JPH06215348A - Magnetic recording medium - Google Patents
Magnetic recording mediumInfo
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- JPH06215348A JPH06215348A JP25295593A JP25295593A JPH06215348A JP H06215348 A JPH06215348 A JP H06215348A JP 25295593 A JP25295593 A JP 25295593A JP 25295593 A JP25295593 A JP 25295593A JP H06215348 A JPH06215348 A JP H06215348A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に関し、特
に、磁気ディスク、フレキシブルディスク、スチルカメ
ラ、又はビデオ等の磁気記録用金属薄膜媒体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium, and more particularly to a magnetic thin film medium for magnetic recording such as a magnetic disk, a flexible disk, a still camera or a video.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、磁気記録媒体用合金として保磁
力(Hc)及び残留磁化膜厚積(Mr・δ)の高いCo
Pt系合金が用いられている。このCoPt系合金を用
いて磁気記録媒体を構成する際、その磁気特性を向上さ
せるため、一般に基板と磁性層との間に下地層を形成す
ることが行なわれている。例えば、特公平4−1684
8号公報(以下「文献1」と呼ぶ)には、下地層にCr
V又はCrFeを含み、磁性層にCoPtを含む磁気記
録媒体が示されており、この磁気記録媒体では保磁力及
び磁化曲線の角型比を向上できる旨記載されている。2. Description of the Related Art Generally, Co having a high coercive force (Hc) and a remanent magnetization film thickness product (Mr.delta.) Is used as an alloy for magnetic recording media.
A Pt-based alloy is used. When a magnetic recording medium is formed using this CoPt-based alloy, an underlayer is generally formed between the substrate and the magnetic layer in order to improve its magnetic characteristics. For example, Japanese Patent Publication No. 4-1684
No. 8 (hereinafter referred to as "reference 1") discloses that Cr is used as an underlayer.
A magnetic recording medium containing V or CrFe and CoPt in the magnetic layer is shown, and it is described that the coercive force and the squareness ratio of the magnetization curve can be improved in this magnetic recording medium.
【0003】さらに、磁気記録媒体においては、その保
磁力及び残留磁化膜厚積を高めるため、CoPt磁性膜
に第3成分を添加することが行われており、このような
磁気記録媒体として、例えば、テレビジョン学会誌第4
0巻第6番第475頁乃至第480頁(1986年)
(以下「文献2」と呼ぶ)に記載された磁気記録媒体が
知られている。この磁気記録媒体では、CoPtに第3
成分としてMoが添加された磁性層を直接ガラス基板上
に形成している。そして、この磁気記録媒体ではその保
磁力が500エルステッド(Oe)以上であって、しか
も広範囲に保磁力を制御することができるばかりでなく
高密度記録を行うことができる旨記載されている。Further, in the magnetic recording medium, a third component is added to the CoPt magnetic film in order to increase the coercive force and the remanent magnetization film thickness product. As such a magnetic recording medium, for example, , The Television Society Journal 4
Volume 0, No. 6, 475 to 480 (1986)
The magnetic recording medium described in (hereinafter referred to as "Document 2") is known. In this magnetic recording medium, CoPt
The magnetic layer containing Mo as a component is directly formed on the glass substrate. It is described that this magnetic recording medium has a coercive force of 500 Oersted (Oe) or more, and moreover, not only the coercive force can be controlled in a wide range but also high density recording can be performed.
【0004】また、この種の磁気記録媒体が、ジャーナ
ル オブ アプライド フィジックス(J.Appl.
Phys.67(12),15 June 1990
pp7507−7509)(以下「文献3」と呼ぶ)に
記載されており、この磁気記録媒体では、下地層として
Crに少量のMoが添加された金属を用い、この下地層
上にCoNiCrからなる磁性層を形成している。Further, a magnetic recording medium of this type is disclosed in Journal of Applied Physics (J. Appl.
Phys. 67 (12), 15 June 1990
pp7507-7509) (hereinafter referred to as “Reference 3”), in this magnetic recording medium, a metal containing a small amount of Mo added to Cr is used as an underlayer, and a magnetic layer made of CoNiCr is formed on the underlayer. Forming layers.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、文献1に記
載された磁気記録媒体ではある程度高い保磁力を得るこ
とが可能であるが、保磁力は最高でも1600Oe程度
あり、高密度記録を行うためには満足できる値ではな
い。By the way, although the magnetic recording medium described in Document 1 can obtain a high coercive force to some extent, the coercive force is about 1600 Oe at the maximum, and therefore high-density recording is required. Is not a satisfactory value.
【0006】また、文献2に記載された磁気記録媒体で
は、前述のように、下地層を介することなくガラス基板
上に直接磁性層を形成しており、CoPtからなる磁性
層の保磁力が1000Oe以上あるにもかかわらず、C
oPtMoからなる磁性層ではその保磁力がMo濃度を
増加させると減少してしまうという傾向がある。例え
ば、Mo濃度が約14at%の場合、保磁力が約350
Oeとなってしまう。Further, in the magnetic recording medium described in Document 2, as described above, the magnetic layer is directly formed on the glass substrate without interposing the underlayer, and the coercive force of the magnetic layer made of CoPt is 1000 Oe. Despite the above, C
In a magnetic layer made of oPtMo, its coercive force tends to decrease as the Mo concentration increases. For example, when the Mo concentration is about 14 at%, the coercive force is about 350.
It becomes Oe.
【0007】加えて、文献2に記載された磁気記録媒体
では、Mo濃度の増加につれて飽和磁束密度(Bs)も
減少してしまい、飽和磁束密度(Bs)の減少によって
残留磁化膜厚積(Mr・δ)も減少することになってし
まう。In addition, in the magnetic recording medium described in Document 2, the saturation magnetic flux density (Bs) also decreases with an increase in the Mo concentration, and the reduction of the saturation magnetic flux density (Bs) reduces the residual magnetization film thickness product (Mr).・ Δ) will also decrease.
【0008】このように、文献2においては、CoPt
にMoを添加した磁性層を用いると、保磁力及び残留磁
化膜厚積ともに減少してしまうことがわかる。As described above, in Reference 2, CoPt
It can be seen that the coercive force and the remanent magnetization film thickness product decrease when the magnetic layer added with Mo is used.
【0009】一方、文献3に示された磁気記録媒体で
は、その保磁力は1120Oeであって、Cr単独で形
成された下地層を用いた磁気記録媒体の保磁力(128
0Oe)よりも保磁力が減少してしまう。On the other hand, the coercive force of the magnetic recording medium shown in Document 3 is 1120 Oe, and the coercive force (128) of the magnetic recording medium using the underlayer formed of Cr alone.
The coercive force is smaller than that of 0 Oe).
【0010】文献2及び3の記載から理解できるよう
に、CrにMoが添加された下地層及びCoPtにMo
が添加された磁性層を有する磁気記録媒体では保磁力及
び残留磁化膜厚積が低下してしまう。As can be understood from the descriptions of Documents 2 and 3, Mo is added to the underlayer in which Mo is added to Cr and CoPt.
In a magnetic recording medium having a magnetic layer to which is added, the coercive force and the remanent magnetization film thickness product decrease.
【0011】本発明の目的は十分な保磁力及び残留磁化
膜厚積が得られしかも経時変化の少ない磁気記録媒体を
提供することにある。An object of the present invention is to provide a magnetic recording medium which can obtain a sufficient coercive force and a product of remanent magnetization film thickness and has little change with time.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、非磁性
基板と、この非磁性基板上に形成された下地層と、この
下地層上に形成された磁性層とを有する磁気記録媒体で
あって、上記の下地層にはクロム(Cr)及びモリブデ
ン(Mo)が含まれ、上記の磁性層にはコバルト(C
o)及び白金(Pt)が含まれていることを特徴とする
磁気記録媒体が得られる。According to the present invention, there is provided a magnetic recording medium having a nonmagnetic substrate, an underlayer formed on the nonmagnetic substrate, and a magnetic layer formed on the underlayer. Therefore, the underlayer contains chromium (Cr) and molybdenum (Mo), and the magnetic layer contains cobalt (C).
