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JPH061729B2 - 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド - Google Patents

磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド

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JPH061729B2
JPH061729B2 JP58004270A JP427083A JPH061729B2 JP H061729 B2 JPH061729 B2 JP H061729B2 JP 58004270 A JP58004270 A JP 58004270A JP 427083 A JP427083 A JP 427083A JP H061729 B2 JPH061729 B2 JP H061729B2
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film
magnetic film
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法利 斉藤
茂一 大友
武夫 山下
實弘 工藤
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気ヘッド用コア材料に係り、とくに高密度磁
気記録に好適な性能を発揮する磁気ヘッドコア用磁性体
膜に関する。
〔従来技術〕
磁気記録の高密度化の進歩はめざましく、メタルテープ
の出現によって従来の酸化物テープの保磁力Hcの600〜7
00Oeに対して1200〜1600Oeのものが容易に得られるよう
になった。このような高保磁力記録媒体に十分記録する
ためには、高飽和磁束密度を有する磁気ヘッド用の磁性
材料が要求される。高飽和磁束密度を有する磁性材料は
Fe、Co、Niを主成分とした合金で、10000ガウス以上の
ものを容易に得ることができる。
従来、磁気ヘッド等に金属磁性材料を用いる場合は、高
周波領域における渦電流損をおさえるために磁性体膜を
電気的に絶縁して積層した構造がとられている。その製
造方法はスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティ
ングやメッキ等のいわゆる薄膜形成技術によって行なわ
れている。
第１図は従来の積層磁性体膜の構造を示す図である。す
なわち、非磁性絶縁基板13上に磁性体層10と非磁性絶縁
層11を交互に順次形成し、積層体を得るものがよく知ら
れている（例えば，特開昭49−127195号公報）。ここ
で、各磁性体層10の厚さは数ミクロン、非磁性絶縁層11
は磁性体層の1/10程度の厚さを有している。しかし、結
晶質の金属磁性体膜は、図において12で示すような柱状
構造を示すため、柱状構造の境界で磁化を動きにくく
し、保持力を大きくしていることがある。このような保
持力の大きい磁性体膜で磁気ヘッドを作製した場合、外
部から大きな磁界が与えられたとき、磁気ヘッドコアが
帯磁してしまうことが問題となる。
この問題を解決するための他の提案として、サブミクロ
ン厚さの磁性体層と1000Å厚さ程度の非磁性体層とを交
互に積層することによって保磁力を低減する方法がある
（例えば，特開昭52−112797号公報）。例えば、スパッ
タリングによって得られた約１μｍ厚さのFe-6.5％Ｓｉ
合金の単層膜では数エルステッドの保磁力を有するが、
上記提案の方法によれば、保磁力を１Oe程度まで低減で
きる。しかし、最も低い保磁力を示すものでも0.8Oeが
限度であった。そのため、磁気ヘッド用材料としては満
足できるものではなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は高保磁力記録媒体に対して優れた記録再
生特性を示す磁気ヘッド用の磁性体膜を提供することに
