JPH06172862A - 高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法Info
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- JPH06172862A JPH06172862A JP32431792A JP32431792A JPH06172862A JP H06172862 A JPH06172862 A JP H06172862A JP 32431792 A JP32431792 A JP 32431792A JP 32431792 A JP32431792 A JP 32431792A JP H06172862 A JPH06172862 A JP H06172862A
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- annealing
- steel sheet
- temperature
- magnetic flux
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- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、安定した高磁束密度特性を有する
一方向性電磁鋼板の製造方法を提供する。 【構成】 Si:2.5〜4.5%及び公知のインヒビ
ター成分を含有するスラブを、1280℃以下で加熱・
熱延し、最終冷延圧下率50%以上の一回ないし中間焼
鈍を含む二回以上の冷間圧延を施し、さらに脱炭焼鈍と
仕上げ焼鈍を行う一方向性電磁鋼板の製造方法におい
て、前記スラブがPb:0.005〜0.50%を含有
し、且つ脱炭焼鈍の前部領域の温度を800〜880℃
とし、続く後部領域の温度を850〜930℃で10〜
300sec 、その雰囲気のP H2 O /P H2 を0.15
以下とすることを特徴とする。 【効果】 本発明によれば、脱炭焼鈍温度の広い範囲で
二次再結晶が安定し、高磁束密度で且つ良好な絶縁被膜
を有する一方向性電磁鋼板が製造できる。
一方向性電磁鋼板の製造方法を提供する。 【構成】 Si:2.5〜4.5%及び公知のインヒビ
ター成分を含有するスラブを、1280℃以下で加熱・
熱延し、最終冷延圧下率50%以上の一回ないし中間焼
鈍を含む二回以上の冷間圧延を施し、さらに脱炭焼鈍と
仕上げ焼鈍を行う一方向性電磁鋼板の製造方法におい
て、前記スラブがPb:0.005〜0.50%を含有
し、且つ脱炭焼鈍の前部領域の温度を800〜880℃
とし、続く後部領域の温度を850〜930℃で10〜
300sec 、その雰囲気のP H2 O /P H2 を0.15
以下とすることを特徴とする。 【効果】 本発明によれば、脱炭焼鈍温度の広い範囲で
二次再結晶が安定し、高磁束密度で且つ良好な絶縁被膜
を有する一方向性電磁鋼板が製造できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、2.5〜4.5%のS
iを含む高い磁束密度を有する一方向性電磁鋼板の製造
方法に関する。
iを含む高い磁束密度を有する一方向性電磁鋼板の製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一方向性電磁鋼板は、トランス等の電気
機器の鉄心材料として使用されており、磁気特性として
励磁特性と鉄損特性が良好でなくてはならない。しかも
近年特にエネルギーロスの少ない低鉄損素材への市場要
求が強まっている。
機器の鉄心材料として使用されており、磁気特性として
励磁特性と鉄損特性が良好でなくてはならない。しかも
近年特にエネルギーロスの少ない低鉄損素材への市場要
求が強まっている。
【0003】磁束密度の高い鋼板は、鉄損が低く又鉄心
が小さくできるので、極めて重要な開発目標である。こ
の高い磁束密度を有する一方向性電磁鋼板は、適切な冷
延と焼鈍とにより、熱延板から最終板厚にした鋼板を仕
上げ焼鈍して{110}〈001〉方位を有する一次再
結晶粒を選択成長させる、いわゆる二次再結晶によって
得られる。二次再結晶は、二次再結晶前の鋼板中に微細
な析出物、例えばMnS,AlN,MnSe,Cu
2 S,BN,(Al,Si)N等が存在すること、ある
いはSn,Sb等の粒界偏析型の元素が存在することに
よって達成される。これら析出物、粒界偏析型の元素は
J.B.May and Turnbull(Tran
s.Met.Soc.AIME 212(1958)P
769/781)によって説明されているように、仕上
げ焼鈍工程で{110}〈001〉方位以外の一次再結
晶粒の成長を抑え、{110}〈001〉方位粒を選択
的に成長させる機能を持つ。このような粒成長の抑制効
果は一般にはインヒビター効果と呼ばれている。従って
当該分野の研究開発の重点課題はいかなる種類の析出
物、あるいは粒界偏析型の元素を用いて二次再結晶を安
定させるか、そして正確な{110}〈001〉方位粒
の存在割合を高めるために、それらの適切な存在状態を
いかに達成するかにある。
が小さくできるので、極めて重要な開発目標である。こ
の高い磁束密度を有する一方向性電磁鋼板は、適切な冷
延と焼鈍とにより、熱延板から最終板厚にした鋼板を仕