A magnetic recording medium characterized by containing o) and platinum (Pt) is obtained.
【0013】さらに、本発明では、磁性層にさらにモリ
ブデン(Mo)を含有するようにしてもよい。また、磁
性層にはさらにTa、B、Cr、O、N、Nb、Mn、
Zn、W、Pb、Re、V、及びZrのうち少なくとも
一種を含有するようにしてもよい。Further, in the present invention, the magnetic layer may further contain molybdenum (Mo). Further, Ta, B, Cr, O, N, Nb, Mn, and
At least one of Zn, W, Pb, Re, V, and Zr may be contained.
【0014】加えて、本発明では、下地層にさらにW、
B、V、Nb、Ta、Fe、Ni、Re、Cu、Zr、
Zn、P、Si、Ga、Ge、Hf、Al、Tiのうち
少なくとも一種を含有するようにしてもよい。In addition, in the present invention, W,
B, V, Nb, Ta, Fe, Ni, Re, Cu, Zr,
At least one of Zn, P, Si, Ga, Ge, Hf, Al, and Ti may be contained.
【0015】下地層を形成する際には非磁性基板から磁
性層に向かう方向にMo濃度が増加するようにしてもよ
い。When forming the underlayer, the Mo concentration may be increased in the direction from the non-magnetic substrate to the magnetic layer.
【0016】また、磁性層上に保護層を形成する際に
は、保護層にCr及びMoを含有させることが望まし
い。When forming the protective layer on the magnetic layer, it is desirable that the protective layer contains Cr and Mo.
【0017】[0017]
【作用】本発明ではCr及びMoが含有された下地層に
おいて、MoがCrと固溶体を形成する。そして、Mo
の添加量に応じて格子が膨脹してクロムの(110)面
における格子間隔がCo及びPtを含有する磁性層の格
子(002)面に接近する。この結果、磁性層の配向が
変化して磁性層の保磁力を向上させることができる。In the present invention, Mo forms a solid solution with Cr in the underlayer containing Cr and Mo. And Mo
The lattice expands in accordance with the amount of addition of Cr and the lattice spacing in the (110) plane of chromium approaches the lattice (002) plane of the magnetic layer containing Co and Pt. As a result, the orientation of the magnetic layer changes, and the coercive force of the magnetic layer can be improved.
【0018】磁性層にさらにMoを添加することによっ
て、磁壁のピン止め効果により保磁力が増加するばかり
でなく磁性粒の磁気的孤立化が促進されて保磁力が増加
する。また、磁性粒子の微細化によって保磁力が増加す
る。この保磁力に増加によって再生波におけるピーク幅
が小さくなって媒体ノイズが低下する。さらに、磁性層
へMoを添加することによってピン止め数が増加してジ
グザク壁の幅が減少することによっても媒体ノイズが低
減する。By further adding Mo to the magnetic layer, not only the coercive force increases due to the pinning effect of the domain wall, but also the magnetic isolation of the magnetic grains is promoted and the coercive force increases. Further, the coercive force increases due to the miniaturization of the magnetic particles. The increase in this coercive force reduces the peak width in the reproduced wave and reduces the medium noise. Further, addition of Mo to the magnetic layer increases the pinning number and reduces the width of the zigzag wall, which also reduces the medium noise.
【0019】加えて、下地層と磁性層とに同一成分を含
有させることによって(つまり、Moを含有させること
によって)、下地層と磁性層との界面でMoの拡散が容
易となり、その結果、磁性粒の磁気的な孤立化がより促
進されるとともに下地層と磁性層との付着強度を高める
ことができる。In addition, by including the same component in the underlayer and the magnetic layer (that is, by including Mo), diffusion of Mo is facilitated at the interface between the underlayer and the magnetic layer, and as a result, The magnetic isolation of the magnetic particles is further promoted and the adhesion strength between the underlayer and the magnetic layer can be increased.
【0020】また、Cr及びMoを含む下地層に上述の
Zr、Zn、及びCu等を添加すると、これら添加元素
は下地層中のCr又はMoに固溶しにくく、その結果、
添加元素が下地層中の結晶粒子の粒界に偏析する等して
結晶粒子の微細化及び粒子間の分離が促進される。これ
によって、下地層の膜構造を反映して磁性層中の結晶粒
子の微細化及び粒子間の分離(磁気的孤立化)が促進さ
れて、保磁力が増大するとともに媒体ノイズを低減させ
ることができる。When the above-mentioned Zr, Zn, Cu and the like are added to the underlayer containing Cr and Mo, these additional elements are difficult to form a solid solution with Cr or Mo in the underlayer, and as a result,
The additive element is segregated at the grain boundaries of the crystal grains in the underlayer to promote the refinement of the crystal grains and the separation between the grains. This promotes the miniaturization of crystal grains in the magnetic layer and the separation between the grains (magnetic isolation) by reflecting the film structure of the underlayer, thereby increasing the coercive force and reducing the medium noise. it can.
【0021】[0021]
【実施例】以下本発明について実施例によって説明す
る。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples.
【0022】(実施例1)図1を参照して、直径65m
m厚さ0.9mmのガラス基板1を準備して、このガラ
ス基板1をRFマグネトロンスパッタ装置(図示せず)
のチャンバー内に装着する。そして、チャンバー内を5
×10-7Torr以下の圧力まで減圧する。その後、ア
ルゴンガスをスパッタガスとしてガス圧10mTorr
でスパッタ装置に供給し、基板温度を室温として投入電
力密度を2.5W/cm2 、Cr80Mo20(at%)を
ターゲットとしてガラス基板1上に膜厚1000オング
ストロームの下地層2を形成した(一般式Cr100-x M
ox (x=0〜100)においてx=20の場合)。続
いて、同様にしてアルゴンガスをスパッタガスとして用
いてCo82Pt18(at%)をターゲットとして、Co
82Pt18の組成を有する膜厚400オングストロームの
磁性層3を下地層2上に形成した。そして、アルゴンガ
スをスパッタガスとして用いて磁性層3上に膜厚50オ
ングストロームのCr80Mo20層4a及び膜厚400オ
ングストロームのカーボン層4bを形成し、これらCr
80Mo20層4a及びカーボン層4bを保護層5とした。
この保護層4上にパーフルオロポリエーテルからなる潤
滑層5を20オングストロームの厚さ塗布して磁気ディ
スク(磁気記録媒体)6を得、この磁気ディスク6をデ
ィスクAとした。(Embodiment 1) Referring to FIG. 1, a diameter of 65 m
A glass substrate 1 having a thickness of 0.9 mm is prepared, and the glass substrate 1 is provided with an RF magnetron sputtering device (not shown).
Install in the chamber. And 5 in the chamber
Depressurize to a pressure of × 10 -7 Torr or less. Then, using argon gas as the sputtering gas, the gas pressure is 10 mTorr.
To a sputtering apparatus, the substrate temperature is room temperature, the input power density is 2.5 W / cm 2 , and Cr 80 Mo 20 (at%) is a target to form a base layer 2 having a film thickness of 1000 Å on the glass substrate 1. (General formula Cr 100-x M
o x (x = 0 to 100) and x = 20). Then, similarly, using argon gas as a sputtering gas and Co 82 Pt 18 (at%) as a target,
A magnetic layer 3 having a composition of 82 Pt 18 and a film thickness of 400 angstrom was formed on the underlayer 2. Then, a Cr 80 Mo 20 layer 4a having a film thickness of 50 Å and a carbon layer 4b having a film thickness of 400 Å are formed on the magnetic layer 3 by using argon gas as a sputtering gas.
