JPH06232258A - Apparatus for dicing semiconductor wafer - Google Patents
Apparatus for dicing semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハのダイシ
ング装置に関するものであり、詳細には、半導体ウェー
ハを回転ダイシングソウによってスルーカットするダイ
シング装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing apparatus for semiconductor wafers, and more particularly to a dicing apparatus for through cutting a semiconductor wafer with a rotary dicing saw.
【０００２】[0002]
【従来の技術】トランジスタ、ＩＣ等の半導体装置の製
造は、不純物の選択拡散等の工程により、半導体ウェー
ハに格子状に多数の素子を一括形成して行われている。
素子が形成された半導体ウェーハは、各素子ごとに分割
してペレット化される。このペレッタイズ方法は、ダイ
ヤモンドカッターまたはレーザービームを用いたスクラ
イブ法と、回転ダイシングソウを用いたダイシング法と
に大別される。2. Description of the Related Art A semiconductor device such as a transistor or an IC is manufactured by collectively forming a large number of elements in a lattice on a semiconductor wafer by a process such as selective diffusion of impurities.
The semiconductor wafer on which the elements are formed is divided into pellets for each element. This pelletizing method is roughly classified into a scribing method using a diamond cutter or a laser beam and a dicing method using a rotary dicing saw.
【０００３】スクライブ法は、予めダイヤモンドカッタ
ーまたはレーザービームを用い、切断ラインに沿ってス
クライブ溝を形成した後に、半導体ウェーハに曲げ荷重
を加えることにより、スクライブ溝に沿って割るもので
ある。しかし、このスクライブ法は、半導体ウェーハが
シリコン単結晶であって劈開する性質を持つため、曲げ
荷重を加えることによって割られた面が結晶方向に沿い
ウェーハ表面に対して傾斜するため、切断縁が鋭利な形
状になり、欠損し易い。この欠点は、特に集積度の高い
半導体装置または高耐圧を要求される半導体装置、例え
ばＭＯＳ型ＩＣにおいては特性に悪影響を与えるので好
ましくない。In the scribe method, a diamond cutter or a laser beam is used in advance to form scribe grooves along the cutting line, and then a bending load is applied to the semiconductor wafer to divide the scribe grooves along the scribe grooves. However, in this scribe method, since the semiconductor wafer is a silicon single crystal and has the property of cleaving, the plane divided by applying a bending load is inclined with respect to the wafer surface along the crystal direction, so that the cutting edge is It has a sharp shape and is easily damaged. This drawback is not preferable because it has a bad influence on the characteristics particularly in a semiconductor device having a high degree of integration or a semiconductor device requiring a high breakdown voltage, for example, a MOS IC.
【０００４】このため、最近のペレッタイズ手段として
はダイシング法が多用される傾向にあり、回転ダイシン
グソウのみで、固定治具にワックス等によって固定され
た半導体ウェーハを表面から裏面迄切断する、所謂、完
全スルーカット法が多用される傾向にある。For this reason, the dicing method tends to be frequently used as a recent pelletizing means, and a semiconductor wafer fixed to a fixing jig with wax or the like is cut from the front surface to the back surface by only a rotary dicing saw, that is, so-called The complete through-cut method tends to be used frequently.
【０００５】上記スルーカット法を実施するダイシング
装置について図２を参照して説明する。同図において
（１）は回転ダイシングソウであって、環状ハブ（２）
にてブレード（３）を一体化固定した構造になってお
り、ハブ（２）は、図示しない回転機構に取付けられ
て、定位置で高速回転（例えば、30000rpm）する。
（４）は、回転ダイシングソウ（１）の下方に設けられ
た可動型のＸ−Ｙテーブルで、半導体ウェーハ（５）を
ワックス（６）で固定した塩化ビニールシート（７）
を、図２（Ｂ）に拡大図示するように、ベースプレート
（４Ａ）および多孔性の支持テーブル（４Ｂ）介して真
空吸着する。A dicing apparatus for carrying out the through cut method will be described with reference to FIG. In the figure, (1) is a rotary dicing saw, and an annular hub (2)
Has a structure in which the blade (3) is integrally fixed, and the hub (2) is attached to a rotating mechanism (not shown) and rotates at a high speed at a fixed position (for example, 30000 rpm).
