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JPH06163353A - Projection exposure device - Google Patents

Projection exposure device

Info

Publication number
JPH06163353A
JPH06163353A JP4314838A JP31483892A JPH06163353A JP H06163353 A JPH06163353 A JP H06163353A JP 4314838 A JP4314838 A JP 4314838A JP 31483892 A JP31483892 A JP 31483892A JP H06163353 A JPH06163353 A JP H06163353A
Authority
JP
Japan
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mask
base
substrate
column
force
Prior art date
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Granted
Application number
JP4314838A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3336441B2 (en
Inventor
Takechika Nishi
健爾 西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP31483892A priority Critical patent/JP3336441B2/en
Publication of JPH06163353A publication Critical patent/JPH06163353A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3336441B2 publication Critical patent/JP3336441B2/en
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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent a supporting part of a stage whereon a wafer or a reticle is mounted from generating tilting or deformation due to reaction of its driving force when the stage is accelerated. CONSTITUTION:Columns 12A, 12B are mounted on a base 1 with vibration proof springs 2A, 2B between, stage systems 4, 5 of a wafer 6 are arranged inside the first column 12A and a stage system 9 of a reticle 11 is arranged on the second column 12B. Force is applied to permanent magnet buried parts 15A, 19A of the columns 12A, 12B from electromagnetic parts 15a, 19A of a fixed column 13 planted on the base 1 by a linear motor method.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば所謂スリットス
キャン露光方式でレチクルのパターンの像をウエハ上に
露光する投影露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus for exposing an image of a reticle pattern onto a wafer by, for example, a so-called slit scan exposure method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をリソグ
ラフィ工程で製造する際に、露光光のもとでフォトマス
ク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)のパタ
ーン像を投影光学系を介して感光基板上に投影する投影
露光装置が使用されている。斯かる投影露光装置におい
ては、レチクル上のより大きいチップパターンの像を感
光基板上に露光する大フィールド化に対する要求が高ま
っている。大フィールド化に対する要求に応えるために
は、レチクル及び感光基板を例えばスリット状又は円弧
状の照明領域に対して同期して走査する所謂スリットス
キャン露光方式が有効である。これにより、レチクル上
のその照明領域よりも広いパターンの像を感光基板上に
露光することができる。
2. Description of the Related Art When a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like is manufactured by a lithography process, a pattern image of a photomask or reticle (hereinafter referred to as "reticle") is exposed under exposure light through a projection optical system. A projection exposure apparatus that projects on a photosensitive substrate is used. In such a projection exposure apparatus, there is an increasing demand for a larger field in which an image of a larger chip pattern on a reticle is exposed on a photosensitive substrate. In order to meet the demand for a large field, a so-called slit scan exposure method in which a reticle and a photosensitive substrate are scanned in synchronization with, for example, a slit-shaped or arc-shaped illumination area is effective. As a result, an image of a pattern wider than the illuminated area on the reticle can be exposed on the photosensitive substrate.

【0003】図4は従来のスリットスキャン露光方式の
投影露光装置を示し、この図4において、ベース1上に
防振ばね2A及び2Bを介してインバー(低膨張率の合
金)よりなる第1コラム3が載置されている。第1コラ
ム3の内部にはYステージ4及びXステージ5が載置さ
れ、Xステージ5上に感光基板としてのウエハ6が保持
されている。また、第1コラム3の上部に鏡筒7が固定
され、鏡筒7の内部に投影光学系PLが収納されてい
る。Yステージ4は、投影光学系PLの光軸に垂直な面
(水平面)内で図4の紙面に垂直な方向にウエハ6の位
置決めを行い、Xステージ5は、水平面内でY軸に垂直
なX方向にウエハ6の位置決めを行う。なお、図示省略
するも、Xステージ5とウエハ6との間には、ウエハ6
を投影光学系PLの光軸方向であるZ方向に位置決めす
るZステージ等も介装されている。
FIG. 4 shows a conventional projection exposure apparatus of the slit scan exposure system. In FIG. 4, a first column made of Invar (alloy having a low expansion coefficient) is mounted on a base 1 via vibration-proof springs 2A and 2B. 3 is placed. A Y stage 4 and an X stage 5 are mounted inside the first column 3, and a wafer 6 as a photosensitive substrate is held on the X stage 5. A lens barrel 7 is fixed to the upper part of the first column 3, and the projection optical system PL is housed inside the lens barrel 7. The Y stage 4 positions the wafer 6 in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 4 in a plane (horizontal plane) perpendicular to the optical axis of the projection optical system PL, and the X stage 5 moves perpendicular to the Y axis in the horizontal plane. The wafer 6 is positioned in the X direction. Although not shown, the wafer 6 is placed between the X stage 5 and the wafer 6.
A Z stage and the like for locating in the Z direction, which is the optical axis direction of the projection optical system PL, is also interposed.

【0004】第1コラム3上にインバーよりなる第2コ
ラム8が固定され、第2コラム8の上部にX方向に摺動
自在なレチクル走査ステージ9が載置され、レチクル走
査ステージ9上に転写用のパターンが形成されたレチク
ル11が保持されている。レチクル11上のパターンは
照明光学系10から射出された露光光ILに照明され、
レチクル11上のパターン像が投影光学系PLを介して
ウエハ6上に投影露光される。この場合、照明光学系1
0によるレチクル11上の照明領域は、例えば矩形のス
リット状であり、その照明領域だけではレチクル11上
の全パターン領域が照明されない。
A second column 8 made of Invar is fixed on the first column 3, a reticle scanning stage 9 slidable in the X direction is placed on the second column 8, and transferred onto the reticle scanning stage 9. The reticle 11 on which a pattern for use is formed is held. The pattern on the reticle 11 is illuminated by the exposure light IL emitted from the illumination optical system 10,
The pattern image on the reticle 11 is projected and exposed on the wafer 6 via the projection optical system PL. In this case, the illumination optical system 1
The illumination area on the reticle 11 by 0 is, for example, a rectangular slit shape, and the entire pattern area on the reticle 11 is not illuminated only by the illumination area.

