JPH06222149A - シンチレータ - Google Patents
シンチレータInfo
- Publication number
- JPH06222149A JPH06222149A JP2723793A JP2723793A JPH06222149A JP H06222149 A JPH06222149 A JP H06222149A JP 2723793 A JP2723793 A JP 2723793A JP 2723793 A JP2723793 A JP 2723793A JP H06222149 A JPH06222149 A JP H06222149A
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- Japan
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- crystal
- sides
- scintillator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光量変化の位置依存性が少なく外形精度のよ
いシンチレータを提供する。 【構成】 直方体状の結晶体１の少なくとも一方の端面
1bと、長手方向の四つの側面1a，…とを鏡面研磨し、前
記一方の端面1bに光電子倍増管５を接続する一方、前記
四つの側面1a，…と他方の端面1cとに、両面をアルミ蒸
着した樹脂フィルム３を被着させている。
いシンチレータを提供する。 【構成】 直方体状の結晶体１の少なくとも一方の端面
1bと、長手方向の四つの側面1a，…とを鏡面研磨し、前
記一方の端面1bに光電子倍増管５を接続する一方、前記
四つの側面1a，…と他方の端面1cとに、両面をアルミ蒸
着した樹脂フィルム３を被着させている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複数個を段積みして使用
されるシンチレータに関する。
されるシンチレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数個を段積みして使用されるシ
ンチレータは、図３に示すように、例えば矩形状に形成
したヨウ化セシウム結晶体１の外面にテフロンフィルム
（厚さ15mil ）２を外被し、さらにその上から両面をア
ルミ蒸着した樹脂フィルム（マイラーフィルム）３で包
むように構成されていた。図中、符号４はｘ方向に所定
の間隔をおいて移動されるγ線源、５は光電子倍増管
（ＰＭＴ）である。
ンチレータは、図３に示すように、例えば矩形状に形成
したヨウ化セシウム結晶体１の外面にテフロンフィルム
（厚さ15mil ）２を外被し、さらにその上から両面をア
ルミ蒸着した樹脂フィルム（マイラーフィルム）３で包
むように構成されていた。図中、符号４はｘ方向に所定
の間隔をおいて移動されるγ線源、５は光電子倍増管
（ＰＭＴ）である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のヨウ化
セシウムシンチレータでは、図２に破線で示すように、
γ線源４が光電子倍増管５から遠ざかる程光量が低下す
る傾向があった。このような傾向はヨウ化セシウム結晶
体１の断面積と長さの比率が小さくなる程、つまり細長
くなる程顕著であった。
セシウムシンチレータでは、図２に破線で示すように、
γ線源４が光電子倍増管５から遠ざかる程光量が低下す
る傾向があった。このような傾向はヨウ化セシウム結晶
体１の断面積と長さの比率が小さくなる程、つまり細長
くなる程顕著であった。
【０００４】これは、テフロンフィルム２による光の散
乱率が高いために、ＰＭＴ５に近い側での散乱率がＰＭ
Ｔ５から離れた側よりも甚だしくなることによるものと
考えられる。高エネルギー粒子のエネルギーを高い精度
で測定するためには、γ線源４の位置変化の如何にかか
わらず常に光量が一定であることが望ましい。
乱率が高いために、ＰＭＴ５に近い側での散乱率がＰＭ
Ｔ５から離れた側よりも甚だしくなることによるものと
考えられる。高エネルギー粒子のエネルギーを高い精度
で測定するためには、γ線源４の位置変化の如何にかか
わらず常に光量が一定であることが望ましい。
【０００５】また、テフロンフィルム２をヨウ化セシウ
ム結晶体１に外被させているため、外形の寸法精度が不
均一になりやすく、段積みにした場合には精度よく整列
させることがむつかしいこともあった。このような問題
はヨウ化セシウムに限らず、その他のシンチレータにつ
いても生じていた。
ム結晶体１に外被させているため、外形の寸法精度が不
均一になりやすく、段積みにした場合には精度よく整列
させることがむつかしいこともあった。このような問題
はヨウ化セシウムに限らず、その他のシンチレータにつ
いても生じていた。
【０００６】本発明は上述のような実情に鑑みてなさ
れ、光量変化の位置依存性が少なく外形精度のよいシン
