JPH06151659A - Lsi package - Google Patents
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- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、放熱用のヒートシンク
を備えるLSIパッケージに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LSI package having a heat sink for heat dissipation.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、大規模半導体集積回路(以下LS
Iという)は、製造の微細加工技術の進歩及び回路技術
の発展により様々な機能を実現することが可能になって
いる。この回路技術としては、例えばp型MOSFET
とn型MOSFETとを用いた相補型金属酸化膜半導体
(以下CMOSという)回路,CMOSとバイポーラト
ランジスタとを1つのチップ上に形成して回路を構成す
るBiCMOS回路等があり、特にこれらCMOS及び
BiCMOSの論理回路は、定常状態では電流が流れな
い構成であり、電力を消費するのは動作時のみであるた
め、低消費電力であり且つ高速動作が可能である。2. Description of the Related Art In recent years, large-scale semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as LS
It is possible to realize various functions by the progress of manufacturing microfabrication technology and the development of circuit technology. As this circuit technology, for example, p-type MOSFET
There is a complementary metal oxide film semiconductor (hereinafter referred to as CMOS) circuit using a MOSFET and an n-type MOSFET, a BiCMOS circuit in which a CMOS and a bipolar transistor are formed on one chip to form a circuit, and particularly, these CMOS and BiCMOS. The logic circuit is configured such that no current flows in a steady state, and consumes power only during operation. Therefore, low power consumption and high-speed operation are possible.
【0003】一般にシリコンを用いたLSIのパッケー
ジでは信頼性確保の点からチップの最高接合温度Tj
max を指標としており、以下の式で表される。 Tjmax =Tamax +Pdmax (θjc+θca)= 100〜125 〔℃〕…(1) ここでTamax はLSIを動作させる周囲温度の最大
値、Pdmax はLSIの許容消費電力、θjcはLSIチ
ップからLSIチップを実装したパッケージまでの熱抵
抗、θcaはパッケージから周囲の雰囲気までの熱抵抗を
夫々表している。ここでθjc,θcaは使用するパッケー
ジ及び使用環境により固有の値を有する。Generally, in the case of an LSI package using silicon, the maximum junction temperature Tj of the chip is required from the viewpoint of ensuring reliability.
It uses max as an index and is expressed by the following formula. Tj max = Ta max + Pd max (θjc + θca) = 100 to 125 [° C.] (1) where Ta max is the maximum ambient temperature for operating the LSI, Pd max is the allowable power consumption of the LSI, and θjc is from the LSI chip. The thermal resistance up to the package in which the LSI chip is mounted, and θca represent the thermal resistance from the package to the surrounding atmosphere. Here, θjc and θca have unique values depending on the package used and the usage environment.
【0004】例えば 281ピンのセラミックPGA(Pin
Grid Array) パッケージを用いた場合の許容消費電
力Pdmax を求める。熱抵抗は、通常のフィン無し、無
風状態でθjc+θca=30℃/Wであり、Tjmax = 100
℃、Tamax =75℃(TTL(Transistor Transisto
r Logic)に代表される半導体集積回路の製品の保障温
度値)とするとPdmax =0.83Wとなる。For example, a 281-pin ceramic PGA ( P in
Request power dissipation Pd max in the case of using a G rid A rray) package. The thermal resistance is θjc + θca = 30 ° C / W in the normal condition without fins and Tj max = 100.
℃, Ta max = 75 ℃ (TTL ( T ransistor T ransisto
r L guaranteed temperature value of product of the semiconductor integrated circuit typified by ogic)) that becomes a Pd max = 0.83W.