The 80 Mo 20 layer 4a and the carbon layer 4b were used as the protective layer 5.
A lubricating layer 5 made of perfluoropolyether was applied on the protective layer 4 to a thickness of 20 angstroms to obtain a magnetic disk (magnetic recording medium) 6. This magnetic disk 6 was designated as disk A.
【0023】さらに、一般式Cr100-x Mox (x=0
〜100)におけるxをそれぞれ0,10,30,4
0,50,60,70,80,90として、つまり、C
r、Cr90Mo10、Cr70Mo30、Cr60Mo40、Cr
50Mo50、Cr40Mo60、Cr30Mo70、Cr20M
o80、Cr10Mo90(at%)をそれぞれ下地層として
有する磁気ディスクを作成した。この際、ガラス基板、
磁性層、保護層、及び潤滑層は上記のディスクAと同様
とし、さらに膜厚等他の条件もディスクAと同様とし
た。Further, the general formula Cr 100-x Mo x (x = 0
X in 0 to 100) are 0, 10, 30, 4 respectively.
As 0, 50, 60, 70, 80, 90, that is, C
r, Cr 90 Mo 10 , Cr 70 Mo 30 , Cr 60 Mo 40 , Cr
50 Mo 50 , Cr 40 Mo 60 , Cr 30 Mo 70 , Cr 20 M
A magnetic disk having 80 and Cr 10 Mo 90 (at%) as underlayers was prepared. At this time, the glass substrate,
The magnetic layer, the protective layer, and the lubricating layer were the same as those of the disk A, and the other conditions such as the film thickness were the same as those of the disk A.
【0024】これらディスクからそれぞれ直径8mmの
試料を切り出して、振動試料型磁力計を用いて、各試料
について保磁力(Hc)および残留磁化膜厚積(Mr・
δ)を測定した。この際、膜面方向に最大外部印加磁場
を12kOeとして磁場を印加した。この結果を図2に
示す。なお、図2において、◎が各試料の保磁力を示
す。A sample having a diameter of 8 mm was cut out from each of these disks, and a coercive force (Hc) and a residual magnetization film thickness product (Mr.
δ) was measured. At this time, the maximum external applied magnetic field was set to 12 kOe and the magnetic field was applied in the film surface direction. The result is shown in FIG. In FIG. 2, ⊚ indicates the coercive force of each sample.
【0025】図2から明らかなように、CoPtからな
る磁性層を用いるとともにCrMoからなる下地層を用
いることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒体が
得られることがわかる。特に、一般式Cr100-x Mox
(x=0〜100)において、x=10〜80の下地層
を用いることによって保磁力がより高くなることがわか
る。As is apparent from FIG. 2, it is understood that a magnetic recording medium having a high coercive force can be obtained by using the magnetic layer made of CoPt and the underlayer made of CrMo. In particular, the general formula Cr 100-x Mo x
It can be seen that in (x = 0 to 100), the coercive force becomes higher by using the underlayer of x = 10 to 80.
【0026】次に、Co74Pt18Mo8 の磁性層を有す
るとともに一般式Cr100-x Mox(x=0〜100)
で示される組成の下地層を有する磁気ディスクを上述の
ようにして、xを0乃至90の範囲で変化させて作成し
た。この際、ガラス基板、保護層、及び潤滑層は上記の
ディスクAと同様とし、さらに膜厚等他の条件もディス
クAと同様とした。これらディスクからそれぞれ直径8
mmの試料を切り出して、振動試料型磁力計を用いて、
各試料について保磁力(Hc)および残留磁化膜厚積
(Mr・δ)を測定した。この結果を図2に示す。な
お、図2において、○が各試料の保磁力を示す。Next, it has a magnetic layer of Co 74 Pt 18 Mo 8 and has the general formula Cr 100-x Mo x (x = 0 to 100).
The magnetic disk having the underlayer having the composition shown in was prepared by changing x in the range of 0 to 90 as described above. At this time, the glass substrate, the protective layer, and the lubricating layer were the same as those of the disk A, and other conditions such as the film thickness were also the same as those of the disk A. 8 diameters from each of these discs
mm sample is cut out and using a vibrating sample magnetometer,
The coercive force (Hc) and the residual magnetization film thickness product (Mr · δ) of each sample were measured. The result is shown in FIG. In FIG. 2, ◯ indicates the coercive force of each sample.
【0027】図2から明らかなように、CoPtMoか
らなる磁性層を用いるとともにCrMoからなる下地層
を用いることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒
体が得られることがわかる。特に、一般式Cr100-x M
ox (x=0〜100)において、x=10〜80の下
地層を用いることによって保磁力がより高くなることが
わかる。As can be seen from FIG. 2, a magnetic recording medium having a high coercive force can be obtained by using the magnetic layer made of CoPtMo and the underlayer made of CrMo. In particular, the general formula Cr 100-x M
In o x (x = 0~100), it can be seen that the coercive force becomes higher by using the underlayer of x = 10 to 80.
【0028】さらに、ディスクAを作製した際と同様の
方法を用いて、一般式Cr100-x-yMoy Zrx (at
%)の組成を有する下地層及びCo74Pt18Mo8 (a
t%)の組成を有する磁性層をガラス基板上に順次形成
して磁気ディスクを得た。この際、下地層中のMo濃度
を9at%として(つまり、y=9として)、Zr濃度
を0乃至50at%の範囲で変化させて(つまり、x=
0〜50として)、複数の磁気ディスクを得た。同様に
して、下地層中のMo濃度を18at%として(つま
り、y=18として)、Zr濃度を0乃至50at%の
範囲で変化させて(つまり、x=0〜50として)、複
数の磁気ディスクを得た。そして、これら磁気ディスク
の保磁力をディスクAと同様にして測定した。この測定
結果を図3に示す(図3において、◇がMo濃度が9a
t%の場合を表し、◆がMo濃度が18at%の場合を
表す)。Further, by using the same method as that for producing the disk A, the general formula Cr 100-xy Mo y Zr x (at
%) And a Co 74 Pt 18 Mo 8 (a
A magnetic disk having a composition of t%) was sequentially formed on a glass substrate to obtain a magnetic disk. At this time, the Mo concentration in the underlayer is set to 9 at% (that is, y = 9), and the Zr concentration is changed in the range of 0 to 50 at% (that is, x =
Multiple magnetic disks were obtained (as 0 to 50). Similarly, the Mo concentration in the underlayer is set to 18 at% (that is, y = 18), the Zr concentration is changed in the range of 0 to 50 at% (that is, x = 0 to 50), and a plurality of magnetic fields are obtained. I got a disc. Then, the coercive force of these magnetic disks was measured in the same manner as the disk A. The results of this measurement are shown in FIG. 3 (in FIG. 3, ⋄ indicates that the Mo concentration is 9a.
represents the case of t%, and ◆ represents the case of Mo concentration of 18 at%).
【0029】図3から明らかなように、CrMoからな
る下地層にZrを添加することによって、磁気ディスク
の保磁力を高くすることができることがわかる。そし
て、下地層におけるZrの添加量が0.1〜30at%
の範囲において、保磁力が高くなり、特に、0.1〜4
at%の範囲で、CoMoのみからなる下地層を用いた
磁気ディスクよりも保磁力が高くなることがわかる。As is apparent from FIG. 3, it is understood that the coercive force of the magnetic disk can be increased by adding Zr to the underlayer made of CrMo. And, the added amount of Zr in the underlayer is 0.1 to 30 at%
In the range of, the coercive force becomes high, and in particular, 0.1-4
It can be seen that the coercive force is higher than that of the magnetic disk using the underlayer made of only CoMo in the range of at%.
