JPH06160912A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents
Liquid crystal display device and its productionInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、特に、
スイッチング素子として金属層−絶縁層−金属層(以
下、MIMと称する)よりなる非線形抵抗素子を用いた
液晶表示装置およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to
The present invention relates to a liquid crystal display device using a non-linear resistance element including a metal layer-insulating layer-metal layer (hereinafter referred to as MIM) as a switching element and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、パーソナル・コ
ンピューター、ワードプロセッサー、更にはOA用の端
末機器、TV用画像表示等の大容量情報表示に使用され
てきており、一層高い画質が求められるようになってい
る。液晶表示装置において使用されるスイッチング素子
には種々のものが知られているが、構造が簡単で、製造
の容易な2端子の非線形抵抗素子、中でも、現在のとこ
ろ実用化されているものとしてMIM素子が挙げられ
る。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been used for displaying large-capacity information such as personal computers, word processors, terminal equipment for office automation, and image display for TV, and higher image quality is required. It has become. Although various types of switching elements used in liquid crystal display devices are known, a two-terminal non-linear resistance element having a simple structure and easy to manufacture, and among them, MIM has been put into practical use at present. An element is mentioned.
【0003】MIM素子の構造をこの素子の製造工程に
従って説明すると、まず、ガラス基板上にTa膜をスパ
ッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により形成
し、写真食刻法によりパターニングする。これにより、
配線とMIM素子の片側の電極とがガラス基板上に形成
される。次に、Ta膜を例えばクエン酸水溶液中で陽極
酸化法により化成し、MIM素子の絶縁層として作用す
る酸化膜を形成する。更に、MIM素子のもう片側の電
極としてCr膜を、薄膜形成・加工法により形成するこ
とにより、MIM素子が完成する。その後、MIM素子
のCr膜と接するように画像表示用の透明電極を形成す
る。上記のような基本的な製造技術は特公昭55−16
1273号公報に開示され、その改良技術が特開昭58
−178320号公報等に示されている。The structure of the MIM element will be described according to the manufacturing process of this element. First, a Ta film is formed on a glass substrate by a thin film forming method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method, and patterned by a photolithography method. This allows
The wiring and the electrode on one side of the MIM element are formed on the glass substrate. Next, the Ta film is formed by, for example, an anodizing method in an aqueous citric acid solution to form an oxide film that acts as an insulating layer of the MIM element. Further, a MIM element is completed by forming a Cr film as an electrode on the other side of the MIM element by a thin film forming / processing method. Then, a transparent electrode for image display is formed so as to be in contact with the Cr film of the MIM element. The basic manufacturing technology as described above is disclosed in Japanese Examined Patent Publication No. 55-16.
1273, and an improved technique thereof is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-58.
-178320 and the like.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来のMIM素子は、
特開昭55−161273号公報に記載されているよう
に、MIM素子および画像表示用の透明電極をパターン
形成する為に、3回の薄膜形成・写真食刻を必要とす
る。そのため、MIM素子を用いた液晶表示装置は、従
来の単純マトリックス型の装置と比較すると、性能にお
いて優れながら、製造工程は複雑となり、生産効率の点
では劣っていた。また、これらのMIM素子はいずれも
基板上に複数の層を積層した構造を有しており、積層時
の各層の破断やリーク等の問題があり、信頼性の高いも
のを作ることが難しかった。The conventional MIM element is
As described in JP-A-55-161273, it is necessary to form a thin film and photolithography three times in order to pattern the MIM element and the transparent electrode for image display. Therefore, the liquid crystal display device using the MIM element is superior in performance to the conventional simple matrix type device, but the manufacturing process is complicated and the production efficiency is poor. In addition, each of these MIM elements has a structure in which a plurality of layers are laminated on a substrate, and there are problems such as breakage and leakage of each layer during lamination, and it is difficult to manufacture a highly reliable element. .
