JPH06155081A - 半田テープ及びその製造方法 - Google Patents
半田テープ及びその製造方法Info
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- JPH06155081A JPH06155081A JP31672692A JP31672692A JPH06155081A JP H06155081 A JPH06155081 A JP H06155081A JP 31672692 A JP31672692 A JP 31672692A JP 31672692 A JP31672692 A JP 31672692A JP H06155081 A JPH06155081 A JP H06155081A
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- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱基板と半導体ペレット間に介在する半田
の厚みを所定値に確保することにある。 【構成】 平板状の第1半田部材(11a)を用意し、そ
の表面にシリカ等の耐熱性微小粒子(12)を分散させ、
その表面上に平板状の第2半田部材(11b)を積層した
上で圧延する。この圧延により、二層の第1、第2半田
部材(11a)(11b)が一体化され、その間にサンドイッ
チされた耐熱性微小粒子(12)が均一な分散状態で点在
する。そして、圧延された半田部材(11)を短冊状に切
断し、その上で、短冊状の半田部材(11)を引抜き加工
によりテープ状に成形する。これにより、耐熱性微小粒
子(12)を均一な分散状態で含有した所定厚みの半田テ
ープ(13)が得られる。
の厚みを所定値に確保することにある。 【構成】 平板状の第1半田部材(11a)を用意し、そ
の表面にシリカ等の耐熱性微小粒子(12)を分散させ、
その表面上に平板状の第2半田部材(11b)を積層した
上で圧延する。この圧延により、二層の第1、第2半田
部材(11a)(11b)が一体化され、その間にサンドイッ
チされた耐熱性微小粒子(12)が均一な分散状態で点在
する。そして、圧延された半田部材(11)を短冊状に切
断し、その上で、短冊状の半田部材(11)を引抜き加工
によりテープ状に成形する。これにより、耐熱性微小粒
子(12)を均一な分散状態で含有した所定厚みの半田テ
ープ(13)が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半田テープ及びその製造
方法に関し、詳しくは、パワー用IC等の半導体装置の
製造において、放熱基板上に半導体ペレットをマウント
するに際して使用される半田テープ及びその製造方法に
関する。
方法に関し、詳しくは、パワー用IC等の半導体装置の
製造において、放熱基板上に半導体ペレットをマウント
するに際して使用される半田テープ及びその製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、パワー用IC等の半導体装置の
製造では、図7に示すように放熱基板(1)上に半田
(2)を供給した上で、その半田(2)を溶融させた後、
コレット(3)に吸着保持した半導体ペレット(4)を、
溶融した半田(2)上に所定の荷重でもって載置するこ
とにより、上記半導体ペレット(4)を放熱基板(1)上
にマウントするようにしている。
製造では、図7に示すように放熱基板(1)上に半田
(2)を供給した上で、その半田(2)を溶融させた後、
コレット(3)に吸着保持した半導体ペレット(4)を、
溶融した半田(2)上に所定の荷重でもって載置するこ
とにより、上記半導体ペレット(4)を放熱基板(1)上
にマウントするようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した半
導体装置では、最終的に放熱基板(1)と半導体ペレッ
ト(4)との間に介在する半田(2)の厚みを、放熱性を
確保する関係上、所定値に設定する必要がある。
導体装置では、最終的に放熱基板(1)と半導体ペレッ
ト(4)との間に介在する半田(2)の厚みを、放熱性を
確保する関係上、所定値に設定する必要がある。
【0004】しかしながら、半導体装置の製造におい
て、放熱基板(1)上に半田(2)を定量供給したとして
も、コレット(3)により半導体ペレット(4)を、溶融
した半田(2)上に載置する際、コレット(3)から半導
体ペレット(4)に付与される荷重のばらつきによっ
て、半田(2)の厚みにばらつきが発生する。
て、放熱基板(1)上に半田(2)を定量供給したとして
