JPH06223971A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH06223971A JPH06223971A JP5032621A JP3262193A JPH06223971A JP H06223971 A JPH06223971 A JP H06223971A JP 5032621 A JP5032621 A JP 5032621A JP 3262193 A JP3262193 A JP 3262193A JP H06223971 A JPH06223971 A JP H06223971A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 少なくとも一方の透明電極に接して補助電極
を設ける薄膜ＥＬ素子の製造工程において、透明電極の
蒸着、パターニングと補助電極の蒸着、パターニングと
が交互に配置され、工程が煩雑であるので、これを簡略
化する。 【構成】 電極を形成する手順として、真空槽内でガラ
ス基板上に透明電極をほぼ全面に蒸着した後、補助電極
蒸着位置に搬送し、前記透明電極の上に補助電極を蒸着
する。次に前記ガラス基板を大気に戻し、補助電極のフ
ォトリソグラフを行い、引き続き透明電極のフォトリソ
グラフを行う。このように透明電極と補助電極とを連続
して蒸着すると、透明電極上にリソグラフによる汚染の
ない状態で補助電極が成膜され、透明電極と補助電極と
の密着性が良い。また、透明電極と補助電極とを続けて
蒸着し、次に補助電極と透明電極のパターニングを連続
して行うことにより、薄膜ＥＬ素子の製造時間を大幅に
短縮することができる。
を設ける薄膜ＥＬ素子の製造工程において、透明電極の
蒸着、パターニングと補助電極の蒸着、パターニングと
が交互に配置され、工程が煩雑であるので、これを簡略
化する。 【構成】 電極を形成する手順として、真空槽内でガラ
ス基板上に透明電極をほぼ全面に蒸着した後、補助電極
蒸着位置に搬送し、前記透明電極の上に補助電極を蒸着
する。次に前記ガラス基板を大気に戻し、補助電極のフ
ォトリソグラフを行い、引き続き透明電極のフォトリソ
グラフを行う。このように透明電極と補助電極とを連続
して蒸着すると、透明電極上にリソグラフによる汚染の
ない状態で補助電極が成膜され、透明電極と補助電極と
の密着性が良い。また、透明電極と補助電極とを続けて
蒸着し、次に補助電極と透明電極のパターニングを連続
して行うことにより、薄膜ＥＬ素子の製造時間を大幅に
短縮することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラットパネルディス
プレイとして優れた性能を持つ薄膜ＥＬ素子の製造方法
に関する。
プレイとして優れた性能を持つ薄膜ＥＬ素子の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に薄膜ＥＬ素子は、透明なガラス基
板上に透明電極としてＩＴＯを形成し、その上に第１の
絶縁層、発光層、第２の絶縁層を順次積層した後、背面
電極を形成したものが用いられている。前記薄膜ＥＬ素
子に使用される透明電極はシート抵抗が高いため、大面
積、高精細なパネルを作ると、電圧降下が激しく、輝度
むらを生じてしまうという欠点がある。そのため、補助
電極として金属の細線を透明電極に接して設けることが
提案されている。
板上に透明電極としてＩＴＯを形成し、その上に第１の
絶縁層、発光層、第２の絶縁層を順次積層した後、背面
電極を形成したものが用いられている。前記薄膜ＥＬ素
子に使用される透明電極はシート抵抗が高いため、大面
積、高精細なパネルを作ると、電圧降下が激しく、輝度
むらを生じてしまうという欠点がある。そのため、補助
電極として金属の細線を透明電極に接して設けることが
提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように補助電極
を透明電極に接して設ける場合、図７に示すように透明
電極の形成すなわちＩＴＯの蒸着、パターニングの後に
補助電極の蒸着、パターニングをする工程順序であるの
で、真空成膜工程とリソグラフ工程とが交互に配置され
ることになり、工程が煩雑になる。本発明は上記従来の
