JPH06196478A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06196478A JPH06196478A JP34502392A JP34502392A JPH06196478A JP H06196478 A JPH06196478 A JP H06196478A JP 34502392 A JP34502392 A JP 34502392A JP 34502392 A JP34502392 A JP 34502392A JP H06196478 A JPH06196478 A JP H06196478A
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- semiconductor device
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの各層の熱膨張率の差により発
生する応力や、樹脂成形体成形体と半導体チップとの熱
膨張率の差に基づいて発生する応力をスムーズに分散し
て、アルミニウム配線に生じる変形・位置ずれを防止す
る。 【構成】 半導体基板上のアルミニウム薄膜からなる電
源配線部２１の両周縁上に、それぞれ交互に半円形状あ
るいは５角以上の多角形状のスリット２２を配し、かつ
スリット２２の半径あるいは高さ分だけ電源配線部２１
の幅を拡張した。
生する応力や、樹脂成形体成形体と半導体チップとの熱
膨張率の差に基づいて発生する応力をスムーズに分散し
て、アルミニウム配線に生じる変形・位置ずれを防止す
る。 【構成】 半導体基板上のアルミニウム薄膜からなる電
源配線部２１の両周縁上に、それぞれ交互に半円形状あ
るいは５角以上の多角形状のスリット２２を配し、かつ
スリット２２の半径あるいは高さ分だけ電源配線部２１
の幅を拡張した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に半導体
基板上のアルミニウム薄膜からなる電源配線部分のパッ
シベーションクラックや金属配線スライド等の変形・位
置ずれによる金属配線クラックを防止した半導体装置に
関する。
基板上のアルミニウム薄膜からなる電源配線部分のパッ
シベーションクラックや金属配線スライド等の変形・位
置ずれによる金属配線クラックを防止した半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路
の周縁部にはアルミニウム薄膜からなる電源配線（電源
ライン）が配置されている。この電源配線部分は、一般
的には半導体基板上に形成された半導体素子の層間絶縁
膜上に被着形成され、かつ半導体素子の電極間を結ぶよ
うに形成されている。そして、電源配線部の形成された
半導体基板をリン・シリケート・ガラス（ＰＳＧ）等の
絶縁膜で覆うことによって保護膜（パッシベーション）
とし、さらにその上を樹脂成形体で封止めして半導体集
積回路としていた。
の周縁部にはアルミニウム薄膜からなる電源配線（電源
ライン）が配置されている。この電源配線部分は、一般
的には半導体基板上に形成された半導体素子の層間絶縁
膜上に被着形成され、かつ半導体素子の電極間を結ぶよ
うに形成されている。そして、電源配線部の形成された
半導体基板をリン・シリケート・ガラス（ＰＳＧ）等の
絶縁膜で覆うことによって保護膜（パッシベーション）
とし、さらにその上を樹脂成形体で封止めして半導体集
積回路としていた。
【０００３】このように製造・構成された従来の半導体
装置では、層間絶縁膜とアルミニウム薄膜と保護膜との
それぞれの膜の熱膨張率の差に基づく内部応力が原因
で、特に半導体チップの周辺部に位置する電源配線が半
導体基板上でパッシベーションクラックや金属配線クラ
ックを起こし、これがために電源配線の短絡、切断不良
を起こすという問題点があった。
装置では、層間絶縁膜とアルミニウム薄膜と保護膜との
それぞれの膜の熱膨張率の差に基づく内部応力が原因
で、特に半導体チップの周辺部に位置する電源配線が半
導体基板上でパッシベーションクラックや金属配線クラ
ックを起こし、これがために電源配線の短絡、切断不良
を起こすという問題点があった。
【０００４】また、最近のリニアＩＣのように半導体チ
ップ寸法が５mmを越える大形化した半導体集積回路で
は、樹脂成形体と半導体チップとの熱膨張率の差に基づ
く外部応力によっても、前記同様の電源配線の短絡、切
断不良が引き起こされるという問題点があった。
ップ寸法が５mmを越える大形化した半導体集積回路で
は、樹脂成形体と半導体チップとの熱膨張率の差に基づ
く外部応力によっても、前記同様の電源配線の短絡、切
断不良が引き起こされるという問題点があった。
【０００５】この問題点を解決するために、従来の半導
体装置におけるパッシベーションクラックや金属配線ス
ライド等の変形・位置ずれによる金属配線クラックを防
止する手段を備えたいくつかの配線構造が提案されるよ
