JPH06151515A - キャリアテープ、モールド用金型およびこれらを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
キャリアテープ、モールド用金型およびこれらを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH06151515A JPH06151515A JP32854292A JP32854292A JPH06151515A JP H06151515 A JPH06151515 A JP H06151515A JP 32854292 A JP32854292 A JP 32854292A JP 32854292 A JP32854292 A JP 32854292A JP H06151515 A JPH06151515 A JP H06151515A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャリアテープ上の半導体チップを樹脂封止
する場合に発生する樹脂もれを防止すると共に封止時に
形成される不要樹脂の除去を容易にする。 【構成】 絶縁性テープ２に溶融樹脂の流通路となるラ
ンナースリット２ｆをテープの幅方向の端まで開口しさ
らにランナースリット側面部に封止時の樹脂もれを防ぐ
ことが可能となる樹脂もれ防止用金属箔４を設ける。こ
のキャリアテープのランナースリット２ｆに対応する位
置に、それぞれランナーゲートの設けられた上・下金型
を用いてこのキャリアテープに搭載された半導体チップ
を樹脂封止する。
する場合に発生する樹脂もれを防止すると共に封止時に
形成される不要樹脂の除去を容易にする。 【構成】 絶縁性テープ２に溶融樹脂の流通路となるラ
ンナースリット２ｆをテープの幅方向の端まで開口しさ
らにランナースリット側面部に封止時の樹脂もれを防ぐ
ことが可能となる樹脂もれ防止用金属箔４を設ける。こ
のキャリアテープのランナースリット２ｆに対応する位
置に、それぞれランナーゲートの設けられた上・下金型
を用いてこのキャリアテープに搭載された半導体チップ
を樹脂封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding) 方式により半導体チップを実装基板に搭載
する際に用いられるキャリアテープに関し、また、この
キャリアテープにボンディングされた半導体チップを樹
脂封止する際に用いられるモールド用金型に関し、さら
にこれらキャリアテープおよびモールド用金型を用いた
半導体装置の製造方法に関する。
ed Bonding) 方式により半導体チップを実装基板に搭載
する際に用いられるキャリアテープに関し、また、この
キャリアテープにボンディングされた半導体チップを樹
脂封止する際に用いられるモールド用金型に関し、さら
にこれらキャリアテープおよびモールド用金型を用いた
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置等の半導体デバイス
の電極接続技術として、ワイヤボンディング法と並んで
キャリアテープを用いるＴＡＢ法が広く採用されてい
る。図５の（ａ）は、半導体チップが搭載された従来の
キャリアテープの平面図であり、図５の（ｂ）は、その
Ｂ−Ｂ線の断面図である（例えば、特開平３−７８２３
６号公報参照）。キャリアテープ１は、ポリイミド等の
樹脂フィルムから形成された絶縁性テープ２と、銅箔か
らなるリード３とから構成される。絶縁性テープ２に
は、その両側縁部に沿って複数のスプロケット孔２ａが
等間隔に配置されると共にその幅方向の中央部には、半
導体チップ６を収容するための矩形状のデバイス孔２ｂ
が開孔されている。
の電極接続技術として、ワイヤボンディング法と並んで
キャリアテープを用いるＴＡＢ法が広く採用されてい
る。図５の（ａ）は、半導体チップが搭載された従来の
キャリアテープの平面図であり、図５の（ｂ）は、その
Ｂ−Ｂ線の断面図である（例えば、特開平３−７８２３
６号公報参照）。キャリアテープ１は、ポリイミド等の
樹脂フィルムから形成された絶縁性テープ２と、銅箔か
らなるリード３とから構成される。絶縁性テープ２に
は、その両側縁部に沿って複数のスプロケット孔２ａが
等間隔に配置されると共にその幅方向の中央部には、半
導体チップ６を収容するための矩形状のデバイス孔２ｂ
が開孔されている。
【０００３】デバイス孔２ｂの周辺部には、デバイス孔
の各辺に沿って４個のアウターリード孔２ｃが形成され
ている。デバイス孔２ｂとアウターリード孔２ｃとの間
は、リードサポート部２ｄになされており、リードサポ
ート部２ｄは、隣接する２つのアウターリード孔２ｃ間
に設けられたタイバー２ｅにより、絶縁性テープ本体と
接続されている。
の各辺に沿って４個のアウターリード孔２ｃが形成され
ている。デバイス孔２ｂとアウターリード孔２ｃとの間
は、リードサポート部２ｄになされており、リードサポ
ート部２ｄは、隣接する２つのアウターリード孔２ｃ間
に設けられたタイバー２ｅにより、絶縁性テープ本体と
接続されている。
【０００４】リードサポート部２ｄ上には複数のリード
３が固着されている。リード３の先端部は、インナーリ
ード３ａとしてデバイス孔２ｂ内に突出し、その中央部
は外部回路の電極に接続されるアウターリード３ｂとし
てアウターリード孔２ｃ上に位置している。さらに各リ
ード３の後端部にはテストパッド３ｃが形成されてい
る。
３が固着されている。リード３の先端部は、インナーリ
ード３ａとしてデバイス孔２ｂ内に突出し、その中央部
は外部回路の電極に接続されるアウターリード３ｂとし
てアウターリード孔２ｃ上に位置している。さらに各リ