も、コレット(3)により半導体ペレット(4)を、溶融
した半田(2)上に載置する際、コレット(3)から半導
体ペレット(4)に付与される荷重のばらつきによっ
て、半田(2)の厚みにばらつきが発生する。
【0005】即ち、コレット(3)による荷重が大きく
なり過ぎると、半導体ペレット(4)が、溶融した半田
(2)を外周に押し退けすぎることになり、半田(2)の
厚みが小さくなる。このように半田(2)の厚みが小さ
くなると、放熱基板(1)と半導体ペレット(4)との熱
膨張係数の大きな差を緩衝する機能を有する半田(2)
が少ないことにより、その熱膨張係数の大きな差が半田
(2)に作用してクラックが発生し、これを原因として
放熱性の低下を招来する。
なり過ぎると、半導体ペレット(4)が、溶融した半田
(2)を外周に押し退けすぎることになり、半田(2)の
厚みが小さくなる。このように半田(2)の厚みが小さ
くなると、放熱基板(1)と半導体ペレット(4)との熱
膨張係数の大きな差を緩衝する機能を有する半田(2)
が少ないことにより、その熱膨張係数の大きな差が半田
(2)に作用してクラックが発生し、これを原因として
放熱性の低下を招来する。
【0006】逆に、コレット(3)による荷重が小さく
なり過ぎると、溶融した半田(2)がそのままの状態で
硬化することになり、半田(2)の厚みが大きいままと
なる。このように半田(2)の厚みが大きいと、十分な
放熱性を確保することが困難となる。
なり過ぎると、溶融した半田(2)がそのままの状態で
硬化することになり、半田(2)の厚みが大きいままと
なる。このように半田(2)の厚みが大きいと、十分な
放熱性を確保することが困難となる。
【0007】以上のように、半田(2)の厚みにばらつ
きがあると、放熱性の面で、製品化された半導体装置の
信頼性が大幅に低下するという問題があった。
きがあると、放熱性の面で、製品化された半導体装置の
信頼性が大幅に低下するという問題があった。
【0008】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、放熱基板と半
導体ペレット間に介在する半田の厚みを所定値に確保し
得る半田テープ及びその製造方法を提供することにあ
る。
されたもので、その目的とするところは、放熱基板と半
導体ペレット間に介在する半田の厚みを所定値に確保し
得る半田テープ及びその製造方法を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明の製造方法は、平板状の第
1半田部材の表面に耐熱性微小粒子を分散させ、その表
面上に平板状の第2半田部材を積層した上で圧延し、そ
の後、圧延された半田部材を短冊状に切断した上でその
短冊状の半田部材を引抜き加工によりテープ状に成形す
ることを特徴とする。
の技術的手段として、本発明の製造方法は、平板状の第
1半田部材の表面に耐熱性微小粒子を分散させ、その表
面上に平板状の第2半田部材を積層した上で圧延し、そ
の後、圧延された半田部材を短冊状に切断した上でその
短冊状の半田部材を引抜き加工によりテープ状に成形す
ることを特徴とする。
【0010】本発明方法においては、第1半田部材の表
面に凹溝又は凹穴を刻設し、その凹溝又は凹穴内に定量
の耐熱性微小粒子を収納することが望ましい。
面に凹溝又は凹穴を刻設し、その凹溝又は凹穴内に定量
の耐熱性微小粒子を収納することが望ましい。
【0011】また、本発明の半田テープは、その内部に
耐熱性微小粒子を均一な分散状態で含有したことを特徴
とする。
耐熱性微小粒子を均一な分散状態で含有したことを特徴
とする。
【0012】
【作用】本発明によれば、半田部材の内部に耐熱性微小
粒子を均一に分散させることができ、その半田部材内に
分散した耐熱性微小粒子が含有されることにより、放熱
基板上に半田部材を介して半導体ペレットをマウントし
た際、その放熱基板と半導体ペレット間に半田部材内の
耐熱性微小粒子が介在することになり、その耐熱性微小
粒子でもって半田部材の厚みを確保することが可能とな
る。
粒子を均一に分散させることができ、その半田部材内に
分散した耐熱性微小粒子が含有されることにより、放熱
基板上に半田部材を介して半導体ペレットをマウントし
た際、その放熱基板と半導体ペレット間に半田部材内の
耐熱性微小粒子が介在することになり、その耐熱性微小
粒子でもって半田部材の厚みを確保することが可能とな
る。
【0013】
【実施例】本発明に係る半田テープ及びその製造方法の
実施例を図1乃至図6に示して説明する。尚、図7と同
一部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。