(4) is a movable XY table provided below the rotary dicing saw (1), which is a vinyl chloride sheet (7) in which a semiconductor wafer (5) is fixed with wax (6).
Are vacuum-adsorbed through a base plate (4A) and a porous support table (4B) as shown in an enlarged view in FIG. 2 (B).
【０００６】ベースプレート（４Ａ）には、支持テーブ
ル（４Ｂ）の固定手段として締付けねじ構体（15）が設
けられている。（８）（８）は、回転ダイシングソウ
（１）の下部を一定間隔に保って両側から挟むように配
置された切削ノズルで、平行配置された先端の直線状部
分（９）（９）には、回転ダイシングソウ（１）に向っ
て開口する複数のノズル孔（10）（10）…が分散して穿
設されている。（11）は、ブレード（３）の冷却手段と
して設けられた冷却水ノズルで、回転ダイシングソウ
（１）の回転軸と略同一高さで、回転ダイシングソウ
（１）の周縁側から回転ダイシングソウ（１）の回転方
向に向けて配設されており、回転ダイシングソウ（１）
のブレード（３）の端縁に吐出中心を合わせて冷却水を
吐出する。この冷却水によってダイシング時に常に半導
体ウェーハ（５）と接触して発熱するブレード（３）を
冷却し、ブレード（３）が焼鈍されて切削性能が低下す
るのを防止する。（12）は、シャワー水ノズルで、Ｘ−
Ｙテーブル（４）上の半導体ウェーハ（５）に上方から
シャワー水を分散・吐出し、半導体ウェーハ（５）上に
生じる切削屑等を洗い流す。（13）は、ホイールカバー
で、回転ダイシングソウ（１）を覆い安全性を確保する
のと同時に、冷却水やシャワー水の周辺への飛散を防止
する。The base plate (4A) is provided with a tightening screw structure (15) as a means for fixing the support table (4B). (8) (8) is a cutting nozzle arranged so as to sandwich the lower part of the rotary dicing saw (1) at a constant interval from both sides, and to the linear portions (9) (9) of the tips arranged in parallel. Has a plurality of nozzle holes (10) (10) ... which are open toward the rotary dicing saw (1) in a dispersed manner. Reference numeral (11) is a cooling water nozzle provided as a cooling means for the blade (3), which is at substantially the same height as the rotation axis of the rotary dicing saw (1) and is rotated from the peripheral side of the rotary dicing saw (1). The rotary dicing saw (1) is arranged so as to face the direction of rotation of (1).
The cooling water is discharged by aligning the discharge center with the edge of the blade (3). The cooling water cools the blade (3) which is always in contact with the semiconductor wafer (5) and generates heat during dicing, and prevents the blade (3) from being annealed and deteriorating in cutting performance. (12) is a shower water nozzle, X-
Shower water is dispersed and discharged from above onto the semiconductor wafer (5) on the Y table (4) to wash away cutting chips and the like generated on the semiconductor wafer (5). (13) is a wheel cover that covers the rotary dicing saw (1) to ensure safety and at the same time prevents the cooling water and shower water from splashing around.
【０００７】上記ダイシング装置は、各ノズル（８）
（11）（12）から純水を吐出させながらＸ−Ｙテーブル
（４）を縦横・上下に動かし、半導体ウェーハ（５）に
回転ダイシングソウ（１）のブレード（３）を当接さ
せ、切断ラインに沿い所定のピッチ間隔で半導体ウェー
ハ（５）を分断することによって各素子ごとにペレッタ
イズしている。The dicing device is provided with each nozzle (8).