問題点に着目してなされたもので、補助電極の形成によ
って生じる製造工程の煩雑さを解消することができるよ
うな、簡略化した薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
を透明電極に接して設ける場合、図７に示すように透明
電極の形成すなわちＩＴＯの蒸着、パターニングの後に
補助電極の蒸着、パターニングをする工程順序であるの
で、真空成膜工程とリソグラフ工程とが交互に配置され
ることになり、工程が煩雑になる。本発明は上記従来の
問題点に着目してなされたもので、補助電極の形成によ
って生じる製造工程の煩雑さを解消することができるよ
うな、簡略化した薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造方法は、絶縁耐熱
性基板上に第１の電極、第１の絶縁層、発光層、第２の
絶縁層、第２の電極を順次積層し、少なくとも一方の電
極に補助電極を設けてなる薄膜ＥＬ素子の製造方法であ
って、電極および補助電極を形成する手段として、 （１）電極をほぼ全面に成膜する （２）前記電極の上に補助電極となる薄膜を成膜する （３）補助電極をパターニングするレジストを形成する （４）補助電極膜のみをエッチングする （５）レジストを除去し、電極をパターニングするレジ
ストを形成する （６）電極をエッチングする （７）レジストを除去する 工程を順次行うものとした。
め、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造方法は、絶縁耐熱
性基板上に第１の電極、第１の絶縁層、発光層、第２の
絶縁層、第２の電極を順次積層し、少なくとも一方の電
極に補助電極を設けてなる薄膜ＥＬ素子の製造方法であ
って、電極および補助電極を形成する手段として、 （１）電極をほぼ全面に成膜する （２）前記電極の上に補助電極となる薄膜を成膜する （３）補助電極をパターニングするレジストを形成する （４）補助電極膜のみをエッチングする （５）レジストを除去し、電極をパターニングするレジ
ストを形成する （６）電極をエッチングする （７）レジストを除去する 工程を順次行うものとした。
【０００５】
【作用】上記構成によれば、透明電極と補助電極との形
成において、成膜工程とパターニング工程とを分離し、
図６に示すように真空槽内で透明電極を成膜した後、真
空を維持したまま引き続き補助電極を成膜することにし
た。透明電極の成膜後リソグラフを行わないので、透明
電極表面にはレジスト残渣や薬品などの汚染物が残るこ
とはなく、電極表面が清浄なまま次の補助電極成膜を行
うことができる。従って、透明電極と補助電極の密着性
も向上する。また、真空を維持したまま続けて成膜する
ため、図７に示す従来の電極形成工程において２回ずつ
行っていた真空引きと大気に戻す作業を１回ずつ減らす
ことができる。透明電極の成膜後、補助電極の成膜のた
め基板を搬送する工程が新たに加わるが、真空引きおよ
び大気に戻す作業工程に比べると基板搬送工程は非常に
短い時間で済む。このため、電極および補助電極の形成
所要時間を大幅に短縮することができる。
成において、成膜工程とパターニング工程とを分離し、
図６に示すように真空槽内で透明電極を成膜した後、真
空を維持したまま引き続き補助電極を成膜することにし
た。透明電極の成膜後リソグラフを行わないので、透明
電極表面にはレジスト残渣や薬品などの汚染物が残るこ
とはなく、電極表面が清浄なまま次の補助電極成膜を行
うことができる。従って、透明電極と補助電極の密着性
も向上する。また、真空を維持したまま続けて成膜する
ため、図７に示す従来の電極形成工程において２回ずつ
行っていた真空引きと大気に戻す作業を１回ずつ減らす
ことができる。透明電極の成膜後、補助電極の成膜のた
め基板を搬送する工程が新たに加わるが、真空引きおよ
び大気に戻す作業工程に比べると基板搬送工程は非常に
短い時間で済む。このため、電極および補助電極の形成
所要時間を大幅に短縮することができる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造方法
の実施例について、図面を参照して説明する。図１は第