うになった。例えば、特開昭６２−４５１５０号公報
“半導体装置”に記載される半導体装置では、半導体基
板の四隅部もしくは四隅部に近い周縁部に設けられたア
ルミニウム薄膜からなる電源配線に長方形状のスリット
を形成して、樹脂成形体と半導体チップとの熱膨張率の
差に基づく応力により電源配線に生じるクラックを防止
するようにしている。
体装置におけるパッシベーションクラックや金属配線ス
ライド等の変形・位置ずれによる金属配線クラックを防
止する手段を備えたいくつかの配線構造が提案されるよ
うになった。例えば、特開昭６２−４５１５０号公報
“半導体装置”に記載される半導体装置では、半導体基
板の四隅部もしくは四隅部に近い周縁部に設けられたア
ルミニウム薄膜からなる電源配線に長方形状のスリット
を形成して、樹脂成形体と半導体チップとの熱膨張率の
差に基づく応力により電源配線に生じるクラックを防止
するようにしている。
【０００６】図４は、この特開昭６２−４５１５０号公
報に記載された半導体装置の平面図であり、半導体チッ
プのコーナー（四隅部Ａ点）におけるアルミニウム配線
のパターンを示している。図において、特開昭６２−４
５１５０号公報が提案する半導体装置の平面図には、半
導体チップ１１と、コーナー部に形成されたアルミニウ
ム配線１２と、アルミニウム配線１２に設けられた長方
形状のスリット１３と、アルミニウムよりなるボンディ
ングパッド部１４と、半導体チップ内部に設けられた配
線の一部１５が示されている。そして、この半導体装置
では四隅部にあるアルミニウム配線のパターンにおい
て、熱応力吸収手段として長方形状のスリットを設ける
ことにより、樹脂成形体と半導体チップとの熱膨張率の
差に基づく応力を分散させてアルミニウム配線のクラッ
クを防止している。
報に記載された半導体装置の平面図であり、半導体チッ
プのコーナー（四隅部Ａ点）におけるアルミニウム配線
のパターンを示している。図において、特開昭６２−４
５１５０号公報が提案する半導体装置の平面図には、半
導体チップ１１と、コーナー部に形成されたアルミニウ
ム配線１２と、アルミニウム配線１２に設けられた長方
形状のスリット１３と、アルミニウムよりなるボンディ
ングパッド部１４と、半導体チップ内部に設けられた配
線の一部１５が示されている。そして、この半導体装置
では四隅部にあるアルミニウム配線のパターンにおい
て、熱応力吸収手段として長方形状のスリットを設ける
ことにより、樹脂成形体と半導体チップとの熱膨張率の
差に基づく応力を分散させてアルミニウム配線のクラッ
クを防止している。
【０００７】また、特開平４−９４５４０号公報“半導
体装置”に記載された半導体装置では、上記半導体装置
が用いた長方形状のスリットに替えて、図５に示すよう
な文字や図形の打ち抜きパターンによるスリットを半導
体チップの周縁部に設けることにより、樹脂成形体と半
導体チップとの熱膨張率の差に基づく応力によって生じ
るパッシベーションクラックや金属配線のクラックを防
止している。
体装置”に記載された半導体装置では、上記半導体装置
が用いた長方形状のスリットに替えて、図５に示すよう
な文字や図形の打ち抜きパターンによるスリットを半導
体チップの周縁部に設けることにより、樹脂成形体と半
導体チップとの熱膨張率の差に基づく応力によって生じ
るパッシベーションクラックや金属配線のクラックを防
止している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体装置では、半導体チップのコーナー部のアルミニ
ウム配線に長方形状のスリットを設けたり、あるいは文
字や図形の打ち抜きパターンによるスリットを設けて、
パッシベーションクラックや金属配線クラックを防止し
ているが、長方形状のスリットではその四隅部分に応力
が集中し、また文字や図形の打ち抜きパターンによるス
リットでは文字や図形の角毎に応力が集中し、そこに変
形・位置ずれが起こりクラックが生じるという問題点が
あった。
半導体装置では、半導体チップのコーナー部のアルミニ
ウム配線に長方形状のスリットを設けたり、あるいは文
字や図形の打ち抜きパターンによるスリットを設けて、
パッシベーションクラックや金属配線クラックを防止し
ているが、長方形状のスリットではその四隅部分に応力
が集中し、また文字や図形の打ち抜きパターンによるス
リットでは文字や図形の角毎に応力が集中し、そこに変
形・位置ずれが起こりクラックが生じるという問題点が
あった。
【０００９】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、半導体チップの各層の熱膨張率の
差により発生する内部応力や、樹脂成形体と半導体チッ
プとの熱膨張率の差に基づいて発生する外部応力をスム
ーズに分散して、アルミニウム配線等の電源配線に生じ
る変形・位置ずれによるクラックを防止する半導体装置
を得ることを目的としている。
めになされたもので、半導体チップの各層の熱膨張率の