(11) While moving the XY table (4) vertically and horizontally while discharging pure water from (12), the blade (3) of the rotary dicing saw (1) is brought into contact with the semiconductor wafer (5) to cut it. Pelletizing is performed for each element by dividing the semiconductor wafer (5) at a predetermined pitch along the line.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記ダイシング装置に
よる半導体ウェーハ（５）のペレッタイズに際し、半導
体ウェーハ（５）は、ワックス（６）および塩化ビニー
ルシート（７）を介して多孔性の支持テーブル（４Ｂ）
上に固定されている。この場合、半導体ウェーハ（５）
の位置決め固定は、Ｘ−Ｙテーブル（４）およびベース
プレート（４Ａ）に設けられた吸引口（14）からの負圧
吸引力に依存している。When pelletizing the semiconductor wafer (5) by the above dicing apparatus, the semiconductor wafer (5) is permeable to the porous support table (4B) through the wax (6) and the vinyl chloride sheet (7). )
It is fixed on. In this case, semiconductor wafer (5)
The positioning and fixing of No. 2 depend on the negative pressure suction force from the suction port (14) provided in the XY table (4) and the base plate (4A).
【０００９】一方、支持テーブル（４Ｂ）は締付けねじ
構体（15）によってベースプレート（４Ａ）と一体化さ
れている。従って、ダイシング過程にある半導体ウェー
ハ（５）には、上記負圧吸引力および締付けねじ構体
（15）の締込みによる支持テーブル（４Ｂ）の変形が影
響し、図３に稍誇張して示すように、中央凹状の変形
（ｄＴ）が発生する。上記変形（ｄＴ）や、それ自身の
厚み（Ｔ）に数μｍオーダのバラツキがあるにも拘らず
半導体ウェーハ（５）は、表面から裏面迄完全スルーカ
ット方式で切断する必要があるが、これに加えて、後続
の塩化ビニールシート（７）の引伸ばし工程でペレット
に整列不良を来たさないためには、上記負圧吸引力によ
る半導体ウェーハ（５）および支持テーブル（４Ｂ）の
変形と半導体ウェーハ（５）および塩化ビニールシート
（７）の厚み寸法のバラ付きを考慮してブレード（３）
が塩化ビニールシート（７）の展延面全域に亘って許容
範囲を越えた深さの切目を刻み込まないように回転ダイ
シングソウ（１）に対するＸ−Ｙテーブル（４）の高さ
方向の送り量を調節する必要がある。このような問題に
対応するため、Ｘ−Ｙテーブル（４）の高さ方向の送り
量（Ｌ）の測定手段として、図４に示すようなエアマイ
クロセンサ（17）を組込んだ完全スルーカット方式のダ
イシング装置が提案されている。詳細に説明すると、回
転ダイシングソウ（１）のブレード（３）およびハブ
（２）の支持軸部から横向きにアーム（16）を張出さ
せ、このアーム（16）の先端部下面にダイシング位置の
前方に、かつ、半導体ウェーハ（５）の上面と対向させ
てエアマイクロセンサ（17）を固定して、Ｘ−Ｙテーブ
ル（４）の高さ方向の送り量（Ｌ）の連続測定装置（1
8）を構成している。On the other hand, the support table (4B) is integrated with the base plate (4A) by the tightening screw structure (15). Therefore, the semiconductor wafer (5) in the dicing process is affected by the negative pressure suction force and the deformation of the support table (4B) due to the tightening of the tightening screw structure (15), and as shown in FIG. Then, a central concave deformation (dT) occurs. Despite the deformation (dT) and the thickness (T) of its own, which varies in the order of several μm, the semiconductor wafer (5) needs to be cut from the front surface to the back surface by a complete through-cut method. In addition to the deformation of the semiconductor wafer (5) and the supporting table (4B) due to the negative pressure suction force, in order to prevent misalignment of the pellets in the subsequent stretching process of the vinyl chloride sheet (7), Blade (3) in consideration of variations in thickness of semiconductor wafer (5) and vinyl chloride sheet (7)
The feed amount in the height direction of the XY table (4) with respect to the rotary dicing saw (1) so that the notch of the depth exceeding the allowable range is not engraved over the entire spreading surface of the vinyl chloride sheet (7). Need to be adjusted. In order to deal with such a problem, a complete through cut incorporating an air micro sensor (17) as shown in FIG. 4 as a means for measuring the feed amount (L) in the height direction of the XY table (4). System dicing equipment has been proposed. More specifically, the arm (16) is laterally extended from the supporting shaft portion of the blade (3) of the rotary dicing saw (1) and the hub (2), and the lower surface of the tip of the arm (16) is provided with a dicing position. An air microsensor (17) is fixed in front of and facing the upper surface of the semiconductor wafer (5), and a continuous measuring device (1) for the feed amount (L) in the height direction of the XY table (4) is provided.
