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JPH0618618A - Method for detecting deformed part of waveform in integrated circuit - Google Patents

Method for detecting deformed part of waveform in integrated circuit

Info

Publication number
JPH0618618A
JPH0618618A JP4174091A JP17409192A JPH0618618A JP H0618618 A JPH0618618 A JP H0618618A JP 4174091 A JP4174091 A JP 4174091A JP 17409192 A JP17409192 A JP 17409192A JP H0618618 A JPH0618618 A JP H0618618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
information
integrated circuit
characteristic
logic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4174091A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Jinbo
神保安男
Naoki Shimohakamada
下袴田直樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP4174091A priority Critical patent/JPH0618618A/en
Publication of JPH0618618A publication Critical patent/JPH0618618A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To recognize a logic element based on the mask pattern of a designed integrated circuit and to make it possible to judge whether the connecting relationship satisfies the characteristic conditions and is carried out properly or not. CONSTITUTION:In the method for detecting the deformed part of the waveform in an integrated circuit, circuit characteristic information, which is determined in association with the size and the connecting relationship of each constituent element of a circuit, is extracted from the designed mask pattern of the integrated circuit. The adequacy with respect to the characteristic allowance value in design is detected. Each element is recognized based on the mask pattern of the integrated circuit, and the element information and the element connecting information are extracted. The circuit characteristic information of each constituent element of the circuit is extracted based on the process constant in manufacturing. Logic-element connecting information is extracted S7 based on the element information and the element connecting information. Whether the connecting relationship of the logic elements is correctly carried out in characteristics or not is detected by collating with the characteristic allowance value in design based on the circuit characteristic information and the logic-element connecting information. Thus, the part, where the unnecessary deformation and delay of the signal waveform occur, is detected.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は集積回路マスクパターン
の検証方法、特に信号の波形のなまりや遅延を考慮して
マスクパターンを設計する際に設定される特性的な条件
により、なまり箇所を検出できる集積回路波形なまり箇
所検出方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of verifying an integrated circuit mask pattern, and more particularly, to detecting a blunt spot based on a characteristic condition set when designing a mask pattern in consideration of rounding and delay of a signal waveform. The present invention relates to an integrated circuit waveform rounding point detection method.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路を設計する場合、設計者が意図
した回路特性が得られるまで論理・回路シュミレーショ
ンを繰り返し、機能の確認が行われて回路の最適化が図
られる。回路シュミレーションは設計した回路をR、C
等の等価回路で表し、タイムステップで切って微分方程
式を解くものである。しかし、その時決定された素子の
R、L、C等の特性パラメータがマスクパターン設計後
も保証されているとは限らない。例えば、抵抗値に影響
するAl配線の線幅、コンタクトホールの径やホール周
辺のマージン等が設計規約に則っているか否か保証され
ていない。
2. Description of the Related Art When designing an integrated circuit, logic / circuit simulation is repeated until the circuit characteristics intended by the designer are obtained, and the function is confirmed to optimize the circuit. For circuit simulation, the designed circuit is R, C
It is represented by an equivalent circuit such as, and is cut at time steps to solve a differential equation. However, the characteristic parameters such as R, L, and C of the element determined at that time are not always guaranteed even after the mask pattern design. For example, it is not guaranteed whether the line width of the Al wiring, the diameter of the contact hole, the margin around the hole, and the like that affect the resistance value comply with the design rules.