あり、とくに、磁性体膜が高飽和磁束密度の磁性体から
なり、低い保磁力で、高透磁率を有する積層磁性体膜を
提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、従来からの方法で形成された磁性体層と非磁
性絶縁体層を交互に積層した積層磁性体膜では得られな
い低保磁力の磁性体膜を10000ガウス以上の高飽和磁束
密度を有する結晶質の金属磁性体を用いて容易に得られ
るようにしたものである。
本発明者らは、このような積層磁性体膜は、従来の積層
磁性体膜において、磁性体層の間に設ける中間膜として
の非磁性絶縁体層の代りに、前記磁性体層とは異なる磁
性体層を中間膜として用いることによって達成できるこ
とを見出した。特に、中間膜に用いる磁性体は、比較的
保磁力が小さく（10Oe以下）、磁歪の小さな（10-6以
下）材料が好ましいことを見出した。
第２図は本発明の磁性体膜の構造を示す断面図である。
図において、20は高飽和磁束密度を有するFeあるいはCo
を主成分とする磁性合金からなる主磁性体膜、21は比較
的保磁力および磁歪の小さいNi−Fe合金（パーマロイ）
あるいは非晶質磁性合金からなる中間磁性体膜、23は非
磁性基板である。
この中間磁性体膜21は厚さ30〜500Åのごく薄い層から
なり、主磁性体膜20は柱状晶構造が磁気的に大きな悪影
響を与えない程度の膜厚となるように形成し、中間磁性
体層21によって主磁性体層20の柱状晶構造22が細分化さ
れるようにする。このような構造にすれば、柱状組織に
沿って膜面に垂直に向っていた磁化や、柱状組織の境界
で動きにくくなっていた磁化が、膜面内に向き、膜面内
を小さな磁界で動くようになるので、保磁力が小さくな
る。また、この場合、中間磁性体膜21が各主磁性体膜20
の磁気的連結を補ない、磁化の動きを助けているものと
思われる。
本発明の磁性体膜は，厚さ0.5μｍ以下の主磁性体膜
と，Ni-Fe合金または非晶質合金よりなる中間磁性体膜
とを積層してなることを特徴とするものである。
本発明において，主磁性体膜の結晶構造が，例えば体心
立方晶であるとき，結晶構造の異なるNi-Fe膜（面心立
方晶）や，非晶質合金膜を介して積層することにより，
主磁性体膜の柱状組織を微細に断ち切ることができる。
また，Ni-Fe合金膜や，非晶質合金膜は保磁力の小さい
軟磁性膜であるために透磁率の高い磁性体膜が得られ
る。
本発明の主磁性体膜は、Feを主成分とし、Si、Al、Tiの
中から選んだ何れか１種または２種以上を含み、または
Coを主成分とし、Fe、Ｖ、Ti、Snの中から選んだ何れか
１種または２種以上を含み、磁歪が小さく（10-6以
下）、高飽和磁束密度（10000Ｇ以上）を有する磁性合
金膜からなる。磁歪が10-6を越えると応力の作用によっ
て磁気特性のばらつきが大きくなる不都合を生じ、飽和
磁束光度が10000Ｇ未満であると保磁力の大きな媒体に
対して十分記録できないため好ましくない。なお、主磁
性体膜組成は、耐食性、耐摩耗性、磁歪制御等の目的で
他の添加物を10％以下の量で添加してもよい。ただし、
1200Oe以上の高保磁力の磁気記録媒体に適用する磁気ヘ
ッド材料として用いる場合には、主磁性体膜の飽和磁束
密度を10000ガウス以上、保磁力を10Oe以下にすること
が望ましい。
一方、中間磁性体膜は、Ni−Fe合金（パーマロイ）ある
いは非晶質磁性合金からなり、保磁力が小さく（10Oe以
下）、磁歪が小さい（10-6以下）の合金組成のものが望
ましい。また、主磁性体膜と同一合金を用いると、その
柱状組織が主磁性体膜の柱状組織とつながってしまうの
であまり良い結果は得られない。その点、非晶質磁性合
金は好適である。保磁力が大きい磁性体を用いた場合、
中間磁性体膜の膜厚を厚くしすぎると中間磁性体膜の保
磁力の影響が現われ、低保磁力、高透磁率の積層磁性体
膜が得難いという欠点が生じる。その点、中間膜として
保磁力の小さい磁性体を30〜500Åの膜厚で用いれば、
比較的容易に微細構造の多層磁性体膜が得られる。
本発明は、主磁性体膜が単層膜において、柱状（または
