JPH06215998A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH06215998A JPH06215998A JP5004908A JP490893A JPH06215998A JP H06215998 A JPH06215998 A JP H06215998A JP 5004908 A JP5004908 A JP 5004908A JP 490893 A JP490893 A JP 490893A JP H06215998 A JPH06215998 A JP H06215998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- optical system
- image
- light
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 28
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- -1 aryl nitrone Chemical compound 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XHYQTIDZYNZAKZ-UHFFFAOYSA-N 1-[4-(diethylamino)phenyl]-n-phenylmethanimine oxide Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=[N+]([O-])C1=CC=CC=C1 XHYQTIDZYNZAKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- SQDFHQJTAWCFIB-UHFFFAOYSA-N n-methylidenehydroxylamine Chemical compound ON=C SQDFHQJTAWCFIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数枚のフォトマスクを使用した場合と同様
に、光の可干渉性を積極的に利用して結像性能を向上す
ると共に、それらフォトマスクに対応する光学部材間の
アライメントを不要にする。 【構成】 照明光学系1からの露光光でフォトマスク1
2を照明し、フォトマスク12の像を第1結像光学系3
を介して光透過性の基板13に塗布されたブリーチング
材14上に結像し、ブリーチング材14上に結像された
像を第2結像光学系5を介して感光基板6上に再結像す
る。ブリーチング材14は露光量が大きくなると光の透
過率が高くなるので、ブリーチング材14が実質的に第
2のフォトマスクとして機能する。
に、光の可干渉性を積極的に利用して結像性能を向上す
ると共に、それらフォトマスクに対応する光学部材間の
アライメントを不要にする。 【構成】 照明光学系1からの露光光でフォトマスク1
2を照明し、フォトマスク12の像を第1結像光学系3
を介して光透過性の基板13に塗布されたブリーチング
材14上に結像し、ブリーチング材14上に結像された
像を第2結像光学系5を介して感光基板6上に再結像す
る。ブリーチング材14は露光量が大きくなると光の透
過率が高くなるので、ブリーチング材14が実質的に第
2のフォトマスクとして機能する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子、液
晶表示素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で
製造する際に、フォトマスク上のパターンを感光基板上
に投影露光するために使用される投影露光装置に関す
る。
晶表示素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で
製造する際に、フォトマスク上のパターンを感光基板上
に投影露光するために使用される投影露光装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】例えばLSI等の半導体素子、液晶表示
素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で製造す
る際に、フォトマスク又はレチクル(以下、「フォトマ
スク」と総称する)のパターンをフォトレジストを塗布
したウエハ等の感光基板上に投影露光する投影露光装置
が使用されている。
素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で製造す
る際に、フォトマスク又はレチクル(以下、「フォトマ
スク」と総称する)のパターンをフォトレジストを塗布
したウエハ等の感光基板上に投影露光する投影露光装置
が使用されている。
【0003】図3は従来の投影露光装置の要部を示し、
この図3において、フォトマスク101は、照明光学系
(図示せず)の光軸に対してほぼ垂直に水平に保持さ
れ、照明光学系から射出された所定波長の露光光によっ