【0003】そのため、実際に設計されたマスクパター
ンデータから回路動作を制御する特性パラメータを計算
して特性検証を行う必要がある。特性検証としては、ト
ランジスタレベルで回路素子を認識し、次いで各素子間
の接続情報を抽出する。接続情報の抽出方法としては、
デジタルデータで表現された図形情報に対して図形演算
を施し、各素子の認識及びその端子図形の位相関係の認
識を行って得られる方法が知られている。次いで絶縁膜
の厚み、配線の導電率、拡散深さ等のプロセス定数と、
マスクパターンから抽出した各素子の面積、寸法とから
特性パラメータを計算し、次いで回路シュミレーション
入力データへ変換し、回路シュミレーションを行う方法
等が知られている。
Therefore, it is necessary to calculate the characteristic parameter for controlling the circuit operation from the actually designed mask pattern data and verify the characteristic. As the characteristic verification, the circuit element is recognized at the transistor level, and then the connection information between each element is extracted. As a method of extracting connection information,
A method is known in which a graphic operation is performed on graphic information represented by digital data to recognize each element and the phase relationship of its terminal graphic. Next, process constants such as the thickness of the insulating film, the conductivity of the wiring, and the diffusion depth,
A method is known in which a characteristic parameter is calculated from the area and size of each element extracted from a mask pattern, and then converted into circuit simulation input data to perform circuit simulation.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】一般に、マスクパター
ンを構成する各回路を伝搬する信号は、その回路の特性
や寄生効果により、信号波形のなまりや遅延を生じるた
め、それらを考慮して設計を行う必要がある。例えば、
クロック信号を集積回路内の各回路に供給する回路は、
インバータを構成要素とする木構造上の回路によって実
現される場合が多いが、クロック信号線の負荷やファン
アウト等による信号遅延を減少させるため、それらに対
して条件を設定し、設計する場合が多い。しかし、回路
シュミレーションにより特性検証を行うとすると、LS
Iでは素子数が膨大なため一度に行うことは不可能であ
り、逐次部分的に行わざるを得ず、多大な時間を要して
しまう。
In general, a signal propagating through each circuit constituting a mask pattern causes rounding or delay of a signal waveform due to the characteristic of the circuit or a parasitic effect. Therefore, the signal should be designed in consideration of them. There is a need to do. For example,
The circuit that supplies the clock signal to each circuit in the integrated circuit is
It is often realized by a tree-structured circuit with an inverter as a component, but in order to reduce signal delay due to load on the clock signal line, fanout, etc., conditions may be set and designed for them. Many. However, if the characteristics are verified by circuit simulation, LS
With I, the number of elements is enormous, so it is impossible to perform them all at once, and it is unavoidable to perform them partially in sequence, which requires a great deal of time.

【0005】本発明は上記課題を解決するためのもの
で、設計されたマスクパターンから論理素子を認識し、
その論理素子の接続関係が特性的な条件を満たし、正し
く行われているかどうかを容易に判断できる集積回路波
形なまり箇所検出方法を提供することを目的とする。
The present invention is to solve the above-mentioned problems, and recognizes a logic element from a designed mask pattern,
It is an object of the present invention to provide an integrated circuit waveform rounding point detection method capable of easily determining whether or not the connection relationship of the logic elements satisfies a characteristic condition and is correctly performed.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、設計された集
積回路マスクパターンから、回路の各構成要素のサイズ
とその接続関係に関連して定まる回路特性情報を抽出
し、設計上の特性許容値に対する適否を検出する集積回
路波形なまり箇所検出方法において、前記集積回路マス
クパターンから各素子の認識を行って素子情報及び素子
接続情報を抽出する段階と、前記素子情報及び素子接続
情報と、製造時のプロセス定数に基づいて、回路の各構
成要素の回路特性情報を抽出する段階と、前記素子情報
及び素子接続情報に基づいて、論理素子接続情報を抽出
する段階と、前記回路特性情報と論理素子接続情報か
ら、その論理素子の接続関係が特性的に正しく行われて
いるかどうか、前記設計上の特性許容値と照合し検出す
る段階と、からなることを特徴とする。
The present invention extracts circuit characteristic information determined from the designed integrated circuit mask pattern in association with the size of each constituent element of the circuit and the connection relationship thereof, and permits the design characteristics. In an integrated circuit waveform rounding detection method for detecting suitability for a value, a step of recognizing each element from the integrated circuit mask pattern to extract element information and element connection information, the element information and element connection information, and manufacturing Extracting circuit characteristic information of each component of the circuit based on the process constant of time, extracting logic element connection information based on the element information and element connection information, the circuit characteristic information and the logic From the element connection information, a step of detecting whether or not the connection relationship of the logic element is characteristically correct, and detecting by checking with the characteristic allowable value in the design. The features.