１実施例における電極形成工程を順に説明したものであ
る。同図において（ａ）は一般的な薄膜ＥＬ素子の製造
工程により、絶縁耐熱性ガラス基板１上に第１電極（Ｉ
ＴＯ）２、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５まで
積層した状態を示している。これに第２電極６としてＩ
ＴＯをスパッタ法で成膜する（ｂ）。続いて補助電極７
としてＡｌをスパッタ法で成膜する（ｃ）。前記第２電
極６および補助電極７を成膜する際、ターゲット間の距
離がある程度確保されていれば、スパッタ室を別々に設
けなくても膜中にそれぞれが混ざることはない。従って
ワーク搬送時間が短くて済む。次に補助電極７のパター
ニングであるが、図１の（ｄ）、（ｅ）に示すように補
助電極７上にレジスト８をパターニングし、補助電極７
のエッチングを行う。本実施例では、エッチング液とし
てリン酸、硝酸、酢酸、水の割合を１６：１：２：１と
した混酸を用いた。レジストを除去（ｆ）した後、第２
電極６をパターニングする（ｇ〜ｉ）。このときのエッ
チング液にはＨＢｒを用いた。以上のような工程で製造
した薄膜ＥＬパネルは、透明電極と補助電極との密着性
が良く、製造時間も大幅に短縮することができた。
の実施例について、図面を参照して説明する。図１は第
１実施例における電極形成工程を順に説明したものであ
る。同図において（ａ）は一般的な薄膜ＥＬ素子の製造
工程により、絶縁耐熱性ガラス基板１上に第１電極（Ｉ
ＴＯ）２、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５まで
積層した状態を示している。これに第２電極６としてＩ
ＴＯをスパッタ法で成膜する（ｂ）。続いて補助電極７
としてＡｌをスパッタ法で成膜する（ｃ）。前記第２電
極６および補助電極７を成膜する際、ターゲット間の距
離がある程度確保されていれば、スパッタ室を別々に設
けなくても膜中にそれぞれが混ざることはない。従って
ワーク搬送時間が短くて済む。次に補助電極７のパター
ニングであるが、図１の（ｄ）、（ｅ）に示すように補
助電極７上にレジスト８をパターニングし、補助電極７
のエッチングを行う。本実施例では、エッチング液とし
てリン酸、硝酸、酢酸、水の割合を１６：１：２：１と
した混酸を用いた。レジストを除去（ｆ）した後、第２
電極６をパターニングする（ｇ〜ｉ）。このときのエッ
チング液にはＨＢｒを用いた。以上のような工程で製造
した薄膜ＥＬパネルは、透明電極と補助電極との密着性
が良く、製造時間も大幅に短縮することができた。
【０００７】図２は第２実施例における電極形成工程を
順に説明したものである。まず、ガラス基板１上に第１
電極（ＩＴＯ）２をほぼ全面に蒸着（ａ）し、その上に
（ｂ）に示すように、補助電極７をほぼ全面に蒸着する
（ｂ）。次にレジスト８をパターニングし（ｃ）、補助
電極７をエッチングする（ｄ）。最初のレジストを除去
した（ｅ）後、第１電極２をパターニングし（ｆ，
ｇ）、更にレジストを除去する（ｈ）。それから第１絶
縁層３、発光層４、第２絶縁層５、第２電極（ＩＴＯ）
６の順に成膜し（ｉ〜ｌ）、第２電極６をパターニング
して薄膜ＥＬ素子が完成する。
順に説明したものである。まず、ガラス基板１上に第１
電極（ＩＴＯ）２をほぼ全面に蒸着（ａ）し、その上に
（ｂ）に示すように、補助電極７をほぼ全面に蒸着する
（ｂ）。次にレジスト８をパターニングし（ｃ）、補助
電極７をエッチングする（ｄ）。最初のレジストを除去
した（ｅ）後、第１電極２をパターニングし（ｆ，
ｇ）、更にレジストを除去する（ｈ）。それから第１絶
縁層３、発光層４、第２絶縁層５、第２電極（ＩＴＯ）
６の順に成膜し（ｉ〜ｌ）、第２電極６をパターニング
して薄膜ＥＬ素子が完成する。
【０００８】図３は第３実施例における薄膜ＥＬ素子の
部分斜視図である。同図において、１はガラス基板、２
は第１電極、３は第１絶縁層、４は発光層、５は第２絶
縁層、６は第２電極である。この実施例では、補助電極
７としてＣｕ層７ａとＡｌ層７ｂとからなる２層構造を
用いている。補助電極７の表面にＣｕを用いることによ
り、駆動回路に接続する際のはんだ付けが容易になる。
また第１電極２、第２電極６ともにＩＴＯを用いている