上げ焼鈍して{110}〈001〉方位を有する一次再
結晶粒を選択成長させる、いわゆる二次再結晶によって
得られる。二次再結晶は、二次再結晶前の鋼板中に微細
な析出物、例えばMnS,AlN,MnSe,Cu
2 S,BN,(Al,Si)N等が存在すること、ある
いはSn,Sb等の粒界偏析型の元素が存在することに
よって達成される。これら析出物、粒界偏析型の元素は
J.B.May and Turnbull(Tran
s.Met.Soc.AIME 212(1958)P
769/781)によって説明されているように、仕上
げ焼鈍工程で{110}〈001〉方位以外の一次再結
晶粒の成長を抑え、{110}〈001〉方位粒を選択
的に成長させる機能を持つ。このような粒成長の抑制効
果は一般にはインヒビター効果と呼ばれている。従って
当該分野の研究開発の重点課題はいかなる種類の析出
物、あるいは粒界偏析型の元素を用いて二次再結晶を安
定させるか、そして正確な{110}〈001〉方位粒
の存在割合を高めるために、それらの適切な存在状態を
いかに達成するかにある。
【0004】特に最近では一種類の析出物による方法で
は{110}〈001〉方位の高度の制御に限界がある
ため、各析出物について長所、短所を深く解明すること
により、いくつかの析出物を有機的に組み合わせて、よ
り磁束密度の高い製品を安定に、且つコストを安く製造
できる技術の開発が進められている。現在、工業生産さ
れている代表的な一方向性電磁鋼板の製造方法として三
種類あるが、各々については長所、短所がある。
は{110}〈001〉方位の高度の制御に限界がある
ため、各析出物について長所、短所を深く解明すること
により、いくつかの析出物を有機的に組み合わせて、よ
り磁束密度の高い製品を安定に、且つコストを安く製造
できる技術の開発が進められている。現在、工業生産さ
れている代表的な一方向性電磁鋼板の製造方法として三
種類あるが、各々については長所、短所がある。
【0005】第一の技術はM.F.Littmannに
よる特公昭30−3651号公報に示されたMnSを用
いた二回冷延工程であり、得られる二次再結晶粒は安定
して発達するが、高い磁束密度が得られない。第二の技
術は田口等による特公昭40−15644号公報に示さ
れたAlN+MnSを用いた最終冷延を80%以上の高
圧下率とするプロセスであり、高い磁束密度は得られる
が、工業生産に際しては製造条件の厳密なコントロール
が要求される。第三の技術は今中等による特公昭51−
13469号公報に示されたMnS(及び/又はMnS
e)+Sbを含有する珪素鋼を二回冷延工程によって製
造するプロセスであり、比較的高い磁束密度は得られる
が、Sb,Seのような有害で且つ高価な元素を使用
し、しかも二回冷延法であることから製造コストが高く
なる。
よる特公昭30−3651号公報に示されたMnSを用
いた二回冷延工程であり、得られる二次再結晶粒は安定
して発達するが、高い磁束密度が得られない。第二の技
術は田口等による特公昭40−15644号公報に示さ
れたAlN+MnSを用いた最終冷延を80%以上の高
圧下率とするプロセスであり、高い磁束密度は得られる
が、工業生産に際しては製造条件の厳密なコントロール
が要求される。第三の技術は今中等による特公昭51−
13469号公報に示されたMnS(及び/又はMnS
e)+Sbを含有する珪素鋼を二回冷延工程によって製
造するプロセスであり、比較的高い磁束密度は得られる
が、Sb,Seのような有害で且つ高価な元素を使用
し、しかも二回冷延法であることから製造コストが高く
なる。
【0006】又上記三種類の技術においては、共通して
次のような問題がある。即ち上記技術はいずれも析出物
を微細、均一に制御する技術として熱延に先立つスラブ
加熱温度を、第一の技術では1260℃以上、第二の技
術では特開昭48−51852号公報に示すように、素
材Si量によるが3%Siの場合で1350℃、第三の
技術では特開昭51−20716号公報に示すように1
230℃以上、高い磁束密度の得られた実施例では13
20℃といった極めて高い温度にすることによって粗大
に存在する析出物を一旦固溶させ、その後の熱延中、あ
るいは熱処理中に析出させている。
次のような問題がある。即ち上記技術はいずれも析出物
を微細、均一に制御する技術として熱延に先立つスラブ
加熱温度を、第一の技術では1260℃以上、第二の技
術では特開昭48−51852号公報に示すように、素
材Si量によるが3%Siの場合で1350℃、第三の
技術では特開昭51−20716号公報に示すように1
230℃以上、高い磁束密度の得られた実施例では13
20℃といった極めて高い温度にすることによって粗大
に存在する析出物を一旦固溶させ、その後の熱延中、あ
るいは熱処理中に析出させている。
【0007】スラブ加熱温度を上げることは、加熱時の
使用エネルギーの増大やノロの発生による歩留り低下及
び加熱炉の補修頻度の増大に起因する設備稼働率の低
下、さらには特公昭57−41526号公報に示される
ように、線状二次再結晶不良が発生するため連続鋳造ス
ラブが使用できないという問題がある。しかしこのよう
なコスト上の問題以上に重要なことは、鉄損向上のため
にSiを多く、製品板厚を薄くといった手段をとると、
