JPH06214236A - 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】大きな自発分極を有し、ユニフォーム配向状態
を達成した強誘電性液晶を用いた液晶装置の焼き付きを
防止しする。 【構成】配向制御膜１３ａ，１３ｂの下層に凹凸部２０
を有する凹凸部材１０ａ，１０ｂを設け、この凹凸部２
０の傾斜角をβとし、配向制御膜１３ａ，１３ｂ界面で
の強誘電性液晶１４のプレチルト角を傾斜角βと逆方向
に測ってαとした時、傾斜角βとプレチルト角αとが、
｜β−α｜＜１０° 且つ β＞５°を満たすようにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置や液晶シ
ャッター等で用いられる液晶装置及びそれを用いた情報
伝達装置に係り、特にカイラルスメクティック液晶の強
誘電性液晶に用いて好適で有り、詳しくは、液晶分子の
配向状態を改善方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、強誘電性液晶の屈折率異方性を利
用して偏光素子と組み合わせることにより透過光線を制
御する型の液晶装置がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラ
ガウォール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されてい
る。（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４
３６７９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般
に特定の温度域において、非らせん構造のカイラルスメ
クティックＣ相（ＳｍＣ^* ）又はＨ相（ＳｍＨ^* ）を有
している。この状態において、印加される電界に応答し
て第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態とのい
ずれかを取り、且つ、電界が印加されていないときは状
態を維持する性質、即ち双安定性を示す。また電界の変
化に対する応答も速やかであり、高速並びに記憶型の液
晶装置としての広い利用が期待され、特にその特性から
大画面・高精細なディスプレーへの応用が期待されてい
る。

【０００３】この双安定性を有する強誘電性液晶が所定
の駆動特性を発揮するためには、一対の透明基板間に挟
持された強誘電性液晶の液晶分子が、双安定状態相互の
変換が効率良く生じるように配列していることが必要で
あり、そのために双安定な２状態間をスイッチングする
しきい値がほぼ等しいことが必要である。

【０００４】この液晶を配列させるために、配向規制力
が付与された２枚の透明基板間に液晶を狭持することが
行われている。

【０００５】なお、上述した強誘電性液晶がコレステリ
ック相を持たない場合には、ラビング処理等により配向
規制力が付与された透明基板で液晶を挟持しても均一な
配向状態が得られないことが知られ、片面の透明基板に
のみラビング処理する非対称配向処理が効果的であるこ
とが報告されている。

【０００６】また、強誘電性液晶の複屈折率を利用した
液晶装置の場合、クロス二コル下での透過率は、 I/ I₀＝Sin²4 θSin²( Δn・d π/ λ) で表される。ここで、I₀は入射光強度、I は透過光強
度、θはチルト角、Δn は屈折率異方性、ｄは液晶層の
厚み、λは入射光の波長を現している。前述の非らせん
構造におけるチルト角θは、第１と第２の光学的安定状
態における配向状態での捩じれ配列した液晶分子の平均
分子軸方向の角度として現れることになる。上式によれ
ば、このチルト角θが２２．５°の角度のとき最大の透
過率となり、従って双安定性を実現する非らせん構造で
のチルト角を２２．５°に出来る限り近いことが必要と
されている。

【０００７】上記のようなチルト角を持つ液晶装置を得
る方法として交流を印加して配向を変化させることが提
案されている（特開昭６２−１６１１２３）。この技術
により非らせん構造におけるチルト角θを増大させるこ
とができ、さらに液晶の配列を透明基板間でツイスト配
向からほぼ同じコーン−ダイレクタを有するパラレル配
向（ユニフォーム配向）にできることからクロス二コル
下における暗状態の透過率を少なくすることができ高い
コントラストが得られている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た強誘電性液晶を用いた液晶装置では、下記に示す様な
問題があった。