【0007】[0007]

【作用】本発明によれば、集積回路マスクパターンから
回路の各構成要素のサイズとその接続関係に関連して定
まる回路特性パラメータを抽出し、抽出した特性パラメ
ータを、信号波形のなまりや遅延に関して設定される設
計上の特性的な条件とを照合するようにしたものであ
り、比較照合によって能率的に、その誤り箇所を検出
し、不所望な信号波形のなまりや遅延を生ずる箇所を検
出することが可能となる。
According to the present invention, the circuit characteristic parameter determined in relation to the size of each constituent element of the circuit and its connection relationship is extracted from the integrated circuit mask pattern, and the extracted characteristic parameter is used for rounding or delaying the signal waveform. It is designed to collate with the design characteristic conditions that are set, and to efficiently detect the error location by comparison and collation, and to detect the location where unwanted signal waveform distortion or delay occurs. It becomes possible.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳述する。
図1は本発明の一実施例に係わる集積回路マスクパター
ンの検証方法の手順を説明する図、図2は本発明の説明
用の回路図、図3は設計上の特性的条件の例を説明する
図、図4はマスクパターンのデジタルデータとしての取
り込みを説明する図、図5は素子認識を説明する図、図
6は各節点の位相関係の認識を説明する図、図7は特性
パラメータの例を示す図、図8は特性パラメータの算出
方法を説明する図、図9は論理素子接続情報の抽出を説
明する図、図10は論理素子接続情報の例を示す図、図
11は図2の回路図を回路特性を考慮して修正した図で
ある。まず、ステップS1において回路設計がなされ、
原回路図が作成される。この時意図した回路特性を得る
ために、ステップS2において回路シュミレーションを
行い回路の最適化が図られる。この際、回路を設計する
場合の特性上の条件が決定される。例えば、図2の節点
aから入力した信号は、インバータG1において、その
上に図示したような波形10となる。この波形の信号が
次段のインバータG2に至る時には波形はなまり、その
上に図示したような波形11となる。このなまりの程度
は、前段のドライブ素子の特性や後段の配線長やファン
アウトに依存している。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below based on examples.
FIG. 1 is a diagram for explaining the procedure of an integrated circuit mask pattern verification method according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram for explaining the present invention, and FIG. 3 is an example of characteristic conditions in design. FIG. 4, FIG. 4 is a diagram for explaining the capture of the mask pattern as digital data, FIG. 5 is a diagram for explaining the element recognition, FIG. 6 is a diagram for explaining the recognition of the phase relationship of each node, and FIG. 7 is a characteristic parameter. FIG. 8 is a diagram illustrating an example, FIG. 8 is a diagram illustrating a method of calculating characteristic parameters, FIG. 9 is a diagram illustrating extraction of logic element connection information, FIG. 10 is a diagram illustrating an example of logic element connection information, and FIG. 11 is FIG. It is a figure which modified the circuit diagram of into consideration the circuit characteristic. First, the circuit is designed in step S1,
An original circuit diagram is created. At this time, in order to obtain the intended circuit characteristics, circuit simulation is performed in step S2 to optimize the circuit. At this time, characteristic conditions for designing the circuit are determined. For example, the signal input from the node a in FIG. 2 becomes the waveform 10 as shown above in the inverter G1. When the signal of this waveform reaches the next-stage inverter G2, the waveform becomes blunt, and the waveform 11 shown above is obtained. The degree of this rounding depends on the characteristics of the drive element in the preceding stage, the wiring length in the subsequent stage, and the fanout.

【0009】これらの条件は、論理素子サイズ(ゲート
サイズ)に依存した駆動能力、出力端子に付く負荷容量
やファンアウトの許容範囲等で設定される。ここでは、
図2のような論理回路を設計する場合を例にとり、その
特性的な条件として、図3のような条件が設定されたも
のとして、以下説明する。
These conditions are set by the driving capacity depending on the logic element size (gate size), the load capacity attached to the output terminal, the fan-out allowable range, and the like. here,
Taking the case of designing a logic circuit as shown in FIG. 2 as an example, the following description will be made assuming that the characteristic conditions thereof are set as shown in FIG.