て透過照明されている。従来から汎用されているフォト
マスク101は、透明基板上にクロム等の金属からなる
遮光パターンを形成した構造であり、透過照明されるこ
とによって、パターン形状に応じた回折光が発生する。
これらの回折光は、結像光学系103で再度像面に集め
られ、これにより像面に合致するように保持されたウエ
ハ105の露光面上にフォトマスク101のパターン像
が転写される。
この図3において、フォトマスク101は、照明光学系
(図示せず)の光軸に対してほぼ垂直に水平に保持さ
れ、照明光学系から射出された所定波長の露光光によっ
て透過照明されている。従来から汎用されているフォト
マスク101は、透明基板上にクロム等の金属からなる
遮光パターンを形成した構造であり、透過照明されるこ
とによって、パターン形状に応じた回折光が発生する。
これらの回折光は、結像光学系103で再度像面に集め
られ、これにより像面に合致するように保持されたウエ
ハ105の露光面上にフォトマスク101のパターン像
が転写される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
に於いては、フォトマスク101を露光光により均一な
照度で照明しなければならないという装置上の要請があ
るため、照明光学系の光源に空間コヒーレンシーを持た
せることができなかった。つまり、フォトマスク101
を照明する露光光のうち、投影光学系の光軸に対する傾
斜角である照明角の異なるもの同士が可干渉性を有して
いると、フオトマスク101上に干渉縞が形成されてし
まい、フォトマスク101を均一に照明するという要請
と相入れなくなってしまう。そのため、光源の空間コヒ
ーレンシーを投影光学系の性能向上を図るためのパラメ
ータとして採り得なかった。
に於いては、フォトマスク101を露光光により均一な
照度で照明しなければならないという装置上の要請があ
るため、照明光学系の光源に空間コヒーレンシーを持た
せることができなかった。つまり、フォトマスク101
を照明する露光光のうち、投影光学系の光軸に対する傾
斜角である照明角の異なるもの同士が可干渉性を有して
いると、フオトマスク101上に干渉縞が形成されてし
まい、フォトマスク101を均一に照明するという要請
と相入れなくなってしまう。そのため、光源の空間コヒ
ーレンシーを投影光学系の性能向上を図るためのパラメ
ータとして採り得なかった。
【0005】これに関して、最近特願平4−27703
2号及び特願平4−277033号において本出願人が
開示しているように、本発明者により複数枚のフォトマ
スクを用いて露光を行う方法が発明された。図4はその
本出願人の先願に係る投影露光装置を示し、この図4に
おいて、照明光学系1から所定の波長の露光光が射出さ
れる。その照明光学系1から順に、第1フォトマスク
2、第1結像光学系3、第2フォトマスク4、第2結像
光学系5及び感光基板6が配置される。そして、直列的
に配置された第1結像光学系3及び第2結像光学系5よ
り投影光学系が構成され、第2結像光学系5に関して、
感光基板6と第2フォトマスク4とが共役であり、第1
結像光学系3に関して、第2フォトマスク4と第1フォ
トマスク2とがほぼ共役である。
2号及び特願平4−277033号において本出願人が
開示しているように、本発明者により複数枚のフォトマ
スクを用いて露光を行う方法が発明された。図4はその
本出願人の先願に係る投影露光装置を示し、この図4に
おいて、照明光学系1から所定の波長の露光光が射出さ
れる。その照明光学系1から順に、第1フォトマスク
2、第1結像光学系3、第2フォトマスク4、第2結像
光学系5及び感光基板6が配置される。そして、直列的
に配置された第1結像光学系3及び第2結像光学系5よ
り投影光学系が構成され、第2結像光学系5に関して、
感光基板6と第2フォトマスク4とが共役であり、第1
結像光学系3に関して、第2フォトマスク4と第1フォ
トマスク2とがほぼ共役である。
【0006】図4の構成では、第1フォトマスク2は、
上方に配置された照明光学系1からの露光光7に照明さ
れ、第1フォトマスク2上に形成されたパターンにより
その露光光7の回折光8,9が生じ、この回折光8,9
が第1結像光学系3を介して第2フォトマスク4上のパ
ターンを照明する。この際、各回折光8及び9は互いに
可干渉性を有している。更に、それら回折光8,9によ
り照明された結果、第2フォトマスク4上に形成された
パターンから回折光10,11が生じ、それらが第2結
像光学系5を介して感光基板6の上に像を形成する。
上方に配置された照明光学系1からの露光光7に照明さ
れ、第1フォトマスク2上に形成されたパターンにより
その露光光7の回折光8,9が生じ、この回折光8,9
が第1結像光学系3を介して第2フォトマスク4上のパ
ターンを照明する。この際、各回折光8及び9は互いに
可干渉性を有している。更に、それら回折光8,9によ
り照明された結果、第2フォトマスク4上に形成された
パターンから回折光10,11が生じ、それらが第2結
像光学系5を介して感光基板6の上に像を形成する。