【０００９】 ［放置単安定］ 先に述べた“双安定性”は強誘電性液晶の特異な特性
で、一方の安定状態から他方の安定状態に状態遷移（ス
イッチング）させることにより特性の利用が図られてい
る。通常このスイッチングは電圧を印加することにより
行われ、所定電圧（閾値電圧）に達した時にスイッチン
グする様になっている。従って、この閾値電圧が変動す
ると液晶装置の駆動特性が大きく変動してしまう問題が
ある。

【００１０】一般に、強誘電性液晶を用いた液晶装置は
“焼き付き（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｅｍｏｒｙ）”と言わ
れる課題を持っている。この現象は先の閾値電圧の変動
原因となり、特に階調表示の可能な液晶装置を製作する
ためには解決しなければならない重要な問題である。

【００１１】なお、焼き付きを防止するためには液晶が
接すると透明基板界面でのプレチルト角αを大きくする
ことが有効とされるが、ブックシエルフ層構造の場合
は、プレチルトは０°に近いほうが界面でのコーンダイ
レクタがコ−ンエッジに近くなり、コントラスト、駆動
マージン特性が飛躍的に向上する。

【００１２】 ［ツイスト状態の発生］ 強誘電性液晶のユニフォーム配向状態は、２枚の透明基
板間で液晶分子が殆ど捩じれていない状態である。この
配向状態では、高いコントラストを得ることが出来、ま
た画像のチラツキ等も少なく優れた配向状態である。し
かし、強誘電性液晶には、ユニホーム配向状態以外にツ
イスト配向状態が存在する。このツイスト配向状態は透
明基板間で液晶分子が捩じれている状態であり、この配
向状態がユニフォーム配向状態に混在してくるとコント
ラストの低下及びユニフォーム配向でのスイッチング特
性の劣化を招く問題があった。

【００１３】 ［スイッチング不良］ 高輝度、高スピードのスイッチング特性を実現するため
には、大きな自発分極を有する強誘電性液晶を用いる必
要がある。ところが、シェブロン構造を有する配向状態
では、その自発分極が生み出す逆電界の影響によりスイ
ッチング速度が損なわれて易く、液晶装置として機能し
なくなる場合がある。スイッチング速度は、電極の間の
配向制御膜及び液晶層等の電気容量及び電気抵抗に依存
し、電気容量が小さい方が、また電気抵抗が高い方が、
自発分極による逆電界の影響が大きくなりスイッチング
速度が損なわれる。

【００１４】 ［層構造（ＡＣ印加処理）］ これまでに行われている交流印加処理における印加電圧
は、通常±２０〜３０Ｖ／μｍであり、交流印加処理が
±１０Ｖ／μｍ付近で行えれば情報信号の発生回路を兼
用してＡＣ印加処理が行えない。そのために交流印加処
理を駆動波形発生用の回路を用いて行うことが困難であ
った。

【００１５】そこで、本発明は、これらの課題を解決し
た信頼性のある液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置
を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、一軸性配向処理が施された配
向制御膜を有する２枚の透明基板を所定間隙を保って対
向させ、且つ、該間隙に液晶が挟持されてなる液晶装置
において、前記配向制御膜下の前記透明基板面上に多数
の鋸歯状の凹凸部を有する凹凸部材を設け、該凹凸部材
の凹凸部が所定の傾きを持ち、且つ、同一方向に傾斜し
てなる、ことを特徴とする。

【００１７】例えば、前記凹凸部の傾斜角をβとし、前
記配向制御膜界面での液晶のプレチルト角を前記傾斜角
βと逆方向に測ってαとした時、前記傾斜角βと前記プ
レチルト角αとが、｜β−α｜＜１０° 且つ β＞５
°を満たしてなる。

