curve of the oxidized columnar article was measured by a thermal analyzer. The measurement results are shown in (FIG. 3). This figure shows the relationship between firing temperature and shrinkage and C
It shows the relationship between the degree of oxidation of u and the shrinkage. The contraction rate ΔL / L of the substrate is defined as follows.
【0013】[0013]
【数1】 [Equation 1]
【0014】(図3)から明らかなように、還元後の酸
化処理工程の酸化度合いによって収縮率ΔL/Lを変え
ることができることがわかる。これにより任意の収縮率
を有する基板材料にも対応できることになる。実施例で
は本実験から前記還元済み基板を酸化度31%の条件で
酸化処理工程を行なうこととした。次に焼成工程は、純
窒素中900℃であるメッシュベルト炉で焼成した。そ
の結果セラミック多層配線基板として作製した場合にお
いても良好の結果が得られた。次に前記工程に従って作
製したセラミック多層配線基板において、酸化処理を行
った場合のセラミック多層配線基板と酸化処理を行わな
かった場合のセラミック多層配線基板の内層状態を(図
2a)と(図2b)に示す。As is clear from FIG. 3, the shrinkage ratio ΔL / L can be changed depending on the degree of oxidation in the oxidation treatment step after reduction. This makes it possible to deal with a substrate material having an arbitrary shrinkage ratio. In the example, from this experiment, it was decided to perform the oxidation treatment step on the reduced substrate under the condition that the oxidation degree was 31%. Next, in the firing step, firing was performed in pure nitrogen in a mesh belt furnace at 900 ° C. As a result, good results were obtained even when manufactured as a ceramic multilayer wiring board. Next, in the ceramic multi-layer wiring board manufactured according to the above process, the inner layer states of the ceramic multi-layer wiring board with oxidation treatment and the ceramic multi-layer wiring board with no oxidation treatment (FIG. 2a) and (FIG. 2b) are shown. Shown in.
【0015】(図2a)は酸化処理を行った場合のセラ
ミック多層配線基板断面で(図2b)は酸化処理を行わ
なかった場合のセラミック多層配線基板断面である。酸
化処理を行わなかった場合のセラミック多層配線基板断
面には図のような空洞が発生する。FIG. 2A is a cross section of the ceramic multilayer wiring board when the oxidation treatment is performed, and FIG. 2B is a cross section of the ceramic multilayer wiring board when the oxidation treatment is not performed. A cavity as shown in the figure is generated in the cross section of the ceramic multilayer wiring board when the oxidation treatment is not performed.
【0016】以上のように本発明は、セラミック基板の
作製工程において導体Cu全量に対してCuOが3%〜
30モル%の範囲で酸化をさせるための酸化処理工程を
設けることで、絶縁材料の収縮率と導体の収縮率を近づ
けることができ、焼成後のマッチング性が良好になり絶
縁材料と導体との接着性が改善され効果的である。As described above, according to the present invention, CuO is 3% to 3% of the total amount of the conductor Cu in the manufacturing process of the ceramic substrate.
By providing an oxidation treatment step for oxidizing in the range of 30 mol%, the shrinkage rate of the insulating material and the shrinkage rate of the conductor can be made close to each other, the matching property after firing becomes good, and the insulating material and the conductor can be matched. Adhesion is improved and effective.
【0017】なお、本実施例において還元の条件を水素
100%の雰囲気で実施したが、窒素に水素を混合させ
た雰囲気で行なっても同様の結果が得られることは云う
までもない。また本方法は、セラミック多層配線基板だ
けでなく銅を内部電極とする積層セラミックコンデンサ
に応用できることは云うまでもない。In the present embodiment, the reduction was carried out in an atmosphere of 100% hydrogen, but it goes without saying that similar results can be obtained even in an atmosphere of hydrogen mixed with nitrogen. Further, it goes without saying that the present method can be applied to not only a ceramic multilayer wiring board but also a multilayer ceramic capacitor having copper as an internal electrode.
【0018】[0018]
【発明の効果】本発明は前記のような工程を行なうこと
によって絶縁材料と導体のマッチングなどの点に富む、
セラミック多層配線基板が得られるものである。The present invention is rich in the matching of the insulating material and the conductor by performing the above-mentioned steps,
A ceramic multilayer wiring board is obtained.