この線状二次再結晶不良の発生が増大し、高温スラブ加
熱法を前提にした技術では将来の鉄損向上に希望を持て
ない。これに対し特公昭61−60896号公報に開示
されている技術では、鋼中のSを少なくすることによっ
て二次再結晶が極めて安定し、高Si薄手製品を可能に
した。しかしこの技術は量産規模で工場生産する上で、
磁束密度の安定性に問題があり、例えば特開昭62−4
0315号公報に開示されているような改良技術が提案
されているが、今まで完全に解決するに至っていない。
使用エネルギーの増大やノロの発生による歩留り低下及
び加熱炉の補修頻度の増大に起因する設備稼働率の低
下、さらには特公昭57−41526号公報に示される
ように、線状二次再結晶不良が発生するため連続鋳造ス
ラブが使用できないという問題がある。しかしこのよう
なコスト上の問題以上に重要なことは、鉄損向上のため
にSiを多く、製品板厚を薄くといった手段をとると、
この線状二次再結晶不良の発生が増大し、高温スラブ加
熱法を前提にした技術では将来の鉄損向上に希望を持て
ない。これに対し特公昭61−60896号公報に開示
されている技術では、鋼中のSを少なくすることによっ
て二次再結晶が極めて安定し、高Si薄手製品を可能に
した。しかしこの技術は量産規模で工場生産する上で、
磁束密度の安定性に問題があり、例えば特開昭62−4
0315号公報に開示されているような改良技術が提案
されているが、今まで完全に解決するに至っていない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】現在工業化されている
製造方法は二次再結晶に必要なインヒビターを冷間圧延
以前の工程で造り込むものである。これに対し本発明は
特開昭62−40315号公報と同一技術思想に基づく
製造方法である。即ち二次再結晶に必要なインヒビター
は、脱炭焼鈍(一次再結晶)完了以降から仕上げ焼鈍に
おける二次再結晶発現以前までに造り込むものでその手
段として、鋼中にNを侵入させることによって、インヒ
ビターとして機能する(Al,Si)Nを形成させる。
鋼中にNを侵入させる手段としては、従来技術で提案さ
れているように仕上げ焼鈍昇温過程での雰囲気ガスから
のNの侵入を利用するか、脱炭焼鈍後段領域あるいは脱
炭焼鈍完了後のストリップを連続ラインでNH3 等の窒
化源となる雰囲気ガスを用いて行う。
製造方法は二次再結晶に必要なインヒビターを冷間圧延
以前の工程で造り込むものである。これに対し本発明は
特開昭62−40315号公報と同一技術思想に基づく
製造方法である。即ち二次再結晶に必要なインヒビター
は、脱炭焼鈍(一次再結晶)完了以降から仕上げ焼鈍に
おける二次再結晶発現以前までに造り込むものでその手
段として、鋼中にNを侵入させることによって、インヒ
ビターとして機能する(Al,Si)Nを形成させる。
鋼中にNを侵入させる手段としては、従来技術で提案さ
れているように仕上げ焼鈍昇温過程での雰囲気ガスから
のNの侵入を利用するか、脱炭焼鈍後段領域あるいは脱
炭焼鈍完了後のストリップを連続ラインでNH3 等の窒
化源となる雰囲気ガスを用いて行う。
【0009】ところで以上のような方法で適正なインヒ
ビターを造り込んでも、窒化時の一次再結晶組織の状態
が適当でなければ、高磁束密度を有する良好な二次再結
晶は得られない。しかしながら従来方式の溶鋼成分で
は、この方式の特徴である1280℃以下の温度に加熱
した後熱延したのでは析出物が粗大化し過ぎて、インヒ
ビターとしての機能はほとんどなく、結晶組織制御のた
め脱炭焼鈍条件を厳密にコントロールする必要がある。
そこで本発明者らは、二次再結晶がより安定化し高磁束
密度が得られ、且つ絶縁被膜特性のより優れた一方向性
電磁鋼板の製造方法を検討した。
ビターを造り込んでも、窒化時の一次再結晶組織の状態
が適当でなければ、高磁束密度を有する良好な二次再結
晶は得られない。しかしながら従来方式の溶鋼成分で
は、この方式の特徴である1280℃以下の温度に加熱
した後熱延したのでは析出物が粗大化し過ぎて、インヒ
ビターとしての機能はほとんどなく、結晶組織制御のた
め脱炭焼鈍条件を厳密にコントロールする必要がある。
そこで本発明者らは、二次再結晶がより安定化し高磁束
密度が得られ、且つ絶縁被膜特性のより優れた一方向性
電磁鋼板の製造方法を検討した。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決すべく検討を重ねた結果、スラブ素材にPb:
0.005〜0.50%を含有せしめ、且つ脱炭焼鈍条
件を適正にすることにより、脱炭焼鈍後から最終仕上げ
焼鈍の二次再結晶開始までの間に鋼板に窒化処理を施す
方式で、脱炭焼鈍温度の広い領域で二次再結晶が安定
し、高磁束密度且つ絶縁被膜特性のより優れた一方向性
電磁鋼板が得られることを見出した。
を解決すべく検討を重ねた結果、スラブ素材にPb:
0.005〜0.50%を含有せしめ、且つ脱炭焼鈍条
件を適正にすることにより、脱炭焼鈍後から最終仕上げ
焼鈍の二次再結晶開始までの間に鋼板に窒化処理を施す
方式で、脱炭焼鈍温度の広い領域で二次再結晶が安定
し、高磁束密度且つ絶縁被膜特性のより優れた一方向性
電磁鋼板が得られることを見出した。
【0011】本発明の要旨は、重量でC:0.025〜