【００１８】また、前記液晶がカイラルスメクティック
液晶の強誘電性液晶からなる。

【００１９】また、前記強誘電性液晶がカイラルスメク
ティックＣ相を有し、且つ、らせんピッチが１μｍ以
下、０．１μｍ以上を有してなる。

【００２０】さらに、前記強誘電性液晶の自発分極が２
５ｎＣ／ｃｍ² 以上、２００ｎＣ／ｃｍ² 以下を有して
なる。

【００２１】また、本発明に係る液晶装置を用いた情報
伝達装置として、データ信号及び走査方式信号を出力す
るグラフィックコントローラと、走査線アドレスデータ
及び走査方式信号を出力する走査信号制御回路と、表示
データ及び走査方式信号を出力する情報信号制御回路
と、請求項１乃至５いずれか１記載の液晶装置と、を有
して、情報を表示・伝達してなる、ことを特徴とする。

【００２２】

【作用】以上構成に基づき、透明基板面上に凹凸部材を
設け、凹凸部の傾斜角βと、配向制御膜界面での強誘電
性液晶のプレチルト角αとして、βとαの関係が｜β−
α｜＜１０°、且つ、β＞５°を満足させる。

【００２３】

【実施例】図１は、液晶装置の断面を示す模式図で、図
２は発明要部の部分断面図である。液晶装置は、１．１
ｍｍ厚のガラス基板（透明基板）１０ａ，１０ｂ上に
は、Ｎｉスタンパーと光硬化樹脂（アクリル系ＵＶ硬化
樹脂等）を用いる方法或は斜方蒸着によるカラム形成等
の方法により作られた傾斜角βの凹凸部２０を有する鋸
歯状の凹凸部材１１ａ，１１ｂが設けられ、その上に
は、１５０ｎｍ厚のＩｎ₂ Ｏ₃ 及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等からなる帯状の透明電極１
２ａ，１２ｂが被着されている。本実施例では、この凹
凸部２０の傾斜角βを試料作成条件の１つとした（表１
参照）。さらに、透明電極１２ａ，１２ｂ上には、配向
制御膜１３ａ，１３ｂが５ｎｍ以下の膜厚で成膜されて
いる。この配向制御膜１３ａ，１３ｂとして、含フッソ
ポリアミック酸を、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）：
ｎ−プチルパネルソルプ：ｎ−プチルカルビトール＝
５：１：３の４％の混合溶媒を印刷塗布後、２７０℃で
焼成し、５ｎｍの膜厚の（含フッソ）ポリイミド配向制
御層とした。この配向制御膜１３ａ，１３ｂには、透明
電極１２ａ，１２ｂと略平行にラビング等の配向処理が
施してある。ラビング処理はナイロン製ラビング布を用
い、ガラス基板１０ａ，１０ｂの基板送り速度５０ｍｍ
／ｓｅｃのもと押し込み量、ローラ回転数を変えた試料
を作成した（表１参照）。

【００２４】透明電極１２ａ，１２ｂと配向制御膜１３
ａ，１３ｂとの間には低抵抗のショート防止層を積層し
てもよく、また低抵抗の配向制御膜１３ａ，１３ｂであ
れば５ｎｍ以上の膜厚でもよい。

【００２５】こられの２枚のガラス基板１０ａ，１０ｂ
を３μｍのシリカビーズ１５を介して互いのラビング方
向が平行になるように所定間隙を保持して張り合わせ
（詳細は表１を参照）、この間隙には強誘電性液晶１４
が注入され、そしてガラス基板１１ａ，１１ｂを挟む様
に偏光板１６ａ，１６ｂが設けられている。強誘電性液
晶１４は、下記のものを用いた。

【００２６】真のチルト角Θ＝２１° 自発分極Ｐｓ＝３０ｎＣ／ｃｍ² Ｃ^* ピッチ＝８．６μｍ このような構成において、プレチルト角αと界面の傾斜
角βとの間に、 ｜β−α｜＜１０° 且つ β＞５° の関係を満たすことにより放置単安定（焼き付き）の無
い、高速かつ高いコントラストを持つ液晶装置を制作す
ることが可能になる。

