JPH06163469A - 半導体のエッチング方法および該エッチング方法を用いた光検知素子の製造方法 - Google Patents
半導体のエッチング方法および該エッチング方法を用いた光検知素子の製造方法Info
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- JPH06163469A JPH06163469A JP4311866A JP31186692A JPH06163469A JP H06163469 A JPH06163469 A JP H06163469A JP 4311866 A JP4311866 A JP 4311866A JP 31186692 A JP31186692 A JP 31186692A JP H06163469 A JPH06163469 A JP H06163469A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板のエッチングに関し、ガスプラズ
マの状態が変動した場合でも所定の深さに精度良くガス
エッチングが可能な半導体基板のエッチング方法の提供
を目的とする。 【構成】 半導体基板11上に該基板と組成の異なる半導
体層12を形成し、該半導体層12上より半導体基板11の方
向に沿ってドライエッチングすると共に、該半導体基板
11を設置するエッチング室21内のプラズマ状のガス中に
含まれる元素の濃度を検知し、前記半導体層12と半導体
基板11の境界面13迄エッチングされた時点で、エッチン
グ室21のプラズマ状のガス中に含まれる元素の濃度が変
動する点を検知してエッチングの終点とすることで構成
する。
マの状態が変動した場合でも所定の深さに精度良くガス
エッチングが可能な半導体基板のエッチング方法の提供
を目的とする。 【構成】 半導体基板11上に該基板と組成の異なる半導
体層12を形成し、該半導体層12上より半導体基板11の方
向に沿ってドライエッチングすると共に、該半導体基板
11を設置するエッチング室21内のプラズマ状のガス中に
含まれる元素の濃度を検知し、前記半導体層12と半導体
基板11の境界面13迄エッチングされた時点で、エッチン
グ室21のプラズマ状のガス中に含まれる元素の濃度が変
動する点を検知してエッチングの終点とすることで構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に形成された化合
物半導体層、或いは化合物半導体基板のエッチング方法
に係り、特に化合物半導体層、或いは化合物半導体基板
に光検知素子を一次元、或いは二次元的に形成する際の
素子間分離溝を形成するためのエッチング方法に関す
る。
物半導体層、或いは化合物半導体基板のエッチング方法
に係り、特に化合物半導体層、或いは化合物半導体基板
に光検知素子を一次元、或いは二次元的に形成する際の
素子間分離溝を形成するためのエッチング方法に関す
る。
【０００２】水銀・カドミウム・テルル（HgCdTe）のよ
うな化合物半導体基板に赤外線検知素子を一次元的に、
或いは二次元的に配設する場合、各々の素子間を素子分
離するための素子分離溝が必要となる。
うな化合物半導体基板に赤外線検知素子を一次元的に、
或いは二次元的に配設する場合、各々の素子間を素子分
離するための素子分離溝が必要となる。
【０００３】
【従来の技術】このような素子間分離溝は、ドライエッ
チング方法等を用いて形成されており、このようなドラ
イエッチング方法として、特開昭55-85674号ではドライ
エッチング装置に於いて、ダミー基板を用いてエッチン
グ時間に対するエッチング量を予め検知し、この検知し
た情報を基にしてエッチングすべき所定の半導体基板を
所定の深さにエッチングする方法がある。
チング方法等を用いて形成されており、このようなドラ
イエッチング方法として、特開昭55-85674号ではドライ
エッチング装置に於いて、ダミー基板を用いてエッチン
グ時間に対するエッチング量を予め検知し、この検知し
た情報を基にしてエッチングすべき所定の半導体基板を
所定の深さにエッチングする方法がある。
【０００４】或いは、その他の方法として、特開昭61-1
15326 号に開示され、図３に示すように、所定のパター
ンで不純物原子を半導体基板１の表面より、絶縁膜２を
マスクとして該基板のエッチングすべき所定の深さｄま
で導入し、半導体基板１を表面よりガスエッチングする
とともに、エッチングされたガスに含有される元素を検
出する。
15326 号に開示され、図３に示すように、所定のパター
ンで不純物原子を半導体基板１の表面より、絶縁膜２を
マスクとして該基板のエッチングすべき所定の深さｄま
で導入し、半導体基板１を表面よりガスエッチングする
とともに、エッチングされたガスに含有される元素を検