実施例を図1乃至図6に示して説明する。尚、図7と同
一部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。
【0014】本発明方法は、図1に示すように平板状の
第1半田部材(11a)を用意し、その表面にシリカ等の
絶縁性で耐熱性微小粒子(12)を分散させ、その表面上
に平板状の第2半田部材(11b)を積層した上で圧延す
る。この圧延により、二層の第1、第2半田部材(11
a)(11b)が一体化され、その間にサンドイッチされた
微小粒子(12)が均一な分散状態で点在する。そして、
圧延された半田部材(11)を短冊状に切断し、その上
で、短冊状の半田部材(11)を引抜き加工によりテープ
状に成形する。これにより、所定の厚みを有する半田テ
ープ(13)が製作される。
第1半田部材(11a)を用意し、その表面にシリカ等の
絶縁性で耐熱性微小粒子(12)を分散させ、その表面上
に平板状の第2半田部材(11b)を積層した上で圧延す
る。この圧延により、二層の第1、第2半田部材(11
a)(11b)が一体化され、その間にサンドイッチされた
微小粒子(12)が均一な分散状態で点在する。そして、
圧延された半田部材(11)を短冊状に切断し、その上
で、短冊状の半田部材(11)を引抜き加工によりテープ
状に成形する。これにより、所定の厚みを有する半田テ
ープ(13)が製作される。
【0015】このようにして得られた半田テープ(13)
を使用して半導体ペレット(4)をマウントした場合、
その半田テープ(13)を所定寸法で切断したものを放熱
基板(1)に供給した上で溶融させ、図2に示すように
放熱基板(1)上の溶融した半田(14)上に、コレット
(3)〔図7参照〕により吸着された半導体ペレット
(4)を所定の荷重でもって載置した際、その半田(1
4)中に分散した微小粒子(12)が放熱基板(1)と半導
体ペレット(4)間に介在するため、その微小粒子(1
2)でもって半田(14)の厚みを所定値に規制すること
ができる。
を使用して半導体ペレット(4)をマウントした場合、
その半田テープ(13)を所定寸法で切断したものを放熱
基板(1)に供給した上で溶融させ、図2に示すように
放熱基板(1)上の溶融した半田(14)上に、コレット
(3)〔図7参照〕により吸着された半導体ペレット
(4)を所定の荷重でもって載置した際、その半田(1
4)中に分散した微小粒子(12)が放熱基板(1)と半導
体ペレット(4)間に介在するため、その微小粒子(1
2)でもって半田(14)の厚みを所定値に規制すること
ができる。
【0016】本発明では、上述した方法以外にも、以下
のような方法で半田テープ(13)を製作することが望ま
しい。
のような方法で半田テープ(13)を製作することが望ま
しい。
【0017】即ち、前述の同様、平板状の第1半田部材
(11a)を用意する。そして、図3に示すようにその第
1半田部材(11a)の表面に複数条の凹溝(15)を刻設
し、その凹溝(15)内に微小粒子(12)を収納する。こ
のように凹溝(15)内に微小粒子(12)を収納すること
により、定量の微小粒子(12)を分散させることが可能
となる。その後、平板状の第2半田部材(11b)を積層
した上で圧延し、二層一体化された半田部材(11)の内
部に定量の微小粒子(12)を均一な分散状態で点在させ
る。次に、圧延された半田部材(11)を凹溝(15)ごと
に短冊状に切断し、その上で、短冊状の半田部材(11)
を引抜き加工によりテープ状に成形し、半田テープ(1
3)を得る。
(11a)を用意する。そして、図3に示すようにその第
1半田部材(11a)の表面に複数条の凹溝(15)を刻設
し、その凹溝(15)内に微小粒子(12)を収納する。こ
のように凹溝(15)内に微小粒子(12)を収納すること
により、定量の微小粒子(12)を分散させることが可能
となる。その後、平板状の第2半田部材(11b)を積層
した上で圧延し、二層一体化された半田部材(11)の内
部に定量の微小粒子(12)を均一な分散状態で点在させ
る。次に、圧延された半田部材(11)を凹溝(15)ごと
に短冊状に切断し、その上で、短冊状の半田部材(11)
を引抜き加工によりテープ状に成形し、半田テープ(1
3)を得る。
【0018】このようにして得られた半田テープ(13)
を使用し、前述した方法と同様、半導体ペレット(4)
をマウントした場合、図4に示すように溶融した半田
(14)中、半導体ペレット(4)から両側方に食み出し
た部分では、微小粒子(12)があまり存在せず、半導体
ペレット(4)の下方部分に微小粒子(12)が集中して
存在するため、放熱基板(1)と半導体ペレット(4)間