【0005】そこで、露光時にはレチクル走査ステージ
9を駆動することにより、その照明領域に対して、レチ
クル11をその照明領域の長手方向に垂直な方向である
X方向に一定速度V1で走査する。これに同期して、X
ステージ5を駆動することにより、ウエハ6をその照明
領域内のレチクル像に対して−X方向に一定速度V2で
走査する。投影光学系PLによるレチクル11からウエ
ハ6への投影倍率をβとすると、速度V2はβ・V1で
ある。このようにして、レチクル11及びウエハ5を同
期して走査することにより、レチクル11の全パターン
の像がウエハ6上に投影露光される。その後、Yステー
ジ4及びXステージ5を駆動することにより、ウエハ6
上の次の露光領域が投影光学系PLの露光フィールド内
に移動する。
Therefore, during exposure, by driving the reticle scanning stage 9, the reticle 11 is scanned at a constant speed V1 in the X direction, which is the direction perpendicular to the longitudinal direction of the illumination region. In sync with this, X
By driving the stage 5, the wafer 6 is scanned in the −X direction at a constant speed V2 with respect to the reticle image in the illumination area. If the projection magnification from the reticle 11 to the wafer 6 by the projection optical system PL is β, the velocity V2 is β · V1. In this manner, by synchronously scanning the reticle 11 and the wafer 5, the image of the entire pattern of the reticle 11 is projected and exposed on the wafer 6. Then, by driving the Y stage 4 and the X stage 5, the wafer 6
The next exposure area above moves into the exposure field of the projection optics PL.

【0006】この際に、レチクル走査ステージ9、Yス
テージ4及びXステージ5の駆動により発生する振動は
第1コラム3及び第2コラム8により減衰される。ま
た、ベース1が設置されている床側からの振動は、防振
ばね2A及び2Bにより吸収されて第1コラム3側には
ほとんど伝わらないようになっている。
At this time, the vibration generated by driving the reticle scanning stage 9, the Y stage 4, and the X stage 5 is damped by the first column 3 and the second column 8. Further, vibration from the floor side where the base 1 is installed is absorbed by the vibration-proof springs 2A and 2B and hardly transmitted to the first column 3 side.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
に於いては、レチクル11及びウエハ6をそれぞれ等速
度で走査する必要があり、ステージ静止状態から等速度
走査に達するまでの間、又は等速度走査からステージ静
止状態に達するまでの間は、Xステージ5及びレチクル
走査ステージ9に対してそれぞれを支持している第1コ
ラム3及び第2コラム8から所定の駆動力を与える必要
がある。
In the conventional technique as described above, it is necessary to scan the reticle 11 and the wafer 6 at the same speed, and from the stationary state of the stage to the constant speed scanning, or It is necessary to apply a predetermined driving force from the first column 3 and the second column 8 supporting the X stage 5 and the reticle scanning stage 9, respectively, from the constant velocity scanning to the stage stationary state. .

【0008】例えば図5(a)に示すように、レチクル
走査ステージ9及びXステージ5のの質量をそれぞれM
1及びM2として、レチクル走査ステージ9及びXステ
ージ5に与えた加速度をそれぞれg1及びg2とする
と、レチクル走査ステージ9及びXステージ5に与えた
駆動力はそれぞれM1・g1及びM2・g2で表される
(簡単の為に摩擦による誤差は除く)。それらステージ
がそれぞれ一定の走査速度に達するまでそれら駆動力は
与えられ続ける。この過程で、その反作用によって対応
する第2コラム8及び第1コラム3にもそれぞれ反対方
向の力F1(=−M1・g1)及びF2(=−M2・g
2)が加えられることになり、第1コラム3及び第2コ
ラム8の全体が傾く虞があった。また、図5(b)に示
すように、レチクル走査ステージ9に加速度g3を与え
るために、第2コラム8に力F3が加わるような場合
に、第2コラム8の弱い部分8a及び8bが変形したり
する虞もあった。
For example, as shown in FIG. 5A, the mass of the reticle scanning stage 9 and the mass of the X stage 5 are M respectively.
Assuming that the accelerations given to the reticle scanning stage 9 and the X stage 5 are g1 and g2, respectively, as 1 and M2, the driving forces given to the reticle scanning stage 9 and the X stage 5 are represented by M1.g1 and M2.g2, respectively. (For the sake of simplicity, the error due to friction is excluded). The driving force continues to be applied until the respective stages reach a constant scanning speed. In this process, due to the reaction, the corresponding forces F1 (= -M1 · g1) and F2 (= −M2 · g) are applied to the corresponding second column 8 and first column 3, respectively.
2) will be added, and the entire first column 3 and second column 8 may be tilted. Further, as shown in FIG. 5B, when the force F3 is applied to the second column 8 in order to apply the acceleration g3 to the reticle scanning stage 9, the weak portions 8a and 8b of the second column 8 are deformed. There was also a risk of doing it.

【0009】このように第1コラム3及び第2コラム8
の傾斜や第2コラム8の変形等が発生すると、レチクル
11とウエハ6との相対的位置関係が変化して、レチク
ル11上のパターンをウエハ6上の既に形成されている
回路パターン上に重ねて露光する際の重ね合わせ精度が
悪化するという不都合がある。また、これを防ぐ為に第
1コラム3及び第2コラム8を剛性の高い構造にする
と、それらコラムの設計が困難になると共に、それらコ
ラムが複雑化し且つ大型化するという不都合がある。更
に、各コラムの傾斜や変形による振動が外力となり、レ
チクル11とウエハ6との位置制御性を劣化させるとい
う不都合もあった。
Thus, the first column 3 and the second column 8
If the tilt of the reticle 11 or the deformation of the second column 8 occurs, the relative positional relationship between the reticle 11 and the wafer 6 changes, and the pattern on the reticle 11 is superimposed on the circuit pattern already formed on the wafer 6. There is a disadvantage that the overlay accuracy at the time of exposure is deteriorated. Further, if the first column 3 and the second column 8 are made to have a high rigidity structure in order to prevent this, it is difficult to design the columns, and the columns become complicated and large. Further, there is also a disadvantage that the vibration due to the inclination and deformation of each column becomes an external force, which deteriorates the position controllability between the reticle 11 and the wafer 6.