【0030】次に、Cr80Mo20(at%)の下地層及
びCo74Pt18Mo8 (at%)の磁性層を有する磁気
ディスク(以下この磁気ディスクを「ディスクB」と呼
ぶ、なお、ディスクBの他の構成要素及び膜厚はディス
クAと同様である)及びCr80Mo18Zr2 (at%)
の下地層及びCo74Pt18Mo8 (at%)の磁性層を
有する磁気ディスク(以下の磁気ディスクを「ディスク
C」と呼ぶ、なお、ディスクCの他の構成要素及び膜厚
はディスクAと同様である)を用いて記録再生出力を測
定した。ここでは、磁気ヘッド浮上量が0.055μm
の薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘッドとディスクBの
相対速度を6m/sとし、線記録密度80kfci(1
インチ当たり80,000ビットの線記録密度)におけ
る記録再生出力を測定した。この結果を表1に示す(表
1には、記録再生出力の他に保磁力及び残留磁化膜厚積
も示し、比較例として下地層にCrのみを用いた磁気デ
ィスクの測定結果も示す。なお、表1ではディスクB及
びCをそれぞれ実施例2及び3とした)。なお、上述の
測定で用いた薄膜ヘッドはコイルターン数50、トラッ
ク幅6μm、磁気ヘッドギャップ長0.25μmであ
る。Next, a magnetic disk having an underlayer of Cr 80 Mo 20 (at%) and a magnetic layer of Co 74 Pt 18 Mo 8 (at%) (hereinafter, this magnetic disk is referred to as "disk B", Other components and film thickness of the disk B are the same as those of the disk A) and Cr 80 Mo 18 Zr 2 (at%).
Magnetic disk having a base layer of Co 74 Pt 18 Mo 8 (at%) and a magnetic layer of Co 74 Pt 18 Mo 8 (at%) (hereinafter, the magnetic disk is referred to as “disk C”. The same was used) to measure the recording / reproducing output. Here, the flying height of the magnetic head is 0.055 μm.
The thin film head of No. 1 was used, the relative speed between the thin film head and the disk B was set to 6 m / s, and the linear recording density was 80 kfci (1
The recording / reproducing output at a linear recording density of 80,000 bits per inch) was measured. The results are shown in Table 1 (Table 1 also shows the coercive force and the residual magnetization film thickness product in addition to the recording / reproducing output, and also shows the measurement results of a magnetic disk using only Cr as the underlayer as a comparative example. In Table 1, disks B and C are referred to as Examples 2 and 3, respectively. The thin film head used in the above measurement has 50 coil turns, a track width of 6 μm, and a magnetic head gap length of 0.25 μm.
【0031】[0031]
【表1】 [Table 1]
【0032】表1から明らかなように、ディスクBでは
下地層としてCrMoを用いているからCrのみの下地
層を用いた比較例に比べて磁気記録再生特性が著しく高
くなることがわかる。同様に、ディスクCにおいても下
地層としてCrMoZrを用いているからCrのみの下
地層を用いた比較例に比べて磁気記録再生特性が著しく
高くなることがわかる。As is clear from Table 1, since the disk B uses CrMo as the underlayer, the magnetic recording / reproducing characteristics are significantly improved as compared with the comparative example using the underlayer containing only Cr. Similarly, in the disk C as well, since CrMoZr is used as the underlayer, the magnetic recording / reproducing characteristics are significantly improved as compared with the comparative example using the underlayer containing only Cr.
【0033】さらに、ディスクA及びBを温度80℃、
湿度80%の恒温恒湿槽中に1000時間放置して耐蝕
性試験を行った。そして、ディスクA及びBについて耐
蝕性試験直前から1000時間経過後までの飽和磁化
(Ms)を測定した。この測定結果を図4に示す。Further, the disks A and B are heated to a temperature of 80 ° C.
A corrosion resistance test was conducted by leaving the sample in a constant temperature and humidity chamber having a humidity of 80% for 1000 hours. Then, the saturation magnetization (Ms) of the disks A and B was measured from immediately before the corrosion resistance test to after 1000 hours. The measurement result is shown in FIG.
【0034】図4において、横軸は時間を表し、縦軸は
各時間における飽和磁化を耐蝕性試験開始直前の飽和磁
化(Ms0 )で規格化した値を表す。図4から明らかな
ように、CoPt(ディスクA)及びCoPtMo(デ
ィスクB)の磁性層は耐蝕性に優れており、特に、Co
PtにMoを添加することによって、耐蝕性が著しく向
上することがわかる。In FIG. 4, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the value obtained by normalizing the saturation magnetization at each time with the saturation magnetization (Ms 0 ) immediately before the start of the corrosion resistance test. As is clear from FIG. 4, the magnetic layers of CoPt (disk A) and CoPtMo (disk B) have excellent corrosion resistance.
It can be seen that the corrosion resistance is remarkably improved by adding Mo to Pt.
【0035】次に、キャリア周波数を9.4MHz、測
定帯域を15MHzとしてスペクトルアナライザーによ
ってディスクA、B、及びCについて信号記録再生時に
おけるノイズスペクトラムを測定した(媒体ノイズNm
で表す)。この結果、ディスクAでは媒体ノイズが7.
58μVrmsであったのに対してディスクBでは媒体
ノイズが5.08μVrmsであり、磁性層としてCo
PtMoを用いることによってより媒体ノイズが低減で
きた。また、ディスクCでは媒体ノイズは4.85μV
rmsであり、磁性層としてCoPtMoを用い、下地
層としてCrMoZrを用いることによって媒体ノイズ
をさらに低減することができる。Next, the noise spectrum at the time of signal recording / reproduction of the disks A, B, and C was measured by the spectrum analyzer with the carrier frequency of 9.4 MHz and the measurement band of 15 MHz (medium noise Nm).
Represents). As a result, the medium noise is 7.
The disk B had a medium noise of 5.08 μVrms, while the disk B had a magnetic noise of 58 μVrms.
By using PtMo, the medium noise could be further reduced. Also, in the disk C, the medium noise is 4.85 μV.
rms, CoPtMo is used for the magnetic layer, and CrMoZr is used for the underlayer, whereby the medium noise can be further reduced.
【0036】(実施例4〜10)実施例1と同様にして
ターゲットとしてCr80Mo20(at%)を用いて、直
径65mm厚さ0.9mmのガラス基板上に膜厚150
0オングストロームの下地層(Cr80Mo20層)を形成
した。続いて、Co70Pt18Mo12(at%)をターゲ
ットとして、Co70Pt18Mo12の組成を有する膜厚4
00オングストロームの磁性層を下地層上に形成した。
磁性層上に保護層としてSiO2 を膜厚50オングスト
ロームで形成して磁気ディスクとした(実施例4)。そ
して、この磁気ディスクの保磁力及び残留磁化膜厚積を
実施例1と同様にして測定した。この結果を表2に示
す。(Examples 4 to 10) In the same manner as in Example 1, Cr 80 Mo 20 (at%) was used as a target, and a film thickness of 150 was formed on a glass substrate having a diameter of 65 mm and a thickness of 0.9 mm.
A 0 Å underlayer (Cr 80 Mo 20 layer) was formed. Subsequently, a film thickness 4 having a composition of Co 70 Pt 18 Mo 12 is set with Co 70 Pt 18 Mo 12 (at%) as a target.
A magnetic layer of 00 Å was formed on the underlayer.