【００２７】なお、前記強誘電性液晶はカイラルスメク
ティック液晶であり、さらにカイラルスメクティックＣ
相を有し、且つ、らせんピッチが１μｍ以下、０．１μ
ｍ以上を有する。また、自発分極は２５ｎＣ／ｃｍ² 以
上、２００ｎＣ／ｃｍ² 以下の範囲であれば良い。

【００２８】次に各特性値の測定方法について説明す
る。 ［焼き付き（放置単安定）の測定］焼き付けの測定は、
図３に示すように評価領域Ｐｘ１，Ｐｘ２を用い、この
評価領域Ｐｘ１，Ｐｘ２が初期状態として正常であり、
且つ、双安定性を有していることを確認した後、放置試
験を行った。

【００２９】双安定性の確認は、１つの安定状態Ａから
他の安定状態Ｂへの閾値電圧、及び安定状態Ｂから安定
状態Ａへの閾値電圧を測定することにより行い、また、
放置試験は評価領域Ｐｘ１，Ｐｘ２をそれぞれ安定状態
Ａ及び安定状態Ｂにして、３０℃の環境温度の条件で３
日間放置した後、評価領域Ｐｘ１，Ｐｘ２の閾値電圧の
を測定して下式により評価した。

【００３０】 Ｐ_<AB>＝｛Ｖ_A<AB> −Ｖ_B<AB> ｝／Ｖ_I<AB> Ｐ_<BA>＝｛Ｖ_B<BA> −Ｖ_A<BA> ｝／Ｖ_I<BA> ここで、Ｖ_A<AB> は安定状態Ａに放置した後、安定状態
Ａから安定状態Ｂに反転させるのに必要な閾値電圧、Ｖ
_B<AB> は安定状態Ｂに放置した後、安定状態Ａから安定
状態Ｂに反転させるのに必要な閾値電圧、またＶ_I<AB>
は初期状態で安定状態Ａから安定状態Ｂへの閾値電圧、
Ｖ_I<BA> は、初期状態で安定状態Ｂから安定状態Ａ閾値
電圧を表している。従って、Ｐ_<AB>，Ｐ_<BA>の値が小さ
いほど焼き付きが少ないことを表している。 ［真のチルト角の測定］液晶装置の閾値電圧より十分に
大きな双極性パルス（例えば単発パルスでの閾値電圧が
５０μｓｅｃ，１０Ｖの場合、１０Ｈｚ，１０Ｖの交流
パルスを用いる）を印加し、クロスニコル下、その間に
配置された液晶装置を偏向板と水平に回転させ第１の消
光位をさがし、次に上記の単発パルスと逆極性のパルス
を印加した後、無電界下、第２の消光位をさがす。この
ときの第１の消光位までの角１／２を真のチルト角θを
求めた。 ［みかけのチルト角の測定］液晶装置の閾値電圧以上の
単発パルスを印加した後、無電界下、且つクロスニコル
下、その間に配置された液晶装置を偏向板と水平に回転
させ第１の消光位をさがし、次に蒸気の単発パルスと逆
極性のパルスを印加した後、無電界下、第２の消光位を
さがす、このときの第１の消光位までの角度１／２をみ
かけのチルト角θａとした。 ［プレチルト角αの測定］プレチルト角αの測定は、ク
リスタルローテーション法により求めた。測定法は、液
晶装置をガラス基板面で回転させながら、回転軸と４５
°の角度をなす偏向面を持つヘリウム・ネオンレーザ光
を回転軸に垂直な方向から照射して、その反対側で入射
偏向面と平行な透過軸を持つ偏向板を通してフォトダイ
オードで透過光強度を測定した。そして、干渉によって
できた透過光強度の双曲線群の中心となる角と液晶装置
に垂直な線とのなす角度をΦｘとし、下式に代入してプ
レチルト角αを求めた。