に微小粒子(12)を介在させることが確実となって半田
(14)の厚みを所定値に規制することが確実となる。
を使用し、前述した方法と同様、半導体ペレット(4)
をマウントした場合、図4に示すように溶融した半田
(14)中、半導体ペレット(4)から両側方に食み出し
た部分では、微小粒子(12)があまり存在せず、半導体
ペレット(4)の下方部分に微小粒子(12)が集中して
存在するため、放熱基板(1)と半導体ペレット(4)間
に微小粒子(12)を介在させることが確実となって半田
(14)の厚みを所定値に規制することが確実となる。
【0019】更に、この方法以外にも、例えば、凹溝
(15)の代わりに凹穴を形成する方法であってもよい。
(15)の代わりに凹穴を形成する方法であってもよい。
【0020】すなわち、図5に示すように平板状の第1
半田部材(11a)の表面に多数の凹穴(16)を刻設す
る。この凹穴(16)は、最終的に半田テープ(13)を製
作した時点で所定寸法に切断されて放熱基板(1)上に
供給される領域ごとに形成すればよい。そして、凹穴
(16)内に定量の微小粒子(12)を収納させ、第2半田
部材(11b)を積層して圧延し、二層一体化された半田
部材(11)の内部に定量の微小粒子(12)を均一な分散
状態で点在させる。その後、圧延された半田部材(11)
を凹穴(16)が並ぶ列ごとに短冊状に切断し、その上
で、短冊状の半田部材(11)を引抜き加工によりテープ
状に成形し、半田テープ(13)を得る。
半田部材(11a)の表面に多数の凹穴(16)を刻設す
る。この凹穴(16)は、最終的に半田テープ(13)を製
作した時点で所定寸法に切断されて放熱基板(1)上に
供給される領域ごとに形成すればよい。そして、凹穴
(16)内に定量の微小粒子(12)を収納させ、第2半田
部材(11b)を積層して圧延し、二層一体化された半田
部材(11)の内部に定量の微小粒子(12)を均一な分散
状態で点在させる。その後、圧延された半田部材(11)
を凹穴(16)が並ぶ列ごとに短冊状に切断し、その上
で、短冊状の半田部材(11)を引抜き加工によりテープ
状に成形し、半田テープ(13)を得る。
【0021】このようにして得られた半田テープ(13)
の場合、半導体ペレット(4)を放熱基板(1)上にマウ
ントした際、図6に示すように溶融した半田(14)中、
微小粒子(12)があまり存在しないのが、半導体ペレッ
ト(4)から食み出した全周囲部分となり、半導体ペレ
ット(4)の直下部分に微小粒子(12)が集中して存在
することになる。従って、その微小粒子(12)を放熱基
板(1)と半導体ペレット(4)間に介在させることが、
より一層確実となって半田(14)の厚みを所定値に規制
することが十分に確実となる。
の場合、半導体ペレット(4)を放熱基板(1)上にマウ
ントした際、図6に示すように溶融した半田(14)中、
微小粒子(12)があまり存在しないのが、半導体ペレッ
ト(4)から食み出した全周囲部分となり、半導体ペレ
ット(4)の直下部分に微小粒子(12)が集中して存在
することになる。従って、その微小粒子(12)を放熱基
板(1)と半導体ペレット(4)間に介在させることが、
より一層確実となって半田(14)の厚みを所定値に規制
することが十分に確実となる。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、半田部材の内部に微小
粒子を均一に分散させることができ、その半田部材内に
分散した微小粒子が含有されることにより、放熱基板上
に半田部材を介して半導体ペレットをマウントした際、
その放熱基板と半導体ペレット間に半田部材内の微小粒
子が介在することになり、その耐熱性微小粒子でもって
半田部材の厚みを確保することが可能となり、製品の信
頼性が大幅に向上し、良品質の製品を提供することがで
きる。
粒子を均一に分散させることができ、その半田部材内に
分散した微小粒子が含有されることにより、放熱基板上
に半田部材を介して半導体ペレットをマウントした際、
その放熱基板と半導体ペレット間に半田部材内の微小粒
子が介在することになり、その耐熱性微小粒子でもって
半田部材の厚みを確保することが可能となり、製品の信
頼性が大幅に向上し、良品質の製品を提供することがで
きる。
【図1】本発明方法の一実施例を説明するための各工程
での状態を示す斜視図
での状態を示す斜視図
【図2】図1の方法により得られた半田テープを使用し
た半導体ペレットのマウント状態を示す断面図
た半導体ペレットのマウント状態を示す断面図
【図3】本発明の他の実施例を説明するための各工程で
の状態を示す斜視図
の状態を示す斜視図