SiO 2 was formed as a protective layer on the magnetic layer to a thickness of 50 Å to obtain a magnetic disk (Example 4). Then, the coercive force and the residual magnetization film thickness product of this magnetic disk were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.
【0037】[0037]
【表2】 [Table 2]
【0038】さらに、下地層、磁性層、及び保護層の組
成を表2に示す組成として、磁気ディスクを作成した
(実施例5乃至実施例10)。そして、これら磁気ディ
スクについて実施例4と同様にして保磁力及び残留磁化
膜厚積を測定した。Further, magnetic disks were prepared with the compositions of the underlayer, the magnetic layer and the protective layer shown in Table 2 (Examples 5 to 10). Then, the coercive force and the remanent magnetization film thickness product of these magnetic disks were measured in the same manner as in Example 4.
【0039】表2から明らかなように、下地層としてC
rMoを用い、磁性層としてCoPtに30at%まで
のMoが添加された磁性層を用いることよって保磁力及
び残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。As is clear from Table 2, C is used as the underlayer.
It can be seen that the coercive force and the remanent magnetization film thickness product can be increased by using rMo and using a magnetic layer in which CoPt is added with Mo up to 30 at% as the magnetic layer.
【0040】(実施例11〜15)直径65mm厚さ
0.9mmのガラス基板を準備して、このガラス基板を
DCマグネトロンスパッタ装置(図示せず)のチャンバ
ー内に装着する。そして、チャンバー内を8×10-7T
orr以下の圧力まで減圧する。その後、アルゴンガス
をスパッタガスとしてガス圧15mTorrでスパッタ
装置に供給し、投入電力密度を18W/cm2 、基板温
度をそれぞれ100℃(実施例11)、200℃(実施
例12)、250℃(実施例13)、300℃(実施例
14)、及び400℃(実施例15)としてCr70Mo
30(at%)をターゲットとしてガラス基板上に膜厚2
000オングストロームの下地層(Cr70Mo30層)を
形成した。続いて、アルゴンガスをスパッタガスとして
Co68Pt17Mo15(at%)をターゲットとして、C
o68Pt17Mo15の組成を有する膜厚350オングスト
ロームの磁性層を下地層上に形成した。そして、アルゴ
ンガスをスパッタガスとしてCr70Mo30(at%)を
ターゲットして用いて磁性層上に膜厚80オングストロ
ームの保護膜を形成し、さらにこの保護膜上に膜厚15
0オングストロームのSiO2 からなる保護層を形成し
て磁気ディスクを作製した。(Examples 11 to 15) A glass substrate having a diameter of 65 mm and a thickness of 0.9 mm is prepared, and this glass substrate is mounted in the chamber of a DC magnetron sputtering apparatus (not shown). Then, the inside of the chamber is 8 × 10 -7 T
Depressurize to a pressure below orr. After that, argon gas was supplied as a sputtering gas at a gas pressure of 15 mTorr to the sputtering apparatus, the input power density was 18 W / cm 2 , and the substrate temperature was 100 ° C. (Example 11), 200 ° C. (Example 12), 250 ° C. Example 13), 300 ° C. (Example 14), and 400 ° C. (Example 15) as Cr 70 Mo
Target a film thickness of 30 (at%) and a film thickness of 2 on a glass substrate
An underlayer (Cr 70 Mo 30 layer) of 000 Å was formed. Then, using Ar gas as a sputtering gas and Co 68 Pt 17 Mo 15 (at%) as a target, C
A magnetic layer having a composition of o 68 Pt 17 Mo 15 and a film thickness of 350 angstrom was formed on the underlayer. Then, a protective film having a film thickness of 80 angstrom is formed on the magnetic layer by using Cr 70 Mo 30 (at%) as a target with argon gas as a sputtering gas, and a film having a film thickness of 15 Å is formed on the protective film.
A magnetic disk was manufactured by forming a protective layer made of SiO 2 of 0 angstrom.
【0041】これら実施例11乃至15の磁気ディスク
について実施例1と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚
積を測定した。この測定結果を表3に示す。The coercive force and the residual magnetization film thickness product of the magnetic disks of Examples 11 to 15 were measured in the same manner as in Example 1. The measurement results are shown in Table 3.
【0042】[0042]
【表3】 [Table 3]
【0043】表3から明らかなように、基板温度を40
0℃まで上げて磁気ディスクを作成しても磁気特性が劣
化することなく、良好な磁気特性が得られることがわか
る。As is clear from Table 3, the substrate temperature is set to 40
It can be seen that even if the temperature is raised to 0 ° C. to produce a magnetic disk, good magnetic characteristics can be obtained without deterioration of the magnetic characteristics.
【0044】(実施例16〜35)実施例1と同様の方
法を用いて、表4に示す組成の下地層、磁性層、及び保
護層を有する磁気ディスク(実施例16乃至35)を作
製して、これら実施例16乃至35の磁気ディスクにつ
いて実施例1と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚積を
測定した。(Examples 16 to 35) Using the same method as in Example 1, magnetic disks (Examples 16 to 35) having an underlayer, a magnetic layer and a protective layer having the compositions shown in Table 4 were prepared. Then, for the magnetic disks of Examples 16 to 35, the coercive force and the residual magnetization film thickness product were measured in the same manner as in Example 1.
【0045】[0045]
【表4】 [Table 4]
【0046】表4から明らかなようにCrMoにZr以
外の他の追加成分が添加された下地層を用いても保磁力
及び残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。As is apparent from Table 4, the coercive force and the remanent magnetization film thickness product can be increased even if the underlayer in which the additional component other than Zr is added to CrMo is added.
【0047】(実施例36〜61)実施例4と同様の方
法を用いて、表5に示す組成の下地層(膜厚2000オ
ングストローム)、磁性層(膜厚450オングストロー
ム)、及び保護層(膜厚150オングストローム)を有
する磁気ディスク(実施例36乃至61)を作製して、
これら実施例36乃至61の磁気ディスクについて実施
例4と同様にして保磁力及び残留磁化膜厚積を測定し
た。(Examples 36 to 61) Using the same method as in Example 4, an underlayer (film thickness 2000 Å), a magnetic layer (film thickness 450 Å), and a protective layer (film) having the compositions shown in Table 5 were used. A magnetic disk (Examples 36 to 61) having a thickness of 150 Å was prepared, and
For the magnetic disks of Examples 36 to 61, the coercive force and the residual magnetization film thickness product were measured in the same manner as in Example 4.
【0048】[0048]
【表5】 [Table 5]
【0049】表5から明らかなように、CoPtMoに
他の追加成分が添加された磁性層を用いても保磁力及び
残留磁化膜厚積を高くできることがわかる。As is clear from Table 5, the coercive force and the remanent magnetization film thickness product can be increased even if the magnetic layer in which other additional components are added to CoPtMo is used.
【0050】(実施例62)続いて、直径65mm厚さ
0.9mmのガラス基板をRFマグネトロンスパッタ装
置(図示せず)のチャンバー内に装着して、チャンバー
内を5×10-7Torr以下の圧力まで減圧する。その
後、アルゴンガスをスパッタガスとしてガス圧10mT
orrでスパッタ装置に供給し、基板温度を室温とし
て、Crターゲット及びMoターゲットを同時に放電さ
せた。この際、Crターゲットに対する投入電力密度を
2.5W/cm2 とし、Moターゲットに対する投入電
力密度を0.1W/cm2 から1.2W/cm2 まで変
化させ、ガラス基板上に膜厚1500オングストローム
の下地層を形成した。この結果、下地層において下方か
ら上方に向かって順次Mo濃度が増加した。(Example 62) Subsequently, a glass substrate having a diameter of 65 mm and a thickness of 0.9 mm was mounted in the chamber of an RF magnetron sputtering apparatus (not shown), and the chamber was kept at 5 x 10 -7 Torr or less. Reduce to pressure. Then, using argon gas as the sputtering gas, the gas pressure is 10 mT.