【0019】まず本発明の製造法は、酸化銅を導体材料
とし、ガラスセラミック組成の基板材料を絶縁材料とし
てそれらも用いて多層体を形成する工程と、バインダの
除去を行なう脱バインダ工程、CuOをCuに還元する
還元工程、そして次にCuを若干CuOに酸化する酸化
処理工程、さらにこの酸化処理後の積層体を焼成する焼
成工程によって得られる。First, in the manufacturing method of the present invention, copper oxide is used as a conductor material, and a substrate material having a glass ceramic composition is also used as an insulating material to form a multilayer body, a binder removal step for removing the binder, and CuO. Is reduced to Cu, followed by an oxidation treatment step of slightly oxidizing Cu into CuO, and a firing step of firing the laminated body after the oxidation treatment.
【0020】つまり、酸化処理工程を追加することで導
体Cuをわずかに酸化し、Cu導体の一部にCuOをつ
くり、焼成時の収縮率を制御させることができるように
なったのである。それにより絶縁材料の収縮率と導体の
収縮率とを合わせることが可能となり絶縁材料のマッチ
ングが良好になった。また導体層と基板間の反応を助け
デラミネーションを防止することが可能になった。In other words, by adding an oxidation treatment step, the conductor Cu is slightly oxidized, CuO is formed in a part of the Cu conductor, and the shrinkage ratio during firing can be controlled. As a result, the contraction rate of the insulating material and the contraction rate of the conductor can be matched, and the matching of the insulating material is improved. Moreover, it became possible to prevent the delamination by helping the reaction between the conductor layer and the substrate.
【図1】本発明の銅多層セラミック基板断面の斜視図で
ある。FIG. 1 is a perspective view of a cross section of a copper multilayer ceramic substrate of the present invention.
【図2】焼成後の基板の内層状態を示す断面図である。
(a)は本発明の酸化処理工程を付加した場合の断面図
である。(b)は酸化処理工程を追加しない場合の断面
図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an inner layer state of a substrate after firing.
(A) is sectional drawing at the time of adding the oxidation process of this invention. (B) is a cross-sectional view when the oxidation treatment step is not added.
【図3】酸化処理を行ったCuOの柱状物の膨張率を熱
分析装置によって測定したグラフである。FIG. 3 is a graph obtained by measuring the expansion coefficient of a columnar object of CuO that has been subjected to an oxidation treatment with a thermal analyzer.
11,12,13,14 セラミック絶縁層 15 内部導体 16 最外層導体 22 絶縁層 21 導体層 23 空洞部 11, 12, 13, 14 Ceramic insulating layer 15 Inner conductor 16 Outermost layer conductor 22 Insulating layer 21 Conductor layer 23 Cavity
Claims (2)
リーンシート上に形成し、所望枚数積層して多層化する
工程と、還元性雰囲気中で熱処理しCuOを還元する還
元工程と、前記グリーンシートを非酸化性雰囲気中で焼
結させる焼成工程を有するセラミック多層配線基板の製
造方法において、前記還元工程と前記焼成工程の間に、
全Cu量に対するCuOの存在量が3〜30モル%の範
囲となるように部分酸化させるための酸化処理工程を含
むことを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方
法。1. A step of forming a wiring pattern containing CuO as a main component on a green sheet and laminating a desired number of layers to form a multilayer, a reduction step of heat-treating in a reducing atmosphere to reduce CuO, and the green sheet. In the method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board having a firing step of sintering in a non-oxidizing atmosphere, between the reducing step and the firing step,
A method for producing a ceramic multilayer wiring board, comprising an oxidation treatment step for partial oxidation so that the amount of CuO present with respect to the total amount of Cu is in the range of 3 to 30 mol%.
0℃の範囲で行なうことを特長とする請求項1に記載の
セラミック多層配線基板の製造方法。2. The oxidation treatment step is performed in air at 100 ° C. to 30 ° C.
The method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to claim 1, wherein the method is performed in a range of 0 ° C.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13747391A JPH06232550A (en) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | Manufacture of ceramic multilayer wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13747391A JPH06232550A (en) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | Manufacture of ceramic multilayer wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06232550A true JPH06232550A (en) | 1994-08-19 |
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ID=15199438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13747391A Pending JPH06232550A (en) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | Manufacture of ceramic multilayer wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06232550A (en) |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP13747391A patent/JPH06232550A/en active Pending
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