【0010】本発明は斯かる点に鑑み、ウエハ又はレチ
クルが載置されたステージを加速する際に、その駆動力
の反作用によりそのステージの支持部が逆方向の力を受
けた場合でも、その支持部の傾きや変形が生じないよう
な投影露光装置を提供することを目的とする。
In view of the above point, the present invention, even when the stage supporting a wafer or a reticle is accelerated, even if the supporting portion of the stage receives a force in the opposite direction due to the reaction of its driving force, An object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus in which the support portion does not tilt or deform.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、例えば図1に示す如く、所定形状の照明領域内を
照明する照明光学系(10)と、マスク(11)を保持
してその照明領域に対してマスク(11)を相対的に走
査するマスク走査手段(9)と、マスク走査手段(9)
が載置されたマスクベース(12B)と、その照明領域
内のマスク(11)上のパターンの像を感光基板(6)
上に投影する投影光学系(PL)と、感光基板(6)を
保持してその照明領域の共役像に対して感光基板(6)
を相対的に走査する基板走査手段(5)と、基板走査手
段(5)が載置された基板ベース(12A)とを有し、
その照明領域に対して相対的にマスク(11)及び感光
基板(6)を同期して走査することにより、その照明領
域よりも広いマスク(11)上の領域のパターンの像を
感光基板(6)上に投影する投影露光装置において、基
板ベース(12A)とは独立に配置された固定部材(1
3)に、基板ベース(12A)に対して付勢力を与える
基板ベース付勢手段(15A,17A)を設け、感光基
板(6)をその照明領域の共役像に対して相対走査する
際に基板ベース(12A)に与えられる力と逆方向で大
きさが等しい力を基板ベース付勢手段(15A,17
A)から基板ベース(12A)に与えるようにしたもの
である。
A projection exposure apparatus according to the present invention holds an illumination optical system (10) for illuminating an illumination area having a predetermined shape and a mask (11), as shown in FIG. Mask scanning means (9) for relatively scanning the mask (11) with respect to the illumination area, and mask scanning means (9)
And the mask base (12B) on which is placed, and the image of the pattern on the mask (11) in the illumination area is formed on the photosensitive substrate (6).
The projection optical system (PL) for projecting onto the upper surface and the photosensitive substrate (6) are held, and the photosensitive substrate (6) is attached to the conjugate image of the illuminated area.
A substrate scanning means (5) for relatively scanning the substrate and a substrate base (12A) on which the substrate scanning means (5) is mounted,
By synchronously scanning the mask (11) and the photosensitive substrate (6) relative to the illuminated area, an image of a pattern of an area on the mask (11) wider than the illuminated area is formed on the photosensitive substrate (6). ) In the projection exposure apparatus for projecting onto a fixed member (1) arranged independently of the substrate base (12A).
Substrate base urging means (15A, 17A) for applying an urging force to the substrate base (12A) is provided in 3), and the substrate is used when the photosensitive substrate (6) is relatively scanned with respect to the conjugate image of the illumination area. A force having the same magnitude in the opposite direction to the force applied to the base (12A) is applied to the substrate base urging means (15A, 17).
A) is applied to the substrate base (12A).

【0012】この場合、マスクベース(12B)を基板
ベース(12A)上に載置し、固定部材(14)にマス
クベース(12B)に対して付勢力を与えるマスクベー
ス付勢手段(19A,21A)を設け、マスク(11)
をその照明領域に対して相対走査する際にマスクベース
(12B)に与えられる力と逆方向で大きさが等しい力
をマスクベース付勢手段(19A,21A)からマスク
ベース(12B)に与えるようにすることが望ましい。
In this case, the mask base (12B) is placed on the substrate base (12A), and the mask base urging means (19A, 21A) for applying the urging force to the fixing member (14) with respect to the mask base (12B). ) Is provided and the mask (11)
The mask base urging means (19A, 21A) applies to the mask base (12B) a force having the same magnitude in the opposite direction to the force applied to the mask base (12B) when scanning is performed relative to the illumination area. Is desirable.

【0013】また、基板ベース付勢手段(15A,17
A)及びマスクベース付勢手段(19A,21A)は、
それぞれ非接触で基板ベース(12A)及びマスクベー
ス(12B)に付勢力を与えることが望ましい。非接触
の基板ベース付勢手段(15A,17A)及びマスクベ
ース付勢手段(19A,21A)の一例はリニアモータ
ーである。
The substrate base urging means (15A, 17)
A) and the mask base biasing means (19A, 21A) are
It is desirable to apply a biasing force to the substrate base (12A) and the mask base (12B) in a non-contact manner. An example of the non-contact substrate base urging means (15A, 17A) and the mask base urging means (19A, 21A) is a linear motor.

【0014】[0014]

【作用】斯かる本発明によれば、基板走査手段(5)を
駆動する際に、基板ベース(12A)とは別体の固定部
材(13)の基板ベース付勢手段(15A,17A)よ
り、基板ベース(12A)に与えられる反作用と同じ大
きさで逆方向の力を同期してその基板ベース(12A)
に対して与えているので、その基板ベース(12A)の
傾き又は変形が生じない。従って、マスク(11)の共
役像と感光基板(6)との重ね合わせ精度が向上する。
According to the present invention, when the substrate scanning means (5) is driven, the substrate base urging means (15A, 17A) of the fixing member (13) separate from the substrate base (12A) is used. , The substrate base (12A) with the same magnitude as the reaction given to the substrate base (12A) and the forces in the opposite directions synchronized.
Therefore, the substrate base (12A) is not tilted or deformed. Therefore, the overlay accuracy of the conjugate image of the mask (11) and the photosensitive substrate (6) is improved.