【0010】図3に示すファンアウトは、基準をインバ
ータINV1のゲートサイズとし、それを指数1として
定義する。ゲートサイズはMOSトランジスタのスイッ
チング速度を決める値であり、PMOSトランジスタの
ゲート長/ゲート幅とNMOSトランジスタのゲート長
/ゲート幅との比で定義され、通常ゲート幅は一定であ
るのでゲート長の比で定義される。例えば、インバータ
INV1はゲートサイズ20/10(μmP/N)、出
力負荷容量0.6〜0.8pf、後段に1ないし2個の
インバータINV1の接続が可能であることを示してい
る。また、インバータINV2はゲートサイズ40/2
0(μmP/N)、出力負荷容量0.8〜1.0pf、
後段に2ないし4個のインバータINV1の接続が可能
であることを示している。また2NANDは、ゲートサ
イズ20/10(μmP/N)、出力負荷容量0.6〜
0.8pf、後段に1ないし2個のインバータINV1
の接続が可能であることを示している。
In the fan-out shown in FIG. 3, the gate size of the inverter INV1 is used as a reference, and it is defined as an index 1. The gate size is a value that determines the switching speed of the MOS transistor, and is defined by the ratio of the gate length / gate width of the PMOS transistor to the gate length / gate width of the NMOS transistor. Normally, the gate width is constant, so the gate length ratio Is defined by For example, the inverter INV1 shows that the gate size is 20/10 (μmP / N), the output load capacitance is 0.6 to 0.8 pf, and that one or two inverters INV1 can be connected in the subsequent stage. The inverter INV2 has a gate size of 40/2.
0 (μmP / N), output load capacity 0.8 to 1.0 pf,
It is shown that 2 to 4 inverters INV1 can be connected in the subsequent stage. The 2 NAND has a gate size of 20/10 (μmP / N) and an output load capacity of 0.6 to
0.8 pf, 1 or 2 inverters INV1 in the latter stage
Indicates that the connection is possible.

【0011】次いでステップS3においてこの原回路図
と図3で説明した特性上の条件を基にしてマスクパター
ンが設計される。次いでステップS4においてマスクパ
ターンをデジタイズする。これは、設計したマスクパタ
ーンをデジタルデータとしてコンピュータに取り込む作
業であり、層別にパターンの輪郭をベクトルデータとし
て持つようにする。例えば、マスクパターンが図4
(a)に示すようなものであるとすると、各パターンを
図4(b)に示すように、アルミ層13、ポリシリコン
層14、拡散層15、コンタクトホール16、ウェル層
17のように認識して取り込む。
Next, in step S3, a mask pattern is designed based on this original circuit diagram and the characteristic conditions described in FIG. Next, in step S4, the mask pattern is digitized. This is an operation for loading the designed mask pattern into a computer as digital data, and the contour of the pattern is held as vector data for each layer. For example, the mask pattern is shown in FIG.
If it is as shown in FIG. 4A, each pattern is recognized as an aluminum layer 13, a polysilicon layer 14, a diffusion layer 15, a contact hole 16, and a well layer 17 as shown in FIG. 4B. And import.

【0012】次いでステップ5において、このデジタル
データに基づいて、素子認識を行い、回路素子情報とそ
の回路素子間の接続情報が抽出される。これはデジタル
データで表現された図形情報に対して、図形演算を施
し、各素子の認識および各ノード(節点)の位相関係の
認識を行うことによりなされる。
Next, in step 5, element recognition is performed based on this digital data, and circuit element information and connection information between the circuit elements are extracted. This is performed by performing a graphic operation on the graphic information represented by digital data to recognize each element and the phase relationship of each node (node).