【図4】図3の方法により得られた半田テープを使用し
た半導体ペレットのマウント状態を示す断面図
た半導体ペレットのマウント状態を示す断面図
【図5】本発明の他の実施例を説明するための各工程で
の状態を示す斜視図
の状態を示す斜視図
【図6】図5の方法により得られた半田テープを使用し
た半導体ペレットのマウント状態を示す平面図
た半導体ペレットのマウント状態を示す平面図
【図7】半導体ペレットを放熱基板上に半田でマウント
した状態を示す断面図
した状態を示す断面図
1 放熱基板 4 半導体ペレット 11 半田部材 11a 第1半田部材 11b 第2半田部材 12 耐熱性微小粒子 13 半田テープ 15 凹溝 16 凹穴
Claims (3)
- 【請求項1】 平板状の第1半田部材の表面に耐熱性微
小粒子を分散させ、その表面上に平板状の第2半田部材
を積層した上で圧延し、その後、圧延された半田部材を
短冊状に成形することを特徴とする半田テープの製造方
法。 - 【請求項2】 請求項1記載の第1半田部材の表面に凹
溝又は凹穴を刻設し、その凹溝又は凹穴内に定量の耐熱
性微小粒子を収納するようにしたことを特徴とする半田
テープの製造方法。 - 【請求項3】 内部に耐熱性微小粒子を均一な分散状態
で含有したことを特徴とする半田テープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31672692A JPH06155081A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半田テープ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31672692A JPH06155081A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半田テープ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06155081A true JPH06155081A (ja) | 1994-06-03 |
Family
ID=18080225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31672692A Pending JPH06155081A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半田テープ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06155081A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011121062A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | はんだ合金およびはんだ合金の製造方法 |
JP2014113025A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-06-19 | Toshiba Corp | 半導体電力変換装置およびその製造方法 |
CN110891732A (zh) * | 2017-05-15 | 2020-03-17 | 法尔冲压技术有限责任公司 | 用于扩散焊接的无铅的焊接薄膜和用于其制造的方法 |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP31672692A patent/JPH06155081A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011121062A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | はんだ合金およびはんだ合金の製造方法 |
JP2014113025A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-06-19 | Toshiba Corp | 半導体電力変換装置およびその製造方法 |
CN110891732A (zh) * | 2017-05-15 | 2020-03-17 | 法尔冲压技术有限责任公司 | 用于扩散焊接的无铅的焊接薄膜和用于其制造的方法 |
CN110891732B (zh) * | 2017-05-15 | 2022-03-22 | 法尔冲压技术有限责任公司 | 用于扩散焊接的无铅的焊接薄膜和用于其制造的方法 |
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