【0005】この発明は上記した事情に鑑みて成された
もので、その目的は、製造工程を従来に比べて低減させ
て、容易に、低価格で製造することのできる液晶表示装
置およびその製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is a liquid crystal display device which can be manufactured easily and at low cost by reducing the manufacturing process as compared with the conventional method, and the manufacturing thereof. To provide a method.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、液晶表示装置に用いられる非線形
抵抗素子の構成およびその製法の簡略化を図っている。
つまり、本発明に係る液晶表示装置によれば、一方の基
板に形成された非線形抵抗素子は、第1の金属層と、第
1の金属層に一部が重なって形成されているとともに酸
素成分を含む第2の金属層とを備え、絶縁体層として作
用する酸化層は、第1の金属層と第2の金属層との重複
部分のみに形成されている。In order to achieve the above object, according to the present invention, the structure of a non-linear resistance element used in a liquid crystal display device and its manufacturing method are simplified.
That is, according to the liquid crystal display device of the present invention, the nonlinear resistance element formed on the one substrate is formed with the first metal layer and the first metal layer partially overlapping each other, and the oxygen component And a second metal layer including the oxide metal layer, the oxide layer acting as an insulator layer is formed only in an overlapping portion between the first metal layer and the second metal layer.
【0007】また、本発明に係る製造方法によれば、ま
ず、第1および第2の金属層を両方をその一部が重複す
るよう形成する。この後に、第1および第2の金属層を
熱処理することにより、上記重複部分において、金属層
間に酸化層(絶縁体層)を形成している。Further, according to the manufacturing method of the present invention, first, both the first and second metal layers are formed so as to partially overlap each other. After that, the first and second metal layers are heat-treated to form an oxide layer (insulator layer) between the metal layers in the overlapping portion.
【0008】[0008]
【作用】第1の金属層と酸素成分を含む第2の金属層と
を一部が重なるように形成してこれらの金属層を熱処理
すると、第1および第2の金属層が接触している部分、
つまり、重複部分において、第2の金属層の酸素成分が
第1の金属層に拡散し、金属酸化層を形成する。第1の
金属層としてのTa膜と第2の金属層としてのITO
(インジウム・スズ酸化物)膜とを重ね合わせた実験に
よれば、ITO中の酸素が重複部のTaを酸化し、IT
O側では酸素が抜けることにより、Ta膜とITO膜と
の間に金属酸化膜が形成される。そして、金属酸化膜の
形成時にITO側の酸素が抜けるため、非線形抵抗素子
の電極としての特性はむしろ向上し、良好な非線形電流
−電圧特性を得ることができる。When the first metal layer and the second metal layer containing an oxygen component are formed so as to partially overlap with each other and these metal layers are heat-treated, the first and second metal layers are in contact with each other. part,
That is, in the overlapping portion, the oxygen component of the second metal layer diffuses into the first metal layer to form a metal oxide layer. Ta film as first metal layer and ITO as second metal layer
According to the experiment in which the (indium / tin oxide) film is overlapped, oxygen in ITO oxidizes Ta in the overlapping portion, and IT
Oxygen is released on the O side, so that a metal oxide film is formed between the Ta film and the ITO film. Then, since oxygen on the ITO side escapes when the metal oxide film is formed, the characteristics of the non-linear resistance element as an electrode are rather improved, and good non-linear current-voltage characteristics can be obtained.
【0009】第1の金属層の酸化と同時に第2の金属層
の還元が重複部分で引き起こされることが重要である。
例えば、Ta膜形成後、大気中で熱処理してTa膜表面
全体を酸化した後にITOを重ねて形成した場合には、
対称性の特性の良いMIM素子を得ることは困難とな
る。It is important that the oxidation of the first metal layer and the reduction of the second metal layer be caused at the overlapping portion.
For example, in the case where after forming a Ta film, heat treatment is performed in the atmosphere to oxidize the entire surface of the Ta film, and then ITO is overlaid,
It is difficult to obtain an MIM element having good symmetry characteristics.
【0010】上記のように構成された本願によれば、非
線形特性を損なうことなくMIM素子の製造工程を低減
することができ、容易に、低価格で製造可能な液晶表示
装置およびその製造方法を提供することができる。According to the present application having the above-described structure, it is possible to reduce the number of manufacturing steps of the MIM element without impairing the non-linear characteristic, and to provide the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof which can be easily and inexpensively manufactured. Can be provided.