0.10%、Si:2.5〜4.5%、Mn:0.05
〜0.45%、S+0.405Se≦0.014%、酸
可溶性Al:0.01〜0.06%、N:0.0005
〜0.013%を含み、残部Fe及び不可避的不純物か
らなるスラブを素材とし、1280℃以下の温度に加熱
した後熱延し、最終冷延圧下率50%以上の一回ないし
中間焼鈍を含む二回以上の冷間圧延を施し、さらに脱炭
焼鈍と仕上げ焼鈍を行い、又脱炭焼鈍後から最終仕上げ
焼鈍の二次再結晶開始までの間に鋼板に窒化処理を施す
一方向性電磁鋼板の製造方法において、前記スラブ素材
がPb:0.005〜0.50%を含有し、且つ脱炭焼
鈍の前部領域の温度を800〜880℃とし、続く後部
領域の温度を850〜930℃で10〜300sec 、そ
の雰囲気のP H2 O /P H2 を0.15以下とすること
を特徴とする安定した高磁束密度一方向性電磁鋼板の製
造方法にある。
0.10%、Si:2.5〜4.5%、Mn:0.05
〜0.45%、S+0.405Se≦0.014%、酸
可溶性Al:0.01〜0.06%、N:0.0005
〜0.013%を含み、残部Fe及び不可避的不純物か
らなるスラブを素材とし、1280℃以下の温度に加熱
した後熱延し、最終冷延圧下率50%以上の一回ないし
中間焼鈍を含む二回以上の冷間圧延を施し、さらに脱炭
焼鈍と仕上げ焼鈍を行い、又脱炭焼鈍後から最終仕上げ
焼鈍の二次再結晶開始までの間に鋼板に窒化処理を施す
一方向性電磁鋼板の製造方法において、前記スラブ素材
がPb:0.005〜0.50%を含有し、且つ脱炭焼
鈍の前部領域の温度を800〜880℃とし、続く後部
領域の温度を850〜930℃で10〜300sec 、そ
の雰囲気のP H2 O /P H2 を0.15以下とすること
を特徴とする安定した高磁束密度一方向性電磁鋼板の製
造方法にある。
【0012】以下に本発明を詳細に説明する。まず本発
明の特徴であるPb添加の効果について述べる。本発明
者らは一方向性電磁鋼板の製造における前記課題を解決
すべく、種々検討を行った。その結果上記成分のスラブ
素材にPb:0.005〜0.50%を含有させると、
脱炭焼鈍前の微細析出物が増加することがわかった。従
ってPb添加によってこの時点でインヒビターが強ま
り、Pb無添加鋼に比べ一次再結晶粒径の変動が小さく
且つ均一化し、従ってPb無添加鋼に比べ、脱炭焼鈍を
高温で行った場合の二次再結晶が安定化すると推定され
る。又Pb添加材は脱炭焼鈍後窒化処理しても、相対的
にインヒビター即ち{110}〈001〉方位粒が成長
するまで他方位粒の成長を抑制する力は強く、このこと
が高磁束密度が得られる原因と考えられる。以上のこと
からこのPb添加は、二次再結晶が不安定なため、より
強力なインヒビターを必要とする薄手・極低鉄損材ほど
有効と考えられる。Pb量の限定理由は、0.005%
未満ではインヒビター強化即ち脱炭焼鈍温度の広い領域
で二次再結晶が安定化する効果がない。一方0.50%
を超えると熱延板の耳割れがひどくなり、コスト高につ
ながる。
明の特徴であるPb添加の効果について述べる。本発明
者らは一方向性電磁鋼板の製造における前記課題を解決
すべく、種々検討を行った。その結果上記成分のスラブ
素材にPb:0.005〜0.50%を含有させると、
脱炭焼鈍前の微細析出物が増加することがわかった。従
ってPb添加によってこの時点でインヒビターが強ま
り、Pb無添加鋼に比べ一次再結晶粒径の変動が小さく
且つ均一化し、従ってPb無添加鋼に比べ、脱炭焼鈍を
高温で行った場合の二次再結晶が安定化すると推定され
る。又Pb添加材は脱炭焼鈍後窒化処理しても、相対的
にインヒビター即ち{110}〈001〉方位粒が成長
するまで他方位粒の成長を抑制する力は強く、このこと
が高磁束密度が得られる原因と考えられる。以上のこと
からこのPb添加は、二次再結晶が不安定なため、より
強力なインヒビターを必要とする薄手・極低鉄損材ほど
有効と考えられる。Pb量の限定理由は、0.005%
未満ではインヒビター強化即ち脱炭焼鈍温度の広い領域
で二次再結晶が安定化する効果がない。一方0.50%
を超えると熱延板の耳割れがひどくなり、コスト高につ
ながる。
【0013】次に脱炭焼鈍条件については、従来より特
開昭54−24686号公報及び特開昭60−1212
22号公報に開示されているように、一方向性電磁鋼板
の製造において前部領域で温度を低く、又その雰囲気の
P H2 O /P H2 を高くしておいて、引き続く後部領域
で温度を上げ、又その雰囲気のP H2 O /P H2 を下げ
ると絶縁被膜及び磁気特性が改善されることがわかって
いた。この効果の理由は、前部領域では良好な脱炭性及
び酸化膜量の確保のため、又続く後部領域では酸化膜の
質及び一次再結晶組織が改善され、良好な被膜と{11
0}〈001〉方位集積度の高い二次再結晶が得られた
ためと推定される。
開昭54−24686号公報及び特開昭60−1212
22号公報に開示されているように、一方向性電磁鋼板
の製造において前部領域で温度を低く、又その雰囲気の
P H2 O /P H2 を高くしておいて、引き続く後部領域
で温度を上げ、又その雰囲気のP H2 O /P H2 を下げ
ると絶縁被膜及び磁気特性が改善されることがわかって