差により発生する内部応力や、樹脂成形体と半導体チッ
プとの熱膨張率の差に基づいて発生する外部応力をスム
ーズに分散して、アルミニウム配線等の電源配線に生じ
る変形・位置ずれによるクラックを防止する半導体装置
を得ることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の発明に係る半導体装置は，半導体基
板上に形成された半導体素子の電極間を結ぶ電源配線を
前記基板上に配設した半導体装置であって、前記半導体
基板上の電源配線部の両周縁上に半円形状あるいは５角
以上の多角形状のスリットを配したことを特徴とする。
に、本発明の第１の発明に係る半導体装置は，半導体基
板上に形成された半導体素子の電極間を結ぶ電源配線を
前記基板上に配設した半導体装置であって、前記半導体
基板上の電源配線部の両周縁上に半円形状あるいは５角
以上の多角形状のスリットを配したことを特徴とする。
【００１１】また、第２の発明に係る半導体装置は，前
記半導体基板上の電源配線部の両周縁上に、それぞれ交
互に半円形状あるいは５角以上の多角形状のスリットを
配したことを特徴とする。
記半導体基板上の電源配線部の両周縁上に、それぞれ交
互に半円形状あるいは５角以上の多角形状のスリットを
配したことを特徴とする。
【００１２】また、第３の発明に係る半導体装置は、前
記半導体基板上の電源配線部の両周縁上に、それぞれ交
互に半円形状あるいは５角以上の多角形状のスリットを
配し、かつ前記半円形状あるいは５角以上の多角形状の
スリットの半径あるいは高さ分だけ電源配線部の幅を拡
張したことを特徴とする。
記半導体基板上の電源配線部の両周縁上に、それぞれ交
互に半円形状あるいは５角以上の多角形状のスリットを
配し、かつ前記半円形状あるいは５角以上の多角形状の
スリットの半径あるいは高さ分だけ電源配線部の幅を拡
張したことを特徴とする。
【００１３】また、第４の発明に係る半導体装置は、前
記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは５
角以上の多角形状のスリットを配したことを特徴とす
る。
記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは５
角以上の多角形状のスリットを配したことを特徴とす
る。
【００１４】また、第５の発明に係る半導体装置は、前
記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは５
角以上の多角形状のスリットを２列に配し、かつそれぞ
れのスリットが交互に配置されるようにしたことを特徴
とする。
記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは５
角以上の多角形状のスリットを２列に配し、かつそれぞ
れのスリットが交互に配置されるようにしたことを特徴
とする。
【００１５】さらに、第６の発明に係る半導体装置は、
前記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは
５角以上の多角形状のスリットを２列に配し、かつそれ
ぞれのスリットが交互に配置されるようにすると共に、
前記円形状あるいは５角以上の多角形状のスリットの直
径あるいは高さ分だけ電源配線の四隅部の幅を拡張した
ことを特徴とする。
前記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは
５角以上の多角形状のスリットを２列に配し、かつそれ
ぞれのスリットが交互に配置されるようにすると共に、
前記円形状あるいは５角以上の多角形状のスリットの直
径あるいは高さ分だけ電源配線の四隅部の幅を拡張した
ことを特徴とする。
【００１６】
【作用】従って、本発明の半導体装置によれば、電源配
線に設けられるスリットは、半導体基板上の電源配線部
の両周縁上に半円形状あるいは５角以上の多角形状で配
置されるので、長方形状のスリットのように四隅部分に
応力が集中して四隅部に変形・位置ずれによるクラック
が起こるといったことはなく、応力はスムーズに分散さ
れるので電源配線の短絡、切断不良を効果的に防止でき
る。
線に設けられるスリットは、半導体基板上の電源配線部
の両周縁上に半円形状あるいは５角以上の多角形状で配
置されるので、長方形状のスリットのように四隅部分に
応力が集中して四隅部に変形・位置ずれによるクラック
が起こるといったことはなく、応力はスムーズに分散さ
れるので電源配線の短絡、切断不良を効果的に防止でき
る。
【００１７】また、本発明の半導体装置によれば、電源
配線に設けられるスリットは、半導体基板上の電源配線
部の両周縁上にそれぞれ交互に半円形状あるいは５角以
上の多角形状で配置され、かつ前記半円形状あるいは５
角以上の多角形状のスリットの半径あるいは高さ分だけ
電源配線部の幅が拡張されているので、スリットを設け
ることによる電源配線の抵抗値の増加はなく、応力をス