【0007】図4の構成において、一例として第1フォ
トマスク2及び第2フォトマスク4上に共に孤立した開
口パターンを形成した場合を考える。そして、第1結像
光学系3の投影倍率をβとすると、第2フォトマスク4
上の孤立開口パターンはほぼ第1フォトマスク2上の孤
立開口パターンのβ倍である。但し、それら孤立開口パ
ターンの実際の大きさ及び形状は、良好な結像特性が得
られるように、第1フォトマスク2上及び第2フォトマ
スク4上でそれぞれ独立に調整される。この場合には、
第1フォトマスク2から射出される回折光8及び9が互
いに可干渉性を有していることから、第2フォトマスク
4の感光基板6上の投影像には、エッジ強調型位相シフ
トマスクを使用した場合と類似の結像特性が得られる。
トマスク2及び第2フォトマスク4上に共に孤立した開
口パターンを形成した場合を考える。そして、第1結像
光学系3の投影倍率をβとすると、第2フォトマスク4
上の孤立開口パターンはほぼ第1フォトマスク2上の孤
立開口パターンのβ倍である。但し、それら孤立開口パ
ターンの実際の大きさ及び形状は、良好な結像特性が得
られるように、第1フォトマスク2上及び第2フォトマ
スク4上でそれぞれ独立に調整される。この場合には、
第1フォトマスク2から射出される回折光8及び9が互
いに可干渉性を有していることから、第2フォトマスク
4の感光基板6上の投影像には、エッジ強調型位相シフ
トマスクを使用した場合と類似の結像特性が得られる。
【0008】また、図4の構成における別の例として、
第1フォトマスク2及び第2フォトマスク4上に共に、
一次元的な周期パターンであるライン・アンド・スペー
スパターンを形成した場合を考える。そして、それら2
個の一次元的な周期パターンのピッチ方向(周期方向)
が互いに平行であるとする。この場合には、所謂変形照
明のような斜照明が適しているのであるが、その斜照明
の場合を考えると、第1フォトマスク2から射出される
回折光8及び9が互いに可干渉性を有していることか
ら、第2フォトマスク4の感光基板6上の投影像には、
所謂変形照明法を使用した場合よりもコントラストの高
い結像特性が得られる。
第1フォトマスク2及び第2フォトマスク4上に共に、
一次元的な周期パターンであるライン・アンド・スペー
スパターンを形成した場合を考える。そして、それら2
個の一次元的な周期パターンのピッチ方向(周期方向)
が互いに平行であるとする。この場合には、所謂変形照
明のような斜照明が適しているのであるが、その斜照明
の場合を考えると、第1フォトマスク2から射出される
回折光8及び9が互いに可干渉性を有していることか
ら、第2フォトマスク4の感光基板6上の投影像には、
所謂変形照明法を使用した場合よりもコントラストの高
い結像特性が得られる。
【0009】更に、例えば第1フォトマスク2に位相パ
ターンのみを形成し、第2フォトマスク4に遮光パター
ンのみを形成した場合にも、位相シフトマスクを使用し
た場合と同様の結像特性を得ることができる。即ち、そ
の本出願人の先願に係る投影露光装置は、1枚目のフォ
トマスク2上の一点で回折されて第2フォトマスク4を
異なる角度で照明する光同士が、互いに可干渉性を有し
ていることを積極的に利用して、感光基板6上での結像
性能を向上させるものである。
ターンのみを形成し、第2フォトマスク4に遮光パター
ンのみを形成した場合にも、位相シフトマスクを使用し
た場合と同様の結像特性を得ることができる。即ち、そ
の本出願人の先願に係る投影露光装置は、1枚目のフォ
トマスク2上の一点で回折されて第2フォトマスク4を
異なる角度で照明する光同士が、互いに可干渉性を有し
ていることを積極的に利用して、感光基板6上での結像
性能を向上させるものである。
【0010】しかしながら、その本出願人の先願に係る
投影露光装置においては、第1フォトマスク2と第2フ
ォトマスク4との相対的な位置合わせが難しく、更にそ
れら2枚のフォトマスクと感光基板6との相対的な位置
合わせ(アライメント)も難しいという不都合があっ
た。本発明は斯かる点に鑑み、複数枚のフォトマスクを
使用した場合と同様に、フォトマスクを異なる角度で照
明する光同士に可干渉を持たせることにより、結像性能
の向上を図ったままで、それら複数枚のフォトマスクに
対応する光学部材間の相対的な位置合わせが容易な投影
露光装置を提供することを目的とする。
投影露光装置においては、第1フォトマスク2と第2フ
ォトマスク4との相対的な位置合わせが難しく、更にそ
れら2枚のフォトマスクと感光基板6との相対的な位置
合わせ(アライメント)も難しいという不都合があっ
た。本発明は斯かる点に鑑み、複数枚のフォトマスクを
使用した場合と同様に、フォトマスクを異なる角度で照
明する光同士に可干渉を持たせることにより、結像性能
の向上を図ったままで、それら複数枚のフォトマスクに
対応する光学部材間の相対的な位置合わせが容易な投影
露光装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、例えば図1に示す如く、転写用のパターンが形成