いた。この効果の理由は、前部領域では良好な脱炭性及
び酸化膜量の確保のため、又続く後部領域では酸化膜の
質及び一次再結晶組織が改善され、良好な被膜と{11
0}〈001〉方位集積度の高い二次再結晶が得られた
ためと推定される。
【0014】しかし低温スラブ加熱且つ後工程即ち一次
再結晶完了後に鋼を窒化してインヒビターを造り込む方
式においては、温度を上げ過ぎると一次再結晶粒径が粗
大化、不安定になりやすく、上記のような後部領域を上
げる脱炭焼鈍条件とすることができなかった。しかるに
Pb添加材では、脱炭焼鈍前のインヒビターが強化され
るので、本発明のように後部領域で温度を上げても一次
再結晶粒径が変動が小さく安定なため、図2に示すよう
に脱炭焼鈍温度の後部領域の温度を上げない場合に比
べ、さらに良好な高磁束密度特性が得られたと考えられ
る。
再結晶完了後に鋼を窒化してインヒビターを造り込む方
式においては、温度を上げ過ぎると一次再結晶粒径が粗
大化、不安定になりやすく、上記のような後部領域を上
げる脱炭焼鈍条件とすることができなかった。しかるに
Pb添加材では、脱炭焼鈍前のインヒビターが強化され
るので、本発明のように後部領域で温度を上げても一次
再結晶粒径が変動が小さく安定なため、図2に示すよう
に脱炭焼鈍温度の後部領域の温度を上げない場合に比
べ、さらに良好な高磁束密度特性が得られたと考えられ
る。
【0015】
【作用】本発明において鋼組成及び製造条件を上述のよ
うに限定した理由を詳細に説明する。Cは、その含有量
が0.025%未満になると二次再結晶が不安定とな
り、且つ二次再結晶した場合でも製品の磁束密度(B8
値)が1.80Tに満たない低いものとなる。一方Cの
含有量が0.10%を超えて多くなり過ぎると、脱炭焼
鈍時間が長大なものとなり、生産性を著しく損なう。
うに限定した理由を詳細に説明する。Cは、その含有量
が0.025%未満になると二次再結晶が不安定とな
り、且つ二次再結晶した場合でも製品の磁束密度(B8
値)が1.80Tに満たない低いものとなる。一方Cの
含有量が0.10%を超えて多くなり過ぎると、脱炭焼
鈍時間が長大なものとなり、生産性を著しく損なう。
【0016】Siは、その含有量が2.5%未満になる
と低鉄損の製品を得難く、一方Siの含有量が4.5%
を超えて多くなり過ぎると、冷間圧延等の製造時に割
れ、破断が発生して安定した工業生産が不可能となる。
と低鉄損の製品を得難く、一方Siの含有量が4.5%
を超えて多くなり過ぎると、冷間圧延等の製造時に割
れ、破断が発生して安定した工業生産が不可能となる。
【0017】本発明の出発材料の成分系における特徴の
一つは、Sを0.014%以下、好ましくは0.010
%以下とする点にある。従来公知の技術、例えば特公昭
40−15644号公報、あるいは特公昭47−252
50号公報に開示されている技術においては、Sは二次
再結晶を生起させるに必要な析出物の一つであるMnS
の形成元素として必須であった。前記公知技術におい
て、Sが最も効果を発揮する含有量範囲があり、それは
熱間圧延に先立って行われるスラブの加熱段階で、Mn
Sを固溶できる量として規定されていた。しかしながら
インヒビターとして(Al,Si)Nを用いる本発明に
おいては、MnSを特に必要とはしない。むしろMnS
が増加することは磁気特性上好ましくない。従って本発
明においては、Sの含有量は0.014%以下、好まし
くは0.010%以下である。
一つは、Sを0.014%以下、好ましくは0.010
%以下とする点にある。従来公知の技術、例えば特公昭
40−15644号公報、あるいは特公昭47−252
50号公報に開示されている技術においては、Sは二次
再結晶を生起させるに必要な析出物の一つであるMnS
の形成元素として必須であった。前記公知技術におい
て、Sが最も効果を発揮する含有量範囲があり、それは
熱間圧延に先立って行われるスラブの加熱段階で、Mn
Sを固溶できる量として規定されていた。しかしながら
インヒビターとして(Al,Si)Nを用いる本発明に
おいては、MnSを特に必要とはしない。むしろMnS
が増加することは磁気特性上好ましくない。従って本発
明においては、Sの含有量は0.014%以下、好まし
くは0.010%以下である。
【0018】Seは、Sと同様にMnと化合物を形成し
二次再結晶に影響するため、その含有量はS+0.40
5Se≦0.014%とする。Alは、Nと結合してA
lNを形成するが、本発明においては、後工程即ち一次
再結晶完了後に鋼を窒化することにより(Al,Si)
Nを形成せしめることを必須としているから、フリーの
Alが一定量以上必要である。そのためsol.Alと
して0.01〜0.06%添加する。
二次再結晶に影響するため、その含有量はS+0.40
5Se≦0.014%とする。Alは、Nと結合してA
lNを形成するが、本発明においては、後工程即ち一次
再結晶完了後に鋼を窒化することにより(Al,Si)
Nを形成せしめることを必須としているから、フリーの
Alが一定量以上必要である。そのためsol.Alと
して0.01〜0.06%添加する。
【0019】Mnは、その含有量が少な過ぎると二次再
結晶が不安定となり、一方多過ぎると高い磁束密度を有
する製品を得難くなる。適正な含有量は0.05〜0.