針状）構造を示すような結晶質の磁性体膜において有効
である。とくに、単層膜において数エルステッド程度の
保磁力を有する磁性体膜に本発明を適用すれば、保磁力
を約１桁低減することが可能である。
本発明における主磁性体膜の各層の厚みは0.5μｍ以
下、好適には0.05〜0.3μｍであることが望ましい。0.0
5μｍ以下では中間磁性体膜の磁性が勝り、中間磁性体
膜を薄くすると、均一の膜が得難く、安定な微細構造が
得られない。0.5μｍ以上では柱状組織の影響が強く、
保磁力が大きくなってしまう。
また、中間磁性体膜として非晶質合金を用いた場合の各
層の膜厚は30〜500Å、好適には50〜300Åであることが
望ましい。30Å以下では中間磁性体膜の磁気的性質の効
果が薄れ、500Å以上では中間磁性体膜の磁性が強調さ
れ、保磁力が大きくなってしまう。また、中間磁性体膜
としてＮｉ−Ｆｅ合金を用いる場合は、その膜厚は１０
０Åを超え５００Å以下とすることが必要である。上記
のような主磁性体膜と中間磁性体膜とを積層した本発明
の積層磁性体膜は、従来の主磁性体膜と非磁性絶縁体中
間膜で構成した積層磁性体膜に比べ、保磁力の低い磁性
体膜を得ることができる。
一方、中間磁性体膜は、磁歪が１×10-6以下のNi−Fe合
金、例えば、Ni81重量％、Fe19重量％近傍の組成のもの
が望ましい。非晶質磁性合金では、例えば、CoにZr、T
i、Mo、Nb、Ｗ、Al、Ni、Cr、Si、Ｂのうちの１種また
は２種以上の元素の添加したもの、あるいはCo、Fe、Ni
にSi、Ｂ、Ｐ等を添加したもので、保磁力が数エルステ
ッド以下のものが用いられるが、必ずしもこれらに限定
する必要はない。結晶化温度は高い方が好ましい。結晶
化すると保磁力は急激に大きくなるからであり、保磁力
10Oe以上のものは中間磁性体膜としての磁性が勝り、多
層膜の保磁力が大きくなってしまうので好ましくない。
以上において、主磁性体膜と中間磁性体膜の積層枚数は
使用目的により要求される積層磁性体膜の膜厚に応じ
て、主磁性体膜と中間磁性体膜の積層枚数は、使用目的
により要求される積層磁性体膜の膜厚に応じて、両者そ
れぞれの膜厚と共に、所定の特性が得られるように選択
するものである。
さらに、前記主磁性体膜と中間磁性体膜とからなる適当
な厚さの単位積層磁性体膜をSiO2膜、Al2O3膜のような
電気絶縁性のある非磁性絶縁体膜を介して所定枚数積層
することによって、高周波特性の優れた本発明による厚
膜積層磁性体膜を得ることができる。ここで、単位積層
磁性体膜の積層枚数と厚膜積層磁性体膜における単位積
層磁性体膜の積層枚数は、使用目的により要求される厚
膜積層磁性体膜の膜厚に応じて、主磁性体膜、中間磁性
体膜、非磁性絶縁体膜のそれぞれの膜厚と共に所望の特
性が得られるように選択するものである。
上記非磁性絶縁体膜は通常0.05μｍ〜１μｍの厚さとす
る。非磁性絶縁体膜の厚さが１μｍより大であると透磁
率等の磁気特性が低下し、0.05μｍより小になると健全
な膜の形成が困難となり層間絶縁が不十分となり、いず
れも好ましくない。
また、非磁性絶縁体層を介して積層する単位積層磁性体
膜は通常10〜50枚位の主磁性体膜を中間磁性体膜を介し
て積層したものを用いる。30枚位であると高周波特性に
優れた磁性体膜が得られ好都合である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
磁性体膜の形成は、第３図に示すようなRFスッタリング
装置を用いた。真空容器30内には３つの独立した対向電
極を有し、電極31，32、33はターゲット電極（陰極）
で、電極31にはFeもしくはCoを主成分とした主磁性体膜
を形成するための合金ターゲットが配置され、電極32に
は中間磁性体膜となるNi−Fe合金（パーマロイ）もしく
は非晶質磁性合金膜を形成するための合金ターゲットが
配置され、電極33には非磁性体絶縁体層を形成するため
のSiO2、Al2O3等の絶縁体からなるターゲットが配置さ
れる。一方、電極34，35，36はそれぞれ前記ターゲット