8) constitutes.
【００１０】このような連続測定装置（18）を使用する
ことによって、半導体ウェーハ（５）の厚み（Ｔ）の変
化のリアルタイム検出が可能になったことは事実である
が、測距センサとしてエアマイクロセンサ（17）を使用
すると、半導体ウェーハ（５）の表面に切削ノズル
（８）や冷却水ノズル（11）から吐出された純水が付着
した状態で測定を行なうことによって純水の膜厚が半導
体ウェーハ（５）の変形量（ｄＴ）に取込まれてしまう
という問題が発生する。また、エアマイクロセンサ（1
7）に冷却水やシャワー水が付着するのを防止するた
め、アーム（16）の先端にエアマイクロセンサ（17）を
装着すると、ブレード（３）による切断中心（Ｐ0）と
実際の測定位置（Ｐ）との間に大きな離間間隔が形成さ
れてしまうという問題も発生する。この離間間隔の介在
による測定タイミングのずれが影響して測定値のフィー
ドバック用制御回路が複雑化し、所期の検出性能が維持
されず、また、冷却水やシャワー水が介在しない状態で
ダイシングに先立って半導体ウェーハ（５）の厚み
（Ｔ）を測定して置かなければならないという構造上の
制約からダイシング工程のインデックスも大幅に低下し
てしまう。It is true that the use of such a continuous measuring device (18) makes it possible to detect the change in the thickness (T) of the semiconductor wafer (5) in real time. When the microsensor (17) is used, the thickness of the pure water is measured by performing measurement with the pure water discharged from the cutting nozzle (8) or the cooling water nozzle (11) attached to the surface of the semiconductor wafer (5). Occurs in the deformation amount (dT) of the semiconductor wafer (5). In addition, the air micro sensor (1
To prevent cooling water or shower water from adhering to 7), attach an air micro sensor (17) to the tip of the arm (16) and cut center (P0) by the blade (3) and the actual measurement position There is also a problem in that a large gap is formed between P) and P). The control timing circuit for feedback of the measured value is complicated due to the influence of the gap of the measurement timing due to the intervening spacing, the expected detection performance is not maintained, and the dicing is performed before cooling water or shower water is present. Therefore, the index of the dicing process is greatly reduced due to the structural restriction that the thickness (T) of the semiconductor wafer (5) must be measured and placed.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題の解決手段とし
て本発明は、請求項１に記載の半導体ウェーハを固定支
持し、回転ブレードの下方で縦横方向および上下方向に
移動し得るように配設された可動型のＸ−Ｙテーブル
と、このＸ−Ｙテーブルの上方に設けられた回転ダイシ
ングソウを具えたダイシング装置において、上記回転ブ
レードの上方に、当該回転ブレードによる半導体ウェー
ハの切込み量を測定するレーザ測距センサを配置し、こ
のレーザ測距センサに基づいて回転ダイシングソウの上
下方向の位置制御を行い、上記半導体ウェーハの切込み
量を制御することを特徴とする半導体ウェーハのダイシ
ング装置を提供するものである。As a means for solving the above-mentioned problems, the present invention fixedly supports the semiconductor wafer according to claim 1 and is arranged so that it can move vertically and horizontally and vertically below a rotating blade. A movable XY table, and a rotary dicing saw provided above the XY table, in a dicing device, the amount of a semiconductor wafer cut by the rotary blade is measured above the rotary blade. A semiconductor wafer dicing device characterized by arranging a laser distance measuring sensor for controlling the position of a rotary dicing saw in the vertical direction based on the laser distance measuring sensor to control the depth of cut of the semiconductor wafer. To do.