【0015】更に、固定部材(13)にマスクベース
(12B)に対して付勢力を与えるマスクベース付勢手
段(19A,21A)を設けた場合には、マスク走査手
段(9)を駆動する際にマスクベース(12B)に与え
られる反作用と同じ大きさで逆方向の力をマスクベース
(12B)に与えることにより、そのマスクベース(1
2B)の傾き又は変形が生じない。従って、重ね合わせ
精度等がより向上する。
Further, when the fixing member (13) is provided with mask base urging means (19A, 21A) for applying an urging force to the mask base (12B), when the mask scanning means (9) is driven. To the mask base (12B) by applying a reverse force to the mask base (12B) with the same magnitude as the reaction applied to the mask base (12B).
2B) does not tilt or deform. Therefore, the overlay accuracy and the like are further improved.

【0016】また、基板ベース付勢手段(15A,17
A)及びマスクベース付勢手段(19A,21A)が、
それぞれ非接触で基板ベース(12A)及びマスクベー
ス(12B)に付勢力を与える場合には、固定部材(1
3)側の振動等が基板ベース(12A)側に伝わること
がない。特に、それら基板ベース付勢手段(15A,1
7A)及びマスクベース付勢手段(19A,21A)が
リニアモーター方式である場合には、固定部材(13)
から基板ベース(12A)及びマスクベース(12B)
に新たな振動が伝わらない。そして、固定部材(13)
に与えた力によって固定部材(13)に歪みや変形が生
じた場合も、固定部材(13)と基板ベース(12A)
とは独立した防振台等によって支持されている。従っ
て、リニアモーターの電源をオフにすれば、その固定部
材(13)の歪み等の影響が直接基板ベース(12A)
に伝わることがない。
The substrate base urging means (15A, 17)
A) and the mask base urging means (19A, 21A)
When a biasing force is applied to the substrate base (12A) and the mask base (12B) without contacting each other, the fixing member (1
Vibration and the like on the 3) side are not transmitted to the substrate base (12A) side. In particular, those substrate base urging means (15A, 1
7A) and the mask base biasing means (19A, 21A) are of linear motor type, the fixing member (13)
To substrate base (12A) and mask base (12B)
No new vibration is transmitted to. And the fixing member (13)
Even when the fixing member (13) is distorted or deformed by the force applied to the fixing member (13) and the substrate base (12A).
It is supported by an anti-vibration stand etc. Therefore, when the power of the linear motor is turned off, the influence of the distortion of the fixing member (13) directly affects the substrate base (12A).
There is no transmission to.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
につき図1〜図3を参照して説明する。本実施例はスリ
ットスキャン露光方式の投影露光装置に本発明を適用し
たものであり、図1〜図3において図4に対応する部分
には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In this embodiment, the present invention is applied to a slit scan exposure type projection exposure apparatus, and in FIGS. 1 to 3, the portions corresponding to those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0018】図1は本実施例の投影露光装置を示し、こ
の図1において、ベース1の上に防振ばね2A及び2B
を介してインバー(低膨張率の合金)よりなる第1コラ
ム12Aを載置し、第1コラム12A上にインバーより
なる第2コラム12Bを固定する。第1コラム12Aの
内部にはYステージ4及びXステージ5を介してウエハ
6が保持され、第1コラム12Aの上段に鏡筒7を介し
て投影光学系PLが保持されている。また、第2コラム
12Bの上部にレチクル走査ステージ9を介してレチク
ル11が保持されている。本例の照明光学系10もレチ
クル11上のスリット状の照明領域を照明し、レチクル
11をその照明領域に対してX方向に走査するのと同期
して、ウエハ6を−X方向に走査することにより、スリ
ットスキャン露光方式でレチクル11のパターンの像が
ウエハ6上に露光される。
FIG. 1 shows a projection exposure apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, vibration damping springs 2A and 2B are mounted on a base 1.
The first column 12A made of Invar (alloy having a low expansion coefficient) is placed via the above, and the second column 12B made of Invar is fixed on the first column 12A. A wafer 6 is held inside the first column 12A via a Y stage 4 and an X stage 5, and a projection optical system PL is held above the first column 12A via a lens barrel 7. Further, the reticle 11 is held above the second column 12B via the reticle scanning stage 9. The illumination optical system 10 of the present example also illuminates the slit-shaped illumination area on the reticle 11, and scans the wafer 6 in the −X direction in synchronization with scanning the reticle 11 in the X direction with respect to the illumination area. As a result, the image of the pattern of the reticle 11 is exposed on the wafer 6 by the slit scan exposure method.

【0019】本例ではベース1上の周縁部にインバーよ
りなる固定コラム13を植設する。そして、第1コラム
12AのX方向の一方の側面の凸部12aの上面に3個
の永久磁石埋め込み部14A〜14Cを形成し(図1で
は14Aのみが現れている)、それら永久磁石埋め込み
部14A〜14Cに対向するように、固定コラム13の
凸部13aの底部に3個の電磁石部15A〜15Cを形
成する(図1では15Aのみが現れている)。これと対
称に、第1コラム12AのX方向の他方の側面の凸部1
2bの上面に3個の永久磁石埋め込み部16A〜16C
を形成し(図1では16Aのみが現れている)、それら
永久磁石埋め込み部16A〜16Cに対向するように、
固定コラム13の凸部13bの底部に3個の電磁石部1
7A〜17Cを形成する(図1では15Aのみが現れて
いる)。永久磁石埋め込み部14A〜14Cと対応する
電磁石部15A〜15Cとで3組のリニアモーターが構
成されている。
In this embodiment, a fixed column 13 made of Invar is planted on the peripheral edge of the base 1. Then, three permanent magnet embedding portions 14A to 14C are formed on the upper surface of the convex portion 12a on one side surface in the X direction of the first column 12A (only 14A appears in FIG. 1), and these permanent magnet embedding portions are formed. Three electromagnet portions 15A to 15C are formed on the bottom of the convex portion 13a of the fixed column 13 so as to face 14A to 14C (only 15A appears in FIG. 1). In contrast to this, the convex portion 1 on the other side surface in the X direction of the first column 12A
Three permanent magnet embedded portions 16A to 16C on the upper surface of 2b
(Only 16A is shown in FIG. 1) to face the permanent magnet embedded portions 16A to 16C,
Three electromagnet parts 1 are provided on the bottom of the convex portion 13b of the fixed column 13.
7A to 17C are formed (only 15A is shown in FIG. 1). Three sets of linear motors are configured by the permanent magnet embedded portions 14A to 14C and the corresponding electromagnet portions 15A to 15C.