出する。
【０００５】そして半導体基板１を表面よりエッチング
すべき所定の深さ迄エッチングすると、前記半導体基板
１の表面より導入した不純物原子が検出されなくなるの
で、その点をエッチングの終点にする方法が採られてい
る。
すべき所定の深さ迄エッチングすると、前記半導体基板
１の表面より導入した不純物原子が検出されなくなるの
で、その点をエッチングの終点にする方法が採られてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】然し、前記した第１の
方法では、エッチング雰囲気であるガスプラズマを、ダ
ミー基板をエッチングする場合と、所定の良品の基板を
エッチングする場合とで同一状態に保つ必要があり、こ
のガスプラズマは、プラズマエッチングガスの濃度、プ
ラズマエッチングに用いる高周波電力等により影響を受
けやすく一定に保つのは困難で、再現性に乏しい難点が
ある。
方法では、エッチング雰囲気であるガスプラズマを、ダ
ミー基板をエッチングする場合と、所定の良品の基板を
エッチングする場合とで同一状態に保つ必要があり、こ
のガスプラズマは、プラズマエッチングガスの濃度、プ
ラズマエッチングに用いる高周波電力等により影響を受
けやすく一定に保つのは困難で、再現性に乏しい難点が
ある。
【０００７】また第２の方法は、エッチングの終点を検
知するための不純物原子を、エッチングすべき半導体基
板に導入する必要があり、エッチングの過程で、この導
入した不純物原子が蒸発してエッチング容器内に充満
し、エッチングすべき半導体基板が汚染される恐れがあ
る。
知するための不純物原子を、エッチングすべき半導体基
板に導入する必要があり、エッチングの過程で、この導
入した不純物原子が蒸発してエッチング容器内に充満
し、エッチングすべき半導体基板が汚染される恐れがあ
る。
【０００８】本発明は上記した問題点を解決し、エッチ
ング雰囲気であるガスプラズマの形成条件、つまりガス
プラズマを形成するエッチングガス濃度、或いは高周波
電力に余裕を持たせ、かつ不純物原子の導入等を必要と
せず、またその導入した不純物原子によりエッチングす
べき半導体基板が汚染されないようにした半導体のエッ
チング方法の提供を目的とするものである。
ング雰囲気であるガスプラズマの形成条件、つまりガス
プラズマを形成するエッチングガス濃度、或いは高周波
電力に余裕を持たせ、かつ不純物原子の導入等を必要と
せず、またその導入した不純物原子によりエッチングす
べき半導体基板が汚染されないようにした半導体のエッ
チング方法の提供を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板のエ
ッチング方法は、請求項１に示すように、半導体基板上
に該基板と組成の異なる半導体層を形成し、該半導体層
上より半導体基板の方向に沿ってドライエッチングする
と共に、該半導体基板を設置するエッチング室内のプラ
ズマ状のガス中に含まれる元素の濃度を検知し、前記半
導体層と半導体基板の境界面迄エッチングされた時点
で、エッチング室のプラズマ状のガス中に含まれる元素
の濃度が変動する点をエッチングの終点とすることを特
徴とする。
ッチング方法は、請求項１に示すように、半導体基板上
に該基板と組成の異なる半導体層を形成し、該半導体層
上より半導体基板の方向に沿ってドライエッチングする
と共に、該半導体基板を設置するエッチング室内のプラ
ズマ状のガス中に含まれる元素の濃度を検知し、前記半
導体層と半導体基板の境界面迄エッチングされた時点
で、エッチング室のプラズマ状のガス中に含まれる元素
の濃度が変動する点をエッチングの終点とすることを特
徴とする。
【００１０】また請求項２に示すように、含有される元
素の組成が連続的に変動する半導体層で形成した半導体
基板の表面より底面側に沿ってドライエッチングすると
共に、前記半導体基板を設置するエッチング室内のガス
に含まれる元素の濃度を検知し、前記検知されたエッチ
ング室内のガスに含まれる元素の濃度比が、連続的に組
成が変動する半導体層の所定層と、合致する層を検知し
て半導体基板の表面からのエッチング深さを検知するこ
とを特徴とする。
素の組成が連続的に変動する半導体層で形成した半導体
基板の表面より底面側に沿ってドライエッチングすると
共に、前記半導体基板を設置するエッチング室内のガス
に含まれる元素の濃度を検知し、前記検知されたエッチ
ング室内のガスに含まれる元素の濃度比が、連続的に組
成が変動する半導体層の所定層と、合致する層を検知し
て半導体基板の表面からのエッチング深さを検知するこ
とを特徴とする。
【００１１】また請求項３に示すように、前記請求項
１、或いは２に記載の半導体基板が、鉛・錫・テルル、
水銀・カドミウム・テルル、或いは水銀・亜鉛・テルル