【0011】[0011]
【実施例】以下、図面を参照しながらこの発明の実施例
に係るマトリックスアレイ型の液晶表示装置およびその
製造方法について詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A matrix array type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【0012】図1および図2に示すように、液晶表示装
置は、ガラス基板10を有するアレイ基板12と、この
アレイ基板と所定の間隔を保って対向保持された対向基
板14と、これらの基板間に封入された液晶層16と、
を備えている。As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display device includes an array substrate 12 having a glass substrate 10, an opposed substrate 14 opposed to and held at a predetermined distance from the array substrate, and these substrates. A liquid crystal layer 16 enclosed between
Is equipped with.
【0013】アレイ基板12は、ガラス基板10の上面
に形成されたTaからなる互いに平行に延びる多数の信
号電極20と、各信号電極に沿って互いに所定間隔離間
して位置したITOからなる多数の透明な画素電極22
と、を有している。各画素電極22は、MIM素子24
を介して対応する信号電極20に接続されている。The array substrate 12 has a large number of signal electrodes 20 formed of Ta formed on the upper surface of the glass substrate 10 and extending in parallel to each other, and a large number of ITO electrodes arranged along the respective signal electrodes at predetermined intervals. Transparent pixel electrode 22
And have. Each pixel electrode 22 has a MIM element 24.
It is connected to the corresponding signal electrode 20 via.
【0014】各MIM素子24は、信号電極20の一部
を画素電極22側へ突出させて形成された第1の金属層
24aと、対応する画素電極22の一部を信号電極側へ
突出させて形成された第2の金属層24bと、を備え、
第2の金属層はその一部が第1の金属層に重なって形成
されている。そして、図3に示すように、第1の金属層
24aと第2の金属層24bとの重複部分25におい
て、これらの金属層間に絶縁体層としての金属酸化層2
4cが形成されている。この金属酸化層24cは、重複
部分24において第2の金属層24bに接触する第1の
金属層24aの表面部分を酸化することにより形成され
ている。これにより、金属層−絶縁体層−金属層の構造
を有するMIM素子24が形成されている。また、ガラ
ス基板10上面には、信号電極20、MIM素子24、
および画素電極22に重ねて、ポリイミド樹脂からなる
配向膜26が形成されている。Each MIM element 24 has a first metal layer 24a formed by projecting a part of the signal electrode 20 toward the pixel electrode 22 side and a part of the corresponding pixel electrode 22 projecting toward the signal electrode side. And a second metal layer 24b formed by
The second metal layer is formed such that a part thereof overlaps the first metal layer. Then, as shown in FIG. 3, in the overlapping portion 25 of the first metal layer 24a and the second metal layer 24b, the metal oxide layer 2 as an insulator layer is provided between these metal layers.
4c is formed. The metal oxide layer 24c is formed by oxidizing the surface portion of the first metal layer 24a in contact with the second metal layer 24b in the overlapping portion 24. As a result, the MIM element 24 having the structure of metal layer-insulator layer-metal layer is formed. Further, on the upper surface of the glass substrate 10, the signal electrode 20, the MIM element 24,
An alignment film 26 made of polyimide resin is formed so as to overlap with the pixel electrode 22.
【0015】一方、対向基板14はガラス基板28を備
え、このガラス基板の内面上には、ITOからなる互い
に平行な多数の透明な走査電極30が形成され、信号電
極20と直交する方向に延びている。また、対向基板1
4の内面上には、走査電極30に重ねて、ポリイミド樹
脂からなる配向膜32が形成されている。On the other hand, the counter substrate 14 is provided with a glass substrate 28, and a large number of transparent scanning electrodes 30 made of ITO are formed on the inner surface of the glass substrate 28 in parallel with each other and extend in a direction orthogonal to the signal electrodes 20. ing. In addition, the counter substrate 1
On the inner surface of 4, an alignment film 32 made of polyimide resin is formed so as to overlap the scanning electrode 30.