【００３１】 ここで、ｎ_O は常光屈折率、ｎ_e は異常光屈折率であ
る。なお詳細は、Ｊ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ
ｌ．１１９（１９８０）ＮＯ．１０，Ｓｈｏｒｔ Ｎｏ
ｔｅｓ ２０１３に記載されている。

【００３２】本実施例では、プレチルト角αの測定値と
して以下の２種類について測定を行った。 （タイプ１）ガラス基板上１０ａ，１０ｂに凹凸部材１
１ａ，１１ｂを作成せず、また透明電極１２ａ，１２ｂ
がマトリックス状にパターニングされていない。そして
上下のガラス基板１０ａ，１０ｂ界面での液晶分子の傾
きが平行、且つ、同一方向になるように２枚のガラス基
板１０ａ，１０ｂを張り合わせて作成した液晶装置での
プレチルト角をα１とした。 （タイプ２）タイプ１に対し、ガラス基板上１０ａ，１
０ｂに凹凸部材１１ａ，１１ｂを作成したもののプレチ
ルト角をα２とした。

【００３３】またプレチルト角αの測定用の液晶（チッ
ソ社製強誘電性液晶ＣＳ−１０１４）は下記の構造式で
示される化合物を重量比で２０％混合したものを標準液
晶として用いた。

【００３４】

【化１】 なお、この混合した液晶組織物は、１０〜５５℃でＳｍ
Ａ相を示した。以上説明した試料の諸元及び評価結果を
表１に示す。

【００３５】

【表１】 試料１ではα１＝１２°、α２＝１°であった。この液
晶装置に±４０Ｖ／μｍ、１０Ｈｚの矩形波を５分、３
０℃の環境下で印加し、みかけのチルト角θαを測定し
たところ９．４°が２０．０°に拡がった。次に焼き付
き（放置単安定）の測定をパルス幅ΔＴ＝４０μｓの単
発パルスで閾値電圧を測定したところＰ_<AB>＝０．０
４、Ｐ_<BA>＝０．０５であり、ほとんど焼き付きは確認
されなかった。このことは、試料２，２，４においても
同様であった。また、試料５は、２枚のガラス基板１０
ａ，１０ｂのラビング方向が反平行に貼り合わされた以
外試料１と同じである。この試料５では、交流印加後の
θａは２２°であり、Ｐ_<AB>＝０．０４、Ｐ_<BA>＝０．
０４であり、ほとんど焼き付きは確認されなかった。

【００３６】試料６は、凹凸部材１１ａ，１１ｂが形成
されていおらず、且つ、配向制御膜１３ａ，１３ｂにナ
イロンを用いた以外試料１と同じである。プレチルト角
α１はα１＝１°であった（α２＝α１）。また、液晶
装置に±４０Ｖ／μｍ、１０Ｈｚの矩形波を５分、３０
℃の環境下で印加し、みかけのチルト角θαを測定した
ところ８．９°が１９．８°に拡がった。次に焼き付き
（放置単安定）の測定をパルス幅ΔＴ＝４０μｓの単発
パルスで閾値電圧の測定を行った結果、Ｐ_<AB>＝０．２
３、Ｐ_<BA>＝０．２５であり、顕著な焼き付きが確認さ
れた。

【００３７】一方試料７は、凹凸部材１１ａ，１１ｂが
形成されていない他は試料１と同じで、プレチルト角α
１は、α１＝１２°であった（α２＝α１）。そしてこ
の液晶装置に±４０Ｖ／μｍ、１０Ｈｚの矩形波を５
分、３０℃の環境下で印加し、みかけのチルト角θａを
測定したところ９．０°が１８．２°に拡がった。しか
しユニフォーム配向の２状態間をスイッチングさせてい
ると消光位のない水色に見える配向状態（ツイスト状
態）が出現して特性が変化した。