Orr was supplied to the sputtering apparatus, the substrate temperature was set to room temperature, and the Cr target and the Mo target were simultaneously discharged. At this time, the input power density for Cr target and 2.5 W / cm 2, the input power density for a Mo target was changed from 0.1 W / cm 2 to 1.2 W / cm 2, thickness 1500 Å on a glass substrate Underlayer was formed. As a result, in the underlayer, the Mo concentration gradually increased from the bottom to the top.
【0051】同様にして、アルゴンガスをスパッタガス
として用いてCr74Pt18Mo8 (at%)をターゲッ
トとして、Cr74Pt18Mo8 の組成を有する膜厚40
0オングストロームの磁性層を下地層上に形成した。そ
して、アルゴンガスをスパッタガスとして用いて磁性層
上に膜厚50オングストロームのCr層及び膜厚300
オングストロームのSiO2 を形成し、これらCr層及
びSiO2 層を保護層とした。その後、この保護層上に
パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を20オング
ストロームの厚さ塗布して磁気ディスク(磁気記録媒
体)を得た。Similarly, using Ar gas as a sputtering gas, Cr 74 Pt 18 Mo 8 (at%) as a target, and a film thickness of 40 having a composition of Cr 74 Pt 18 Mo 8 was used.
A 0 angstrom magnetic layer was formed on the underlayer. Then, by using argon gas as a sputtering gas, a Cr layer having a film thickness of 50 Å and a film thickness of 300 are formed on the magnetic layer.
Angstrom SiO 2 was formed, and these Cr layer and SiO 2 layer were used as protective layers. Then, a lubricating layer made of perfluoropolyether was applied on the protective layer to a thickness of 20 Å to obtain a magnetic disk (magnetic recording medium).
【0052】この磁気ディスクについて振動試料型磁力
計を用いて、その保磁力(Hc)を測定した。この際、
膜面方向に最大外部印加磁場を12kOeとして磁場を
印加した。この結果、保磁力は2500Oeであった。The coercive force (Hc) of this magnetic disk was measured using a vibrating sample magnetometer. On this occasion,
The magnetic field was applied in the film surface direction with the maximum externally applied magnetic field of 12 kOe. As a result, the coercive force was 2500 Oe.
【0053】さらに、上記の磁気ディスクについて記録
再生出力を測定した。ここでは、磁気ヘッド浮上量が
0.055μmの薄膜ヘッドを用いて、この薄膜ヘッド
とディスクBの相対速度を6m/sとし、線記録密度8
0kfciにおける記録再生出力を測定した。この結
果、記録再生出力は225μVであった。Further, the recording / reproducing output of the above magnetic disk was measured. Here, a thin film head having a magnetic head flying height of 0.055 μm is used, the relative speed between the thin film head and the disk B is 6 m / s, and the linear recording density is 8
The recording / reproducing output at 0 kfci was measured. As a result, the recording / reproducing output was 225 μV.
【0054】また、キャリア周波数を9.4MHz、測
定帯域を15MHzとしてスペクトルアナライザーによ
って上記の磁気ディスクについて信号記録再生時におけ
るノイズスペクトラムを測定した(媒体ノイズNmで表
す)。この結果、媒体ノイズは5.15μVrmsであ
った。Further, the noise spectrum at the time of signal recording / reproduction was measured for the above magnetic disk with a carrier frequency of 9.4 MHz and a measurement band of 15 MHz (represented by medium noise Nm). As a result, the medium noise was 5.15 μVrms.
【0055】なお、上述の測定で用いた薄膜ヘッドはコ
イルターン数50、トラック幅6μm、磁気ヘッドギャ
ップ長0.25μmである。The thin film head used in the above measurement has 50 coil turns, a track width of 6 μm, and a magnetic head gap length of 0.25 μm.
【0056】このようにして、下地層におけるMo濃度
を上方に向かって(基板から磁性層に向う方向)増加さ
せるように変化させると、良好な磁気特性が得られる。In this way, by changing the Mo concentration in the underlayer so as to increase upward (direction from the substrate to the magnetic layer), good magnetic characteristics can be obtained.
【0057】(実施例63)投入電力密度を2.5W/
cm2 とし、他の条件は実施例62と同様にしてRFマ
グネトロン装置を用い、Crターゲット、Cr95Mo5
ターゲット、Cr90Mo10ターゲット、Cr85Mo15タ
ーゲット、及びCr80Mo20ターゲットを同時に放電さ
せて、基板上にCr、Cr95Mo5 、Cr90Mo10、C
r85Mo15、及びCr80Mo20の順に膜が形成されるよ
うに基板をRFマグネトロン装置内で順次搬送する。こ
れによって、基板上に膜厚1500オングストロームの
下地層を形成した。このようにして、Mo濃度が異なる
ターゲットに対して基板を順次搬送することによって、
下地層では上方に向かって順次Mo濃度が増加すること
になる。その後、実施例62と同様に下地層上に順次磁
性層、保護層、及び潤滑層を形成して磁気ディスクを得
た。そして、実施例62と同様にして保磁力、記録再生
出力、及び媒体ノイズを測定した。その結果、保磁力、
記録再生出力、及び媒体ノイズはそれぞれ2550O
e、225μV、及び5.10μVrmsであった。(Example 63) Input power density was 2.5 W /
cm 2 and the other conditions were the same as in Example 62, using an RF magnetron apparatus, Cr target, Cr 95 Mo 5
A target, a Cr 90 Mo 10 target, a Cr 85 Mo 15 target, and a Cr 80 Mo 20 target are simultaneously discharged to produce Cr, Cr 95 Mo 5 , Cr 90 Mo 10 , C on the substrate.
The substrate is sequentially transported in the RF magnetron device so that a film is formed in the order of r 85 Mo 15 and Cr 80 Mo 20 . As a result, an underlayer having a film thickness of 1500 angstrom was formed on the substrate. In this way, by sequentially transporting the substrates to the targets having different Mo concentrations,
In the underlayer, the Mo concentration gradually increases upward. Then, similarly to Example 62, a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer were sequentially formed on the underlayer to obtain a magnetic disk. Then, in the same manner as in Example 62, the coercive force, the recording / reproducing output, and the medium noise were measured. As a result, the coercive force,
Recording / reproducing output and medium noise are 2550O each
e, 225 μV, and 5.10 μVrms.
【0058】このように、順次Mo濃度が増加する複数
の膜を用いて下地層を形成するようにしても良好な磁気
特性が得られる。As described above, good magnetic characteristics can be obtained even if the underlayer is formed by using a plurality of films whose Mo concentration increases successively.
【0059】(実施例64)Crターゲット、Moター
ゲット、及びZrターゲットを用いて、これらターゲッ
トを同時に放電させた。この際、Crターゲットに対す
る投入電力密度を2.5W/cm2 とし、Zrターゲッ
トに対する投入電力密度を0.1W/cm2に固定し、
Moターゲットに対する投入電力密度を0.1W/cm
2 から1.2W/cm2 まで連続的に変化させ、他の条
件は実施例62と同様にして、基板上に膜厚1500オ
ングストロームの下地層を形成した。この結果、下地層
において下方から上方に向かって順次Mo濃度が増加し
た。その後、実施例62と同様に下地層上に順次磁性
層、保護層、及び潤滑層を形成して磁気ディスクを得
た。そして、実施例62と同様にして保磁力、記録再生
出力、及び媒体ノイズを測定した。その結果、保磁力、
記録再生出力、及び媒体ノイズはそれぞれ2600O
e、230μV、及び4.90μVrmsであった。Example 64 A Cr target, a Mo target and a Zr target were used and these targets were simultaneously discharged. At this time, the input power density to the Cr target was set to 2.5 W / cm 2, and the input power density to the Zr target was fixed to 0.1 W / cm 2 .