【0020】また、第2コラム12Bの上端のX方向の
一方の凸部12cの上面に2個の永久磁石埋め込み部1
8A及び18Bを形成し(図1では18Aのみが現れて
いる)、それら永久磁石埋め込み部18A及び18Bに
対向するように、固定コラム13の上端の凸部13cの
底部に2個の電磁石部19A及び19Bを形成する(図
1では19Aのみが現れている)。これと対称に、第2
コラム12Bの上端のX方向の他方の凸部12dの上面
に2個の永久磁石埋め込み部20A及び20Bを形成し
(図1では20Aのみが現れている)、それら永久磁石
埋め込み部20A及び20Bに対向するように、固定コ
ラム13の上端の凸部13dの底部に2個の電磁石部2
1A及び21Bを形成する(図1では21Aのみが現れ
ている)。
Further, two permanent magnet embedding portions 1 are provided on the upper surface of the one convex portion 12c in the X direction at the upper end of the second column 12B.
8A and 18B are formed (only 18A is shown in FIG. 1), and two electromagnet parts 19A are provided at the bottom of the convex part 13c at the upper end of the fixed column 13 so as to face the permanent magnet embedding parts 18A and 18B. And 19B (only 19A appears in FIG. 1). In contrast to this, the second
Two permanent magnet embedding portions 20A and 20B are formed on the upper surface of the other convex portion 12d in the X direction at the upper end of the column 12B (only 20A appears in FIG. 1), and these permanent magnet embedding portions 20A and 20B are formed. Two electromagnet parts 2 are provided at the bottom of the protrusion 13d at the upper end of the fixed column 13 so as to face each other.
Form 1A and 21B (only 21A appears in FIG. 1).

【0021】図2は図1のAA線に沿う断面図であり、
この図2に示すように、3個の永久磁石埋め込み部14
A〜14CをY方向に配列する。そして、両端の永久磁
石埋め込み部14A及び14CにはそれぞれX方向に順
次永久磁石のN極部22A、S極部23及びN極部22
Bを埋め込み、中央の永久磁石埋め込み部14BにはY
方向に順次永久磁石のN極部22A、S極部23及びN
極部22Bを埋め込む。また、図1の電磁石部15Aは
電磁石をX方向に配列して構成し、永久磁石埋め込み部
14B及び14Cに対向する電磁石部はそれぞれY方向
及びX方向に電磁石を配列して構成する。
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
As shown in FIG. 2, the three embedded permanent magnets 14
A to 14C are arranged in the Y direction. Then, in the permanent magnet embedded portions 14A and 14C at both ends, the N pole portion 22A, the S pole portion 23 and the N pole portion 22 of the permanent magnet are sequentially arranged in the X direction.
B is embedded, and Y is embedded in the central permanent magnet embedded portion 14B.
22A, S pole 23 and N of the permanent magnet in the direction
The pole portion 22B is embedded. The electromagnet portion 15A of FIG. 1 is formed by arranging electromagnets in the X direction, and the electromagnet portions facing the permanent magnet embedding portions 14B and 14C are formed by arranging electromagnets in the Y direction and the X direction, respectively.

【0022】従って、永久磁石埋め込み部14A及び電
磁石部15Aからなるリニアモーター及び永久磁石埋め
込み部14C及び対応する電磁石部からなるリニアモー
ターにより、第1コラム12Aに対してそれぞれX方向
に任意の力F4A及びF4Cを付与することができ、中
央の永久磁石埋め込み部14B及び対応する電磁石部か
らなるリニアモーターにより、第1コラム12Aに対し
てY方向に任意の力F4Bを付与することができる。
Therefore, by the linear motor including the permanent magnet embedding portion 14A and the electromagnet portion 15A and the linear motor including the permanent magnet embedding portion 14C and the corresponding electromagnet portion, an arbitrary force F4A is applied to the first column 12A in the X direction. And F4C can be applied, and an arbitrary force F4B can be applied to the first column 12A in the Y direction by the linear motor including the central permanent magnet embedding part 14B and the corresponding electromagnet part.

【0023】また、第1コラム12Aの右側の永久磁石
埋め込み部16A〜16Cには、それぞれ永久磁石埋め
込み部14A〜16Cと同様の配列で永久磁石を埋め込
み、対応する電磁石部17A〜17Cにはそれぞれ対向
する永久磁石の配列方向に電磁石を配列する。そして、
永久磁石埋め込み部16A,16B及び16Cを含むリ
ニアモーターにより、それぞれ第1コラム12Aに対し
てX方向の任意の力F5A、Y方向の任意の力F5B及
びX方向の任意の力F5Cを付与することができる。従
って、左側の3組のリニアモーター及び右側の3組のリ
ニアモーターにより、第1コラム12Aに対して水平面
(XY平面)内で任意の方向の力を付与することがで
き、更に第1コラム12Aに対して任意の回転力をも付
与することができる。そこで、スリットスキャン露光時
等にXステージ5及びYステージ4に加速度を付与する
際にその反作用が第1コラム12Aに加わる場合には、
それら6組のリニアモーターから第1コラム12Aに対
してその反作用を打ち消すような力を与えるようにす
る。
Further, permanent magnets are embedded in the permanent magnet embedding portions 16A to 16C on the right side of the first column 12A in the same arrangement as that of the permanent magnet embedding portions 14A to 16C, and the corresponding electromagnet portions 17A to 17C are respectively arranged. Electromagnets are arranged in the arrangement direction of the facing permanent magnets. And
Applying an arbitrary force F5A in the X direction, an arbitrary force F5B in the Y direction, and an arbitrary force F5C in the X direction to the first column 12A by a linear motor including the permanent magnet embedded portions 16A, 16B, and 16C, respectively. You can Therefore, a force in an arbitrary direction can be applied to the first column 12A within the horizontal plane (XY plane) by the three sets of left side linear motors and the three sets of right side linear motors. An arbitrary rotational force can also be applied to. Therefore, when the reaction is applied to the first column 12A when the acceleration is applied to the X stage 5 and the Y stage 4 during slit scan exposure or the like,
A force that cancels the reaction is applied to the first column 12A from the six sets of linear motors.