【００３８】また、試料８は、凹凸部材１１ａ，１１ｂ
の傾斜角β及びラビング条件を変えた以外は試料１と同
じである。プレチルト角α１は、α１＝２０°、α２＝
１２°であった。この液晶装置に±４０Ｖ／μｍ、１０
Ｈｚの矩形はを５分、３０℃の環境下で印加し、みかけ
のチルト角θａを測定したところ９．４°が１９．２°
に拡がった。しかしユニフォーム配向の２状態間をスイ
ッチングさせていると消光位のない水色に見える配向状
態（ツイスト状態）が出現して特性が変化した。

【００３９】さらに、試料９は試料８と同様に、凹凸部
材１１ａ，１１ｂの傾斜角β及びラビング条件を変えた
以外は試料１と同じである。プレチルト角は、α１＝７
°、α２＝３°であった。この液晶装置に±４０Ｖ／μ
ｍ、１０Ｈｚの矩形波を５分、３０℃の環境下で印加
し、みかけのチルト角θａを測定したところ９．４°が
２０．０°に拡がった。次に焼き付き（放置単安定）の
測定をパルス幅ΔＴ＝４０μｓの単発パルスで閾値電圧
を測定した結果Ｐ_<AB>＝０．３４、Ｐ_<BA>＝０．３０で
あり、顕著な焼き付きが確認された。

【００４０】なお、強誘電性液晶としてはカイラルスメ
クティック層状態のものを用いることができ、具体的に
はカイラルスメクティックＣ相（ＳｍＣ^* ）、Ｈ相（Ｓ
ｍＨ^* ）、Ｉ相（ＳｍＩ^* ）、Ｋ相（ＳｍＫ^* ）やＧ相
（ＳｍＧ^* ）の液晶を用いることができる。特に、好ま
しい強誘電性液晶として、高温側でコレステリック相を
示し、下記の相転移温度および物質値を示すピリミジン
系混合液晶があげられる。

【００４１】

【外１】 この強誘電性液晶は真のチルト角Θ＝２２°、自発分極
Ｐｓ＝３０ｎＣ／ｃｍ²であった。図４はピリミジン系
混合液晶及び含フッソポリイミド（３ｎｍ）を用いた液
晶装置の交流印加前の液晶分子の配向状態（この配向状
態をＡ１の符号で表す）を示す図面に変わる写真であ
る。また図５はこの状態で、交流±１０Ｖ．１０Ｈｚを
印加した時の液晶分子の配向状態（この配向状態をＡ２
の符号で表す）を示す図面に変わる写真である。配向状
態Ａ１の非らせん構造におけるチルト角θは１４°であ
ったが、配向状態Ａ２の非らせん構造におけるチルト角
θは２２°であった。

【００４２】また、Ｘ線解析により層構造の変化を測定
した。図６は配向状態Ａ１の測定結果であり、図７は配
向状態Ａ２の測定結果である。図６から配向状態Ａ１は
ガラス基板１０ａ，１０ｂ間に１つ以上屈曲を有する配
向であることがわかる。そして、その配向状態Ａ１が交
流印加によって、疑似ブックシエルフ構造になっている
ことが図７の結果から理解することが出来る。

【００４３】次に本発明に係る液晶装置を用いた情報伝
達装置の実施例を図８に沿って説明する。情報伝達装置
は、グラフィックコントローラ３０と、駆動制御回路３
１と、走査信号制御回路３２と、情報信号制御回路３３
と、走査信号印加回路３４と、情報信号印加回路３５
と、本発明による液晶装置３６を有している。

【００４４】グラフィックコントローラ３０から出力さ
れるデータと走査方式信号は駆動制御回路３１により走
査信号制御回路３２と情報信号制御回路３３とに出力さ
れる。この際データはアドレスデータと表示データに変
換され、走査方式信号は、そのまま走査信号印加回路３
４と情報信号印加回路３５に送られる。走査信号印加回
路３４は、走査方式信号によって決まる走査信号波形
を、アドレスデータによって決まる走査電極（不図示）
に出力し、また情報信号印加回路３５は、走査方式信号
と表示データによって送られる白又は黒の表示内容との
２つによって決まる情報信号波形を情報電極（不図示）
に出力して、液晶装置３６に情報を表示する。