【0013】各素子の認識を行うためには、例えば、あ
る特定の拡散層だけからなる領域は抵抗素子と認識し、
図5(a)に示すように、ある特定の拡散層にポリシリ
コン層が重なっている領域は、図5(b)に示すように
MOSトランジスタとし、図5(c)に示すような素子
として認識する。位相関係の認識は、例えば図6に示す
ように、領域20に対して領域21、22、23の位置
関係がどのようになっているかをみるものであり、領域
20に対して、領域21は囲まれ(contained)、領域2
2は離間し(not contained) 、領域23は交わっている
(meet)というように認識する。
In order to recognize each element, for example, a region consisting of only a specific diffusion layer is recognized as a resistance element,
As shown in FIG. 5A, a region in which a polysilicon layer overlaps a specific diffusion layer is a MOS transistor as shown in FIG. 5B, and an element as shown in FIG. recognize. The phase relationship is recognized by observing the positional relationship between the areas 21, 22, and 23 with respect to the area 20, as shown in FIG. Contained, area 2
2 is not contained, areas 23 intersect
Recognize as (meet).

【0014】次いでステップS6において、ステップS
5で抽出された回路素子情報とその回路素子間の接続情
報とより、各素子と配線の面積・寸法等を抽出し、プロ
セス定数を考慮して各素子の特性パラメータを算出す
る。素子、配線の面積・寸法の算出方法は、例えばステ
ップS5の図形演算で得られた回路素子毎あるいは配線
毎の抽出図形をベクトルデータで表現し算出できる。特
性パラメータの算出方法は、例えば出力端子の負荷容量
は、その端子がつながる配線図形の面積と接続している
全てのトランジスタのゲート図形の面積とプロセス定数
で算出できる。
Then, in step S6, step S
Areas and dimensions of each element and wiring are extracted from the circuit element information extracted in 5 and the connection information between the circuit elements, and the characteristic parameter of each element is calculated in consideration of the process constant. The area / dimension calculation method of the elements and wirings can be calculated by expressing the extracted figure for each circuit element or each wiring obtained by the figure calculation in step S5 as vector data. As a method of calculating the characteristic parameter, for example, the load capacitance of the output terminal can be calculated by the area of the wiring figure to which the terminal is connected, the area of the gate figure of all transistors connected, and the process constant.

【0015】図7は図2の回路の各節点a〜eにおける
負荷容量の算出例を示したものである。図8(a)はト
ランジスタに関する特性パラメータの算出方法を示し、
特定の拡散層30にポリシリコン層31が重なってトラ
ンジスタとして認識され、 ゲート部32の面積S ゲート周囲長R ゲート長L=MIN(L1,L2) ゲート幅W=R−(L1+L2) ゲート容量C=S×(単位容量値) として求められる。
FIG. 7 shows an example of calculating the load capacitances at the nodes a to e of the circuit of FIG. FIG. 8A shows a method of calculating the characteristic parameter of the transistor,
The polysilicon layer 31 overlaps the specific diffusion layer 30 and is recognized as a transistor, and the area S of the gate portion 32, the gate peripheral length R, the gate length L = MIN (L1, L2), the gate width W = R- (L1 + L2), and the gate capacitance C = S × (unit capacity value)

【0016】図8(b)コンデンサに関する特性パラメ
ータの算出方法を示し、拡散層33とポリシリコン層3
4が交わってゲート部35を形成し、 ゲート部35の面積S ゲート周囲長R ゲート容量C=S×(単位容量値) として求められる。
FIG. 8 (b) shows a method for calculating the characteristic parameter of the capacitor, which includes the diffusion layer 33 and the polysilicon layer 3.
4 intersect to form the gate portion 35, and the area S of the gate portion 35, the gate peripheral length R, the gate capacitance C = S × (unit capacitance value) is obtained.