ムーズに分散して電源配線の短絡、切断不良を効果的に
防止できる。
配線に設けられるスリットは、半導体基板上の電源配線
部の両周縁上にそれぞれ交互に半円形状あるいは５角以
上の多角形状で配置され、かつ前記半円形状あるいは５
角以上の多角形状のスリットの半径あるいは高さ分だけ
電源配線部の幅が拡張されているので、スリットを設け
ることによる電源配線の抵抗値の増加はなく、応力をス
ムーズに分散して電源配線の短絡、切断不良を効果的に
防止できる。
【００１８】さらに、本発明の半導体装置によれば、比
較的幅広く構成できる電源配線のコーナー部では、電源
配線に設けられるスリットはそれぞれ交互に円形状ある
いは５角以上の多角形状で配置され、かつ前記円形状あ
るいは５角以上の多角形状のスリットの直径あるいは高
さ分だけ電源配線のコーナー部の幅が拡張されているの
で、スリットを設けることによる電源配線の抵抗値の増
加はなく、応力をスムーズに分散して電源配線の短絡、
切断不良を効果的に防止できる。
較的幅広く構成できる電源配線のコーナー部では、電源
配線に設けられるスリットはそれぞれ交互に円形状ある
いは５角以上の多角形状で配置され、かつ前記円形状あ
るいは５角以上の多角形状のスリットの直径あるいは高
さ分だけ電源配線のコーナー部の幅が拡張されているの
で、スリットを設けることによる電源配線の抵抗値の増
加はなく、応力をスムーズに分散して電源配線の短絡、
切断不良を効果的に防止できる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図に基づいて
説明する。図１は本実施例に係る第１の半導体装置の半
導体チップのコーナー部（四隅部）におけるアルミニウ
ム配線のパターンを示す平面図である。
説明する。図１は本実施例に係る第１の半導体装置の半
導体チップのコーナー部（四隅部）におけるアルミニウ
ム配線のパターンを示す平面図である。
【００２０】図において、本実施例の半導体装置のアル
ミニウム配線２１には、半円形状のスリット２２が設け
られている。半円形状のスリット２２は、図から明らか
なように、アルミニウム配線２１の両周縁上にそれぞれ
交互に、いわゆる「ちどり」状に、配置されている。本
実施例の半導体装置において、このように「ちどり」状
にスリットが配置されているのは、アルミニウム配線の
スリットによる抵抗値の増加が少なく、かつ応力が最も
スムーズに分散できる形状を追求した結果である。
ミニウム配線２１には、半円形状のスリット２２が設け
られている。半円形状のスリット２２は、図から明らか
なように、アルミニウム配線２１の両周縁上にそれぞれ
交互に、いわゆる「ちどり」状に、配置されている。本
実施例の半導体装置において、このように「ちどり」状
にスリットが配置されているのは、アルミニウム配線の
スリットによる抵抗値の増加が少なく、かつ応力が最も
スムーズに分散できる形状を追求した結果である。
【００２１】従って、本実施例の半導体装置では電源配
線部に熱応力吸収手段として前記半円形状のスリットを
設けたことにより、層間絶縁膜とアルミニウム薄膜と保
護膜とのそれぞれの膜の熱膨張率の差に基づく応力や、
樹脂成形体と半導体チップとの熱膨張率の差に基づく応
力が加わっても、長方形状のスリットのように四隅部分
に応力が集中して四隅部に変形・位置ずれが起こるとい
ったことはなく、図２に示すように内部・外部応力をス
ムーズに分散させることができるので電源配線の短絡、
切断不良を効果的に防止することができる。なお、図２
は、上述の第１の半導体装置の半円形状のスリット２２
による応力の分散状態を示す概念図である。
線部に熱応力吸収手段として前記半円形状のスリットを
設けたことにより、層間絶縁膜とアルミニウム薄膜と保
護膜とのそれぞれの膜の熱膨張率の差に基づく応力や、
樹脂成形体と半導体チップとの熱膨張率の差に基づく応
力が加わっても、長方形状のスリットのように四隅部分
に応力が集中して四隅部に変形・位置ずれが起こるとい
ったことはなく、図２に示すように内部・外部応力をス
ムーズに分散させることができるので電源配線の短絡、
切断不良を効果的に防止することができる。なお、図２
は、上述の第１の半導体装置の半円形状のスリット２２
による応力の分散状態を示す概念図である。
【００２２】また、図３は、本実施例に係る第２の半導
体装置の半導体チップのコーナー部（四隅部）における
アルミニウム配線のパターンを示す平面図である。図に
おいて，第２の半導体装置のアルミニウム配線２３は、
電源配線がコーナー部では比較的幅広く構成できるとい
う特徴を考慮して、円形状のスリット２４を設けてい
る。そして、前記半円形状のスリット２２と同様に、円
形状のスリット２４は図から明らかなように、アルミニ
ウム配線２３の中央部に２列に配され、かつそれぞれの
スリットが交互に配置されている。
体装置の半導体チップのコーナー部（四隅部）における
アルミニウム配線のパターンを示す平面図である。図に
おいて，第２の半導体装置のアルミニウム配線２３は、