45%である。Nは、0.0005%未満では二次再結
晶粒の発達が悪くなる。一方0.013%を超えるとブ
リスターと呼ばれる鋼板のふくれが発生する。Snは、
0.01%未満では磁気特性改善の上で効果がなく、一
方0.10%超では窒化を抑制し二次再結晶粒の発達を
悪くする。Sbは、インヒビター効果として、0.01
〜0.15%が適当である。同様にCuは、インヒビタ
ー効果として、0.05〜1.0%が適当である。スラ
ブ加熱温度については、インヒビターを固溶する高温ス
ラブ加熱でも、又普通鋼並の低温スラブ加熱でも、二次
再結晶は行われる。しかし熱延板の耳割れを抑制できる
こと、又当然のこととして熱エネルギーが少ない低温ス
ラブ加熱が有利であることから、ノロの発生しない12
80℃以下が望ましい。
結晶が不安定となり、一方多過ぎると高い磁束密度を有
する製品を得難くなる。適正な含有量は0.05〜0.
45%である。Nは、0.0005%未満では二次再結
晶粒の発達が悪くなる。一方0.013%を超えるとブ
リスターと呼ばれる鋼板のふくれが発生する。Snは、
0.01%未満では磁気特性改善の上で効果がなく、一
方0.10%超では窒化を抑制し二次再結晶粒の発達を
悪くする。Sbは、インヒビター効果として、0.01
〜0.15%が適当である。同様にCuは、インヒビタ
ー効果として、0.05〜1.0%が適当である。スラ
ブ加熱温度については、インヒビターを固溶する高温ス
ラブ加熱でも、又普通鋼並の低温スラブ加熱でも、二次
再結晶は行われる。しかし熱延板の耳割れを抑制できる
こと、又当然のこととして熱エネルギーが少ない低温ス
ラブ加熱が有利であることから、ノロの発生しない12
80℃以下が望ましい。
【0020】熱延以降の工程においては、最も高い磁束
密度を得るために、短時間の焼鈍後80%以上の高圧下
率の冷間圧延によって最終板厚にする方法が望ましい。
しかし磁気特性はやや劣るが低コストとするために熱延
板焼鈍を省略しても良い。又最終製品の結晶粒を小さく
するため、中間焼鈍を含む工程でも可能である。
密度を得るために、短時間の焼鈍後80%以上の高圧下
率の冷間圧延によって最終板厚にする方法が望ましい。
しかし磁気特性はやや劣るが低コストとするために熱延
板焼鈍を省略しても良い。又最終製品の結晶粒を小さく
するため、中間焼鈍を含む工程でも可能である。
【0021】次に湿水素あるいは湿水素、窒素混合雰囲
気ガス中で脱炭焼鈍をする。ここで図2に示すように脱
炭焼鈍の前部領域の温度を800〜880℃とし、続く
後部領域の温度を850〜930℃で10〜300sec
、好ましくは10〜100sec 、その雰囲気のP H2 O
/P H2 を0.15以下と限定した。この理由は前部
領域では良好な脱炭性及び酸化膜量の確保、又続く後部
領域では酸化膜の質及び一次再結晶組織を改善するため
である。P H2 O /P H2 が0.15を超えると、良好
な被膜を得ることが難しくなる。
気ガス中で脱炭焼鈍をする。ここで図2に示すように脱
炭焼鈍の前部領域の温度を800〜880℃とし、続く
後部領域の温度を850〜930℃で10〜300sec
、好ましくは10〜100sec 、その雰囲気のP H2 O
/P H2 を0.15以下と限定した。この理由は前部
領域では良好な脱炭性及び酸化膜量の確保、又続く後部
領域では酸化膜の質及び一次再結晶組織を改善するため
である。P H2 O /P H2 が0.15を超えると、良好
な被膜を得ることが難しくなる。
【0022】次に焼鈍分離剤を塗布し高温(通常110
0〜1200℃)長時間の仕上げ焼鈍を行う。本発明の
窒化における最も好ましい実施態様は、仕上げ焼鈍の昇
温過程において窒化することであり、これにより二次再
結晶に必要なインヒビターを造り込むことができる。こ
れを達成するために焼鈍分離剤中に窒化能のある化合
物、例えばMnN,CrN等を適当量添加するかあるい
はNH3 等の窒化能のある気体を雰囲気ガス中に添加す
る。
0〜1200℃)長時間の仕上げ焼鈍を行う。本発明の
窒化における最も好ましい実施態様は、仕上げ焼鈍の昇
温過程において窒化することであり、これにより二次再
結晶に必要なインヒビターを造り込むことができる。こ
れを達成するために焼鈍分離剤中に窒化能のある化合
物、例えばMnN,CrN等を適当量添加するかあるい
はNH3 等の窒化能のある気体を雰囲気ガス中に添加す
る。
【0023】なお本発明における窒化の他の実施態様と
して、脱炭焼鈍時均熱以降で窒化能のある気体の雰囲気
で窒化するか、又は脱炭焼鈍後別途設けたNH3 等の雰
囲気を有する熱処理炉に通過せしめて窒化しても良く、
以上の手段の組み合わせでも良い。二次再結晶完了後
は、水素雰囲気中において純化焼鈍を行う。
して、脱炭焼鈍時均熱以降で窒化能のある気体の雰囲気
で窒化するか、又は脱炭焼鈍後別途設けたNH3 等の雰
囲気を有する熱処理炉に通過せしめて窒化しても良く、
以上の手段の組み合わせでも良い。二次再結晶完了後
は、水素雰囲気中において純化焼鈍を行う。
【0024】
実施例1 表1に示す鋼の成分組成を含む溶鋼を鋳造したスラブ
を、1150℃で加熱した後熱延し、2.0mm厚みの熱
延板とした。ついでこれらの熱延板を1050℃×2.