【0016】上記のように構成された液晶表示装置は、
以下の工程により製造される。まず、図1に示すよう
に、例えば、図示しないSiO2 のアルカリ防御被膜を
表面に備えた1.1mm厚のガラス基板10上に、30
00オングストローム厚のTa膜をスパッタリングによ
り形成する。感光性レジストを用いた、光露光、現像、
エッチング工程により、Ta膜をパターニングする。T
a膜のエッチングは感光性レジストパターンをマスクに
して、CF4 とO2 とを等量用いたケミカルドライエッ
チングにより行う。それにより、ガラス基板10上にT
aからなる信号電極20と、信号線から突出した突起か
らなるMIM素子形成用の第1の金属層24aとが形成
される。The liquid crystal display device configured as described above is
It is manufactured by the following steps. First, as shown in FIG. 1, for example, a glass substrate 10 having a thickness of 1.1 mm and having an alkali protective film of SiO2 (not shown) on its surface
A Ta film with a thickness of 00 angstrom is formed by sputtering. Photoexposure, development using a photosensitive resist,
The Ta film is patterned by an etching process. T
The etching of the a film is performed by chemical dry etching using CF4 and O2 in equal amounts using the photosensitive resist pattern as a mask. As a result, T on the glass substrate 10
The signal electrode 20 made of a and the first metal layer 24a for forming the MIM element, which is made of a protrusion protruding from the signal line, are formed.
【0017】この後、ガラス基板10上にITOからな
る透明導電膜をスパッタリング法により形成する。透明
導電膜上に感光性レジストを全面塗布した後、フォトマ
スクを用いて露光し、現像にてレジストパターンを形成
する。続いて、水、塩酸、硝酸を1:1:0.1の割合
(容量比)に混合し、30℃に加熱したエッチング液を
用いてレジストパターンと同一のITO画素電極22
と、画素電極から突出したITO突起からなる第2の金
属層24bを形成する。その際、第2の金属層24b
は、一部が第1の金属層24aと重なるように形成す
る。続いて、ガラス基板10を350〜450℃で1時
間の加熱を行うことにより、第1の金属層24aと第2
の金属層24bとの重複部分25において、Ta層とI
TO層との境界に500オングストローム厚のTa酸化
層24cが形成される。After that, a transparent conductive film made of ITO is formed on the glass substrate 10 by a sputtering method. A photosensitive resist is applied over the entire surface of the transparent conductive film, and then exposed using a photomask and developed to form a resist pattern. Subsequently, water, hydrochloric acid, and nitric acid were mixed in a ratio (volume ratio) of 1: 1: 0.1, and the ITO pixel electrode 22 having the same resist pattern as the resist pattern was formed using an etching solution heated to 30 ° C.
Then, a second metal layer 24b made of an ITO protrusion protruding from the pixel electrode is formed. At that time, the second metal layer 24b
Is formed so that a part thereof overlaps with the first metal layer 24a. Subsequently, the glass substrate 10 is heated at 350 to 450 ° C. for 1 hour, so that the first metal layer 24 a and the second metal layer 24 a are heated.
Of the Ta layer and the I layer at the overlapping portion 25 with the metal layer 24b of
A Ta oxide layer 24c having a thickness of 500 Å is formed at the boundary with the TO layer.
【0018】このような金属酸化層24cの形成は以下
の原理による。つまり、図3に示すように、加熱される
ことにより、重複部分25において、第2の金属層24
b中の酸素成分が第1の金属層24aに拡散し、第2の
金属層24bに接触する第1の金属層24aの接触部分
は酸化されて金属酸化層(TaOx)24cを形成す
る。また、重複部分25において、第1の金属層24a
と接触する第2の金属層24の接触部分は酸素が抜けて
還元される。それにより、良好なスイッチング特性を示
すMIM素子24が形成される。The formation of such a metal oxide layer 24c is based on the following principle. That is, as shown in FIG. 3, the second metal layer 24 is heated in the overlapping portion 25 by being heated.
The oxygen component in b diffuses into the first metal layer 24a, and the contact portion of the first metal layer 24a in contact with the second metal layer 24b is oxidized to form a metal oxide layer (TaOx) 24c. In addition, in the overlapping portion 25, the first metal layer 24a
Oxygen escapes and is reduced at the contact portion of the second metal layer 24 that comes into contact with. As a result, the MIM element 24 exhibiting good switching characteristics is formed.