電源配線がコーナー部では比較的幅広く構成できるとい
う特徴を考慮して、円形状のスリット２４を設けてい
る。そして、前記半円形状のスリット２２と同様に、円
形状のスリット２４は図から明らかなように、アルミニ
ウム配線２３の中央部に２列に配され、かつそれぞれの
スリットが交互に配置されている。
【００２３】従って、本実施例の第２の半導体装置でも
電源配線部に熱応力吸収手段として円形状のスリットを
設けることにより、前述の第１の半導体装置と同様に、
層間絶縁膜とアルミニウム薄膜と保護膜とのそれぞれの
膜の熱膨張率の差に基づく応力や、樹脂成形体と半導体
チップとの熱膨張率の差に基づく応力が加わっても、長
方形状のスリットのように四隅部分に応力が集中して四
隅部に変形・位置ずれが起こるといったことはなく、内
部・外部応力をスムーズに分散させることができるので
電源配線の短絡、切断不良を効果的に防止することがで
きる。
電源配線部に熱応力吸収手段として円形状のスリットを
設けることにより、前述の第１の半導体装置と同様に、
層間絶縁膜とアルミニウム薄膜と保護膜とのそれぞれの
膜の熱膨張率の差に基づく応力や、樹脂成形体と半導体
チップとの熱膨張率の差に基づく応力が加わっても、長
方形状のスリットのように四隅部分に応力が集中して四
隅部に変形・位置ずれが起こるといったことはなく、内
部・外部応力をスムーズに分散させることができるので
電源配線の短絡、切断不良を効果的に防止することがで
きる。
【００２４】なお、上記実施例では、電源配線に設けら
れるスリットは円形状あるいは半円形状として説明した
が、５角以上の多角形状のスリットを用いても同様の効
果が期待できる。
れるスリットは円形状あるいは半円形状として説明した
が、５角以上の多角形状のスリットを用いても同様の効
果が期待できる。
【００２５】また、上述のようにアルミニウム配線にス
リットを配置すると、アルミニウム配線の抵抗値は円形
状あるいは半円形状のスリットの直径あるいは半径分だ
け大きくなる。そこで、このスリットによるアルミニウ
ム配線の抵抗値の増加を防止するために、円形状あるい
は半円形状のスリットの直径あるいは半径分だけアルミ
ニウム配線の幅を拡張することが考えられる。本実施例
の図示しないもう一つの半導体装置では、半円形状、円
形状あるいは５角以上の多角形状のスリットの半径、直
径あるいは高さ分だけ電源配線部の幅を拡張しているの
で、スリットを設けることによる電源配線の抵抗値の増
加はなく、応力をスムーズに分散して電源配線の短絡、
切断不良を効果的に防止できる。
リットを配置すると、アルミニウム配線の抵抗値は円形
状あるいは半円形状のスリットの直径あるいは半径分だ
け大きくなる。そこで、このスリットによるアルミニウ
ム配線の抵抗値の増加を防止するために、円形状あるい
は半円形状のスリットの直径あるいは半径分だけアルミ
ニウム配線の幅を拡張することが考えられる。本実施例
の図示しないもう一つの半導体装置では、半円形状、円
形状あるいは５角以上の多角形状のスリットの半径、直
径あるいは高さ分だけ電源配線部の幅を拡張しているの
で、スリットを設けることによる電源配線の抵抗値の増
加はなく、応力をスムーズに分散して電源配線の短絡、
切断不良を効果的に防止できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば、電源配線に設けられるスリットは電源配線
部の両周縁上に半円形状あるいは５角以上の多角形状で
配置されるように構成したので、応力をスムーズに分散
してパッシベーションクラックや金属配線クラックが防
止でき、電源配線の短絡、切断不良を効果的に防止でき
るという効果がある。
置によれば、電源配線に設けられるスリットは電源配線
部の両周縁上に半円形状あるいは５角以上の多角形状で
配置されるように構成したので、応力をスムーズに分散
してパッシベーションクラックや金属配線クラックが防
止でき、電源配線の短絡、切断不良を効果的に防止でき
るという効果がある。
【００２７】また、本発明の半導体装置によれば、電源
配線に設けられるスリットは、半導体基板上の電源配線
部の両周縁上にそれぞれ交互に半円形状あるいは５角以
上の多角形状で配置され、かつ前記半円形状あるいは５
角以上の多角形状のスリットの半径あるいは高さ分だけ
電源配線部の幅を拡張するように構成したので、スリッ
トを設けることによる電源配線の抵抗値の増加はなく、
応力をスムーズに分散して電源配線の短絡、切断不良を
効果的に防止できるという効果がある。
配線に設けられるスリットは、半導体基板上の電源配線
部の両周縁上にそれぞれ交互に半円形状あるいは５角以
上の多角形状で配置され、かつ前記半円形状あるいは５
角以上の多角形状のスリットの半径あるいは高さ分だけ
電源配線部の幅を拡張するように構成したので、スリッ
トを設けることによる電源配線の抵抗値の増加はなく、
応力をスムーズに分散して電源配線の短絡、切断不良を