5分+900℃×2分間焼鈍を行った後100℃の湯中
に冷却し、さらに酸洗した後冷間圧延を行い0.23mm
厚にした。
を、1150℃で加熱した後熱延し、2.0mm厚みの熱
延板とした。ついでこれらの熱延板を1050℃×2.
5分+900℃×2分間焼鈍を行った後100℃の湯中
に冷却し、さらに酸洗した後冷間圧延を行い0.23mm
厚にした。
【0025】次にこの冷延板を脱炭焼鈍の前部領域を7
90〜890℃×90秒、その雰囲気のP H2 O /P H
2 を0.75で、又後部領域を940℃×20秒、その
雰囲気のP H2 O /P H2 を0.02で湿潤水素、窒素
雰囲気中で処理した。ついでアンモニア1%を含む水
素、窒素雰囲気中で750℃×30秒窒化処理を行い、
鋼板中の窒素量を200ppm とした。さらにMgO粉を
塗布した後、1200℃×20時間水素ガス雰囲気中で
高温焼鈍を行った。
90〜890℃×90秒、その雰囲気のP H2 O /P H
2 を0.75で、又後部領域を940℃×20秒、その
雰囲気のP H2 O /P H2 を0.02で湿潤水素、窒素
雰囲気中で処理した。ついでアンモニア1%を含む水
素、窒素雰囲気中で750℃×30秒窒化処理を行い、
鋼板中の窒素量を200ppm とした。さらにMgO粉を
塗布した後、1200℃×20時間水素ガス雰囲気中で
高温焼鈍を行った。
【0026】
【表1】
【0027】得られた製品は、表2に示すように、本発
明であるPb添加材の方が脱炭焼鈍温度の広い範囲で二
次再結晶が安定し、良好な磁気特性が得られた。
明であるPb添加材の方が脱炭焼鈍温度の広い範囲で二
次再結晶が安定し、良好な磁気特性が得られた。
【0028】
【表2】
【0029】実施例2 表1に示す鋼Cの成分組成を含む溶鋼を鋳造したスラブ
を、1150℃で加熱した後熱延し、2.0mm厚みの熱
延板とした。ついでこれらの熱延板を1050℃×2.
5分+900℃×2分間焼鈍を行った後100℃の湯中
に冷却し、さらに酸洗した後冷間圧延を行い0.23mm
厚にした。次にこの冷延板を脱炭焼鈍の前部領域を83
0℃×60秒、その雰囲気のP H2 O /P H2 を0.7
5で、又後部領域を790〜970℃×30秒、その雰
囲気のP H2 O /P H2 を0.02〜0.70で湿潤水
素、窒素雰囲気中で処理した。ついでアンモニア1%を
含む水素、窒素雰囲気中で750℃×30秒窒化処理を
行い、鋼板中の窒素量を200ppm とした。さらにMg
O粉を塗布した後、1200℃×20時間水素ガス雰囲
気中で高温焼鈍を行った。得られた製品は、表3に示す
ように、本発明である脱炭焼鈍後部領域の温度及び雰囲
気の条件で、良好な絶縁被膜と高磁束密度特性が得られ
た。
を、1150℃で加熱した後熱延し、2.0mm厚みの熱
延板とした。ついでこれらの熱延板を1050℃×2.
5分+900℃×2分間焼鈍を行った後100℃の湯中
に冷却し、さらに酸洗した後冷間圧延を行い0.23mm
厚にした。次にこの冷延板を脱炭焼鈍の前部領域を83
0℃×60秒、その雰囲気のP H2 O /P H2 を0.7
5で、又後部領域を790〜970℃×30秒、その雰
囲気のP H2 O /P H2 を0.02〜0.70で湿潤水
素、窒素雰囲気中で処理した。ついでアンモニア1%を
含む水素、窒素雰囲気中で750℃×30秒窒化処理を
行い、鋼板中の窒素量を200ppm とした。さらにMg
O粉を塗布した後、1200℃×20時間水素ガス雰囲
気中で高温焼鈍を行った。得られた製品は、表3に示す
ように、本発明である脱炭焼鈍後部領域の温度及び雰囲
気の条件で、良好な絶縁被膜と高磁束密度特性が得られ
た。
【0030】
【表3】
【0031】実施例3 表4に示す鋼の成分組成を含む溶鋼を鋳造したスラブ
を、1150℃で加熱した後熱延し、1.6mm厚みの熱
延板とした。ついでこれらの熱延板を1050℃×2.
5分+900℃×2分間焼鈍を行った後100℃の湯中
に冷却し、さらに酸洗した後冷間圧延を行い0.17mm
厚にした。
を、1150℃で加熱した後熱延し、1.6mm厚みの熱
延板とした。ついでこれらの熱延板を1050℃×2.
5分+900℃×2分間焼鈍を行った後100℃の湯中
に冷却し、さらに酸洗した後冷間圧延を行い0.17mm
厚にした。
【0032】次にこの冷延板を脱炭焼鈍の前部領域を7
90〜890℃×90秒、その雰囲気のP H2 O /P H
2 を0.75で、又後部領域を940℃×20秒、その
雰囲気のP H2 O /P H2 を0.02で湿潤水素、窒素
雰囲気中で処理した。ついでアンモニア1%を含む水
素、窒素雰囲気中で750℃×30秒窒化処理を行い、
鋼板中の窒素量を200ppm とした。さらにMgO粉を
塗布した後、1200℃×20時間水素ガス雰囲気中で
高温焼鈍を行った。
90〜890℃×90秒、その雰囲気のP H2 O /P H
2 を0.75で、又後部領域を940℃×20秒、その
雰囲気のP H2 O /P H2 を0.02で湿潤水素、窒素
雰囲気中で処理した。ついでアンモニア1%を含む水
素、窒素雰囲気中で750℃×30秒窒化処理を行い、
鋼板中の窒素量を200ppm とした。さらにMgO粉を
塗布した後、1200℃×20時間水素ガス雰囲気中で
高温焼鈍を行った。
【0033】
【表4】
【0034】得られた製品は、表5に示すように、本発
明であるPb添加材の方が脱炭焼鈍温度の広い範囲で2
次再結晶が安定し、良好な磁気特性が得られた。
明であるPb添加材の方が脱炭焼鈍温度の広い範囲で2
次再結晶が安定し、良好な磁気特性が得られた。
【0035】
【表5】
【0036】
【発明の効果】本発明によれば、Pb添加によって脱炭
焼鈍温度の広い範囲で二次再結晶が安定し、且つ脱炭焼
鈍の後部領域での温度とその雰囲気のP H2 O /P H2
を適正な条件にすることで、良好な絶縁被膜と高磁束密
度特性を有する一方向性電磁鋼板を製造することができ
る。
焼鈍温度の広い範囲で二次再結晶が安定し、且つ脱炭焼
鈍の後部領域での温度とその雰囲気のP H2 O /P H2
を適正な条件にすることで、良好な絶縁被膜と高磁束密
度特性を有する一方向性電磁鋼板を製造することができ
る。
【図1】磁気特性B10と脱炭焼鈍温度及び溶鋼中のPb
量の関係を示したグラフである。
量の関係を示したグラフである。
【図2】磁気特性B10、絶縁被膜密着性に及ぼす脱炭焼
鈍温度(後部領域)とその雰囲気のP H2 O /P H2 の
影響を示したグラフである。
鈍温度(後部領域)とその雰囲気のP H2 O /P H2 の
影響を示したグラフである。
Claims (3)
- 【請求項1】 重量で C :0.025〜0.10%、 Si:2.5〜4.5%、 Mn:0.05〜0.45%、 S+0.405Se≦0.014%、 酸可溶性Al:0.01〜0.06%、 N :0.0005〜0.013%、 残部Fe及び不可避的不純物からなるスラブを素材と
し、1280℃以下の温度に加熱した後熱延し、最終冷
延圧下率50%以上の一回ないし中間焼鈍を含む二回以
上の冷間圧延を施し、さらに脱炭焼鈍と仕上げ焼鈍を行
い、又脱炭焼鈍後から最終仕上げ焼鈍の二次再結晶開始
までの間に鋼板に窒化処理を施す一方向性電磁鋼板の製
造方法において、前記スラブ素材にPb:0.005〜
0.50%を含有せしめ、且つ脱炭焼鈍の前部領域の温
度を800〜880℃とし、続く後部領域の温度を85
0〜930℃で10〜300sec 、その雰囲気のP H2
O /P H2 を0.15以下とすることを特徴とする高磁
束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項2】 最終冷延圧下率を80%以上とすること
を特徴とする請求項1記載の高磁束密度一方向性電磁鋼
板の製造方法。 - 【請求項3】 溶鋼成分を、重量でPb:0.005〜
0.5%を含有し、さらにSn:0.01〜0.10
%、Sb:0.01〜0.15%及びCu:0.05〜
1.0%を少なくとも1種含有せしめることを特徴とす
る請求項1記載の高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32431792A JPH06172862A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32431792A JPH06172862A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06172862A true JPH06172862A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=18164446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32431792A Withdrawn JPH06172862A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06172862A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106414780A (zh) * | 2014-05-12 | 2017-02-15 | 杰富意钢铁株式会社 | 取向性电磁钢板的制造方法 |
CN106460085A (zh) * | 2014-05-12 | 2017-02-22 | 杰富意钢铁株式会社 | 取向性电磁钢板的制造方法 |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP32431792A patent/JPH06172862A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106414780A (zh) * | 2014-05-12 | 2017-02-15 | 杰富意钢铁株式会社 | 取向性电磁钢板的制造方法 |
CN106460085A (zh) * | 2014-05-12 | 2017-02-22 | 杰富意钢铁株式会社 | 取向性电磁钢板的制造方法 |
US10294543B2 (en) | 2014-05-12 | 2019-05-21 | Jfe Steel Corporation | Method for producing grain-oriented electrical steel sheet |
US10294544B2 (en) | 2014-05-12 | 2019-05-21 | Jfe Steel Corporation | Method for producing grain-oriented electrical steel sheet |
CN106460085B (zh) * | 2014-05-12 | 2019-07-02 | 杰富意钢铁株式会社 | 取向性电磁钢板的制造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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