の三元化合物半導体であることを特徴とする。
１、或いは２に記載の半導体基板が、鉛・錫・テルル、
水銀・カドミウム・テルル、或いは水銀・亜鉛・テルル
の三元化合物半導体であることを特徴とする。
【００１２】また本発明の光検知素子の製造方法は、前
記した請求項１、或いは２に記載のエッチング方法を用
いて、半導体基板に素子間分離溝を形成する工程を有す
ることを特徴とする。
記した請求項１、或いは２に記載のエッチング方法を用
いて、半導体基板に素子間分離溝を形成する工程を有す
ることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明のエッチング方法は、半導体基板、或い
は基板上に形成した半導体層の組成比を、半導体基板、
或いは半導体層を構成する各元素の発光強度比で検知し
ている。
は基板上に形成した半導体層の組成比を、半導体基板、
或いは半導体層を構成する各元素の発光強度比で検知し
ている。
【００１４】図1(b)に示すように、Hg1-x Cdx Te(x＝0.
3)基板11上にHg1-x Cdx Te(x＝0.2)層12をエッチングす
べき深さと同様な厚さで成長し、該Hg1-x Cdx Te(x＝0.
2)層12の表面より深さ方向に沿って塩素ガスプラズマを
用いてドライエッチングする。そしてこのHg1-x Cdx Te
(x＝0.3)基板11を設置する図1(a)に示すエッチング室21
内のガス中に含有される各元素の元素濃度を、該エッチ
ング室21に光透過窓23を介して設置した発光分光分析器
22で検知する。
3)基板11上にHg1-x Cdx Te(x＝0.2)層12をエッチングす
べき深さと同様な厚さで成長し、該Hg1-x Cdx Te(x＝0.
2)層12の表面より深さ方向に沿って塩素ガスプラズマを
用いてドライエッチングする。そしてこのHg1-x Cdx Te
(x＝0.3)基板11を設置する図1(a)に示すエッチング室21
内のガス中に含有される各元素の元素濃度を、該エッチ
ング室21に光透過窓23を介して設置した発光分光分析器
22で検知する。
【００１５】そしてこのドライエッチングの深さが、Hg
1-x Cdx Te(x＝0.3)基板11と、Hg1- x Cdx Te(x＝0.2)層
12の境界面13に到達すると、水銀、カドミウムの各元素
の発光強度比が変化し、それを検出することでエッチン
グの終点を検知することができる。
1-x Cdx Te(x＝0.3)基板11と、Hg1- x Cdx Te(x＝0.2)層
12の境界面13に到達すると、水銀、カドミウムの各元素
の発光強度比が変化し、それを検出することでエッチン
グの終点を検知することができる。
【００１６】また図1(c)では、基板の深さ方向に沿って
x 値が0.2 、0.25、0.3 のように順次変動したHg1-x Cd
x Te層12,12A,12Bより成るHg1-x Cdx Te基板15を形成
し、このHg1-x Cdx Te基板15をドライエッチングする過
程で水銀、カドミウムの各元素の発光強度比が変化し、
それを検出することで、各水銀、カドミウムの各元素の
濃度比が判るので、組成比(x値) が判明し、この値によ
って基板表面よりエッチングされた深さの寸法が検知可
能となる。
x 値が0.2 、0.25、0.3 のように順次変動したHg1-x Cd
x Te層12,12A,12Bより成るHg1-x Cdx Te基板15を形成
し、このHg1-x Cdx Te基板15をドライエッチングする過
程で水銀、カドミウムの各元素の発光強度比が変化し、
それを検出することで、各水銀、カドミウムの各元素の
濃度比が判るので、組成比(x値) が判明し、この値によ
って基板表面よりエッチングされた深さの寸法が検知可
能となる。
【００１７】このような方法により、エッチング速度の
異なるガスプラズマの状態でも、所定の寸法の深さにエ
ッチングすることができ、また、この方法では不純物原
子を基板に導入する方法を行っていないことから、不純
物原子による半導体基板の汚染が無くなる。
異なるガスプラズマの状態でも、所定の寸法の深さにエ
ッチングすることができ、また、この方法では不純物原
子を基板に導入する方法を行っていないことから、不純
物原子による半導体基板の汚染が無くなる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図1(a)は本発明の方法に用いる装置の説
明図、図1(b)は本発明の第１実施例に用いる半導体基板
の断面図、図1(c)は本発明の第２実施例に用いる半導体
基板の断面図である。
細に説明する。図1(a)は本発明の方法に用いる装置の説
明図、図1(b)は本発明の第１実施例に用いる半導体基板
の断面図、図1(c)は本発明の第２実施例に用いる半導体
基板の断面図である。