【0024】一方、図1において、第2コラム12B上
の左側の2個の永久磁石埋め込み部18A及び18Bに
はそれぞれX方向に永久磁石を埋め込み、対応する電磁
石部19A及び19BもそれぞれX方向に電磁石を配列
して構成する。また、第2コラム12B上の右側の2個
の永久磁石埋め込み部20A及び20BにもそれぞれX
方向に永久磁石を埋め込み、対応する電磁石部21A及
び21BもそれぞれX方向に電磁石を配列して構成す
る。従って、永久磁石埋め込み部18A及び18Bをそ
れぞれ含む2個のリニアモーターにより第2コラム12
Bに対してX方向の任意の力が付与され、永久磁石埋め
込み部20A及び20Bをそれぞれ含む2個のリニアモ
ーターからも第2コラム12Bに対してX方向の任意の
力が付与される。
On the other hand, in FIG. 1, permanent magnets are embedded in the two left permanent magnet embedding portions 18A and 18B on the second column 12B in the X direction, and the corresponding electromagnet portions 19A and 19B are also arranged in the X direction. It is configured by arranging electromagnets. In addition, the two right permanent magnet embedding portions 20A and 20B on the second column 12B are respectively provided with Xs.
The permanent magnets are embedded in the direction, and the corresponding electromagnet portions 21A and 21B are also configured by arranging the electromagnets in the X direction. Therefore, the second column 12 is formed by the two linear motors each including the permanent magnet embedded portions 18A and 18B.
An arbitrary force in the X direction is applied to B, and an arbitrary force in the X direction is also applied to the second column 12B from the two linear motors each including the permanent magnet embedded portions 20A and 20B.

【0025】この実施例では、レチクル11はレチクル
走査ステージ9によりX方向に走査されるため、第2コ
ラム12Bに対する反作用はX方向に働く。従って、第
2コラム12Bに対してその反作用を打ち消すためにリ
ニアモーターから付与する力は、X方向の力のみで十分
である。なお、レチクル11をY方向にも駆動する場合
には、Y方向への力を独立に付与するためのリニアモー
ターを並列に装着すればよい。
In this embodiment, since the reticle 11 is scanned by the reticle scanning stage 9 in the X direction, the reaction on the second column 12B acts in the X direction. Therefore, the force applied from the linear motor to cancel the reaction to the second column 12B is only the force in the X direction. When the reticle 11 is also driven in the Y direction, linear motors for independently applying a force in the Y direction may be mounted in parallel.

【0026】次に、本実施例の動作につき図3を参照し
て説明する。本実施例でスリットスキャン露光を開始す
るときには、図3に示すように、レチクル11にX方向
の加速度g1が加わり、ウエハ6に−X方向の加速度g
2が加わり、それらの反作用として第2コラム12Bに
は−X方向の力F1が付与され、第1コラム12Aには
X方向の力F2が付与される。そこで、永久磁石埋め込
み部18A及び電磁石部19Aよりなるリニアモーター
及び第2コラム12Bの上部の他の3個のリニアモータ
ーにより、第2コラム12Bに対してX方向に合計でF
1の力を与える。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG. When slit scan exposure is started in this embodiment, acceleration g1 in the X direction is applied to the reticle 11 and acceleration g in the −X direction is applied to the wafer 6, as shown in FIG.
2 is added, and as a reaction between them, the −X direction force F1 is applied to the second column 12B, and the X direction force F2 is applied to the first column 12A. Therefore, by the linear motor including the permanent magnet embedding portion 18A and the electromagnet portion 19A and the other three linear motors above the second column 12B, a total of F in the X direction with respect to the second column 12B.
Give 1 power.

【0027】また、永久磁石埋め込み部14A及び電磁
石部15Aよりなるリニアモーター及び第1コラム12
Aの側面部の他の5個のリニアモーターにより、第1コ
ラム12Aに対して−X方向に合計でF2の力を与え
る。なお、永久磁石部14A等及び電磁石部15A等は
共に固定されているので、リニアモーターとして力を発
生する場合でも実際の移動は行われない。これにより、
第1コラム12A及び第2コラム12Bに働く力がそれ
ぞれ零となり、第1コラム12A及び第2コラム12B
の傾斜又は変形は生ずることがなく、レチクル11の共
役像とウエハ6との重ね合わせ精度は高精度に維持され
る。
Further, the linear motor and the first column 12 comprising the permanent magnet embedded portion 14A and the electromagnet portion 15A.
The other five linear motors on the side surface of A apply a total force of F2 to the first column 12A in the -X direction. Since the permanent magnet portion 14A and the like and the electromagnet portion 15A and the like are fixed, the actual movement is not performed even when a force is generated as a linear motor. This allows
The forces acting on the first column 12A and the second column 12B become zero, and the first column 12A and the second column 12B
Of the reticle 11 and the wafer 6 are maintained with high accuracy.

【0028】また、図2に示すように、Yステージ4の
位置及びXステージ5の位置によりステージ系の重心が
投影光学系PLの光軸からずれた場合で、且つYステー
ジ4をも駆動するような場合には、そのステージ系には
2種類の力ベクトル〈FY〉及び〈FX〉が作用する。
このような場合には、図2において左側の3個のリニア
モーターにより第1コラム12Aに付与する力ベクトル
を〈FA〉、右側の3個のリニアモーターにより第1コ
ラムに付与する力ベクトルを〈FB〉として、これらの
力配分を次のようにする。 〈FA〉+〈FB〉=〈FX〉+〈FY〉 これにより、第1コラム12Aに作用するねじれ力が零
になる。
Further, as shown in FIG. 2, when the center of gravity of the stage system is deviated from the optical axis of the projection optical system PL by the position of the Y stage 4 and the position of the X stage 5, the Y stage 4 is also driven. In such a case, two types of force vectors <FY> and <FX> act on the stage system.
In such a case, the force vector applied to the first column 12A by the three linear motors on the left side in FIG. 2 is <FA>, and the force vector applied to the first column by the three linear motors on the right side is <FA>. As FB>, these force distributions are as follows. <FA> + <FB> = <FX> + <FY> As a result, the twisting force acting on the first column 12A becomes zero.