【００４５】本発明の、液晶装置を用いることにより、
情報伝達装置の信頼性を高めることが可能となった。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、凹凸部材を設け、
また自発分極を２５ｎＣ／ｃｍ² 以上とすることによ
り、大きなプレチルト角を得ることができると共にユニ
フォーム配向状態が得られ、また高速・高輝度特性を発
揮することが可能になった。これのより、液晶装置の信
頼性が著しく高まった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の説明に適用される液晶装置の
断面図。

【図２】本発明の実施例の説明に適用される凹凸部材が
設けられたガラス基板の断面図。

【図３】本発明の実施例の説明に適用される液晶装置の
放置単安定性の評価領域を示す図。

【図４】本発明の実施例の説明に適用される強誘電性液
晶分子の配向状態Ａ１の組織を示す図面に代わる写真。

【図５】本発明の実施例の説明に適用される強誘電性液
晶分子の配向状態Ａ２の組織を示す図面に代わる写真。

【図６】本発明の実施例の説明に適用される強誘電性液
晶分子の配向状態Ａ１の構造を示すＸ線解析図。

【図７】本発明の実施例の説明に適用される強誘電性液
晶分子の配向状態Ａ２の構造を示すＸ線解析図。

【図８】本発明に係る液晶装置を用いた情報伝達装置の
説明に適用されるブロック図。

【符号の説明】

１０ａ，１０ｂ ガラス基板（透明基板） １１ａ，１１ｂ 凹凸部材 １３ａ，１３ｂ 配向制御膜 １４ 強誘電性液晶（液晶） ２０ 凹凸部 ３０ グラフィックコントローラ ３２ 走査信号印加回路 ３３ 情報信号印加回路 ３６ 液晶装置

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一軸性配向処理が施された配向制御膜を
   有する２枚の透明基板を所定間隙を保って対向させ、且
   つ、該間隙に液晶が挟持されてなる液晶装置において、 前記配向制御膜下の前記透明基板面上に多数の鋸歯状の
   凹凸部を有する凹凸部材を設け、 該凹凸部材の凹凸部が所定の傾きを有し、且つ、同一方
   向に傾斜してなる、 ことを特徴とする液晶装置。
2. 【請求項２】 前記凹凸部の傾斜角をβとし、前記配向
   制御膜界面での液晶のプレチルト角を前記傾斜角βと逆
   方向に測ってαとした時、前記傾斜角βと前記プレチル
   ト角αとが、 ｜β−α｜＜１０°、且つ、β＞５° を満たしてなる、 請求項１記載の液晶装置。
3. 【請求項３】 前記液晶がカイラルスメクティック液晶
   の強誘電性液晶からなる、 請求項１又は２記載の液晶装置
4. 【請求項４】 前記強誘電性液晶がカイラルスメクティ
   ックＣ相を有し、且つ、らせんピッチが１μｍ以下、
   ０．１μｍ以上を有してなる、 請求項３記載の液晶装置。
5. 【請求項５】 前記強誘電性液晶の自発分極が２５ｎＣ
   ／ｃｍ² 以上、２００ｎＣ／ｃｍ² 以下を有してなる、 請求項３記載の液晶装置。
6. 【請求項６】 データ信号及び走査方式信号を出力する
   グラフィックコントローラと、 走査線アドレスデータ及び走査方式信号を出力する走査
   信号制御回路と、 表示データ及び走査方式信号を出力する情報信号制御回
   路と、 請求項１乃至５いずれか１記載の液晶装置と、を有し
   て、 情報を表示・伝達してなる、 ことを特徴とする情報伝達装置。