【0017】図8(c)は抵抗に関する特性パラメータ
の算出方法を示し、抵抗素子36の両端は配線37に接
続し、 抵抗部面積S 抵抗の幅W=(W1+W2)/2 抵抗の長さL=S/W 抵抗値R=L/W×(比抵抗) として求められる。
FIG. 8C shows a method of calculating characteristic parameters relating to resistance. Both ends of the resistance element 36 are connected to the wiring 37, and the resistance portion area S is the resistance width W = (W1 + W2) / 2 The resistance length L = S / W resistance value R = L / W × (specific resistance)

【0018】図8(d)は節点寄生容量に関する特性パ
ラメータの算出方法を示し、基板38に対して配線39
が酸化膜40を介して形成されると、基板との間に容量
が形成され、 配線図形の面積S 配線図形の周囲長L ノード寄生容量C=S×(単位容量/面積)+L×(単
位容量/周囲長) として求められる。
FIG. 8D shows a method of calculating the characteristic parameter relating to the node parasitic capacitance.
Is formed through the oxide film 40, a capacitance is formed between the wiring pattern and the substrate, and the area S of the wiring pattern is the perimeter of the wiring pattern L Node parasitic capacitance C = S × (unit capacitance / area) + L × (unit Capacity / perimeter)

【0019】次いでステップS7において、ステップS
5で得られた素子情報と素子接続情報に基づいて、論理
素子接続情報を抽出する。個々のトランジスタから論理
素子を認識する方法としては、PトランジスタとNトラ
ンジスタの接続している節点(PNノード)を論理素子
の出力端子とし、その節点から電源VDD、グランドに
至るまでのトランジスタ群を論理抽出の基本とする。図
8(a)においては、トランジスタN1とトランジスタ
P1、P2が接続している節点からVDD、GNDに到
る4つのトランジスタが1グループとして認識される。
次いで、1グループのトランジスタ群よりP側とN側の
双方のトランジスタのゲート入力信号の組み合わせを対
照させ、同じもののみ抽出したトランジスタ群を1論理
素子を構成するトランジスタとする。図8(a)のP型
のaとN型のbのゲート入力信号の組み合わせ(A,
B)が等しいため、P1、P2、N1、N2が1論理素
子を構成するトランジスタ群として抽出される。
Then, in step S7, step S
The logic element connection information is extracted based on the element information and the element connection information obtained in 5. As a method of recognizing a logic element from each transistor, a node (PN node) connecting the P-transistor and the N-transistor is used as an output terminal of the logic element, and a transistor group from the node to the power supply VDD and the ground is selected. It is the basis of logic extraction. In FIG. 8A, four transistors from the node connecting the transistor N1 and the transistors P1 and P2 to VDD and GND are recognized as one group.
Next, the combinations of the gate input signals of the transistors on the P side and the N side of the one transistor group are compared with each other, and the transistor groups in which only the same transistors are extracted are set as transistors forming one logic element. A combination of gate input signals of P-type a and N-type b of FIG. 8A (A,
Since B) is the same, P1, P2, N1 and N2 are extracted as a transistor group forming one logic element.

【0020】そして、P側とN側でそれらの接続関係を
調べ、論理素子の種類を特定する。図8(a)におい
て、P1、P2は並列に接続しており、その入力信号は
OR(A,B)の関係にあるとし、N1、N2は直列に
接続しており、その入力信号はAND(A,B)の関係
にあるとすると、CMOS論理の場合、P型とN型は相
補的な関係にあり、この場合その条件を満たしており、
NANDゲートに該当することになる。図8(a)に示
す回路は、図8(b)に示すようなシンボルとして回路
図上に表現される。
Then, the connection relationship between the P side and the N side is checked to identify the type of logic element. In FIG. 8A, it is assumed that P1 and P2 are connected in parallel, their input signals have an OR (A, B) relationship, N1 and N2 are connected in series, and their input signals are AND. If there is a relationship of (A, B), in the case of CMOS logic, the P type and the N type have a complementary relationship, and in this case, the condition is satisfied,
This corresponds to a NAND gate. The circuit shown in FIG. 8A is represented on the circuit diagram as a symbol as shown in FIG.