【００１９】〔第１実施例〕図1(a)に示すドライエッチ
ング装置のエッチング室21内の基板設置台24上に、図1
(b)に示すHg1-x Cdx Te基板11を設置する。この基板は
図示するように、x 値が0.3 のHg1-x Cdx Te基板11上
に、エッチングされるべき深さに等しい厚さを有する x
値が0.2 のHg1-x Cdx Te層12が気相成長法等を用いて形
成されている。
ング装置のエッチング室21内の基板設置台24上に、図1
(b)に示すHg1-x Cdx Te基板11を設置する。この基板は
図示するように、x 値が0.3 のHg1-x Cdx Te基板11上
に、エッチングされるべき深さに等しい厚さを有する x
値が0.2 のHg1-x Cdx Te層12が気相成長法等を用いて形
成されている。
【００２０】上記したHg1-x Cdx Te基板11を収容したエ
ッチング室21内を排気した後、該エッチング室21に連な
るプラズマ発生室25にガス導入口26より塩素ガスを導入
する。該プラズマ発生室25に導入された塩素ガスは、該
プラズマ発生室25に連なるマイクロ波発振器27より導入
された2.45GHz のマイクロ波によってプラズマ状とな
り、励磁コイル28により共鳴する。イオン引出し電源29
により、このプラズマ状のガスより塩素ガスイオンをHg
1-x Cdx Te基板11上に引き出して到達させ、該基板をエ
ッチングする。
ッチング室21内を排気した後、該エッチング室21に連な
るプラズマ発生室25にガス導入口26より塩素ガスを導入
する。該プラズマ発生室25に導入された塩素ガスは、該
プラズマ発生室25に連なるマイクロ波発振器27より導入
された2.45GHz のマイクロ波によってプラズマ状とな
り、励磁コイル28により共鳴する。イオン引出し電源29
により、このプラズマ状のガスより塩素ガスイオンをHg
1-x Cdx Te基板11上に引き出して到達させ、該基板をエ
ッチングする。
【００２１】またエッチング室21に石英ガラス等の透明
な光透過窓23を設け、この光透過窓23に対向するように
発光分光分析器22を設置し、エッチング室21内に於ける
プラズマ状のガスより発生する光の波長を発光分光分析
器22で検知することで、プラズマ状のガス内に含有され
る元素の濃度を連続的に検知する。
な光透過窓23を設け、この光透過窓23に対向するように
発光分光分析器22を設置し、エッチング室21内に於ける
プラズマ状のガスより発生する光の波長を発光分光分析
器22で検知することで、プラズマ状のガス内に含有され
る元素の濃度を連続的に検知する。
【００２２】この場合、基板のエッチング工程であるの
で蒸着等と異なり、光透過窓23は曇りを生じることは少
ない。そしてx 値が0.2 のHg1-x Cdx Te層12がエッチン
グされて、x 値が0.3 のHg1-x Cdx Te基板11に到達した
時点で、水銀、カドミウムの各元素量が変動するので、
その点をエッチングの終点にする。
で蒸着等と異なり、光透過窓23は曇りを生じることは少
ない。そしてx 値が0.2 のHg1-x Cdx Te層12がエッチン
グされて、x 値が0.3 のHg1-x Cdx Te基板11に到達した
時点で、水銀、カドミウムの各元素量が変動するので、
その点をエッチングの終点にする。
【００２３】〔第２実施例〕本発明の第２実施例では図
1(c)に示すような、Hg1-x Cdx Te基板15を設置する。こ
のHg1-x Cdx Te基板15は、基板の表面より所定の深さの
寸法に沿って、x 値が0.2 、0.25、0.3 のように連続的
に変化するHg1-x Cdx Te層12,12A,12Bを有する半導体基
板である。
1(c)に示すような、Hg1-x Cdx Te基板15を設置する。こ
のHg1-x Cdx Te基板15は、基板の表面より所定の深さの
寸法に沿って、x 値が0.2 、0.25、0.3 のように連続的
に変化するHg1-x Cdx Te層12,12A,12Bを有する半導体基
板である。
【００２４】そしてこのようにx 値が0.2 、0.25、0.3
のように連続的に変化するHg1-x Cd x Te層12,12A,12Bよ
り成るHg1-x Cdx Te基板15を表面よりエッチングし、エ
ッチング室に含有されるプラズマ状のガスの水銀、カド
ミウムの元素の濃度を連続的に測定すると、水銀、カド
ミウムの元素量が、Hg1-x Cdx Te層12,12A,12Bの所定の
層に合致する点を検知すると、Hg1-x Cdx Te基板15の表
面よりエッチングされたHg1-x Cdx Te層12,12A,12Bの深
さが検知できる。
のように連続的に変化するHg1-x Cd x Te層12,12A,12Bよ
り成るHg1-x Cdx Te基板15を表面よりエッチングし、エ