【0019】次に、上記のように構成されたアレイ基板
12のMIM素子形成面にポリイミド樹脂からなる配向
膜26を塗布・焼成しラビングすることにより、液晶配
向方向を規制する。また、対向基板にも上記と同様の工
程によりITOからなる走査電極30およびポリイミド
樹脂からなる配向膜32を形成する。そして、配向膜3
2を、アレイ基板12の配向膜26に対して約90°ね
じった方向にラビングを行う。Next, the alignment film 26 made of a polyimide resin is applied, baked and rubbed on the MIM element forming surface of the array substrate 12 configured as described above to regulate the liquid crystal alignment direction. Further, the scanning electrode 30 made of ITO and the alignment film 32 made of polyimide resin are formed on the counter substrate by the same process as described above. And the alignment film 3
2 is rubbed in a direction twisted by about 90 ° with respect to the alignment film 26 of the array substrate 12.
【0020】上記2種類の基板12、14を用意し、液
晶の分子長軸方向が両基板間が両基板間で約90°ねじ
れるように所定の間隔を保って保持し、液晶を注入し液
晶セルを構成する。そして、液晶セルの外側に、つま
り、アレイ基板12および対向基板14の外側に、偏光
軸を約90°ねじった形で偏光板(図示しない)を配置
する。それにより、液晶表示装置が完成する。The above-mentioned two types of substrates 12 and 14 are prepared, and the liquid crystal is injected by holding the liquid crystal molecules at a predetermined distance such that the direction of the major axis of the liquid crystal is twisted by about 90 ° between the two substrates. Make up a cell. Then, a polarizing plate (not shown) is arranged outside the liquid crystal cell, that is, outside the array substrate 12 and the counter substrate 14 with the polarization axis twisted by about 90 °. Thereby, the liquid crystal display device is completed.
【0021】図4は、上記のように構成された液晶表示
装置のMIM素子24の電流−電圧特性を示している。
この図から、MIM素子24は、従来の3回の写真蝕刻
で形成したものと比較して、遜色のない急峻な非線形特
性を有することが分かる。FIG. 4 shows the current-voltage characteristics of the MIM element 24 of the liquid crystal display device constructed as described above.
From this figure, it can be seen that the MIM element 24 has sharp and non-linear characteristics comparable to those formed by the conventional photolithography three times.
【0022】以上詳述したように、上記のように構成さ
れた液晶表示装置および製造方法によれば、第1および
第2の金属層24a、24bを形成した後に熱処理する
だけでMIM素子を形成することができ、従来の液晶表
示装置に比較して、薄膜形成、写真蝕刻工程を低減する
ことができる。また、熱処理の際、第1の金属層と接触
する第2の金属層の部分が還元されることから、良好な
非線形特性を有するMIM素子を備えた液晶表示装置を
得ることができる。As described above in detail, according to the liquid crystal display device and the manufacturing method configured as described above, the MIM element is formed only by forming the first and second metal layers 24a and 24b and then performing heat treatment. Therefore, compared with the conventional liquid crystal display device, thin film formation and photolithography steps can be reduced. Further, since the portion of the second metal layer that is in contact with the first metal layer is reduced during the heat treatment, it is possible to obtain a liquid crystal display device including an MIM element having good non-linear characteristics.
【0023】なお、この発明は上述した実施例に限定さ
れることなく、この発明の範囲内で種々変形可能であ
る。例えば、第1の金属層は、Taに限らず、Al、T
i、W、Mo、Nb等の他の金属を用いた場合にも上記
と同様の効果を得ることができる。The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be variously modified within the scope of the present invention. For example, the first metal layer is not limited to Ta, but Al, T
Even when another metal such as i, W, Mo, or Nb is used, the same effect as above can be obtained.
【0024】また、上記実施例においては、MIM素子
はガラス基板10上に形成された第1の金属層と、第1
の金属層に重ねて形成された第2の金属層とにより構成
したが、第2の金属層の上に第1の金属層を重ねて形成
するようにしても同様の効果を得ることができる。In the above embodiment, the MIM element has the first metal layer formed on the glass substrate 10 and the first metal layer.
Although the second metal layer is formed by overlapping the second metal layer, the same effect can be obtained by forming the first metal layer by overlapping the second metal layer. .