【0029】なお、リニアモーターは発熱量が比較的大
きいが、本例のリニアモーターはレチクル11、投影光
学系PL及びウエハ6を含む投影露光部から離れて配置
されているので、その影響は無視できる程度である。但
し、それらリニアモーターにそれぞれ空冷又は液冷方式
等の発熱防止機構を装着することにより、その発熱の影
響をより小さくすることができる。
Although the linear motor generates a relatively large amount of heat, the linear motor of this example is arranged away from the projection exposure unit including the reticle 11, the projection optical system PL, and the wafer 6, so its influence is ignored. It is possible. However, the influence of heat generation can be further reduced by mounting a heat generation prevention mechanism such as an air cooling type or a liquid cooling type on each of the linear motors.

【0030】また、上述実施例では、第1コラム12A
及び第2コラム12Bに対して固定コラム13からリニ
アモーター方式で力を付与しているが、例えば圧縮空気
を吹き付けるような方式で第1コラム12A及び第2コ
ラム12Bに対して力を与えるようにしてもよい。更
に、例えば固定コラム13と第1コラム12Aとの間に
圧縮コイルばねを介装して、固定コラム13側からその
圧縮コイルばねを介して第1コラム12Aに力を付与す
るようにしてもよい。圧縮コイルばねを用いる場合に
は、ほとんど非接触方式と同等に、固定コラム13側の
振動等が第1コラム12Aに伝わるのを防止することが
できる。
In the above embodiment, the first column 12A is used.
And the force is applied to the second column 12B from the fixed column 13 by the linear motor method, but the force is applied to the first column 12A and the second column 12B by a method of blowing compressed air, for example. May be. Further, for example, a compression coil spring may be interposed between the fixed column 13 and the first column 12A, and a force may be applied to the first column 12A from the fixed column 13 side via the compression coil spring. . When the compression coil spring is used, it is possible to prevent the vibration and the like on the fixed column 13 side from being transmitted to the first column 12A, almost like the non-contact type.

【0031】なお、上述実施例では、固定コラム13を
ベース1上に配置しているが、ベース1以外であって
も、ステージ4,5,9の査定時に振動しない部材が存
在すれば、この部材に固定コラム13を固定するように
しても良い。また、上述実施例ではウエハ側の電磁石部
15A〜15C,17A〜17Cとレチクル側の電磁石
部19A〜19C,21A〜21Cは共に固定コラム1
3に固定されているが、ウエハ側の電磁石部とレチクル
側の電磁石部とをそれぞれ別の固定コラムに固定するよ
うにしても良い。
Although the fixed column 13 is arranged on the base 1 in the above-mentioned embodiment, if there is a member other than the base 1 that does not vibrate when the stages 4, 5, 9 are evaluated, this The fixed column 13 may be fixed to the member. Further, in the above-described embodiment, the wafer side electromagnet portions 15A to 15C and 17A to 17C and the reticle side electromagnet portions 19A to 19C and 21A to 21C are both fixed columns 1.
However, the electromagnet part on the wafer side and the electromagnet part on the reticle side may be fixed to different fixed columns.

【0032】また、図1の実施例では、第1コラム12
Aの内部にYステージ4及びXステージ5が収納され、
その底部とベース1との間に防振ばね2A,2Bが介装
されているが、その第1コラム12Aを鏡筒7の保持部
を中心として左右に拡げて、このように拡げられた部分
とベース1との間にそれぞれ防振ばね2A,2Bを介装
しても良い。この場合には、第1コラムの鏡筒7の保持
部の下に、U字型のコラムを好ましくは一体の金物とし
て取り付けて、このU字型のコラム上にそれらYステー
ジ4及びXステージ5を載置すると良い。このような構
成により、振動の影響が更に低減される。
Also, in the embodiment of FIG. 1, the first column 12
Y stage 4 and X stage 5 are housed inside A,
Anti-vibration springs 2A and 2B are interposed between the bottom portion and the base 1, but the first column 12A is expanded left and right around the holding portion of the lens barrel 7, and the portion thus expanded. The vibration-proof springs 2A and 2B may be interposed between the base 1 and the base 1, respectively. In this case, a U-shaped column is preferably attached as a metal piece under the holding portion of the lens barrel 7 of the first column, and the Y stage 4 and the X stage 5 are mounted on the U-shaped column. Should be placed. With such a configuration, the influence of vibration is further reduced.

【0033】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、基板ベースに与えられ
る力と逆方向で大きさが等しい力を基板ベース付勢手段
からその基板ベースに与えるようにしたので、基板ベー
スの傾きや変形が生ずることがなく、マスクと感光基板
との相対位置関係が変化しにくいという利点がある。ま
た、マスクベースに与えられる力と逆方向で大きさが等
しい力をマスクベース付勢手段からそのマスクベースに
与えるようにした場合には、マスクベースの傾きや変形
をも抑制することができ、マスクと感光基板との相対位
置関係をより安定に維持できる利点がある。更に、基板
ベース及びマスクベースにかかる力が零になるため、基
板ベース及びマスクベースとして剛性の比較的小さな部
材を使用することができ、設計上及び製造上も有利であ
る。
According to the present invention, since the force applied to the substrate base in the opposite direction to the force applied to the substrate base is applied from the substrate base urging means to the substrate base, the inclination or deformation of the substrate base is prevented. There is an advantage that it does not occur and the relative positional relationship between the mask and the photosensitive substrate does not easily change. Further, when the mask base urging means applies a force having the same magnitude in the opposite direction to the force applied to the mask base to the mask base, it is possible to suppress the inclination and deformation of the mask base, There is an advantage that the relative positional relationship between the mask and the photosensitive substrate can be maintained more stably. Further, since the force applied to the substrate base and the mask base becomes zero, it is possible to use a member having relatively small rigidity as the substrate base and the mask base, which is advantageous in design and manufacturing.