されたフォトマスク(12)を露光光で照明する照明光
学系(1)を有し、フォトマスク(12)のパターンの
像を感光基板(6)上に投影する投影露光装置におい
て、その露光光のもとでフォトマスク(12)のパター
ンの中間像を結像する第1結像光学系(3)と、その中
間像が結像される面の近傍に配置されブリーチング効果
を有する光学的フィルター板(13,14)と、光学的
フィルター板(13,14)を透過したその露光光のも
とでその中間像を感光基板(6)上に再結像する第2結
像光学系(5)とを有するものである。
置は、例えば図1に示す如く、転写用のパターンが形成
されたフォトマスク(12)を露光光で照明する照明光
学系(1)を有し、フォトマスク(12)のパターンの
像を感光基板(6)上に投影する投影露光装置におい
て、その露光光のもとでフォトマスク(12)のパター
ンの中間像を結像する第1結像光学系(3)と、その中
間像が結像される面の近傍に配置されブリーチング効果
を有する光学的フィルター板(13,14)と、光学的
フィルター板(13,14)を透過したその露光光のも
とでその中間像を感光基板(6)上に再結像する第2結
像光学系(5)とを有するものである。
【0012】ここにブリーチング効果とは、光が照射さ
れるとその部分の光の透過率が上がる効果をいう。
れるとその部分の光の透過率が上がる効果をいう。
【0013】
【作用】斯かる本発明においては、フォトマスク(1
2)を第1フォトマスク、光学的フィルター板(13,
14)を第2フォトマスクと呼ぶものとすると、第1フ
ォトマスク(12)上のパターンで回折された光は、第
2フォトマスク(13,14)上にその第1フォトマス
ク(12)のパターン像を形成する。ところで、第2フ
ォトマスク(13,14)は例えば光透過性の基板上に
ブリーチング効果を有する物質を塗布したものであり、
第2フォトマスク(13,14)上に形成された像に応
じてその明部の透過率が高くなる。即ち、第2フォトマ
スク(13,14)の面内の透過率分布は第1レチクル
(12)の面内の透過率分布、即ちパターン配置に対応
したものとなる。従って、第1フォトマスク(12)と
第2フォトマスク(13,14)とがアライメントされ
て設置されたことになり、アライメントを行う必要がな
い。しかも、第2フォトマスク(13,14)を異なる
角度で照明する光同士に可干渉を持たせることができ、
結像性能が向上できる。
2)を第1フォトマスク、光学的フィルター板(13,
14)を第2フォトマスクと呼ぶものとすると、第1フ
ォトマスク(12)上のパターンで回折された光は、第
2フォトマスク(13,14)上にその第1フォトマス
ク(12)のパターン像を形成する。ところで、第2フ
ォトマスク(13,14)は例えば光透過性の基板上に
ブリーチング効果を有する物質を塗布したものであり、
第2フォトマスク(13,14)上に形成された像に応
じてその明部の透過率が高くなる。即ち、第2フォトマ
スク(13,14)の面内の透過率分布は第1レチクル
(12)の面内の透過率分布、即ちパターン配置に対応
したものとなる。従って、第1フォトマスク(12)と
第2フォトマスク(13,14)とがアライメントされ
て設置されたことになり、アライメントを行う必要がな
い。しかも、第2フォトマスク(13,14)を異なる
角度で照明する光同士に可干渉を持たせることができ、
結像性能が向上できる。
【0014】
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
につき図1及び図2を参照して説明する。この図1にお
いて、図4に対応する部分には同一符号を付して示す。
図1は、本実施例の投影露光装置の要部を簡略化して示
し、この図1において、照明光学系1から所定の波長の
露光光が射出されている。照明光学系1から順に、フォ
トマスク12、第1結像光学系3、光透過性の基板1
3、第2結像光学系5及び感光基板6を配置する。そし
て、光透過性の基板13上にブリーチング効果を有する
物質(以下「ブリーチング材」という)14を塗布す
る。
につき図1及び図2を参照して説明する。この図1にお
いて、図4に対応する部分には同一符号を付して示す。
図1は、本実施例の投影露光装置の要部を簡略化して示
し、この図1において、照明光学系1から所定の波長の
露光光が射出されている。照明光学系1から順に、フォ
トマスク12、第1結像光学系3、光透過性の基板1
3、第2結像光学系5及び感光基板6を配置する。そし
て、光透過性の基板13上にブリーチング効果を有する
物質(以下「ブリーチング材」という)14を塗布す
る。
【0015】ブリーチング材とは、露光量に応じて透過
率が高くなる物質であり、その代表的な露光量に対する
透過率の特性を図2に示す。図2の特性では、露光量が
所定の閾値を超える領域で急激に透過率がほぼ0%から
100%近くまでに連続的に変化している。このような
ブリーチング材の例としては、例えばアリールニトロ
ン、α−(4−ジエチルアミノフェニル)−N−フェニ