電極31，32，33の直下に設けた試料電極（陽極）で、試
料37は目的に応じて、それぞれの試料電極上に移動でき
るようになっている。また、必要に応じて、形成される
磁性体膜の磁化容易軸方向が膜面内となるように、スパ
ッタリング時に電磁石38，38′によって試料37の面内に
磁界が印加されるようになっている。なお、放電はアル
ゴンガス中で行なわれ、同ガスはガス導入管39から真空
容器30内に導入される。40は容器30の排気孔、41は電極
切り換え器である。
まず、主磁性体膜とするFe−6.5%Si（重量％）膜の形成
について述べる。
比較的好条件でスパッタリングするために選ばれた諸条
件は以下のようである。
ターゲット組成………Fe−7.5%Si 高周波電力密度………2.8W/cm2 アルゴン圧力 ………２×10-2Torr 基板温度 ………350℃ 電極間距離 ………25mm 膜 厚 ………1.5μｍ（参考例） 0.1μｍ（本実施例） この結果得られた単層膜の磁気特性は、保磁力Hc；2.5O
e、５MHzにおける透磁率μ；400、飽和磁束密度；18500
ガウスであった。なお、スパッタリング中には磁性体膜
の面内に一方向の磁界（約10Oe）が印加されている。試
料の磁気特性は磁性膜の膜面に直角な磁化困難軸方向で
測定した結果である。また、基板としてはガラス基板を
用いた。スパッタリングに際しての諸条件は、得られる
スパッタ膜の組成はターゲット組成よりFe側にずれる傾
向にあるので、ターゲットとしてはSi過剰のものを用い
る必要がある。高周波電力密度は２W/cm2以上にした方
が、保磁力Hcが低減する傾向にある。基板温度は膜の歪
応力を緩和するために250℃以上にするのが好ましい。
電極間距離は短かい方が保磁力が低くなる傾向にあり、
スパッタリング中の放電の安定性を加味すると、20〜30
mm程度が好ましい。また、アルゴンガス導入前の真空容
器内の真空度は酸素や不純物の残存が磁性体膜の磁気特
性に影響するので、10-7Torr台の高真空にすることが好
ましい。
一方、中間磁性体膜の形成は、一般にＲＦスパッタリン
グで行なわれている以下の条件で行なった。
ターゲット材料………83%Ni−17%Fe 高周波電力密度………0.5W/cm2 アルゴン圧力 ………５×10-3Torr 基板温度 ………250℃ 電極間距離 ………50mm 膜 厚 ………100Å 以上の方法により、組成ほぼ81%Ni−19%Feの中間磁性体
膜を得た。そして主磁性体膜の一層の膜厚を0.1μｍと
し、中間磁性体膜の膜厚を100Åとし、主磁性体膜を15
層積層して全膜厚を約1.5μｍとした積層磁性体膜を作
成した。
次に、他の中間磁性体膜として用いた非晶質磁性合金膜
の形成は以下の条件で行なった。
ターゲット材料 …Co80Mo9.5Zr10.5、 Co82Nb13Zr5、 Co59W5Zr6、 Co81Ti19 高周波電力密度………0.8W/cm2 アルゴン圧力 ………５×10-3Torr 基板温度 ………150℃ 電極間距離 ………50mm 膜 厚 ………100Å なお、非晶質磁性合金膜を中間磁性体膜とする場合に
は、主磁性体膜のスパッタ中の基板温度は250℃とし
た。
第４図は、上記のようにして得たFe−6.5%Si膜を主磁性
体膜とし、種々の中間膜を用いた積層磁性体膜の磁気特
性を示す図表である。同図表中の磁気特性はそれぞれス
パッタリングしたままの膜の複数個の平均値を示す。ま
た図表中、(イ)はFe−6.5%Si合金の単層膜の特性、(ロ)、
(ハ)は従来の非磁性絶縁体を中間膜とした積層磁性体膜
の特性、(ニ)〜(チ)はパーマロイ膜および非晶質磁性合金
膜を中間膜とした本発明の積層磁性体膜の特性である。
同図表に示した結果によれば、前記磁性体膜を中間膜と
した本発明の積層磁性体膜は、従来の非磁性絶縁体膜を
中間膜とした積層磁性体膜に比べて、保磁力が非常に小
さいことがわかる。すなわち、保磁力が0.5Oe以下とな
り、実用的な透磁率を得ることができる。
本発明において、主磁性体膜の一層の膜厚は、0.05〜0.