【0035】また、その基板ベース付勢手段及びそのマ
スクベース付勢手段が、それぞれ非接触でその基板ベー
ス及びそのマスクベースに付勢力を与える場合には、固
定部材側の振動等がそれら基板ベース及びマスクベース
に伝わることが無い。特に、それら基板ベース付勢手段
及びマスクベース付勢手段が、それぞれリニアモーター
である場合には、全体の構成が簡略化できる。
Further, when the substrate base urging means and the mask base urging means apply the urging force to the substrate base and the mask base in a non-contact manner, the vibration or the like on the fixed member side causes the substrate base to oscillate. And it is not transmitted to the mask base. In particular, when the substrate base urging means and the mask base urging means are linear motors, respectively, the overall configuration can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による投影露光装置の一実施例を示す構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention.

【図2】図1のAA線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図3】図1の実施例で第1コラム12A及び第2コラ
ム12Bに作用する力を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view showing forces acting on a first column 12A and a second column 12B in the embodiment of FIG.

【図4】従来の投影露光装置を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a conventional projection exposure apparatus.

【図5】(a)は図4の投影露光装置がステージ駆動時
に傾斜する状態を示す図、(b)は図4の投影露光装置
のコラムがステージ駆動時に変形する様子を示す図であ
る。
5A is a diagram showing a state in which the projection exposure apparatus of FIG. 4 is inclined when the stage is driven, and FIG. 5B is a diagram showing a state in which a column of the projection exposure apparatus of FIG. 4 is deformed when the stage is driven.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ベース 2A,2B 防振ばね 4 Yステ−ジ 5 Xステージ 6 ウエハ PL 投影光学系 7 鏡筒 9 レチクル走査ステージ 10 照明光学系 11 レチクル 12A 第1コラム 12B 第2コラム 13 固定コラム 14A,16A,18A,20A 永久磁石埋め込み部 15A,17A,19A,21A 電磁石部 1 Base 2A, 2B Anti-Vibration Spring 4 Y Stage 5 X Stage 6 Wafer PL Projection Optical System 7 Lens Tube 9 Reticle Scanning Stage 10 Illumination Optical System 11 Reticle 12A First Column 12B Second Column 13 Fixed Column 14A, 16A, 18A, 20A Permanent magnet embedded part 15A, 17A, 19A, 21A Electromagnet part

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定形状の照明領域内を照明する照明光
学系と、マスクを保持して前記照明領域に対して前記マ
スクを相対的に走査するマスク走査手段と、該マスク走
査手段が載置されたマスクベースと、前記照明領域内の
前記マスク上のパターンの像を感光基板上に投影する投
影光学系と、前記感光基板を保持して前記照明領域の共
役像に対して前記感光基板を相対的に走査する基板走査
手段と、該基板走査手段が載置された基板ベースとを有
し、 前記照明領域に対して相対的に前記マスク及び前記感光
基板を同期して走査することにより、前記照明領域より
も広い前記マスク上の領域のパターンの像を前記感光基
板上に投影する投影露光装置において、 前記基板ベースとは独立に配置された固定部材に、前記
基板ベースに対して付勢力を与える基板ベース付勢手段
を設け、前記感光基板を前記照明領域の共役像に対して
相対走査する際に前記基板ベースに与えられる力と逆方
向で大きさがほぼ等しい力を前記基板ベース付勢手段か
ら前記基板ベースに与えるようにした事を特徴とする投
影露光装置。
1. An illumination optical system for illuminating an illumination area of a predetermined shape, a mask scanning means for holding a mask and scanning the mask relative to the illumination area, and a mask scanning means for mounting the mask. A mask base, a projection optical system for projecting an image of a pattern on the mask in the illuminated area onto a photosensitive substrate, and holding the photosensitive substrate to hold the photosensitive substrate with respect to a conjugate image of the illuminated area. A substrate scanning unit that relatively scans, and a substrate base on which the substrate scanning unit is placed, and by synchronously scanning the mask and the photosensitive substrate relative to the illumination region, In a projection exposure apparatus for projecting an image of a pattern of an area on the mask wider than the illumination area onto the photosensitive substrate, a fixing member arranged independently of the substrate base applies a biasing force to the substrate base. To And a force substantially equal in magnitude in the opposite direction to the force applied to the substrate base when the photosensitive substrate is relatively scanned with respect to the conjugate image of the illumination area. A projection exposure apparatus characterized in that it is applied to the substrate base from a means.
【請求項2】 前記マスクベースを前記基板ベース上に
載置し、前記固定部材に前記マスクベースに対して付勢
力を与えるマスクベース付勢手段を設け、前記マスクを
前記照明領域に対して相対走査する際に前記マスクベー
スに与えられる力と逆方向で大きさがほぼ等しい力を前
記マスクベース付勢手段から前記マスクベースに与える
ようにした事を特徴とする請求項1記載の投影露光装
置。
2. The mask base is placed on the substrate base, and the fixing member is provided with mask base urging means for applying an urging force to the mask base. 2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein a force which is substantially equal in magnitude in a direction opposite to the force applied to the mask base during scanning is applied from the mask base urging means to the mask base. .
【請求項3】 前記基板ベース付勢手段及び前記マスク
ベース付勢手段は、それぞれ非接触で前記基板ベース及
び前記マスクベースに付勢力を与える事を特徴とする請
求項2記載の投影露光装置。
3. The projection exposure apparatus according to claim 2, wherein the substrate base biasing means and the mask base biasing means apply a biasing force to the substrate base and the mask base in a non-contact manner, respectively.
【請求項4】 前記基板ベース付勢手段及び前記マスク
ベース付勢手段は、それぞれリニアモーターである事を
特徴とする請求項3記載の投影露光装置。
4. The projection exposure apparatus according to claim 3, wherein each of the substrate base urging means and the mask base urging means is a linear motor.
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