【0025】[0025]
【発明の効果】この発明によれば、良好な非線形特性を
有する非線形抵抗素子を備え容易にかつ安価に製造可能
な液晶表示装置およびその製造方法を提供することがで
き、マトリックス型液晶表示装置の普及に非常に有効で
ある。According to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device including a non-linear resistance element having excellent non-linear characteristics and which can be manufactured easily and at low cost, and to provide a method for manufacturing the same. It is very effective in spreading.
【図1】この発明の一実施例に係る液晶表示装置を概略
的に示す平面図。FIG. 1 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1の線A−Aに沿った上記液晶表示装置の断
面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along line AA of FIG.
【図3】図1の線B−Bに沿ったMIM素子部分の断面
図。3 is a cross-sectional view of the MIM element portion taken along the line BB of FIG.
【図4】上記実施例に係る液晶表示装置のMIM素子の
電流−電圧特性を示す特性図。FIG. 4 is a characteristic diagram showing current-voltage characteristics of the MIM element of the liquid crystal display device according to the above-mentioned embodiment.
10、28…ガラス基板、12…アレイ基板、14…対
向基板、16…液晶層、20…信号電極、22…画素電
極、24…MIM素子、24a…第1の金属層、24b
…第2の金属層、24c…酸化層、25…重複部分。10, 28 ... Glass substrate, 12 ... Array substrate, 14 ... Counter substrate, 16 ... Liquid crystal layer, 20 ... Signal electrode, 22 ... Pixel electrode, 24 ... MIM element, 24a ... First metal layer, 24b
... second metal layer, 24c ... oxide layer, 25 ... overlap portion.
Claims (2)
の基板と、上記基板間に挟持された液晶層と、上記電極
に接続された非線形抵抗素子と、を備えた液晶表示装置
において、 上記非線形抵抗素子は、第1の金属層と、第1の金属層
と一部が重なって形成されているとともに酸素を含有し
た第2の金属層と、上記第1の金属層と第2の金属層と
の重複部分において、第1の金属層と第2の金属層との
間に形成された金属酸化層と、を備え、上記金属酸化層
は、上記重複部分において、上記第2の金属層に接触す
る第1の金属層の接触部分を第2の金属層から拡散した
酸素成分により酸化して形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。1. A liquid crystal display device comprising a pair of substrates each having an electrode and facing each other, a liquid crystal layer sandwiched between the substrates, and a nonlinear resistance element connected to the electrodes, The resistance element includes a first metal layer, a second metal layer formed to partially overlap with the first metal layer and containing oxygen, the first metal layer and the second metal layer. And a metal oxide layer formed between the first metal layer and the second metal layer in the overlapping portion with the second metal layer, the metal oxide layer being formed on the second metal layer in the overlapping portion. A liquid crystal display device, characterized in that the contact portion of the first metal layer in contact is oxidized by an oxygen component diffused from the second metal layer.
の基板と、上記基板間に挟持された液晶層と、上記電極
に接続された非線形抵抗素子と、を備えた液晶表示装置
の製造方法において、 一方の基板上に、非線形抵抗素子を構成する第1の金属
層と酸素を含有する第2の金属層とを一部が互いに重な
るように形成し、上記第1および第2の金属層を加熱処
理することにより、上記第1および第2の金属層の重複
部分において、第2の金属層の酸素成分により第1の金
属層を酸化させて第1の金属層と第2の金属層との間に
金属酸化層を形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。2. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a pair of substrates each having an electrode and facing each other; a liquid crystal layer sandwiched between the substrates; and a non-linear resistance element connected to the electrodes. On one of the substrates, a first metal layer forming a nonlinear resistance element and a second metal layer containing oxygen are formed so as to partially overlap each other, and the first and second metal layers are formed. By the heat treatment, the first metal layer is oxidized by the oxygen component of the second metal layer in the overlapping portion of the first and second metal layers to form the first metal layer and the second metal layer. A method for manufacturing a liquid crystal display device, which comprises forming a metal oxide layer between the layers.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31735892A JPH06160912A (en) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | Liquid crystal display device and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31735892A JPH06160912A (en) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | Liquid crystal display device and its production |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06160912A true JPH06160912A (en) | 1994-06-07 |
Family
ID=18087347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31735892A Pending JPH06160912A (en) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | Liquid crystal display device and its production |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06160912A (en) |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP31735892A patent/JPH06160912A/en active Pending
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