Input power density to Mo target is 0.1 W / cm
An underlayer having a film thickness of 1500 Å was formed on the substrate under the same conditions as in Example 62 except that the temperature was continuously changed from 2 to 1.2 W / cm 2 . As a result, in the underlayer, the Mo concentration gradually increased from the bottom to the top. Then, similarly to Example 62, a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer were sequentially formed on the underlayer to obtain a magnetic disk. Then, in the same manner as in Example 62, the coercive force, the recording / reproducing output, and the medium noise were measured. As a result, the coercive force,
Recording / playback output and medium noise are 2600O each
e, 230 μV, and 4.90 μVrms.
【0060】このようにして、下地層におけるMo濃度
を上方に向って順次増加するようにしても同様に良好な
磁気特性を得ることができる。In this way, even if the Mo concentration in the underlayer is sequentially increased upward, good magnetic characteristics can be obtained.
【0061】(実施例65)投入電力密度を2.5W/
cm2 とし、他の条件は実施例62と同様にしてRFマ
グネトロン装置を用い、Crターゲット、Cr95Mo3
Zr2 ターゲット、Cr90Mo8 Zr2 ターゲット、C
r85Mo13Zr2 ターゲット、及びCr80Mo18Zr2
ターゲットを同時に放電させて、基板上にCr、Cr95
Mo3 Zr2、Cr90Mo8 Zr2 、Cr85Mo13Zr
2 、及びCr80Mo18Zr2 の順に膜が形成されるよう
に基板をRFマグネトロン装置内で順次搬送する。これ
によって、基板上に膜厚1500オングストロームの下
地層を形成した。このようにして、Mo濃度が異なるタ
ーゲットに対して基板を順次搬送することによって、下
地層では上方に向かって順次Mo濃度が増加することに
なる。その後、実施例62と同様に下地層上に順次磁性
層、保護層、及び潤滑層を形成して磁気ディスクを得
た。そして、実施例62と同様にして保磁力、記録再生
出力、及び媒体ノイズを測定した。その結果、保磁力、
記録再生出力、及び媒体ノイズはそれぞれ2630O
e、225μV、及び4.88μVrmsであった。(Example 65) The input power density was 2.5 W /
cm 2 and the other conditions were the same as in Example 62, using an RF magnetron apparatus, Cr target, Cr 95 Mo 3
Zr 2 target, Cr 90 Mo 8 Zr 2 target, C
r 85 Mo 13 Zr 2 target and Cr 80 Mo 18 Zr 2 target
The target is discharged at the same time and Cr, Cr 95 is deposited on the substrate.
Mo 3 Zr 2 , Cr 90 Mo 8 Zr 2 , Cr 85 Mo 13 Zr
2 and Cr 80 Mo 18 Zr 2 so that the film is formed in this order on the substrate in the RF magnetron device. As a result, an underlayer having a film thickness of 1500 angstrom was formed on the substrate. In this way, by sequentially transporting the substrate to the targets having different Mo concentrations, the Mo concentration in the base layer increases sequentially upward. Then, similarly to Example 62, a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer were sequentially formed on the underlayer to obtain a magnetic disk. Then, in the same manner as in Example 62, the coercive force, the recording / reproducing output, and the medium noise were measured. As a result, the coercive force,
Recording / reproducing output and medium noise are 2630O each
e, 225 μV, and 4.88 μVrms.
【0062】このように、順次Mo濃度が増加する複数
の膜を用いて下地層を形成するようにしても良好な磁気
特性が得られる。As described above, good magnetic characteristics can be obtained even if the underlayer is formed by using a plurality of films whose Mo concentration increases successively.
【0063】なお、上述の実施例では下地層において基
板から磁性層に向う方向にMo濃度を増加させるように
したが、Moに限らず、Cr又はZr濃度を変化させる
ようにしてもよい。Although the Mo concentration in the underlayer is increased in the direction from the substrate to the magnetic layer in the above-described embodiment, the Mo concentration is not limited to Mo and the Cr or Zr concentration may be changed.
【0064】以上の実施例から明らかなように、下地層
としては少なくともCr及びMoが含まれることが必要
であり、例えば、下地層がCrと及びMoで構成させる
場合、十分な保磁力を得るためには、その割合はCr
100-x Mox (1≦x≦90)であることが望ましく、
特に、10≦x≦80であることが好ましい。As is clear from the above examples, the underlayer must contain at least Cr and Mo. For example, when the underlayer is made of Cr and Mo, a sufficient coercive force is obtained. In order for that ratio to be Cr
It is desirable that 100-x Mo x (1 ≦ x ≦ 90),
Particularly, it is preferable that 10 ≦ x ≦ 80.
【0065】また、磁性層としては少なくともCo及び
Ptが含まれることが必要であり、例えば、下地層がC
o及びPtで構成させる場合、十分な保磁力を得るため
には、その割合はCr100-y Moy (5≦y≦30)で
あることが望ましい。The magnetic layer needs to contain at least Co and Pt. For example, the underlayer contains C.
In the case of using O and Pt, in order to obtain a sufficient coercive force, the ratio is preferably Cr 100-y Mo y (5 ≦ y ≦ 30).
【0066】さらに、磁性層にCo及びPtの他にMo
を添加すると、残留磁化(Mr)が低下する傾向にある
けれども、媒体ノイズが低減されてS/N比が高くな
る。残留磁化の低減による出力の低下を必要最小限に抑
えるためには、Co、Pt、及びMoの割合は、Co
100-y-z Pty Moz (at%)(5≦y≦30、0<
z≦30)であることが望ましく、特に、5≦y≦3
0、5≦z≦20であることが好ましい。Further, in addition to Co and Pt, Mo is contained in the magnetic layer.
Although the remanent magnetization (Mr) tends to decrease by adding, the medium noise is reduced and the S / N ratio is increased. In order to minimize the reduction in output due to the reduction in residual magnetization, the proportions of Co, Pt, and Mo should be Co.
100-yz Pt y Mo z ( at%) (5 ≦ y ≦ 30,0 <
z ≦ 30) is preferable, and particularly 5 ≦ y ≦ 3.
It is preferable that 0,5 ≦ z ≦ 20.
【0067】加えて、上述の実施例から明らかなよう
に、下地層にはさらに他の成分を添加してもよい。例え
ば、W、B、V、Nb、Ta、Fe、Ni、Re、C
u、Zr、Zn、P、Si、Ga、Ge、Hf、Al、
及びTiのうち少なくとも一種をさらに含有するように
してもよい。そして、十分な保磁力を得るためには、こ
れら添加成分の添加量は30at%以下とすることが望
ましい。Cu、Zr、B、Zn、Ta、及びNbを添加
することによって媒体ノイズが低減できる(つまり、S
/N比を高くすることができる)。特に、Zrを添加す
ることによって、媒体ノイズ低減上の効果が大きい。In addition, as is clear from the above-mentioned examples, other components may be added to the underlayer. For example, W, B, V, Nb, Ta, Fe, Ni, Re, C
u, Zr, Zn, P, Si, Ga, Ge, Hf, Al,
Further, at least one of Ti and Ti may be further contained. Then, in order to obtain a sufficient coercive force, the added amount of these additional components is preferably 30 at% or less. Medium noise can be reduced by adding Cu, Zr, B, Zn, Ta, and Nb (that is, S
/ N ratio can be increased). In particular, the addition of Zr has a great effect on reducing the medium noise.