【0005】LSIの動作周波数は年々上昇し(日経マ
イクロデバイス,1991年4月号,pp-38-50)、それに伴っ
て消費電力も増加しており、信頼性確保のため前記許容
消費電力を上げる必要がある。ここで許容消費電力Pd
max を上昇させる、例えば1W以上にするための方法と
しては、Tamax を縮小するか、又はパッケージの熱抵
抗θjc,θcaを低下させるかが考えられる。一般にはθ
ca(パッケージから周囲の雰囲気までの熱抵抗)を低下
させる方法を採っており、例えば「『パッケージライン
アップ』ゲートアレイ スタンダードセル,NEC社, 1987
年9月版」,「『GMICRO F32/300 MPU -MB92301-』TRON
NOW〜TRON仕様関連製品のすべて〜,TRON協会発行,pp2
2-23,1990.12」には、放熱用のフィンをパッケージに装
着し、外部からの強制送風によりθcaを低下させるもの
が掲載されている。The operating frequency of the LSI is increasing year by year (Nikkei Microdevice, April 1991, pp-38-50), and the power consumption is also increasing accordingly. Need to raise. Allowable power consumption Pd
As a method of increasing max , for example, 1 W or more, it is conceivable to reduce Ta max or decrease the thermal resistances θjc and θca of the package. Generally θ
A method of reducing ca (thermal resistance from the package to the surrounding atmosphere) is adopted. For example, "Package Lineup" Gate Array Standard Cell, NEC, 1987
September edition ",""GMICRO F32 / 300 MPU -MB92301-" TRON
NOW ~ All products related to TRON specifications ~, Published by TRON Association, pp2
2-23, December 12, 1990 ", a fin for heat radiation is attached to the package and θca is reduced by forced air blow from the outside.
【0006】図1はこの従来のLSIパッケージを示す
模式図であり、図1(a) はその断面図を示し、図1(b)
はその平面図を示している。図中1は、パッケージ本体
であり、このパッケージ本体1の下側の外周部にはリー
ドピン2,2…が多数取り付けられている。このパッケ
ージ本体1の中央部にはLSIチップ4が実装されてお
り、このLSIチップ4とパッケージ本体1とは金属ワ
イヤ5により接続されている。そしてこの実装部は蓋3
により施蓋されている。FIG. 1 is a schematic view showing this conventional LSI package, FIG. 1 (a) is a sectional view thereof, and FIG.
Shows its plan view. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a package body, and a large number of lead pins 2, 2, ... Are attached to the lower outer peripheral portion of the package body 1. An LSI chip 4 is mounted on the center of the package body 1, and the LSI chip 4 and the package body 1 are connected by a metal wire 5. And this mounting part is a lid 3
It is covered by.
【0007】またパッケージ本体1の上側には、ヒート
シンクとして、多数の円柱が平面視において格子状に並
び、中央部には他の円柱より径が大きい円柱を有する放
熱フィン6が取り付けられている。これにより、上下左
右のどの方向から風が送られても放熱効果を得られる構
成となっている。従って例えばLSIをプリント基板に
実装した場合は、装置の筐体の熱設計を容易にすること
ができるという利点がある。On the upper side of the package body 1, as a heat sink, a large number of cylinders are arranged in a grid pattern in a plan view, and a radiating fin 6 having a cylinder having a larger diameter than the other cylinders is attached to the central portion. As a result, the heat radiation effect can be obtained regardless of the direction in which the wind is blown. Therefore, for example, when the LSI is mounted on the printed circuit board, there is an advantage that the thermal design of the housing of the device can be facilitated.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
LSIパッケージにおける放熱フィン6の形状では、風
上側と風下側とで、例えば外周部と中央部とで放熱特性
にばらつきがある。これは、中央部へ吹き込む風は、外
周部において予め昇温されているため、中央部において
は熱がこもり放熱特性が悪化しているためである。本発
明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、中央部
における放熱特性を改善することが可能な放熱用のヒー
トシンクを備えるLSIパッケージを提供することを目
的とする。However, in the shape of the heat radiation fins 6 in the conventional LSI package, there are variations in heat radiation characteristics between the windward side and the leeward side, for example, the outer peripheral portion and the central portion. This is because the wind blown into the central portion is preheated in the outer peripheral portion, so that heat is accumulated in the central portion and the heat radiation characteristics are deteriorated. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an LSI package including a heat sink for heat radiation capable of improving the heat radiation characteristics in the central portion.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】第1発明に係るLSIパ