ので、フィルタを張り合わせたマルチカラーパネルを製
作するのに適している。このときのエッチング方法は、
Ａｒによるスパッタエッチング法を用いた。図１（ｄ）
に示したように補助電極のパターン形成後、Ａｒスパッ
タエッチングによりＣｕ／Ａｌの２層を続けてエッチン
グした。レジストは、スパッタエッチングしたチャンバ
内で酸素プラズマによるアッシングにより除去した。次
のＩＴＯのエッチングも前記と同様の方法による。この
ようなエッチング方法を用いると、ウエットエッチング
と異なり、２層であっても段差ができずにエッチングす
ることができる。またアンダカットも生じないので、補
助電極のように線幅の狭いものをパターニングするのに
適している。更に、ドライなプロセスなので、エッチン
グ液がしみ込んで剥離するというトラブルも起こらな
い。
部分斜視図である。同図において、１はガラス基板、２
は第１電極、３は第１絶縁層、４は発光層、５は第２絶
縁層、６は第２電極である。この実施例では、補助電極
７としてＣｕ層７ａとＡｌ層７ｂとからなる２層構造を
用いている。補助電極７の表面にＣｕを用いることによ
り、駆動回路に接続する際のはんだ付けが容易になる。
また第１電極２、第２電極６ともにＩＴＯを用いている
ので、フィルタを張り合わせたマルチカラーパネルを製
作するのに適している。このときのエッチング方法は、
Ａｒによるスパッタエッチング法を用いた。図１（ｄ）
に示したように補助電極のパターン形成後、Ａｒスパッ
タエッチングによりＣｕ／Ａｌの２層を続けてエッチン
グした。レジストは、スパッタエッチングしたチャンバ
内で酸素プラズマによるアッシングにより除去した。次
のＩＴＯのエッチングも前記と同様の方法による。この
ようなエッチング方法を用いると、ウエットエッチング
と異なり、２層であっても段差ができずにエッチングす
ることができる。またアンダカットも生じないので、補
助電極のように線幅の狭いものをパターニングするのに
適している。更に、ドライなプロセスなので、エッチン
グ液がしみ込んで剥離するというトラブルも起こらな
い。
【０００９】図４は第４実施例における薄膜ＥＬ素子の
断面図で、補助電極７の位置を薄膜ＥＬパネル画素の端
部に設定したものである。このようにすると、前記画素
が補助電極７によって分断されることがないので、表示
品質が向上する。
断面図で、補助電極７の位置を薄膜ＥＬパネル画素の端
部に設定したものである。このようにすると、前記画素
が補助電極７によって分断されることがないので、表示
品質が向上する。
【００１０】図５は第５実施例として、補助電極の形状
について比較した説明図である。同図において、（ａ）
は上記第１実施例における補助電極の形状と配置を示
し、補助電極７は画素の中心を通って配置されている。
また、（ｂ）は上記第４実施例における補助電極の形状
と配置を示し、補助電極７は画素の端部を通って配置さ
れている。第５実施例は（ｃ）および（ｄ）に示すよう
に、画素の隙間を補助電極７で埋めたもので、（ｃ），
（ｄ）のＡ−Ａ断面は（ｅ）に示す通りである。このよ
うにすることによって透明電極の抵抗を更に下げること
ができる。この場合、補助電極に光の反射、透過の少な
い物質を使用すると、コントラストの向上に寄与するこ
とができる。
について比較した説明図である。同図において、（ａ）
は上記第１実施例における補助電極の形状と配置を示
し、補助電極７は画素の中心を通って配置されている。
また、（ｂ）は上記第４実施例における補助電極の形状
と配置を示し、補助電極７は画素の端部を通って配置さ
れている。第５実施例は（ｃ）および（ｄ）に示すよう
に、画素の隙間を補助電極７で埋めたもので、（ｃ），
（ｄ）のＡ−Ａ断面は（ｅ）に示す通りである。このよ
うにすることによって透明電極の抵抗を更に下げること
ができる。この場合、補助電極に光の反射、透過の少な
い物質を使用すると、コントラストの向上に寄与するこ
とができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、透
明電極と補助電極とを連続して蒸着することにしたの
で、透明電極上にフォトリソグラフによる汚染のない状
態で補助電極が成膜され、透明電極と補助電極との密着