ッチング室に含有されるプラズマ状のガスの水銀、カド
ミウムの元素の濃度を連続的に測定すると、水銀、カド
ミウムの元素量が、Hg1-x Cdx Te層12,12A,12Bの所定の
層に合致する点を検知すると、Hg1-x Cdx Te基板15の表
面よりエッチングされたHg1-x Cdx Te層12,12A,12Bの深
さが検知できる。
【００２５】図２に本発明の方法を用いて素子分離溝
（深さ５μm ）を形成した二次元赤外線検知素子の製造
工程図を示す。図2(a)に示すように、光検知素子形成に
用いる半導体基板として、HgCdTeの三元化合物半導体基
板を用い、ｐ型のHg1-x Cdx Te(x＝0.3)基板11上に厚さ
が５μm のｐ型のHg1-x Cdx Te層(x＝0.2)12を成長し、
この５μm のｐ型のHg1-x CdxTe層(x＝0.2)12の表面よ
り5 μm の深さまで素子分離溝を形成するものとする。
（深さ５μm ）を形成した二次元赤外線検知素子の製造
工程図を示す。図2(a)に示すように、光検知素子形成に
用いる半導体基板として、HgCdTeの三元化合物半導体基
板を用い、ｐ型のHg1-x Cdx Te(x＝0.3)基板11上に厚さ
が５μm のｐ型のHg1-x Cdx Te層(x＝0.2)12を成長し、
この５μm のｐ型のHg1-x CdxTe層(x＝0.2)12の表面よ
り5 μm の深さまで素子分離溝を形成するものとする。
【００２６】次いで図2(b)に示すように、Hg1-x Cdx Te
層(x＝0.2)12の所定領域にボロン原子をイオン注入して
ｎ+ 層31を形成する。次いで図2(c)に示すように、本発
明の第１実施例の方法を用いてHg1-x Cdx Te層(x＝0.2)
12の表面より、Hg1-x Cdx Te(x＝0.3)基板11の境界面13
迄、塩素ガスプラズマでエッチングし、素子間分離溝32
を形成する。
層(x＝0.2)12の所定領域にボロン原子をイオン注入して
ｎ+ 層31を形成する。次いで図2(c)に示すように、本発
明の第１実施例の方法を用いてHg1-x Cdx Te層(x＝0.2)
12の表面より、Hg1-x Cdx Te(x＝0.3)基板11の境界面13
迄、塩素ガスプラズマでエッチングし、素子間分離溝32
を形成する。
【００２７】次いで図2(d)に示すように、素子間分離溝
32を形成した基板11の表面に硫化亜鉛(ZnS) 膜よりなる
表面保護膜33を蒸着により形成する。次いで図2(e)に示
すように、表面保護膜33の所定位置にコンタクトホール
を形成し、Inより成るｎ+ 層の電極34と、ｐ型層に金の
電極35を形成して光起電力型の赤外線検知装置を形成す
る。
32を形成した基板11の表面に硫化亜鉛(ZnS) 膜よりなる
表面保護膜33を蒸着により形成する。次いで図2(e)に示
すように、表面保護膜33の所定位置にコンタクトホール
を形成し、Inより成るｎ+ 層の電極34と、ｐ型層に金の
電極35を形成して光起電力型の赤外線検知装置を形成す
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
プラズマガスの状態が変動した場合でも所定の深さに半
導体基板をエッチングすることができ、またエッチング
の過程で不純物原子が蒸発しなくなるので、半導体基板
の汚染の恐れが無い状態で素子間分離溝を形成すること
ができるので、高信頼度の赤外線検知装置が形成できる
効果がある。
プラズマガスの状態が変動した場合でも所定の深さに半
導体基板をエッチングすることができ、またエッチング
の過程で不純物原子が蒸発しなくなるので、半導体基板
の汚染の恐れが無い状態で素子間分離溝を形成すること
ができるので、高信頼度の赤外線検知装置が形成できる
効果がある。
【図１】 本発明の方法に用いるエッチング装置の説明
図と半導体基板の説明図である。
図と半導体基板の説明図である。
【図２】 本発明の方法を用いた光検知素子の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】 従来の方法の説明図である。
11,15 Hg1-x Cd x Te基板 12,12A,12B Hg1-x Cdx Te層 13 境界面 21 エッチング室 22 発光分光分析器 23 光透過窓 24 基板設置台 25 プラズマ発生室 26 ガス導入口 27 マイクロ波発振器 28 励磁コイル 29 イオン引出し電源 31 ｎ+ 層 32 素子間分離溝 33 表面保護膜 34,35 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 裕子 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 梶原 信之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板(11)上に該基板と組成の異な