チレータを提供することを目的としている。
れ、光量変化の位置依存性が少なく外形精度のよいシン
チレータを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するための手段を以下のように構成している。すな
わち、直方体状の結晶体の少なくとも一方の端面と、長
手方向の四つの側面とを鏡面研磨し、前記一方の端面に
光電子倍増管を接続する一方、前記四つの側面と他方の
端面とに、両面をアルミ蒸着した樹脂フィルムを被着さ
せてなることを特徴としている。
解決するための手段を以下のように構成している。すな
わち、直方体状の結晶体の少なくとも一方の端面と、長
手方向の四つの側面とを鏡面研磨し、前記一方の端面に
光電子倍増管を接続する一方、前記四つの側面と他方の
端面とに、両面をアルミ蒸着した樹脂フィルムを被着さ
せてなることを特徴としている。
【０００８】
【作用】直方体状の結晶体の鏡面研磨した四つの側面に
直接被着させたアルミ蒸着樹脂フィルムによって、特に
光電子倍増管に近い側での散乱率を低く抑え、反射を優
先させることができ、これにより光量変化の位置依存性
を僅少なものとすることができる。
直接被着させたアルミ蒸着樹脂フィルムによって、特に
光電子倍増管に近い側での散乱率を低く抑え、反射を優
先させることができ、これにより光量変化の位置依存性
を僅少なものとすることができる。
【０００９】また、鏡面研磨した結晶体の四つの側面に
直接アルミ蒸着樹脂フィルムを被着させることによって
良好な外形精度を得ることができる。
直接アルミ蒸着樹脂フィルムを被着させることによって
良好な外形精度を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明のシンチレータの実施例を図面
に基づいて詳細に説明する。図１はヨウ化セシウムシン
チレータの縦断面を示し、符号１は直方体状に形成され
たヨウ化セシウム結晶体で、その一方の端面1bと、長手
方向の四つの側面1a，…とが鏡面仕上げに研磨され、そ
の一方の端面1bには光電子倍増管（ＰＭＴ）５が接続さ
れ、四つの側面1a，…と他方の端面1cとが、両面をアル
ミ蒸着した樹脂フィルム（マイラーフィルム）３によっ
て外被されている。４はγ線源で、図示しない移動手段
によってヨウ化セシウム結晶体１の長手方向（ｘ方向）
に所定の間隔をおいて移動されつつ、そのヨウ化セシウ
ム結晶体１に対してγ線を照射する。
に基づいて詳細に説明する。図１はヨウ化セシウムシン
チレータの縦断面を示し、符号１は直方体状に形成され
たヨウ化セシウム結晶体で、その一方の端面1bと、長手
方向の四つの側面1a，…とが鏡面仕上げに研磨され、そ
の一方の端面1bには光電子倍増管（ＰＭＴ）５が接続さ
れ、四つの側面1a，…と他方の端面1cとが、両面をアル
ミ蒸着した樹脂フィルム（マイラーフィルム）３によっ
て外被されている。４はγ線源で、図示しない移動手段
によってヨウ化セシウム結晶体１の長手方向（ｘ方向）
に所定の間隔をおいて移動されつつ、そのヨウ化セシウ
ム結晶体１に対してγ線を照射する。
【００１１】上述のマイラーフィルム３は、特に鏡面仕
上げされた四つの側面1a，…に対してタイトに隙間なく
被着させるようにかたく巻き付け、これにより、良好な
外形精度を得ることができ、複数個を段積みした場合に
も精度よく整列させることができる。
上げされた四つの側面1a，…に対してタイトに隙間なく
被着させるようにかたく巻き付け、これにより、良好な
外形精度を得ることができ、複数個を段積みした場合に
も精度よく整列させることができる。
【００１２】このように、四つの側面1a，…と他方の端
面1cとをマイラーフィルム３で被ったことにより、特に
ＰＭＴ５に近い側での散乱率を低く抑え、反射を優先さ
せることができ、これにより光量変化の位置依存性を僅
少なものとして光出力を安定化させ高エネルギー粒子に
対する高いエネルギー分解能を得ることができる。そし
て、歩留も向上する。例えば、35×35×300 mmのヨウ化
セシウム結晶体であれば、光量変化の位置依存性を５％
以内に納めることができる。なお、ＫＢｒ，ＫＣｌ，Ｃ
ｓＩ（Ｔｌ），ＮａＩ（Ｔｌ）等についてもこのヨウ化
セシウムシンチレータと同様のシンチレータを形成する
ことができる。
面1cとをマイラーフィルム３で被ったことにより、特に
ＰＭＴ５に近い側での散乱率を低く抑え、反射を優先さ
せることができ、これにより光量変化の位置依存性を僅
少なものとして光出力を安定化させ高エネルギー粒子に
対する高いエネルギー分解能を得ることができる。そし
て、歩留も向上する。例えば、35×35×300 mmのヨウ化
セシウム結晶体であれば、光量変化の位置依存性を５％
以内に納めることができる。なお、ＫＢｒ，ＫＣｌ，Ｃ
ｓＩ（Ｔｌ），ＮａＩ（Ｔｌ）等についてもこのヨウ化
セシウムシンチレータと同様のシンチレータを形成する
ことができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