5μｍの範囲で、積層磁性体膜の磁気特性に悪影響を与
えない程度に柱状組織を微細にすることができる。
第５図は膜厚0.1μｍのFe−6.5%Si膜を主磁性体膜と
し、パーマロイを中間膜としたときの中間膜の膜厚と保
磁力Hcおよび５MHzでの透磁率μの関係を示したもので
ある。この積層磁性体膜は15層の主磁性体膜とそれらの
間に中間膜を設けたものである。この図によると、中間
膜の膜厚は30〜500Åの範囲で保磁力が約0.8Oe、50〜30
0Åの範囲で保磁力が0.5Oe以下となり、100Å付近で最
小となる。一方、透磁率はこの付近で最大となる。中間
膜の膜厚の影響は材質によって若干異なり、主磁性体膜
の１層の膜厚によっても異なるものの、ほぼ同等の範囲
で好適な磁気特性が得られる。なお、30Å以下の膜厚で
は、中間磁性体層の磁気的性質が薄れ、保磁力が大きく
なってしまい、さらに、10Å以下の膜厚では主磁性体膜
の組織をしゃ断することが困難となり、柱状組織が成長
してしまうため、効果が低減する。
一方、中間磁性体膜の膜厚を500Å以上にすると、中間
磁性体膜の磁気的性質が強調され、保磁力が大きくなっ
てしまう。また、飽和磁束密度の大きい主磁性体膜の飽
和磁束密度を低減してしまう。中間磁性体膜の膜厚は直
接測定することが困難なため、数ミクロンの膜厚に被着
したときのスパッタリング速度から算出して時間で管理
した。
本発明における中間磁性体膜の保磁力が10エルステッド
以下のものを用いているため、比較的膜厚も制御し易い
範囲に設定でき、実用上の効果も大きい。
本実施例では、スパッタリング中に主磁性体膜の面内に
一方向の磁界が印加されており、磁界印加方向に磁化容
易軸が形成される。第６図に示すように周波数を変えて
磁界印加方向（磁化容易軸方向）で測定した透磁率（曲
線51）より印加磁界と直角方向（磁化困難軸方向）で測
定した透磁率（曲線52）の方が高くなっている。したが
って、本発明の積層磁性体膜を磁気ヘッドの作製に用い
る場合に、磁化困難軸方向を磁気ヘッドの磁気回路に対
して有利な方向に配置することができる。
つぎに、本発明の他の実施例について述べる。
例えば、Co−12%Feをターゲットとし、以下の条件でス
パッタリングして得られた積層磁性体膜は、単層膜の場
合、数十エルステッドであった保磁力が、本発明法によ
れば１Oe以下に低減できた。ただし、Co−Fe合金は元の
保磁力が大きいため、若干膜厚を薄くしなければならな
い。
ターゲット組成……… Co−12%Fe 高周波電力密度……… 2.5W/cm2 アルゴン圧力 ……… １×10-3Torr 基板温度 ……… 150℃ 電極間距離 ……… 30mm Co−Fe合金の膜厚……0.05μｍ 中間膜 ……… Co80Mo10Zr10 中間膜の膜厚 ……… 80Å 合金膜の層数 ……… 10 中間膜の層数 ……… ９ 保磁力Hc ……… １Oe 飽和磁束密度 ……… 15000ガウス なお、中間膜はパーマロイでも同様な結果が得られた。
本発明に用いる主磁性体膜はFeもしくはCoを主成分とす
る磁性体膜であって、高飽和磁束密度（10,000ガウス以
上）を有し、磁歪がほぼ零付近である合金磁性体であれ
ば十分な効果がある。とくに、薄膜形成技術によって形
成される膜体が膜面に垂直あるいは傾斜して柱状構造を
示す磁性体膜において保磁力を低減させ、磁気ヘッド材
料として好適な積層磁性体膜を本発明によって得ること
ができる。
第７図は膜構造に関する本発明の他の実施例であって、
厚膜積層磁性体膜の構造を示すものである。非磁性基板
23の上に主磁性体膜20と中間磁性体膜21を交互に積層し
た厚さ数ミクロンの単位積層膜ごとに非磁性絶縁膜のよ
うな第２の中間膜24を形成してなる積層磁性体膜であ
る。このように構成した積層磁性体膜は高周波領域での
透磁率の劣化がなく、優れた磁気ヘッドコア材となる。
このような積層磁性体膜はトラック幅が10μｍ以上のビ
デオヘッド材料として用いられる。
第８図には、上述の積層磁性体膜を非磁性基板上に形成