【0068】また、磁性層には、例えば、Ta、B、C
r、O、N、Nb、Mn、Zn、W、Pb、Re、V、
及びZrのうち少なくとも一種を添加するようにしても
よい。そして、十分な保磁力を得るためには、これら添
加成分の添加量は30at%以下とすることが望まし
い。In the magnetic layer, for example, Ta, B, C
r, O, N, Nb, Mn, Zn, W, Pb, Re, V,
At least one of Zr and Zr may be added. Then, in order to obtain a sufficient coercive force, the added amount of these additional components is preferably 30 at% or less.
【0069】上述の実施例では非磁性基板としてガラス
基板を用いたが、非磁性であれば特に限定する必要はな
く、例えば、結晶化ガラス基板及びアルミニウム基板も
用いることができる。Although the glass substrate is used as the non-magnetic substrate in the above-mentioned embodiments, it is not particularly limited as long as it is non-magnetic, and for example, a crystallized glass substrate and an aluminum substrate can be used.
【0070】保護層を形成する場合には保護層の種類は
特に限定されず、単層又は複層からなる保護層を設けて
もよい。この保護層としては、例えば、酸化ケイ素(S
iO2 )、カーボン(C)、酸化ジルコニウム(ZrO
2 )、窒化ケイ素(Si3 N4 )、窒化ホウ素(B
N)、クロム(Cr)、及びクロムモリブデン合金(C
rMo)が用いられるが、特に、下地層と同一の組成を
有する保護層、例えば、Cr及びMoを含む金属を用い
ることが拡散効果を磁性層の上下から発生させる点にお
いて望ましい。When the protective layer is formed, the type of the protective layer is not particularly limited, and a protective layer composed of a single layer or multiple layers may be provided. Examples of the protective layer include silicon oxide (S
iO 2 ), carbon (C), zirconium oxide (ZrO
2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), boron nitride (B
N), chromium (Cr), and chromium molybdenum alloy (C
rMo) is used, but it is particularly preferable to use a protective layer having the same composition as the underlayer, for example, a metal containing Cr and Mo, in order to generate a diffusion effect from above and below the magnetic layer.
【0071】潤滑層を形成する際には潤滑層の種類は特
に限定されず、例えば、パーフルオロポリエーテル、脂
肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、及びフルオロカ
ーボンを単品又は混合物として用いてもよい。When forming the lubricating layer, the kind of the lubricating layer is not particularly limited, and for example, perfluoropolyether, fatty acid, fatty acid amide, fatty acid ester, and fluorocarbon may be used individually or as a mixture.
【0072】[0072]
【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
記録媒体では保磁力及び残留磁化膜厚積を高くすること
ができるばかりでなく耐腐食性を高くすることができる
という効果がある。特に、磁性層にCo、Pt、及びM
oを含むことによって、高線記録密度において高記録再
生出力が得られるばかりでなく媒体ノイズを低減させる
ことができる。この結果、高線記録密度において記録再
生時のS/N比を向上させることができるという効果が
ある。As described above, in the magnetic recording medium according to the present invention, not only the coercive force and the remanent magnetization film thickness product can be increased, but also the corrosion resistance can be increased. In particular, Co, Pt, and M are used in the magnetic layer.
By including o, not only high recording / reproducing output can be obtained at high linear recording density but also medium noise can be reduced. As a result, there is an effect that the S / N ratio at the time of recording / reproducing can be improved at a high linear recording density.
【図1】本発明による磁気記録媒体の一実施例を示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a magnetic recording medium according to the present invention.
【図2】本発明による磁気記録媒体において磁性層とし
てCo82Pt18(◎)及びCo74Pt18Mo8 (○)
(at%)を用い下地層(CrMo)におけるMo含有
量を変化させた際の保磁力の変化を示す図である。FIG. 2 shows Co 82 Pt 18 (⊚) and Co 74 Pt 18 Mo 8 (∘) as magnetic layers in the magnetic recording medium according to the present invention.
It is a figure which shows the change of the coercive force when changing Mo content in a base layer (CrMo) using (at%).
【図3】本発明における磁気記録媒体において磁性層と
してCo74Pt18Mo8 (at%)を用い下地層(Cr
MoZr)を用いMoを9at%(◇)及び18at%
(◆)として下地層におけるMo含有量を変化させた際
の保磁力の変化を示す図である。FIG. 3 shows a magnetic recording medium according to the present invention in which Co 74 Pt 18 Mo 8 (at%) is used as a magnetic layer and an underlayer (Cr
Mo at 9 at% (◇) and 18 at%
It is a figure which shows the change of coercive force when changing the Mo content in an underlayer as (◆).
【図4】耐蝕性試験における試験時間と飽和磁化との関
係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a test time and a saturation magnetization in a corrosion resistance test.
1 ガラス基板 2 下地層 3 磁性層 4 保護層 5 潤滑層 6 磁気記録媒体 1 Glass Substrate 2 Underlayer 3 Magnetic Layer 4 Protective Layer 5 Lubricating Layer 6 Magnetic Recording Medium
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野沢 順 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホー ヤ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Jun Nozawa 2-7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo Hoya Co., Ltd.
Claims (6)
れた下地層と、該下地層上に形成された磁性層とを有す
る磁気記録媒体であって、前記下地層にはCr及びMo
が含まれ、前記磁性層にはCo及びPtが含まれている
ことを特徴とする磁気記録媒体。1. A magnetic recording medium having a non-magnetic substrate, an underlayer formed on the non-magnetic substrate, and a magnetic layer formed on the underlayer, wherein Cr and Mo are contained in the underlayer.
And a magnetic recording medium containing Co and Pt in the magnetic layer.
いて、前記磁性層にはさらにMoが含まれていることを
特徴とする磁気記録媒体。2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the magnetic layer further contains Mo.
いて、前記磁性層にはさらにTa、B、Cr、O、N、
Nb、Mn、Zn、W、Pb、Re、V、及びZrのう
ち少なくとも一種が含まれていることを特徴とする磁気
記録媒体。3. The magnetic recording medium according to claim 2, wherein the magnetic layer further comprises Ta, B, Cr, O, N,
A magnetic recording medium containing at least one of Nb, Mn, Zn, W, Pb, Re, V, and Zr.
磁気記録媒体において、前記下地層にはさらにW、B、
V、Nb、Ta、Fe、Ni、Re、Cu、Zr、Z
n、P、Si、Ga、Ge、Hf、Al、Tiのうち少
なくとも一種が含まれていることを特徴とする磁気記録
媒体。4. The magnetic recording medium according to claim 1, further comprising W, B, and
V, Nb, Ta, Fe, Ni, Re, Cu, Zr, Z
A magnetic recording medium containing at least one of n, P, Si, Ga, Ge, Hf, Al, and Ti.
磁気記録媒体において、前記下地層では前記非磁性基板
から前記磁性層に向かう方向にMo濃度が増加するよう
にしたことを特徴とする磁気記録媒体。5. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the Mo concentration in the underlayer increases in a direction from the non-magnetic substrate toward the magnetic layer. Magnetic recording medium.
磁気記録媒体において、前記磁性層上にはさらに保護層
が形成されており、該保護層にはCr及びMoが含まれ
ていることを特徴とする磁気記録媒体。6. The magnetic recording medium according to claim 1, further comprising a protective layer formed on the magnetic layer, wherein the protective layer contains Cr and Mo. A magnetic recording medium characterized by the above.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0709830A3 (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-22 | Hoya Corp | |
US6596420B2 (en) | 1996-05-20 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
US6673476B2 (en) * | 2000-11-29 | 2004-01-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and manufacturing process thereof |
-
1993
- 1993-10-08 JP JP25295593A patent/JP3200787B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0709830A3 (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-22 | Hoya Corp | |
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