直方体状の結晶体の鏡面仕上げした四つの側面と他方の
端面とにアルミ蒸着樹脂フィルムを被着させたので、特
に光電子倍増管に近い側での散乱率を低く抑え、反射を
優先させることができ、光量変化の位置依存性を僅少な
ものとすることができ、高エネルギー粒子に対するエネ
ルギー分解能が向上し、かつ歩留も向上する。
直方体状の結晶体の鏡面仕上げした四つの側面と他方の
端面とにアルミ蒸着樹脂フィルムを被着させたので、特
に光電子倍増管に近い側での散乱率を低く抑え、反射を
優先させることができ、光量変化の位置依存性を僅少な
ものとすることができ、高エネルギー粒子に対するエネ
ルギー分解能が向上し、かつ歩留も向上する。
【００１４】また、鏡面研磨した結晶体の四つの側面に
直接アルミ蒸着樹脂フィルムを被着させたので、良好な
外形精度を得ることができ、段積みした場合にも精度よ
く整列させることができる。
直接アルミ蒸着樹脂フィルムを被着させたので、良好な
外形精度を得ることができ、段積みした場合にも精度よ
く整列させることができる。
【図１】本発明のシンチレータの一実施例を示す縦断面
図である。
図である。
【図２】同γ線源の位置と光量の関係を示すグラフであ
る。
る。
【図３】従来のシンチレータの一例を示す縦断面図であ
る。
る。
１…結晶体、1a…側面、1b…一方の端面、1c…他方の端
面、３…両面をアルミ蒸着した樹脂フィルム、５…光電
子倍増管（ＰＭＴ）。
面、３…両面をアルミ蒸着した樹脂フィルム、５…光電
子倍増管（ＰＭＴ）。
Claims (1)
- 【請求項１】 直方体状の結晶体の少なくとも一方の端
面と、長手方向の四つの側面とを鏡面研磨し、前記一方
の端面に光電子倍増管を接続する一方、前記四つの側面
と他方の端面とに、両面をアルミ蒸着した樹脂フィルム
を被着させてなることを特徴とするシンチレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2723793A JPH06222149A (ja) | 1993-01-23 | 1993-01-23 | シンチレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2723793A JPH06222149A (ja) | 1993-01-23 | 1993-01-23 | シンチレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222149A true JPH06222149A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12215469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2723793A Pending JPH06222149A (ja) | 1993-01-23 | 1993-01-23 | シンチレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06222149A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943354B2 (en) * | 2000-07-31 | 2005-09-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| JP2012026821A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | シンチレータの表面平坦化方法及びシンチレータ部材 |
| JP2012527618A (ja) * | 2009-05-20 | 2012-11-08 | シュルンベルジェ ホールディングス リミテッド | シンチレータ結晶のスペクトル性能を最適化する方法 |
-
1993
- 1993-01-23 JP JP2723793A patent/JPH06222149A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943354B2 (en) * | 2000-07-31 | 2005-09-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| JP2012527618A (ja) * | 2009-05-20 | 2012-11-08 | シュルンベルジェ ホールディングス リミテッド | シンチレータ結晶のスペクトル性能を最適化する方法 |
| JP2012026821A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | シンチレータの表面平坦化方法及びシンチレータ部材 |
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