ッケージは、多数の円柱を有する放熱用のヒートシンク
を備え、LSIチップを実装するLSIパッケージにお
いて、前記円柱の長さを、一方側から他方側に向けて徐
々に長くしてあることを特徴とする。第2発明に係るL
SIパッケージは、多数の円柱を有する放熱用のヒート
シンクを備え、LSIチップを実装するLSIパッケー
ジにおいて、その内部が空洞であり、先端部は開放され
ている円柱を備えることを特徴とする。第3発明に係る
LSIパッケージは、多数の円柱を有する放熱用のヒー
トシンクを備え、LSIチップを実装するLSIパッケ
ージにおいて、その内部が空洞であり、先端部は開放さ
れ、基端部側面に通気孔を設けた円柱を備えることを特
徴とする。An LSI package according to a first aspect of the present invention is provided with a heat sink for heat dissipation having a large number of cylinders, and in the LSI package on which an LSI chip is mounted, the length of the cylinder is changed from one side to the other side. The feature is that it gradually becomes longer toward the side. L according to the second invention
The SI package is provided with a heat sink for heat dissipation having a large number of cylinders, and in the LSI package on which the LSI chip is mounted, the inside is hollow and the tip is provided with a cylinder having an open end. An LSI package according to a third aspect of the present invention is provided with a heat sink for heat dissipation having a large number of cylinders, and in the LSI package on which an LSI chip is mounted, the inside is hollow, the front end is open, and a vent hole is formed on the side surface of the base end. It is characterized by including a column provided with.
【0010】[0010]
【作用】第1発明にあっては、風下の部分においても外
部から吹いてくる風を直接受けることが可能となり、放
熱特性を改善することができる。第2発明にあっては、
温められた空気をヒートシンク上方へ逃がすことによ
り、放熱特性を改善することができる。第3発明にあっ
ては、温められた空気をヒートシンク上方へ強制的に逃
がすことにより、熱のこもりを防止して放熱特性を改善
することができる。According to the first aspect of the invention, the wind blown from the outside can be directly received even in the leeward portion, so that the heat radiation characteristic can be improved. In the second invention,
By letting the warmed air escape above the heat sink, the heat dissipation characteristics can be improved. According to the third aspect of the present invention, the warm air is forcedly released to the upper side of the heat sink, so that heat can be prevented from being accumulated and the heat radiation characteristics can be improved.
【0011】[0011]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図2は本発明に係るLSIパッケ
ージの第1実施例を示す模式図であり、図2(a) はその
断面図を示し、図2(b) は平面図を示す。図中1は、パ
ッケージ本体であり、このパッケージ本体1の下側の外
周部にはリードピン2,2…が多数取り付けられてい
る。このパッケージ本体1の中央部にはLSIチップ4
が実装されており、このLSIチップ4とパッケージ本
体1とは金属ワイヤ5により接続されている。そしてこ
の実装部は蓋3により施蓋されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments. 2A and 2B are schematic diagrams showing a first embodiment of an LSI package according to the present invention, FIG. 2A is a sectional view thereof, and FIG. 2B is a plan view thereof. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a package body, and a large number of lead pins 2, 2, ... Are attached to the lower outer peripheral portion of the package body 1. The LSI chip 4 is provided at the center of the package body 1.
Are mounted, and the LSI chip 4 and the package body 1 are connected by a metal wire 5. The mounting portion is covered by the lid 3.
【0012】本発明に係るLSIパッケージにおいて
は、パッケージ本体1の上側に、多数の円柱が平面視に
おいて格子状に並び、中央部には他の円柱より径が大き
い円柱11を有する放熱フィン10が取り付けられている。
この図において白抜き矢符で示す如く左側から送風が行
われる場合は、最左列の円柱A(,A…)から次列の円柱
B(,B…),円柱C(,C…),円柱D(,D…),円柱E
(,E…),円柱F(,F…),円柱G(,G…),円柱H(,
H…)そして最右列の円柱I(,I…)にかけてこの順で
高さが高い構成としてある。In the LSI package according to the present invention, a large number of cylinders are arranged on the upper side of the package body 1 in a grid pattern in a plan view, and a radiation fin 10 having a cylinder 11 having a diameter larger than those of the other cylinders is provided in the central portion. It is installed.