してから、所定の形状に加工し、ギャップ形成面が互に
対向するように突き合せて作った磁気ヘッドの一例を示
す。図において、61は磁性体膜が形成された非磁性基
板、62は積層磁性体膜、63は積層磁性体膜を保護するた
めのもう一方の非磁性基板であって、他方の基板又は磁
性体膜にガラス等で接着されている。64はギャップ、65
はコイル巻線窓である。この例では積層磁性体膜62の厚
さがトラック幅となる。
第９図は上述した本発明の積層磁性体層を用いた薄膜磁
気ヘッドの一例である。図(イ)は磁気ヘッドコア断面
図、図(ロ)は上面図である。図において、71は非磁性基
板、72は下部磁性体膜、73は上部磁性体膜、74は導体コ
イル、75は作動ギャップである。この例では、磁性体膜
は数ミクロン以下の膜厚でよいので、第７図に示すよう
な非磁性絶縁体膜24を省くことができる。
つぎに、本発明の他の効果について述べる。第10は第９
図の磁気ヘッドの作動ギャップ近傍の磁性体膜の主要部
拡大図である。図(イ)は磁性体膜72、73を柱状構造の大
きい単層膜で形成した例を示す。この場合、76、77のよ
うに曲りをもつ部分で柱状組織がみだれ、その部分でひ
び割れを生じたり、腐食が起る原因となる。また、曲り
の部分での応力集中によってクラックを生じる。図(ロ)
に示す本発明による積層磁性体膜によれば、曲りの部分
76、77で結晶組織が細かく、均一に連続的で、応力集中
も少ないため、クラックを生じることもなく、耐食性の
良い磁気回路を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の積層磁性体膜の断面図、第２図は本発明
による積層磁性体膜の積層構造を示す断面図、第３図は
本発明の磁性体膜を形成するためのスパッタリング装置
の構成図、第４図はFe−6.5%Si合金膜を主磁性体膜と
し、種々の中間膜を用いた積層磁性体膜の磁気特性を示
す図表、第５図及び第６図はFe−6.5%Si合金膜を主磁性
体膜とし、パーマロイを中間膜とした本発明の積層磁性
体膜の磁気特性を示す図、第７図は本発明の他の実施例
の積層磁性体膜の磁気特性を示す図、第８図及び第９図
は積層磁性体膜を用いて作製した磁気ヘッドの説明図、
第10図は本発明を薄膜磁気ヘッドに適用した場合の効果
を説明するための磁気ヘッド作動ギャップ近傍の磁性体
膜の主要部拡大図である。 図において、 ２０…主磁性体膜 ２１…中間磁性体膜 ２３…非磁性基板 ２４…非磁性絶縁体膜 ６１…非磁性基板 ６２…積層磁性体膜 ６３…非磁性基板 ７１…非磁性基板 ７２…下部磁性体膜 ７３…上部磁性体膜 ７４…導体コイル ７５…作動ギャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大友 茂一 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山下 武夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 工藤 實弘 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−117123（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−33629（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−9905（ＪＰ，Ａ)

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】非晶質合金よりなる厚さが３０〜５００Å
    の中間磁性体膜もしくはNi-Fe合金よりなる厚さが１０
    ０Åを超え５００Å以下の中間磁性体膜を介して、厚さ
    が0.05〜0.5μｍのFeもしくはCoを主成分とする主磁性
    体膜を複数層積層してなることを特徴とする磁気ヘッド
    コア用磁性体膜。
  2. 【請求項２】前記主磁性体膜および中間磁性体膜を積層