ルニトロン、α−(4−ジエチルアミノフェニル)−N
−(4−クロロフェニル)ニトロン等を使用することが
できる。このようなブリーチング材は従来は感光基板の
表面に塗布し、投影像のコントラストを強調する目的で
使用されていたものである。
率が高くなる物質であり、その代表的な露光量に対する
透過率の特性を図2に示す。図2の特性では、露光量が
所定の閾値を超える領域で急激に透過率がほぼ0%から
100%近くまでに連続的に変化している。このような
ブリーチング材の例としては、例えばアリールニトロ
ン、α−(4−ジエチルアミノフェニル)−N−フェニ
ルニトロン、α−(4−ジエチルアミノフェニル)−N
−(4−クロロフェニル)ニトロン等を使用することが
できる。このようなブリーチング材は従来は感光基板の
表面に塗布し、投影像のコントラストを強調する目的で
使用されていたものである。
【0016】図1に戻り、直列的に配置された第1結像
光学系3及び第2結像光学系5より投影光学系が構成さ
れ、第2結像光学系5に関して、感光基板6と光透過性
の基板13上のブリーチング材14の配置面とがほぼ共
役であり、第1結像光学系3に関して、フォトマスク1
2とブリーチング材14の配置面とがほぼ共役である。
本例では、フォトマスク12は、照明光学系1からの露
光光7に照明され、フォトマスク12上に形成されたパ
ターンによりその露光光7の回折光8,9が生じ、この
回折光8,9が第1結像光学系3を介して基板13上の
ブリーチング材14上にフォトマスク12上のパターン
の像を形成する。この際、各回折光8及び9は互いに可
干渉性を有していて、これらの干渉縞がフォトマスク1
2のパターン像である。
光学系3及び第2結像光学系5より投影光学系が構成さ
れ、第2結像光学系5に関して、感光基板6と光透過性
の基板13上のブリーチング材14の配置面とがほぼ共
役であり、第1結像光学系3に関して、フォトマスク1
2とブリーチング材14の配置面とがほぼ共役である。
本例では、フォトマスク12は、照明光学系1からの露
光光7に照明され、フォトマスク12上に形成されたパ
ターンによりその露光光7の回折光8,9が生じ、この
回折光8,9が第1結像光学系3を介して基板13上の
ブリーチング材14上にフォトマスク12上のパターン
の像を形成する。この際、各回折光8及び9は互いに可
干渉性を有していて、これらの干渉縞がフォトマスク1
2のパターン像である。
【0017】さて、ブリーチング材14上にフォトマス
ク12のパターンの像が結像されると、その像の明暗の
分布に応じてブリーチング材14の露光が行われ、像の
強度分布の内の明るい部分の透過率が高くなる。この状
態でのブリーチング材14の透過率分布は、フォトマス
ク12のパターン形成面内の透過率分布、即ちパターン
配置とほぼ相似である。従って、ブリーチング材14の
透過率分布に応じてそのフォトマスク12のパターンの
像が、第2結像光学系5を介して感光基板6の上に形成
される。このとき、ブリーチング材14を照明する回折
光8及び9は互いに可干渉性を有しているので、これに
より光学結像性能の向上が図られる。
ク12のパターンの像が結像されると、その像の明暗の
分布に応じてブリーチング材14の露光が行われ、像の
強度分布の内の明るい部分の透過率が高くなる。この状
態でのブリーチング材14の透過率分布は、フォトマス
ク12のパターン形成面内の透過率分布、即ちパターン
配置とほぼ相似である。従って、ブリーチング材14の
透過率分布に応じてそのフォトマスク12のパターンの
像が、第2結像光学系5を介して感光基板6の上に形成
される。このとき、ブリーチング材14を照明する回折
光8及び9は互いに可干渉性を有しているので、これに
より光学結像性能の向上が図られる。
【0018】しかも、ブリーチング材14中の透過率分
布はフォトマスク12のパターン像に応じて定まってい
るので、フォトマスク12とブリーチング材14が塗布
された光透過性の基板13との位置合わせ(アライメン
ト)を行う必要はなく、迅速に露光を行うことができ
る。なお、本実施例においては、ブリーチング材14が
適正に露光された時点で、光透過性の基板13を動かす
ことなく、そのブリーチング材14の透過率を固定する
ための定着処理を施すことが望ましい。この定着処理後
のブリーチング材14及び光透過性の基板13を使用す
ることにより、多数枚の感光基板6に対する露光を同一
条件で行うことができる。
布はフォトマスク12のパターン像に応じて定まってい
るので、フォトマスク12とブリーチング材14が塗布
された光透過性の基板13との位置合わせ(アライメン
ト)を行う必要はなく、迅速に露光を行うことができ
る。なお、本実施例においては、ブリーチング材14が
適正に露光された時点で、光透過性の基板13を動かす
ことなく、そのブリーチング材14の透過率を固定する
ための定着処理を施すことが望ましい。この定着処理後
のブリーチング材14及び光透過性の基板13を使用す
ることにより、多数枚の感光基板6に対する露光を同一
条件で行うことができる。