効果的に防止できるという効果がある。
【００２８】さらに、本発明の半導体装置によれば、比
較的幅広く構成できる電源配線のコーナー部では、電源
配線に設けられるスリットはそれぞれ２列でかつ各スリ
ットが交互に、円形状あるいは５角以上の多角形状で配
置されると共に、前記円形状あるいは５角以上の多角形
状のスリットの直径あるいは高さ分だけ電源配線のコー
ナー部の幅を拡張するように構成したので、スリットを
設けることによる電源配線の抵抗値の増加はなく、応力
をスムーズに分散して電源配線の短絡、切断不良を効果
的に防止できるという効果がある。
較的幅広く構成できる電源配線のコーナー部では、電源
配線に設けられるスリットはそれぞれ２列でかつ各スリ
ットが交互に、円形状あるいは５角以上の多角形状で配
置されると共に、前記円形状あるいは５角以上の多角形
状のスリットの直径あるいは高さ分だけ電源配線のコー
ナー部の幅を拡張するように構成したので、スリットを
設けることによる電源配線の抵抗値の増加はなく、応力
をスムーズに分散して電源配線の短絡、切断不良を効果
的に防止できるという効果がある。
【図１】本実施例に係る第１の半導体装置のコーナー部
におけるアルミニウム配線のパターンを示す平面図であ
る。
におけるアルミニウム配線のパターンを示す平面図であ
る。
【図２】第１の半導体装置の半円形状のスリットによる
応力の分散状態を示す概念図である。
応力の分散状態を示す概念図である。
【図３】本実施例に係る第２の半導体装置のコーナー部
におけるアルミニウム配線のパターンを示す平面図であ
る。
におけるアルミニウム配線のパターンを示す平面図であ
る。
【図４】特開昭６２−４５１５０号公報に記載された従
来の半導体装置のコーナー部におけるアルミニウム配線
のパターンを示す平面図である。
来の半導体装置のコーナー部におけるアルミニウム配線
のパターンを示す平面図である。
【図５】特開平４−９４５４０号公報に記載された従来
の半導体装置のコーナー部におけるアルミニウム配線の
パターンを示す平面図である。
の半導体装置のコーナー部におけるアルミニウム配線の
パターンを示す平面図である。
１１ 半導体チップ １２、２１、２３ アルミニウム配線 １３ 長方形状のスリット １４ ボンディングパッド部 １５ 半導体チップの配線の一部 ２２ 半円形状のスリット ２４ 円形状のスリット
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された半導体素子の
電極間を結ぶ電源配線を前記基板上に配設した半導体装
置において、 前記半導体基板上の電源配線部の両周縁上に半円形状あ
るいは５角以上の多角形状のスリットを配したことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成された半導体素子の
電極間を結ぶ電源配線を前記基板上に配設した半導体装
置において、 前記半導体基板上の電源配線部の両周縁上に、それぞれ
交互に半円形状あるいは５角以上の多角形状のスリット
を配したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 半導体基板上に形成された半導体素子の
電極間を結ぶ電源配線を前記基板上に配設した半導体装
置において、 前記半導体基板上の電源配線部の両周縁上に、それぞれ
交互に半円形状あるいは５角以上の多角形状のスリット
を配し、かつ前記半円形状あるいは５角以上の多角形状
のスリットの半径あるいは高さ分だけ電源配線部の幅を
拡張したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 半導体基板上に形成された半導体素子の
電極間を結ぶ電源配線を前記基板上に配設した半導体装
置において、 前記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは
５角以上の多角形状のスリットを配したことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項５】 半導体基板上に形成された半導体素子の
電極間を結ぶ電源配線を前記基板上に配設した半導体装
置において、 前記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは
５角以上の多角形状のスリットを２列に配し、かつそれ
ぞれのスリットが交互に配置されるようにしたことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 半導体基板上に形成された半導体素子の
電極間を結ぶ電源配線を前記基板上に配設した半導体装
置において、 前記半導体基板上の電源配線の四隅部に円形状あるいは
５角以上の多角形状のスリットを２列に配し、かつそれ
ぞれのスリットが交互に配置されるようにすると共に、
前記円形状あるいは５角以上の多角形状のスリットの直