【００１２】更に本発明は、同様の目的で請求項２に記
載の上記レーザ測距センサの光軸を、回転ブレードの軸
心を通り、半導体ウェーハと鉛直に設定したことを特徴
とする、半導体ウェーハのダイシング装置を提供するも
のである。Further, according to the present invention, for the same purpose, the optical axis of the laser distance measuring sensor described in claim 2 is set to be vertical to the semiconductor wafer through the axis of the rotary blade. A wafer dicing apparatus is provided.
【００１３】[0013]
【作用】半導体ウェーハの切込み量の測定ならびに補正
手段として、ダイシング装置の回転ブレードの上方にレ
ーザ測距センサを配設し、かつ、レーザ測距センサに切
込み量のフィードバック制御回路を接続することによっ
て、半導体ウェーハのスルーカットに際して供給された
冷却水やシャワー水が半導体ウェーハの表面に介在して
も測定値が影響を受けない測距系を構成する。As a means for measuring and correcting the depth of cut of the semiconductor wafer, a laser distance measuring sensor is arranged above the rotating blade of the dicing device, and a feedback control circuit for the depth of cut is connected to the laser distance measuring sensor. A distance measuring system that does not affect measurement values even if cooling water or shower water supplied during through cutting of a semiconductor wafer is present on the surface of the semiconductor wafer.
【００１４】また、上記レーザ測距センサの光軸とダイ
シング装置の回転ブレードの軸心を略一致させることに
よって、ダイシング位置と半導体ウェーハの切込み量の
測距位置を同一直線上に整列させ、測定精度の高いリア
ルタイム方式の切込み量補正手段を構成する。Further, by making the optical axis of the laser distance measuring sensor and the axis of the rotary blade of the dicing device substantially coincide with each other, the dicing position and the distance measuring position of the cut amount of the semiconductor wafer are aligned on the same straight line, and the measurement is performed. A highly accurate real-time cutting amount correcting means is configured.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、図１を参照して本発明の実施例を説明
する。尚、以下の記述において、従来技術の説明に用い
た図２、図３、および図４と同一の構成部材は、同一の
参照番号で表示し、重複事項に関しては説明を省略す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIG. In the following description, the same components as those of FIGS. 2, 3, and 4 used in the description of the prior art are denoted by the same reference numerals, and the duplicated description will be omitted.
【００１６】本発明に係るダイシング装置（19）は、半
導体ウェーハ（５）を固定支持し、回転ブレード（３）
の下方で縦横方向および上下方向に移動し得るように配
設された支持テーブル（４Ｂ）付きのＸ−Ｙテーブル
（４）と、このＸ−Ｙテーブル（４）の上方に設けられ
た回転ダイシングソウ（１）と、上記回転ブレード
（３）の上方に、当該回転ブレード（３）による半導体
ウェーハ（５）の切込み量（図１（Ｂ）に参照番号Ｃで
表示）の測定手段として配設されたレーザ測距センサ
（20）と、上記半導体ウェーハ（５）の正味切込み量
（Ｃ）の補正手段として上記レーザ測距センサ（20）に
接続されたフィードバック制御回路（30）によって構成
されている。The dicing apparatus (19) according to the present invention fixedly supports a semiconductor wafer (5) and has a rotating blade (3).
XY table (4) with a support table (4B) arranged so as to be movable vertically and horizontally and vertically below the XY table, and rotary dicing provided above the XY table (4). Above the rotary blade (3) and the saw blade (1), the rotary blade (3) is provided as a means for measuring the cut amount of the semiconductor wafer (5) (indicated by reference numeral C in FIG. 1B). And a feedback control circuit (30) connected to the laser distance measuring sensor (20) as means for correcting the net depth of cut (C) of the semiconductor wafer (5). There is.