【0019】また、上述実施例では目的とするパターン
を、1枚のフォトマスクと、1枚のブリーチング材が塗
布された基板と、2つの結像光学系とを用いて投影露光
しているが、同様の原理にて、1枚のフォトマスクと、
それぞれブリーチング材が塗布された2枚以上の基板
と、3つ以上の結像光学系とを用いて投影露光する構成
としても良い。更に、上述実施例では結像光学系を屈折
系とし、フォトマスクとして透過型のものを用いたが、
本発明の適用範囲はこの例に限定されるものではなく、
結像光学系を反射系とした場合、或いは反射型のフォト
マスクを用いる場合においても同様に適用される。
を、1枚のフォトマスクと、1枚のブリーチング材が塗
布された基板と、2つの結像光学系とを用いて投影露光
しているが、同様の原理にて、1枚のフォトマスクと、
それぞれブリーチング材が塗布された2枚以上の基板
と、3つ以上の結像光学系とを用いて投影露光する構成
としても良い。更に、上述実施例では結像光学系を屈折
系とし、フォトマスクとして透過型のものを用いたが、
本発明の適用範囲はこの例に限定されるものではなく、
結像光学系を反射系とした場合、或いは反射型のフォト
マスクを用いる場合においても同様に適用される。
【0020】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
【0021】
【発明の効果】本発明によれば、ブリーチング効果を有
する光学的フィルター板を第2のフォトマスクとして使
用しているので、複数枚の実際のフォトマスクを使用し
た場合と同様に、フォトマスクを異なる角度で照明する
光同士に可干渉を持たせることにより、結像性能の向上
を図ることができる。しかも、それら複数枚のフォトマ
スクに対応するフォトマスクと光学的フィルター板との
間の相対的な位置合わせ作業(アライメント)が不要で
あるという利点がある。
する光学的フィルター板を第2のフォトマスクとして使
用しているので、複数枚の実際のフォトマスクを使用し
た場合と同様に、フォトマスクを異なる角度で照明する
光同士に可干渉を持たせることにより、結像性能の向上
を図ることができる。しかも、それら複数枚のフォトマ
スクに対応するフォトマスクと光学的フィルター板との
間の相対的な位置合わせ作業(アライメント)が不要で
あるという利点がある。
【0022】従って、装置を構成する上でそのアライメ
ント用の機構が不要になり、投影露光装置の構成の簡略
化が図れると共に、露光時にはアライメント時間が不要
になりスループット向上が図れる。更に、本発明によれ
ば、結像光学系の収差のうちディストーション(歪曲収
差)については、第1及び第2の結像光学系において個
別に補正されている必要は必ずしもなく、第1及び第2
の結像光学系を含めた全体の結像光学系として補正され
ていれば充分である。このことは、光学系を設計する際
の設計裕度となり、他の収差性能の向上に転嫁できるも
のである。
ント用の機構が不要になり、投影露光装置の構成の簡略
化が図れると共に、露光時にはアライメント時間が不要
になりスループット向上が図れる。更に、本発明によれ
ば、結像光学系の収差のうちディストーション(歪曲収
差)については、第1及び第2の結像光学系において個
別に補正されている必要は必ずしもなく、第1及び第2
の結像光学系を含めた全体の結像光学系として補正され
ていれば充分である。このことは、光学系を設計する際
の設計裕度となり、他の収差性能の向上に転嫁できるも
のである。
【図1】本発明による投影露光装置の一実施例を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図2】ブリーチング材の露光量と透過率との関係の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図3】従来の投影露光装置の要部を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図4】本出願人の先願に係る投影露光装置を示す概略
構成図である。
構成図である。
1 照明光学系 3 第1結像光学系 5 第2結像光学系 6 感光基板 12 フォトマスク 13 光透過性の基板 14 ブリーチング材
Claims (1)
- 【請求項1】 転写用のパターンが形成されたフォトマ
スクを露光光で照明する照明光学系を有し、前記フォト
マスクのパターンの像を感光基板上に投影する投影露光
装置において、 前記露光光のもとで前記フォトマスクのパターンの中間
像を結像する第1結像光学系と、 前記中間像が結像される面の近傍に配置され、前記露光
光の照射量が大きい程前記露光光に対する透過率が上が
るブリーチング効果を有する光学的フィルター板と、 該光学的フィルター板を透過した前記露光光のもとで前
記中間像を前記感光基板上に再結像する第2結像光学系