る半導体層(12)を形成し、該半導体層(12)上より半導体
基板(11)の方向に沿ってドライエッチングすると共に、
該半導体基板(11)を設置するエッチング室(21)内のプラ
ズマ状のガス中に含まれる元素の濃度を検知し、前記半
導体層(12)と半導体基板(11)の境界面(13)迄エッチング
された時点で、エッチング室(21)のプラズマ状のガス中
に含まれる元素の濃度が変動する点を検知し、エッチン
グの終点とすることを特徴とする半導体のエッチング方
法。 - 【請求項２】 含有される元素の組成が連続的に変動す
る半導体層(12,12A,12B)より成る半導体基板(15)表面よ
り底面側に沿ってドライエッチングすると共に、前記半
導体基板(15)を設置するエッチング室(21)内のガスに含
まれる元素の濃度を検知し、 前記検知されたエッチング室(21)内のガスに含まれる元
素の濃度比が、連続的に組成が変動する半導体層(12,12
A,12B)の所定層と、合致する層を検知して半導体基板(1
5)の表面からのエッチング深さを検知することを特徴と
する半導体のエッチング方法。 - 【請求項３】 請求項１、或いは２に記載の半導体基板
(15)が、鉛・錫・テルル、水銀・カドミウム・テルル、
或いは水銀・亜鉛・テルルの三元化合物半導体であるこ
とを特徴とする半導体のエッチング方法。 - 【請求項４】 請求項１、或いは２に記載のエッチング
方法を用いて、半導体基板(11)に素子間分離溝(32)を形
成する工程を有することを特徴とする光検知素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311866A JPH06163469A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体のエッチング方法および該エッチング方法を用いた光検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311866A JPH06163469A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体のエッチング方法および該エッチング方法を用いた光検知素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163469A true JPH06163469A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18022364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4311866A Withdrawn JPH06163469A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体のエッチング方法および該エッチング方法を用いた光検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163469A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532306A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ダーハム サイエンティフィック クリスタルズ リミテッド | 半導体デバイス構造及びその製造方法 |
| JP2015504607A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | Ｈｇｃｄｔｅ上に自己配置された、制御されたヘテロ構造を有する赤外線撮像器用ｐ−ｎダイオード |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4311866A patent/JPH06163469A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010532306A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ダーハム サイエンティフィック クリスタルズ リミテッド | 半導体デバイス構造及びその製造方法 |
| JP2015504607A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | Ｈｇｃｄｔｅ上に自己配置された、制御されたヘテロ構造を有する赤外線撮像器用ｐ−ｎダイオード |
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