【0021】このようにして認識された論理素子の接続
関係を調べることにより、論理素子接続情報を抽出す
る。この時、1論理素子を構成するトランジスタの素子
サイズ(ゲートサイズ)の情報を付与しておく。これに
より、図3のように設定された条件との適合を調べる。
このような方法により図2の回路から得た論理素子接続
情報の例を図10に示す。
The logic element connection information is extracted by checking the connection relationship of the logic elements recognized in this way. At this time, information on the element size (gate size) of the transistor forming one logic element is added. As a result, the conformity with the conditions set as shown in FIG. 3 is examined.
FIG. 10 shows an example of the logic element connection information obtained from the circuit of FIG. 2 by such a method.

【0022】次いでステップS8において、ステップS
6で得られた特性パラメータ情報に基づいて、ステップ
S7で得られた論理素子相互の接続関係が、ステップS
2で設定された図3のような特性上の条件を満たしてい
るかどうか検証する。これを図10と図11を例に説明
する。図10の各節点a、b、c、d、e、f、g、
h、i、jの負荷容量C1、C2、C3、C4、C5、
C6、C7、C8、C9、C10はステップS6におい
て図7のように算出している。そして、各論理素子のゲ
ートサイズを判断してステップS2における図2のよう
な駆動能力に関する条件を満たしているかどうかを検証
する。例えば、インバータG1は、ゲートサイズが40
/20であるので図3によりINV2であることが分
り、その後段に接続しているG2、G6はゲートサイズ
が20/10であるのでINV1、G7は2NANDに
該当する。従って、G1のファンアウトは4となり、図
3の条件を満たしている。さらに、G1の出力端子であ
る節点cの負荷容量C3も図3の条件を満たしているた
め、G1は正しく設計されていることが分かる。
Then, in step S8, step S
Based on the characteristic parameter information obtained in step S6, the connection relationship between the logic elements obtained in step S7 is
It is verified whether or not the characteristic condition set in 2 as shown in FIG. 3 is satisfied. This will be described with reference to FIGS. 10 and 11. Each node a, b, c, d, e, f, g of FIG.
h, i, j load capacitances C1, C2, C3, C4, C5,
C6, C7, C8, C9, and C10 are calculated as shown in FIG. 7 in step S6. Then, the gate size of each logic element is judged and it is verified whether or not the condition regarding the driving capability as shown in FIG. 2 in step S2 is satisfied. For example, the inverter G1 has a gate size of 40.
Since it is / 20, it can be seen from FIG. 3 that it is INV2. Since G2 and G6 connected to the subsequent stage have a gate size of 20/10, INV1 and G7 correspond to 2 NAND. Therefore, the fan-out of G1 is 4, which satisfies the condition of FIG. Further, since the load capacitance C3 at the node c, which is the output terminal of G1, also satisfies the condition of FIG. 3, it can be seen that G1 is properly designed.

【0023】一方、インバータG2は、ゲートサイズが
20/10であるので図3によりINV1であることが
分り、その後段に接続しているG3、G4、G5はゲー
トサイズが20/10であるのでINV1に該当する。
従って、G2のファンアウトは3となり、図3の条件を
満たしていない。更に、G2の出力端子である節点dの
負荷容量C4も図3の条件を満たしていないため、G2
は誤って設計されていることが分かる。以後、同様に各
論理素子の接続関係が図3の条件を満たしているか否か
をチェックしていく。
On the other hand, since the inverter G2 has a gate size of 20/10, it can be seen from FIG. 3 that it is INV1, and G3, G4, and G5 connected to the subsequent stage have a gate size of 20/10. It corresponds to INV1.
Therefore, the fan-out of G2 is 3, which does not satisfy the condition of FIG. Further, the load capacitance C4 at the node d, which is the output terminal of G2, does not satisfy the condition of FIG.
Turns out to be erroneously designed. Thereafter, similarly, it is checked whether or not the connection relation of each logic element satisfies the condition of FIG.