とを有することを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5004908A JPH06215998A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5004908A JPH06215998A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 投影露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06215998A true JPH06215998A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11596748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5004908A Withdrawn JPH06215998A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06215998A (ja) |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP5004908A patent/JPH06215998A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950003823B1 (ko) | 노출 장치 및 방법 | |
JP3101594B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2003178966A (ja) | 多重可干渉性最適化露出および高透過率減衰psmを利用する、改良したリソグラフィパターニングのための方法 | |
US20010036604A1 (en) | Multiple exposure method | |
JP3123548B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
US6972836B2 (en) | Measuring method of illuminance unevenness of exposure apparatus, correcting method of illuminance unevenness, manufacturing method of semiconductor device, and exposure apparatus | |
US6603530B1 (en) | Exposure apparatus that illuminates a mark and causes light from the mark to be incident on a projection optical system | |
TWI307115B (en) | Exposure method and apparatus | |
JP3647272B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2000021720A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP3647270B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP3296296B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2001007020A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP3262074B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2000349010A (ja) | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
US6480263B1 (en) | Apparatus and method for phase shift photomasking | |
JP5491272B2 (ja) | 決定方法、露光方法及びプログラム | |
JPH06215998A (ja) | 投影露光装置 | |
JP3977096B2 (ja) | マスク、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP3647271B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP3324601B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR0146399B1 (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
JPH06215997A (ja) | 投影露光装置 | |
JPH06224106A (ja) | 投影露光装置 | |
JP3309920B2 (ja) | 露光方法及び投影露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |