JPH06167627A - レンズ機能付きガラス導波路の製造方法およびそれを用いたｌｄアレイモジュール - Google Patents
レンズ機能付きガラス導波路の製造方法およびそれを用いたｌｄアレイモジュールInfo
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- JPH06167627A JPH06167627A JP34091792A JP34091792A JPH06167627A JP H06167627 A JPH06167627 A JP H06167627A JP 34091792 A JP34091792 A JP 34091792A JP 34091792 A JP34091792 A JP 34091792A JP H06167627 A JPH06167627 A JP H06167627A
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 石英ガラス導波路、特にレンズ機能を有した
導波路の製造方法と、それを用いた半導体レーザアレイ
モジュールを提供する。 【構成】 垂直な方位が＜１，０，０＞であるＳｉ基板
上にバッファ層およびコア層を形成し、上記コア層を矩
形状に反応性イオンエッチング法によりエッチングし、
この上に火炎堆積法によりクラッド層を形成して燒結す
ることにより導波路を得る工程、上記導波路上にＷＳｉ
膜をスパッタ法により形成する工程、上記ＷＳｉ膜上に
フォトレジストを塗布しマスクを用いて露光させ、ＷＳ
ｉ層を反応性イオンエッチング法によりエッチングする
工程、上記ＷＳｉ層の下地のガラス導波路を反応性イオ
ンエッチング法によりエッチングして端部の導波路に凸
部を形成する工程、ウエットエッチング法によりエッチ
ングして端部のクラッド層の長手方向に切り込まれた突
出部を形成する工程、上記クラッド層の突出部を放電加
工により加熱して表面張力により表面が滑らかなレンズ
状とする工程とからなるレンズ機能付きガラス導波路の
製造方法である。
導波路の製造方法と、それを用いた半導体レーザアレイ
モジュールを提供する。 【構成】 垂直な方位が＜１，０，０＞であるＳｉ基板
上にバッファ層およびコア層を形成し、上記コア層を矩
形状に反応性イオンエッチング法によりエッチングし、
この上に火炎堆積法によりクラッド層を形成して燒結す
ることにより導波路を得る工程、上記導波路上にＷＳｉ
膜をスパッタ法により形成する工程、上記ＷＳｉ膜上に
フォトレジストを塗布しマスクを用いて露光させ、ＷＳ
ｉ層を反応性イオンエッチング法によりエッチングする
工程、上記ＷＳｉ層の下地のガラス導波路を反応性イオ
ンエッチング法によりエッチングして端部の導波路に凸
部を形成する工程、ウエットエッチング法によりエッチ
ングして端部のクラッド層の長手方向に切り込まれた突
出部を形成する工程、上記クラッド層の突出部を放電加
工により加熱して表面張力により表面が滑らかなレンズ
状とする工程とからなるレンズ機能付きガラス導波路の
製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は石英系ガラス導波路、
特に、レンズ機能を有した導波路の製造方法に関し、こ
れにより製作されたガラス導波路を使用した半導体レー
ザ（ＬＤ）アレイおよび光ファイバを結合させた半導体
レーザ（ＬＤ）アレイモジュールに関するものである。
特に、レンズ機能を有した導波路の製造方法に関し、こ
れにより製作されたガラス導波路を使用した半導体レー
ザ（ＬＤ）アレイおよび光ファイバを結合させた半導体
レーザ（ＬＤ）アレイモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、図面を参照して従来の技術を説明
する。図５は、半導体レーザ（ＬＤ）アレイモジュール
の一例の構成を示す斜視図である。即ち、テープファイ
バ３の先端には半導体レーザアレイ１が取りつけられ、
平板マイクロレンズ２を介してキャリア４に接続され
る。半導体レーザアレイ１から発した光は、そのピッチ
が２５０μｍの平板マイクロレンズ２により集光され光
ファイバ３に入射するようになっている。なお、半導体
レーザアレイ１の駆動電流はキャリア４を介して行われ
る。
する。図５は、半導体レーザ（ＬＤ）アレイモジュール
の一例の構成を示す斜視図である。即ち、テープファイ
バ３の先端には半導体レーザアレイ１が取りつけられ、
平板マイクロレンズ２を介してキャリア４に接続され
る。半導体レーザアレイ１から発した光は、そのピッチ
が２５０μｍの平板マイクロレンズ２により集光され光
ファイバ３に入射するようになっている。なお、半導体
レーザアレイ１の駆動電流はキャリア４を介して行われ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように構成された
半導体レーザ（ＬＤ）アレイモジュールにおいては、次
のような問題点がある。平板マイクロレンズはその製
法上開口数（ＮＡ）を大きくとれないため、半導体レー
ザ（ＬＤ）の開口数（ＮＡ）より小さくなり、半導体レ
ーザ（ＬＤ）より発する光を全て集光することができな
い。その結果、光ファイバとの高効率結合が困難であ
り、トップデータでも約６ｄＢ（ＬＤ→ファイバ間）の
低い結合損失となっている。平板マイクロレンズはド
ーパントの拡散によりレンズ効果を持たせるため収差が
大きく、高い結合効率を得ることは困難となる。
半導体レーザ（ＬＤ）アレイモジュールにおいては、次
のような問題点がある。平板マイクロレンズはその製
法上開口数（ＮＡ）を大きくとれないため、半導体レー
ザ（ＬＤ）の開口数（ＮＡ）より小さくなり、半導体レ
ーザ（ＬＤ）より発する光を全て集光することができな
い。その結果、光ファイバとの高効率結合が困難であ
り、トップデータでも約６ｄＢ（ＬＤ→ファイバ間）の
低い結合損失となっている。平板マイクロレンズはド
ーパントの拡散によりレンズ効果を持たせるため収差が
大きく、高い結合効率を得ることは困難となる。
【０００４】この発明の目的は、上述した従来技術の欠
点を解消し、結合効率を大幅に増加させることができる
新規な半導体レーザ（ＬＤ）アレイモジュールを提供す
ることにある。
点を解消し、結合効率を大幅に増加させることができる
新規な半導体レーザ（ＬＤ）アレイモジュールを提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、垂直な方位
が＜１，０，０＞であるＳｉ基板上にバッファ層および
コア層を形成し、上記コア層を矩形状に反応性イオンエ
ッチング法によりエッチングし、この上に火炎堆積法に
よりクラッド層を形成して燒結することにより導波路を
得る工程、上記導波路上にＷＳｉ膜をスパッタ法により
形成する工程、上記ＷＳｉ膜上にフォトレジストを塗布
しマスクを用いて露光させ、ＷＳｉ層を反応性イオンエ
ッチング法によりエッチングする工程、上記ＷＳｉ層の
下地のガラス導波路を反応性イオンエッチング法により
エッチングして端部の導波路に凸部を形成する工程、ウ
エットエッチング法によりエッチングして端部のクラッ
ド層の長手方向に切り込まれた突出部を形成する工程、
上記クラッド層の突出部を放電加工により加熱して表面
張力により表面が滑らかなレンズ状とする工程とからな
るレンズ機能付きガラス導波路の製造方法である。ま
た、この発明は、基板面に垂直な方位が＜１，０，０＞
であるＳｉ基板上に形成された石英系ガラスより構成さ
れ、矩形状あるいは円形状のコアの周囲をコアより低い
屈折率を持つクラッドガラスで埋め込まれたガラス導波
路を上記Ｓｉ基板上に形成し、上記導波路のコアを中心
としてコアの数倍程度の幅となるように導波路ガラスの
端部に凸状のコアクラッドを得、さらに放電等による熱
源にて凸状の先端を滑らかにレンズ状したことを特徴と
するレンズ機能付きガラス導波路である。そして、上記
レンズ機能付きガラス導波路と半導体レーザ（ＬＤ）ア
レイを光学的に結合させた半導体レーザ（ＬＤ）アレイ
モジュールである。
が＜１，０，０＞であるＳｉ基板上にバッファ層および
コア層を形成し、上記コア層を矩形状に反応性イオンエ
ッチング法によりエッチングし、この上に火炎堆積法に
よりクラッド層を形成して燒結することにより導波路を
得る工程、上記導波路上にＷＳｉ膜をスパッタ法により
形成する工程、上記ＷＳｉ膜上にフォトレジストを塗布
しマスクを用いて露光させ、ＷＳｉ層を反応性イオンエ
ッチング法によりエッチングする工程、上記ＷＳｉ層の
下地のガラス導波路を反応性イオンエッチング法により
エッチングして端部の導波路に凸部を形成する工程、ウ
エットエッチング法によりエッチングして端部のクラッ
ド層の長手方向に切り込まれた突出部を形成する工程、
上記クラッド層の突出部を放電加工により加熱して表面
張力により表面が滑らかなレンズ状とする工程とからな
るレンズ機能付きガラス導波路の製造方法である。ま
た、この発明は、基板面に垂直な方位が＜１，０，０＞
であるＳｉ基板上に形成された石英系ガラスより構成さ
れ、矩形状あるいは円形状のコアの周囲をコアより低い
屈折率を持つクラッドガラスで埋め込まれたガラス導波
路を上記Ｓｉ基板上に形成し、上記導波路のコアを中心
としてコアの数倍程度の幅となるように導波路ガラスの
端部に凸状のコアクラッドを得、さらに放電等による熱
源にて凸状の先端を滑らかにレンズ状したことを特徴と
するレンズ機能付きガラス導波路である。そして、上記
レンズ機能付きガラス導波路と半導体レーザ（ＬＤ）ア
レイを光学的に結合させた半導体レーザ（ＬＤ）アレイ
モジュールである。
【０００６】
【作用】フォトリソグラフィの技術により高精度にガラ
ス導波路を形成させ、その端部を所望の形状にエチッン
グした突出部を形成し、その突出部の先端に放電加工に
より熱を加えることでガラス導波路先端をレンズ形状の
球面加工を施し、これによりレンズ作用を行わせて結合
効率を大幅に向上させることができる。
ス導波路を形成させ、その端部を所望の形状にエチッン
グした突出部を形成し、その突出部の先端に放電加工に
より熱を加えることでガラス導波路先端をレンズ形状の
球面加工を施し、これによりレンズ作用を行わせて結合
効率を大幅に向上させることができる。
【０００７】
【実施例】以下、図面に基づいてこの発明の実施例を説
明する。図１はこの発明の半導体レーザ（ＬＤ）モジュ
ール結合部の構成を示す拡大斜視図である。即ち、面方
位＜１，０，０＞のＳｉ基板２１上にガラス導波路アレ
イ２２が形成されており、その導波路端面は滑らかなレ
ンズ状の凸状に加工されている。これにより、導波路の
等価的な開口数（ＮＡ）を大きくし、ＬＤアレイ２３と
の開口数（ＮＡ）とを整合させている。このため、ガラ
ス導波路アレイ２２とＬＤアレイ２３を高効率で結合で
きるようになっている。
明する。図１はこの発明の半導体レーザ（ＬＤ）モジュ
ール結合部の構成を示す拡大斜視図である。即ち、面方
位＜１，０，０＞のＳｉ基板２１上にガラス導波路アレ
イ２２が形成されており、その導波路端面は滑らかなレ
ンズ状の凸状に加工されている。これにより、導波路の
等価的な開口数（ＮＡ）を大きくし、ＬＤアレイ２３と
の開口数（ＮＡ）とを整合させている。このため、ガラ
ス導波路アレイ２２とＬＤアレイ２３を高効率で結合で
きるようになっている。
【０００８】図１のａ−ａ´線に沿った断面を図２に示
す。即ち、ガラス導波路アレイ２２は面方位＜１，０，
０＞のＳｉ基板２１上に約２０μｍのバッファ層２６が
形成され、この上に約８μｍの矩形状のコア２７が形成
され、その周囲をクラッド２８により埋め込まれた構成
となっている。
す。即ち、ガラス導波路アレイ２２は面方位＜１，０，
０＞のＳｉ基板２１上に約２０μｍのバッファ層２６が
形成され、この上に約８μｍの矩形状のコア２７が形成
され、その周囲をクラッド２８により埋め込まれた構成
となっている。
【０００９】一般に、ＬＤアレイモジュールは組み立て
る部品の寸法精度により、各アレイポートの光出力に大
きなばらつきが生じ問題となる。しかし、この発明にお
いてはガラス導波路アレイ２２およびＬＤアレイ２３は
フォトリソグラフィ技術を用いた微細加工技術により各
導波路のピッチ，ＬＤのピッチをサブミクロン以下の高
精度に加工することができるため、ばらつきも小さくす
ることができる。
る部品の寸法精度により、各アレイポートの光出力に大
きなばらつきが生じ問題となる。しかし、この発明にお
いてはガラス導波路アレイ２２およびＬＤアレイ２３は
フォトリソグラフィ技術を用いた微細加工技術により各
導波路のピッチ，ＬＤのピッチをサブミクロン以下の高
精度に加工することができるため、ばらつきも小さくす
ることができる。
【００１０】図３は、この発明の実施例のＬＤアレイモ
ジュールの外観図である。ＬＤアレイ２３の左側にファ
イバアレイ２４を光学的に結合させ、さらにＬＤアレイ
２３の部分は気密用蓋２５によりシールする。このこと
により高信頼性のＬＤアレイモジュールが実現可能とな
る。全ての部品はＳｉにより構成されており、そのた
め、各部品の熱膨張率が同じであり、温度に対して光出
力が安定なＬＤアレイモジュールを実現することができ
る。
ジュールの外観図である。ＬＤアレイ２３の左側にファ
イバアレイ２４を光学的に結合させ、さらにＬＤアレイ
２３の部分は気密用蓋２５によりシールする。このこと
により高信頼性のＬＤアレイモジュールが実現可能とな
る。全ての部品はＳｉにより構成されており、そのた
め、各部品の熱膨張率が同じであり、温度に対して光出
力が安定なＬＤアレイモジュールを実現することができ
る。
【００１１】次に、図４に基づいてレンズ機能を有する
導波路の製作方法を説明する。この図において、左側の
（１ａ）〜（７ａ）は全て上視図、右側の（１ｂ）〜
（７ｂ）がその断面図である。まず、面方位＜１，０，
０＞のＳｉ基板２１上にバッファ層２６およびコア層２
７ａを形成し、このコア層２７ａを矩形状にエッチング
してコア２７を形成するするのである。このエッチング
方法としては、反応性イオンエッチング法を用いる。こ
れにより、高精度なエッチングが可能となる。そして、
この上に火炎堆積法によりクラッド層２８を形成し、燒
結することにより所望のガラス導波路を得る。〔図４
（１ａ），（１ｂ）参照〕
導波路の製作方法を説明する。この図において、左側の
（１ａ）〜（７ａ）は全て上視図、右側の（１ｂ）〜
（７ｂ）がその断面図である。まず、面方位＜１，０，
０＞のＳｉ基板２１上にバッファ層２６およびコア層２
７ａを形成し、このコア層２７ａを矩形状にエッチング
してコア２７を形成するするのである。このエッチング
方法としては、反応性イオンエッチング法を用いる。こ
れにより、高精度なエッチングが可能となる。そして、
この上に火炎堆積法によりクラッド層２８を形成し、燒
結することにより所望のガラス導波路を得る。〔図４
（１ａ），（１ｂ）参照〕
【００１２】次に、ガラス導波路の上面にＷＳｉ膜２９
をスパッタ法により形成する。〔図４（２ａ），（２
ｂ）参照〕
をスパッタ法により形成する。〔図４（２ａ），（２
ｂ）参照〕
【００１３】続いて、上記ＷＳｉ膜２９上にフォトレジ
スト３０を一面に塗布し、端部が凹凸状のマスクを用い
てコア２７に凸部になるように位置合わせしてこれを露
光し、このフォトレジスト３０と共に下地のＷＳｉ層２
９をエッチングする。このエッチング法としては、ＮＦ
3 等をエッチャントとする反応性イオンエッチング法を
用いる。〔図４（３ａ），（３ｂ）参照〕
スト３０を一面に塗布し、端部が凹凸状のマスクを用い
てコア２７に凸部になるように位置合わせしてこれを露
光し、このフォトレジスト３０と共に下地のＷＳｉ層２
９をエッチングする。このエッチング法としては、ＮＦ
3 等をエッチャントとする反応性イオンエッチング法を
用いる。〔図４（３ａ），（３ｂ）参照〕
【００１４】次に、ＷＳｉ層２９を基に下地のガラス導
波路（コア層２７ａおよびクラッド層２８）をエッチン
グする。この場合、ＣＦ4 ，Ｈ2 の混合ガスをエッチャ
ントとする反応性イオンエッチング法を用いる。〔図４
（４ａ），（４ｂ）参照〕
波路（コア層２７ａおよびクラッド層２８）をエッチン
グする。この場合、ＣＦ4 ，Ｈ2 の混合ガスをエッチャ
ントとする反応性イオンエッチング法を用いる。〔図４
（４ａ），（４ｂ）参照〕
【００１５】続いて、ＷＳｉ層２９をエッチングする。
エッチャントはＮＦ3 を用いる。これによりＳｉ基板２
１上のガラス導波路の端部は凹凸形状に形成され、凸状
のコア２７ａを含むガラス導波路の突起部が３１が形成
される。〔図４（５ａ），（５ｂ）参照〕
エッチャントはＮＦ3 を用いる。これによりＳｉ基板２
１上のガラス導波路の端部は凹凸形状に形成され、凸状
のコア２７ａを含むガラス導波路の突起部が３１が形成
される。〔図４（５ａ），（５ｂ）参照〕
【００１６】次に、ＫＯＨ等を用いたウエットエッチン
グにより、Ｓｉ基板２１のガラス導波路端部側（図では
右側）を約１００μｍエッチングする。これによりガラ
ス導波路のコア２７の先端の突出部３１はＳｉ基板２１
が切り込まれ、完全に空間的に突出した状態になる。
〔図４（６ａ），（６ｂ）参照〕
グにより、Ｓｉ基板２１のガラス導波路端部側（図では
右側）を約１００μｍエッチングする。これによりガラ
ス導波路のコア２７の先端の突出部３１はＳｉ基板２１
が切り込まれ、完全に空間的に突出した状態になる。
〔図４（６ａ），（６ｂ）参照〕
【００１７】最後に、放電加工により突出部３１のガラ
ス導波路端面を２０００度に加熱し、突出部３１のコア
層２７ｂは溶融して表面張力により表面が滑らかなレン
ズ状の凸部を形成する。この凸部３１が高精度のレンズ
の機能を果たし、光ファイバアレイを高結合効率でＬＤ
モジュールに結合させることができるようになる。〔図
４（７ａ），（７ｂ）参照〕
ス導波路端面を２０００度に加熱し、突出部３１のコア
層２７ｂは溶融して表面張力により表面が滑らかなレン
ズ状の凸部を形成する。この凸部３１が高精度のレンズ
の機能を果たし、光ファイバアレイを高結合効率でＬＤ
モジュールに結合させることができるようになる。〔図
４（７ａ），（７ｂ）参照〕
【００１８】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明のレンズ
機能付きガラス導波路の製造方法によれば、フォトリソ
グラフィの技術によりガラス導波路を形成させ、その端
部を所望の形状にエチッングした突出部を形成し、その
突出部の先端に放電加工により熱を加えることでガラス
導波路先端をレンズ形状の球面加工を施し、これにより
レンズ作用を行わせるレンズ機能付きガラス導波路が高
精度に作成することができる。従って、レンズ機能付き
ガラス導波路と半導体レーザアレイ（ＬＤ）との結合効
率を大幅に向上させることができ、高性能なＬＤアレイ
モジュールが実現可能となる。また、光ファイバ間の光
出力のばらつきの小さなＬＤアレイモジュールが実現で
きる。そして、全ての部品がＳｉで形成されているた
め、温度に対して光出力が安定なＬＤアレイモジュール
が実現できる。さらに、比較的に製造が容易であり、製
品の品質が安定している。
機能付きガラス導波路の製造方法によれば、フォトリソ
グラフィの技術によりガラス導波路を形成させ、その端
部を所望の形状にエチッングした突出部を形成し、その
突出部の先端に放電加工により熱を加えることでガラス
導波路先端をレンズ形状の球面加工を施し、これにより
レンズ作用を行わせるレンズ機能付きガラス導波路が高
精度に作成することができる。従って、レンズ機能付き
ガラス導波路と半導体レーザアレイ（ＬＤ）との結合効
率を大幅に向上させることができ、高性能なＬＤアレイ
モジュールが実現可能となる。また、光ファイバ間の光
出力のばらつきの小さなＬＤアレイモジュールが実現で
きる。そして、全ての部品がＳｉで形成されているた
め、温度に対して光出力が安定なＬＤアレイモジュール
が実現できる。さらに、比較的に製造が容易であり、製
品の品質が安定している。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例のＬＤアレイモジュール結合
部の構成を示す斜視図、
部の構成を示す斜視図、
【図２】図１のａ−ａ´線に沿った断面図、
【図３】この発明の実施例のＬＤアレイモジュールの外
観図、
観図、
【図４】（１ａ）〜（７ａ）および（１ｂ）〜（７ｂ）
は、レンズ機能を有する導波路の製作方法を説明するた
めの工程を示す上視図および断面図、
は、レンズ機能を有する導波路の製作方法を説明するた
めの工程を示す上視図および断面図、
【図５】ＬＤアレイモジュールの一例を示す斜視図であ
る。
る。
２１ Ｓｉ基板 ２２ ガラス導波路アレイ ２３ ＬＤアレイ ２４ ファイバアレイ ２５ 気密用蓋 ２６ バッファ層 ２７ コア ２７ａ コア層 ２８ クラッド層 ２９ ＷＳｉ層 ３０ フォトレジスト層 ３１ 突出部
Claims (3)
- 【請求項１】 垂直な方位が＜１，０，０＞であるＳｉ
基板上にバッファ層およびコア層を形成し、上記コア層
を矩形状に反応性イオンエッチング法によりエッチング
し、この上に火炎堆積法によりクラッド層を形成して燒
結することにより導波路を得る工程、上記導波路上にＷ
Ｓｉ膜をスパッタ法により形成する工程、上記ＷＳｉ膜
上にフォトレジストを塗布しマスクを用いて露光させ、
ＷＳｉ層を反応性イオンエッチング法によりエッチング
する工程、上記ＷＳｉ層の下地のガラス導波路を反応性
イオンエッチング法によりエッチングして端部の導波路
に凸部を形成する工程、ウエットエッチング法によりエ
ッチングして端部のクラッド層の長手方向に切り込まれ
た突出部を形成する工程、上記クラッド層の突出部を放
電加工により加熱して表面張力により表面が滑らかなレ
ンズ状とする工程とからなるレンズ機能付きガラス導波
路の製造方法。 - 【請求項２】 基板面に垂直な方位が＜１，０，０＞で
あるＳｉ基板上に形成された石英系ガラスより構成さ
れ、矩形状あるいは円形状のコアの周囲をコアより低い
屈折率を持つクラッドガラスで埋め込まれたガラス導波
路を上記Ｓｉ基板上に形成し、上記導波路のコアを中心
としてコアの数倍程度の幅となるように導波路ガラスの
端部に凸状のコアクラッドを得、さらに放電等による熱
源にて凸状の先端を滑らかにレンズ状したことを特徴と
するレンズ機能付きガラス導波路。 - 【請求項３】 請求項２記載のレンズ機能付きガラス導
波路数本をそれぞれ平行に配置したアレイ導波路を用
い、それにガラス導波路のピッチと同じ半導体レーザ
（ＬＤ）アレイを光学的に結合させ、かつ、半導体レー
ザ（ＬＤ）アレイと反対側の導波路に光ファイバアレイ
を光学的に結合させたことを特徴とする半導体レーザ
（ＬＤ）アレイモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34091792A JPH06167627A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | レンズ機能付きガラス導波路の製造方法およびそれを用いたｌｄアレイモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34091792A JPH06167627A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | レンズ機能付きガラス導波路の製造方法およびそれを用いたｌｄアレイモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167627A true JPH06167627A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18341495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34091792A Pending JPH06167627A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | レンズ機能付きガラス導波路の製造方法およびそれを用いたｌｄアレイモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06167627A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09292539A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Nec Corp | 導波路形コリメータ |
| EP0774684A3 (en) * | 1995-11-16 | 1998-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US5960259A (en) * | 1995-11-16 | 1999-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US20110110622A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-05-12 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated optical module |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP34091792A patent/JPH06167627A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0774684A3 (en) * | 1995-11-16 | 1998-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US5835650A (en) * | 1995-11-16 | 1998-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US5960259A (en) * | 1995-11-16 | 1999-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US6067393A (en) * | 1995-11-16 | 2000-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US6069904A (en) * | 1995-11-16 | 2000-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US6298075B1 (en) | 1995-11-16 | 2001-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US6590915B1 (en) | 1995-11-16 | 2003-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| US7133428B2 (en) | 1995-11-16 | 2006-11-07 | Mmatsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical apparatus and method for producing the same |
| JPH09292539A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Nec Corp | 導波路形コリメータ |
| US20110110622A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-05-12 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated optical module |
| US8503843B2 (en) * | 2009-11-10 | 2013-08-06 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated optical module |
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