【0024】以上、本発明による集積回路マスクパター
ンの検証方法を一実施例について説明したが、本発明は
この実施例の方法に限定されるものではなく、この他に
も種々の様態で実施可能である。
Although the method for verifying the integrated circuit mask pattern according to the present invention has been described above with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the method according to this embodiment and can be carried out in various modes other than this. Is.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上の通り本発明によれば、集積回路マ
スクパターンから抽出した回路の特性パラメータを、信
号の波形ななまりや遅延に関して設定される設計上の特
性的な条件を以て照合し、その誤り箇所を検出できる。
As described above, according to the present invention, the characteristic parameters of the circuit extracted from the integrated circuit mask pattern are collated with the characteristic design conditions set with respect to the waveform rounding and delay of the signal, and The error location can be detected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係わる集積回路マスクパ
ターンの検証方法の手順を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a procedure of an integrated circuit mask pattern verification method according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の説明用の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram for explaining the present invention.

【図3】 設計上の特性的条件の例を説明する図であ
る。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a characteristic condition in design.

【図4】 マスクパターンのデジタルデータとしての取
り込みを説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating the capture of a mask pattern as digital data.

【図5】 素子認識を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating element recognition.

【図6】 各節点の位相関係の認識を説明する図であ
る。
FIG. 6 is a diagram illustrating recognition of a phase relationship between nodes.

【図7】 特性パラメータの例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example of characteristic parameters.

【図8】 特性パラメータの算出方法を説明する図であ
る。
FIG. 8 is a diagram illustrating a method of calculating a characteristic parameter.

【図9】 論理素子接続情報の抽出を説明する図であ
る。
FIG. 9 is a diagram illustrating extraction of logic element connection information.

【図10】 論理素子接続情報の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of logic element connection information.

【図11】 図2の回路図を回路特性を考慮して修正し
た図である。
FIG. 11 is a diagram in which the circuit diagram of FIG. 2 is modified in consideration of circuit characteristics.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

G1〜G8…論理素子、10,11…波形、13…アル
ミ層、14…ポリシリコン層、15…拡散層、16…コ
ンタクトホール、17…ウエル層。
G1 to G8 ... Logic elements, 10, 11 ... Waveform, 13 ... Aluminum layer, 14 ... Polysilicon layer, 15 ... Diffusion layer, 16 ... Contact hole, 17 ... Well layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 設計された集積回路マスクパターンか
ら、回路の各構成要素のサイズとその接続関係に関連し
て定まる回路特性情報を抽出し、設計上の特性許容値に
対する適否を検出する集積回路波形なまり箇所検出方法
において、 前記集積回路マスクパターンから各素子の認識を行って
素子情報及び素子接続情報を抽出する段階と、 前記素子情報及び素子接続情報と、製造時のプロセス定
数に基づいて、回路の各構成要素の回路特性情報を抽出
する段階と、 前記素子情報及び素子接続情報に基づいて、論理素子接
続情報を抽出する段階と、 前記回路特性情報と論理素子接続情報から、その論理素
子の接続関係が特性的に正しく行われているかどうか、
前記設計上の特性許容値と照合し検出する段階と、から
なることを特徴とする集積回路波形なまり箇所検出方
法。
1. An integrated circuit which extracts circuit characteristic information determined from the designed integrated circuit mask pattern in relation to the size of each constituent element of the circuit and its connection relationship, and detects suitability with respect to a designed characteristic allowable value. In the waveform rounding point detection method, a step of recognizing each element from the integrated circuit mask pattern to extract element information and element connection information, the element information and element connection information, and based on a process constant during manufacturing, Extracting circuit characteristic information of each constituent element of the circuit, extracting logic element connection information based on the element information and element connection information, and the logic element from the circuit characteristic information and the logic element connection information Whether the connection relation of is done correctly characteristically,
A method of detecting a rounded portion of a waveform of an integrated circuit, which comprises a step of detecting the value by comparing with a design allowable value.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5816697A (en) * 1995-12-05 1998-10-06 Teijin Limited Viscous liquid stirring device and a process for producing polycarbonate by using the stirring device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5816697A (en) * 1995-12-05 1998-10-06 Teijin Limited Viscous liquid stirring device and a process for producing polycarbonate by using the stirring device

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