径あるいは高さ分だけ電源配線の四隅部の幅を拡張した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34502392A JPH06196478A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34502392A JPH06196478A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196478A true JPH06196478A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18373769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34502392A Pending JPH06196478A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196478A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997040528A1 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-30 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US5874748A (en) * | 1996-03-29 | 1999-02-23 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting diode device and illuminator with light-emitting surface using same |
| US8908379B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-12-09 | Lenovo Innovations Limited (Hong Kong) | Case structure for portable electronic device, portable electronic device and method for manufacturing same |
| WO2024155164A1 (ko) * | 2023-01-20 | 2024-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 회로 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34502392A patent/JPH06196478A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874748A (en) * | 1996-03-29 | 1999-02-23 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting diode device and illuminator with light-emitting surface using same |
| WO1997040528A1 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-30 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US6081036A (en) * | 1996-04-19 | 2000-06-27 | Matsushita Electronics Corp. | Semiconductor device |
| US8908379B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-12-09 | Lenovo Innovations Limited (Hong Kong) | Case structure for portable electronic device, portable electronic device and method for manufacturing same |
| WO2024155164A1 (ko) * | 2023-01-20 | 2024-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 회로 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
| KR20240116200A (ko) * | 2023-01-20 | 2024-07-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 회로 기판 |
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