When the air is blown from the left side as shown by the white arrow in this figure, the cylinder A (, A ...) in the leftmost column to the cylinder B (, B ...), C (, C ...) in the next column, Cylinder D (, D ...), Cylinder E
(, E ...), cylinder F (, F ...), cylinder G (, G ...), cylinder H (,
H ...) and the column I (, I ...) in the rightmost column has a structure in which the height is high in this order.
【0013】このような構成においては風下側部分にお
いても外部から吹いてくる風を直接受けることが可能と
なり、放熱特性が改善される。In such a structure, it is possible to directly receive the wind blown from the outside even in the leeward side portion, and the heat dissipation characteristic is improved.
【0014】図3は本発明に係るLSIパッケージの第
2実施例を示す模式図であり、図3(a) はその断面図を
示し、図3(b) は平面図を示す。第2実施例において、
放熱フィン12の各円柱は同じ高さであり、内部を空洞に
し、且つ上部を開放している。また中央部の円柱13は従
来と同様の形態である。その他の構成は図2に示すもの
と同様であり、同一符号を付してその説明は省略する。FIG. 3 is a schematic diagram showing a second embodiment of the LSI package according to the present invention, FIG. 3 (a) is a sectional view thereof, and FIG. 3 (b) is a plan view thereof. In the second embodiment,
Each of the columns of the heat radiation fin 12 has the same height, has a hollow inside, and has an open top. Further, the cylinder 13 at the center has the same shape as the conventional one. Other configurations are the same as those shown in FIG. 2, and the same reference numerals are given and the description thereof is omitted.
【0015】このような構成では、温められた空気を放
熱フィン12上方へ逃がすことにより、放熱特性が改善さ
れる。また図2に示す放熱フィン10と同様、風上側から
風下側にかけて円柱の高さを高くする構成とすればより
よい効果が得られる。In such a structure, the heat radiation characteristics are improved by letting the warmed air escape above the radiation fins 12. Similar to the radiation fin 10 shown in FIG. 2, a better effect can be obtained by increasing the height of the column from the windward side to the leeward side.
【0016】図4は本発明に係るLSIパッケージの第
3実施例を示す模式図であり、図4(a) はその断面図を
示し、図4(b) は平面図を示す。第3実施例において、
放熱フィン14の各円柱は同じ高さであり、内部を空洞に
し、且つ上部を開放し、さらに円柱下部側面に風を取り
込むための通気孔14a を設けてある。また中央部の円柱
15は従来と同様の形態である。その他の構成は図2に示
すものと同様であり、同一符号を付してその説明は省略
する。FIG. 4 is a schematic diagram showing a third embodiment of an LSI package according to the present invention, FIG. 4 (a) is a sectional view thereof, and FIG. 4 (b) is a plan view thereof. In the third embodiment,
Each of the columns of the heat radiation fin 14 has the same height, has a hollow inside, has an open top, and is provided with a vent hole 14a for taking in wind on the lower side surface of the column. Also, the central column
15 is the same form as the conventional one. Other configurations are the same as those shown in FIG. 2, and the same reference numerals are given and the description thereof is omitted.
【0017】このような構成では、温められた空気を放
熱フィン12上方へ強制的に逃がすことにより、熱のこも
りを防止して放熱特性が改善される。また図2に示す放
熱フィン10と同様、風上側から風下側にかけて円柱の高
さを高くする構成とすればよりよい効果が得られる。In such a structure, the warm air is forced to escape above the heat radiating fins 12 to prevent heat buildup and improve the heat radiating characteristics. Similar to the radiation fin 10 shown in FIG. 2, a better effect can be obtained by increasing the height of the column from the windward side to the leeward side.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上のように、本発明に係るLSIパッ
ケージでは、放熱用のヒートシンクの形状を変えること
により、通風又は熱の放出を活発化して、放熱特性を改
善することが可能になる等、本発明は優れた効果を奏す
る。As described above, in the LSI package according to the present invention, by changing the shape of the heat sink for heat radiation, it is possible to activate ventilation or heat emission and improve the heat radiation characteristics. The present invention has excellent effects.