【００１７】レーザ測距センサ（20）は、その光軸の中
心（Ｐ）を、回転ブレード（３）による半導体ウェーハ
（５）の切込み位置（Ｐ0）と略一致させることによっ
て、回転ブレード（３）の作動位置と、レーザ測距セン
サ（20）による厚み測定位置を同一直線状に整列させ、
これによって半導体ウェーハ（５）の切込み量（Ｃ）の
リアルタイム補正手段を構成している。即ち、回転ブレ
ード（３）の軸心とレーザ測距センサ（20）の光軸の中
心との偏心距離（ｅ）を出来る限り少なくすることによ
って、両者の離間配置に起因するフィードバック制御回
路（30）へのノイズの伝達を防止している。The laser distance measuring sensor (20) makes the center (P) of its optical axis substantially coincide with the cutting position (P0) of the semiconductor wafer (5) by the rotating blade (3), and thereby the rotating blade (3). ) Operating position and the thickness measurement position by the laser distance measuring sensor (20) are aligned in the same straight line,
This constitutes a real-time correction means for the cut amount (C) of the semiconductor wafer (5). That is, by reducing the eccentric distance (e) between the axis of the rotary blade (3) and the center of the optical axis of the laser distance measuring sensor (20) as much as possible, the feedback control circuit (30) caused by the disposition of the two. ) To prevent the transmission of noise to.
【００１８】以下、本発明装置（19）の作動順序を説明
する。先ず図１（Ａ）に示すように、半導体ウェーハ
（５）を支持テーブル（４Ｂ）の上に固定する前に、回
転ブレード（３）の刃先を支持テーブル（４Ｂ）の上面
に接触させ、この状態でレーザ測距センサ（20）からレ
ーザ光線を投射し、基準高さ（ａ）の情報をコンピュー
タのフィードバック制御回路（30）に取込む。この状態
で回転ダイシングソウ（１）を起動し、回転ブレード
（３）および半導体ウェーハ（５）に冷却水およびシャ
ワー水を供給しながらペレッタイズ動作を開始する。こ
のペレッタイズ動作の途上で、レーザ測距センサ（20）
からレーザ光線を投射し続け、これによって切込み深さ
（Ｃ）をコンピュータのフィードバック制御回路（30）
に取込む。即ち、ペレッタイズ途上で、図１（Ｂ）に示
すように、半導体ウェーハ（５）とワックス（６）の合
計厚み（Ｃ）を常時測定し、この測定値をフィードバッ
ク制御回路（30）に送出することによって、レーザ測距
センサ（20）の投受光位置から半導体ウェーハ（５）の
上面迄の距離（ｂ）、換言すれば、（ａ−ｃ）の値がス
ルーカット位置の近傍で常に一定となるように支持テー
ブル（４Ｂ）、Ｘ−Ｙテーブル（４）の高さ方向位置を
リアルタイム方式で補正する。The operation sequence of the device (19) of the present invention will be described below. First, as shown in FIG. 1 (A), before the semiconductor wafer (5) is fixed on the supporting table (4B), the cutting edge of the rotary blade (3) is brought into contact with the upper surface of the supporting table (4B), In this state, a laser beam is projected from the laser distance measuring sensor (20) and the information of the reference height (a) is taken into the feedback control circuit (30) of the computer. In this state, the rotary dicing saw (1) is activated to start the pelletizing operation while supplying cooling water and shower water to the rotary blade (3) and the semiconductor wafer (5). During this pelletizing operation, the laser ranging sensor (20)
The laser beam is continuously projected from the computer, and the depth of cut (C) is controlled by the feedback control circuit (30) of the computer.
Take in. That is, as shown in FIG. 1B, the total thickness (C) of the semiconductor wafer (5) and the wax (6) is constantly measured during pelletizing, and the measured value is sent to the feedback control circuit (30). Thus, the distance (b) from the light emitting / receiving position of the laser distance measuring sensor (20) to the upper surface of the semiconductor wafer (5), in other words, the value of (ac) is always constant near the through cut position. The height direction positions of the support table (4B) and the XY table (4) are corrected in real time so that
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェーハ（５）
の切込み量（Ｃ）が冷却水やシャワー水の介在と無関係
にリアルタイム制御方式で補正される。この結果、従来
装置で寸法管理上問題とされていたＸ−Ｙテーブル
（４）や支持テーブル（４Ｂ）の平行度、半導体ウェー
ハ（５）、ワックス層（６）、あるいは塩化ビニルシー
ト（７）の厚み不同、および回転ダイシングソウ（１）
とＸ−Ｙテーブル（４）との平行度等の課題が解消され
る。従って、本発明はダイシング不良に起因する半導体
素子の歩留まり低下の防止手段として、従来技術の水準
を大幅に上廻る効果を発揮し得るものである。According to the present invention, the semiconductor wafer (5)
The cut amount (C) is corrected by the real-time control method regardless of the presence of cooling water or shower water. As a result, the parallelism of the XY table (4) and the supporting table (4B), which has been a problem in the dimension control of the conventional apparatus, the semiconductor wafer (5), the wax layer (6), or the vinyl chloride sheet (7). Of different thickness and rotary dicing saw (1)
And the parallelism between the XY table (4) and the like are solved. Therefore, the present invention can exert an effect far exceeding the level of the prior art as a means for preventing a decrease in the yield of semiconductor devices due to defective dicing.