    して構成される単位積層磁性体膜と、非磁性絶縁体膜と
    を積層してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    記載の磁性体膜。
  3. 【請求項３】前記主磁性体膜は結晶質であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の磁性体
    膜。
  4. 【請求項４】前記主磁性体膜と中間磁性体膜とはそれぞ
    れ結晶構造が異なることを特徴とする特許請求の範囲第
    ３項記載の磁性体膜。
  5. 【請求項５】前記主磁性体膜は単層膜としたとき柱状も
    しくは針状の結晶構造を有することを特徴とする特許請
    求の範囲第３項記載の磁性体膜。
  6. 【請求項６】前記主磁性体膜は単層膜としたとき１０エ
    ルステッド以下の保磁力を有することを特徴とする特許
    請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項記載の磁
    性体膜。
  7. 【請求項７】前記主磁性体膜は単層膜としたとき １００００ガウス以上の飽和磁束密度を有することを特
    徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか
    １項記載の磁性体膜。
  8. 【請求項８】前記主磁性体膜はFeを主成分としSi，Al，
    Tiのうちから選ばれる少なくとも１種の元素を含む合金
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
    第８項のいずれか１項記載の磁性体膜。
  9. 【請求項９】前記主磁性体膜はCoを主成分としFe，Ｖ，
    Ti，Snのうちから選ばれる少なくとも１種の元素を含む
    合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
    いし第８項のいずれか１項記載の磁性体膜。
  10. 【請求項１０】前記主磁性体膜の１層の厚さが0.05〜0.
    3μｍの範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項ないし第９項のいずれか１項記載の磁性体膜。
  11. 【請求項１１】前記非晶質合金よりなる中間磁性体膜の
    １層の厚さが５０〜３００Åの範囲であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれか１
    項記載の磁性体膜。
  12. 【請求項１２】前記中間磁性体膜は単層膜としたとき１
    ０エルステッド以下の保磁力を有することを特徴とする
    特許請求の範囲第１項ないし第１１項のいずれか１項記
    載の磁性体膜。
  13. 【請求項１３】前記非磁性絶縁体膜は二酸化ケイ素また
    はアルミナからなることを特徴とする特許請求の範囲第
    ２項ないし第１２項のいずれか１項記載の磁性体膜。
  14. 【請求項１４】前記磁性体膜は膜面に対して所定方向の
    磁界を印加して形成されたものであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項ないし第１３項のいずれか１項記
    載の磁性体膜。
  15. 【請求項１５】前記磁性体膜は非磁性基板上に形成され
    たものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
    いし第１４項のいずれか１項記載の磁性体膜。
  16. 【請求項１６】磁気ギャツプを形成する磁気コア部材
    と、該磁気コア部材に磁束を発生させるコイル手段とを
    少なくとも備えた磁気ヘッドにおいて、上記磁気コア部
    材には、非晶質合金よりなる厚さが３０〜５００Åの中
    間磁性体膜もしくはNi−Fe合金よりなる厚さが１００Å
    を超え５００Å以下の中間磁性体膜を介して、厚さが0.