【図1】従来のLSIパッケージを示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional LSI package.
【図2】本発明に係るLSIパッケージの第1実施例を
示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a first embodiment of an LSI package according to the present invention.
【図3】本発明に係るLSIパッケージの第2実施例を
示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a second embodiment of an LSI package according to the present invention.
【図4】本発明に係るLSIパッケージの第3実施例を
示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a third embodiment of an LSI package according to the present invention.
1 パッケージ本体 2 リードピン 3 蓋 4 LSIチップ 5 金属ワイヤ 10, 12, 14 放熱フィン 14a 通気孔 1 Package body 2 Lead pin 3 Lid 4 LSI chip 5 Metal wire 10, 12, 14 Heat dissipation fin 14a Vent hole
Claims (3)
クを備え、LSIチップを実装するLSIパッケージに
おいて、前記円柱の長さを、一方側から他方側に向けて
徐々に長くしてあることを特徴とするLSIパッケー
ジ。1. An LSI package including a heat sink for heat dissipation, which has a large number of cylinders, wherein the length of the cylinders is gradually increased from one side to the other side. LSI package.
クを備え、LSIチップを実装するLSIパッケージに
おいて、その内部が空洞であり、先端部は開放されてい
る円柱を備えることを特徴とするLSIパッケージ。2. An LSI package comprising a heat sink for heat dissipation having a large number of cylinders, wherein the inside of the LSI package is a cavity, and the tip has an open cylinder. .
クを備え、LSIチップを実装するLSIパッケージに
おいて、その内部が空洞であり、先端部は開放され、基
端部側面に通気孔を設けた円柱を備えることを特徴とす
るLSIパッケージ。3. In an LSI package having a heat sink for heat dissipation having a large number of cylinders, the inside of which is a hollow, the tip end is open, and a vent hole is provided on the side surface of the base end in an LSI package. An LSI package comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4294852A JPH06151659A (en) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | Lsi package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4294852A JPH06151659A (en) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | Lsi package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06151659A true JPH06151659A (en) | 1994-05-31 |
Family
ID=17813089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4294852A Pending JPH06151659A (en) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | Lsi package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06151659A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5900008A (en) * | 1993-10-14 | 1999-05-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
US6002856A (en) * | 1993-10-14 | 1999-12-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
KR101014338B1 (en) * | 2009-03-23 | 2011-02-15 | 금호전기주식회사 | Heat Sink for Light-Emitting Device Package |
KR101014340B1 (en) * | 2009-03-23 | 2011-02-15 | 금호전기주식회사 | Heat Sink for Light-Emitting Device Package |
KR101388845B1 (en) * | 2012-07-10 | 2014-04-23 | 삼성전기주식회사 | Cooling system having multi-stage heatsinke and method for controlling the same |
JP2014078563A (en) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Aps Japan Co Ltd | Heat sink |
-
1992
- 1992-11-04 JP JP4294852A patent/JPH06151659A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5900008A (en) * | 1993-10-14 | 1999-05-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
US6002856A (en) * | 1993-10-14 | 1999-12-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
KR101014338B1 (en) * | 2009-03-23 | 2011-02-15 | 금호전기주식회사 | Heat Sink for Light-Emitting Device Package |
KR101014340B1 (en) * | 2009-03-23 | 2011-02-15 | 금호전기주식회사 | Heat Sink for Light-Emitting Device Package |
KR101388845B1 (en) * | 2012-07-10 | 2014-04-23 | 삼성전기주식회사 | Cooling system having multi-stage heatsinke and method for controlling the same |
JP2014078563A (en) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Aps Japan Co Ltd | Heat sink |
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