性が良い。また、真空状態を維持したまま透明電極と補
助電極とを続けて蒸着し、次に大気圧のもとで補助電極
と透明電極とのパターニングを連続して行うことによ
り、従来のような煩雑な電極形成工程を単純化すること
ができ、またこれによって薄膜ＥＬ素子の製造時間の大
幅短縮が可能となる。
明電極と補助電極とを連続して蒸着することにしたの
で、透明電極上にフォトリソグラフによる汚染のない状
態で補助電極が成膜され、透明電極と補助電極との密着
性が良い。また、真空状態を維持したまま透明電極と補
助電極とを続けて蒸着し、次に大気圧のもとで補助電極
と透明電極とのパターニングを連続して行うことによ
り、従来のような煩雑な電極形成工程を単純化すること
ができ、またこれによって薄膜ＥＬ素子の製造時間の大
幅短縮が可能となる。
【図１】第１実施例における電極形成工程を（ａ）〜
（ｉ）の順に説明した図である。
（ｉ）の順に説明した図である。
【図２】第２実施例における電極形成工程を（ａ）〜
（ｌ）の順に説明した図である。
（ｌ）の順に説明した図である。
【図３】第３実施例における薄膜ＥＬ素子の部分斜視図
である。
である。
【図４】第４実施例における薄膜ＥＬ素子の断面図であ
る。
る。
【図５】補助電極の形状について比較した説明図で、
（ａ）は第１実施例、（ｂ）は第４実施例、（ｃ）〜
（ｄ）は第５実施例をそれぞれ示し、（ｅ）は（ｃ）お
よび（ｄ）のＡ−Ａ断面図である。
（ａ）は第１実施例、（ｂ）は第４実施例、（ｃ）〜
（ｄ）は第５実施例をそれぞれ示し、（ｅ）は（ｃ）お
よび（ｄ）のＡ−Ａ断面図である。
【図６】本発明による電極形成工程のフローチャートで
ある。
ある。
【図７】従来の技術による電極形成工程のフローチャー
トである。
トである。
１ ガラス基板 ２ 第１電極 ３ 第１絶縁層 ４ 発光層 ５ 第２絶縁層 ６ 第２電極 ７ 補助電極 ８ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁耐熱性基板上に第１の電極、第１の
絶縁層、発光層、第２の絶縁層、第２の電極を順次積層
し、少なくとも一方の電極に補助電極を設けてなる薄膜
ＥＬ素子の製造方法であって、電極および補助電極を形
成する手段として、 （１）電極をほぼ全面に成膜する （２）前記電極の上に補助電極となる薄膜を成膜する （３）補助電極をパターニングするレジストを形成する （４）補助電極膜のみをエッチングする （５）レジストを除去し、電極をパターニングするレジ
ストを形成する （６）電極をエッチングする （７）レジストを除去する 工程順序であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5032621A JPH06223971A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5032621A JPH06223971A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223971A true JPH06223971A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12363928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5032621A Pending JPH06223971A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223971A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332073A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2004006278A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2005123012A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法 |
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