【図１】（Ａ）は本発明装置をダイシング開始前の状態
で示す正面図、（Ｂ）は、それをダイシング途上の状態
で示す正面図。FIG. 1A is a front view showing the device of the present invention in a state before starting dicing, and FIG. 1B is a front view showing the device in the state of dicing.
【図２】（Ａ）は従来型ダイシング装置の正面図、
（Ｂ）はその要部拡大正面図。FIG. 2A is a front view of a conventional dicing device,
(B) is an enlarged front view of the relevant part.
【図３】半導体ウェーハと支持テーブルの変形状態の説
明図。FIG. 3 is an explanatory view of a deformed state of a semiconductor wafer and a support table.
【図４】従来型測距センサの作動状態を説明する正面
図。FIG. 4 is a front view illustrating an operating state of a conventional distance measuring sensor.
１ 回転ダイシングソウ ３ 回転ブレード ４ 可動型Ｘ−Ｙテーブル ４Ｂ 支持テーブル ５ 半導体ウェーハ 19 ダイシング装置 20 レーザ測距センサ 30 切込み量のフィードバック制御回路 1 Rotary Dicing Saw 3 Rotary Blade 4 Movable XY Table 4B Support Table 5 Semiconductor Wafer 19 Dicing Device 20 Laser Distance Sensor 30 Feedback Control Circuit for Depth of Cut
Claims (2)
ードの下方で縦横方向および上下方向に移動し得るよう
に配設された可動型のＸ−Ｙテーブルと、このＸ−Ｙテ
ーブルの上方に設けられた回転ダイシングソウを具えた
ダイシング装置において、上記回転ブレードの上方に、
当該回転ブレードによる半導体ウェーハの切込み量を測
定するレーザ測距センサを配置し、このレーザ測距セン
サに基づいて回転ダイシングソウの上下方向の位置制御
を行い、上記半導体ウェーハの切込み量を制御すること
を特徴とする半導体ウェーハのダイシング装置。1. A movable XY table which is fixedly supported on a semiconductor wafer and is arranged below a rotating blade so as to be movable in vertical and horizontal directions and in an up and down direction, and is provided above the XY table. In a dicing device equipped with a rotary dicing saw, above the rotary blade,
Arranging a laser distance measuring sensor for measuring the depth of cut of the semiconductor wafer by the rotating blade, and controlling the vertical position of the rotary dicing saw based on the laser distance sensor to control the depth of cut of the semiconductor wafer. A dicing apparatus for semiconductor wafers.
て、上記レーザ測距センサの光軸を、回転ブレードの軸
心を通り、半導体ウェーハと鉛直に設定したことを特徴
とする半導体ウェーハのダイシング装置。2. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the optical axis of the laser distance measuring sensor is set to be vertical to the semiconductor wafer, passing through the axis of the rotary blade. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1391193A JPH06232258A (en) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | Apparatus for dicing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1391193A JPH06232258A (en) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | Apparatus for dicing semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232258A true JPH06232258A (en) | 1994-08-19 |
Family
ID=11846356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1391193A Pending JPH06232258A (en) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | Apparatus for dicing semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232258A (en) |
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1993
- 1993-01-29 JP JP1391193A patent/JPH06232258A/en active Pending
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