    05〜0.5μｍのFeもしくはCoを主成分とする主磁性体膜
    を複数層積層して構成した磁性体膜を、少なくとも上記
    磁気コア部材の一部に設けてなることを特徴とする磁気
    ヘツド。
  17. 【請求項１７】前記磁気コア部材の少なくとも一部に設
    ける磁性体膜は、主磁性体膜および中間磁性体膜とを積
    層して構成される単位積層磁性体膜と、非磁性絶縁体膜
    とを積層してなることを特徴とする特許請求の範囲第１
    ６項記載の磁気ヘッド。
  18. 【請求項１８】前記主磁性体膜は結晶質であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１６項または第１７項記載の
    磁気ヘッド。
  19. 【請求項１９】前記主磁性体膜と中間磁性体膜とはそれ
    ぞれ結晶構造が異なることを特徴とする特許請求の範囲
    第１８項記載の磁気ヘッド。
  20. 【請求項２０】前記主磁性体膜は単層膜としたとき柱状
    もしくは針状の結晶構造を有することを特徴とする特許
    請求の範囲第１８項記載の磁気ヘッド。
  21. 【請求項２１】前記主磁性体膜は単層膜としたとき１０
    エルステッド以下の保磁力を有することを特徴とする特
    許請求の範囲第１６項ないし第２０項のいずれか１項記
    載の磁気ヘッド。
  22. 【請求項２２】前記主磁性体膜は単層膜としたとき １００００ガウス以上の飽和磁束密度を有することを特
    徴とする特許請求の範囲第１６項ないし第２１項のいず
    れか１項記載の磁気ヘッド。
  23. 【請求項２３】前記主磁性体膜はFeを主成分とし、Si，
    Al，Tiのうちから選ばれる少なくとも１種の元素を含む
    合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第１６項
    ないし第２２項のいずれか１項記載の磁気ヘッド。
  24. 【請求項２４】前記主磁性体膜はCoを主成分とし、Fe，
    Ｖ，Ti，Snのうちから選ばれる少なくとも１種の元素を
    含む合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第１
    ６項ないし第２２項のいずれか１項記載の磁気ヘッド。
  25. 【請求項２５】前記主磁性体膜の１層の厚さが0.05〜0.
    3μｍの範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第
    １６項ないし第２４項のいずれか１項記載の磁気ヘッ
    ド。
  26. 【請求項２６】前記非晶質合金よりなる中間磁性体膜の
    １層の厚さが５０〜３００Åの範囲であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１６項ないし第２５項のいずれか
    １項記載の磁気ヘッド。
  27. 【請求項２７】前記中間磁性体膜は単層膜としたとき１
    ０エルステッド以下の保磁力を有することを特徴とする
    特許請求の範囲第１６項ないし第２６項のいずれか１項
    記載の磁気ヘッド。
  28. 【請求項２８】前記非磁性絶縁体膜は二酸化ケイ素また
    はアルミナからなることを特徴とする特許請求の範囲第
    １７項ないし第２７項のいずれか１項記載の磁気ヘッ
    ド。
  29. 【請求項２９】前記磁性体膜は膜面に対して所定方向の
    磁界を印加して形成されたものであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１６項ないし第２８項のいずれか１項
    記載の磁気ヘッド。
  30. 【請求項３０】前記磁性体膜は非磁性基板上に形成され
    たものであることを特徴とする特許請求の範囲第１６項
    ないし第２９項のいずれか１項記載の磁気ヘッド。
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