ード３の後端部にはテストパッド３ｃが形成されてい
る。
【０００５】４個のタイバーの１つには樹脂モールド時
に溶融樹脂の流通路となる開口部２ｇが、樹脂パッケー
ジにより封止される境界線を示すモールドライン７をま
たぐように形成されている。
に溶融樹脂の流通路となる開口部２ｇが、樹脂パッケー
ジにより封止される境界線を示すモールドライン７をま
たぐように形成されている。
【０００６】図５の（ｂ）に示すように、キャリアテー
プ１のデバイス孔２ｂ内において、各リード３のインナ
ーリード３ａに半導体チップ６のバンプ６ａが接続され
ており、これらキャリアテープ１および半導体チップ６
によりテープキャリアが形成されている。このようなテ
ープキャリアは、外力および外部の環境から半導体チッ
プ６およびリード３等を保護するためにモールド樹脂に
より封止される。
プ１のデバイス孔２ｂ内において、各リード３のインナ
ーリード３ａに半導体チップ６のバンプ６ａが接続され
ており、これらキャリアテープ１および半導体チップ６
によりテープキャリアが形成されている。このようなテ
ープキャリアは、外力および外部の環境から半導体チッ
プ６およびリード３等を保護するためにモールド樹脂に
より封止される。
【０００７】図６は、従来のトランスファモールド時の
状態を示す断面図である。モールド用金型１０は、上金
型１０ｃと下金型１０ｄにより構成されており、樹脂封
止に先立ってテープキャリアが上金型１０ｃと下金型１
０ｄとの間にセットされる。このときテープキャリア
は、半導体チップ６が下金型１０ｄのキャビティハーフ
１２ｄ内に収容されるように位置合わせされる。その
後、上金型１０ｃと下金型１０ｄとを型締めし、上金型
１０ｃのパーティング面１１ｃをリード３の上面に、ま
た下金型１０ｄのパーティング面１１ｄを絶縁性テープ
２の下面に密着させる。
状態を示す断面図である。モールド用金型１０は、上金
型１０ｃと下金型１０ｄにより構成されており、樹脂封
止に先立ってテープキャリアが上金型１０ｃと下金型１
０ｄとの間にセットされる。このときテープキャリア
は、半導体チップ６が下金型１０ｄのキャビティハーフ
１２ｄ内に収容されるように位置合わせされる。その
後、上金型１０ｃと下金型１０ｄとを型締めし、上金型
１０ｃのパーティング面１１ｃをリード３の上面に、ま
た下金型１０ｄのパーティング面１１ｄを絶縁性テープ
２の下面に密着させる。
【０００８】この状態でエポキシ樹脂等よりなる溶融樹
脂を流通させると、溶融樹脂は上金型１０ｃのランナー
ゲート１４ｃおよびゲート１３ｃ下に位置する絶縁テー
プ２の開口部２ｇを介して矢印Ａに示す流通路を経て、
上金型１０ｃのキャビティハーフ１２ｃと下金型１０ｄ
のキャビティハーフ１２ｄとにより形成されるキャビテ
ィ内に注入される。
脂を流通させると、溶融樹脂は上金型１０ｃのランナー
ゲート１４ｃおよびゲート１３ｃ下に位置する絶縁テー
プ２の開口部２ｇを介して矢印Ａに示す流通路を経て、
上金型１０ｃのキャビティハーフ１２ｃと下金型１０ｄ
のキャビティハーフ１２ｄとにより形成されるキャビテ
ィ内に注入される。
【０００９】樹脂を硬化させた後、上金型１０ｃおよび
下金型１０ｄを開いて成型物を取り出す。得られた成型
物には、図７に示すように、モールド樹脂８の外にラン
ナーゲート１４ｃ部に形成された不要樹脂８ｄが含まれ
ている。この不要樹脂は、ゲートブレイクと呼ばれる、
上金型１０ｃのゲート１３ｃに対応する部分８ｃで成型
物を切断する工程において除去される。さらに各リード
３をアウターリード３ｂとテストパッド３ｃとの間で切
断すると共に絶縁テープ２のタイバー２ｅを切断するこ
とにより、ＴＡＢ型半導体装置の製造方法を完了する。
下金型１０ｄを開いて成型物を取り出す。得られた成型
物には、図７に示すように、モールド樹脂８の外にラン
ナーゲート１４ｃ部に形成された不要樹脂８ｄが含まれ
ている。この不要樹脂は、ゲートブレイクと呼ばれる、
上金型１０ｃのゲート１３ｃに対応する部分８ｃで成型
物を切断する工程において除去される。さらに各リード
３をアウターリード３ｂとテストパッド３ｃとの間で切
断すると共に絶縁テープ２のタイバー２ｅを切断するこ
とにより、ＴＡＢ型半導体装置の製造方法を完了する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のキャリ
アテープでは、樹脂封止工程において、上金型１０ｃの
パーティング面１１ｃが絶縁性テープ２の上面からリー
ド３の厚み分浮き上がるため樹脂もれが生じ、アウター
リード孔内に流入した樹脂はリード３の表面に付着して
ボンディング不良の原因を与える。また付着した樹脂を
リード面から除去しようとするとリードを損傷させてし
まう。
アテープでは、樹脂封止工程において、上金型１０ｃの
パーティング面１１ｃが絶縁性テープ２の上面からリー
ド３の厚み分浮き上がるため樹脂もれが生じ、アウター
リード孔内に流入した樹脂はリード３の表面に付着して
ボンディング不良の原因を与える。また付着した樹脂を
リード面から除去しようとするとリードを損傷させてし
まう。
【００１１】さらに従来例では、キャビティ（１２ｃ、
１２ｄ）の前方に設けられたゲート１３ｃにより溶融樹
脂の流通路は狭い範囲に限定されるため、樹脂は勢いよ
くキャビティ内に注入される。そのため、半導体チップ
が大きな衝撃力を受けて傾いた状態で固定されることが
ある。特に、半導体装置の薄型化を図るためにパッケー
ジの厚みを薄くした場合、半導体チップの受ける応力が
増加し一層傾きやすくなり、半導体チップ上の樹脂の膜
厚が薄くなり半導体装置の信頼性を低下させることにな
る。
１２ｄ）の前方に設けられたゲート１３ｃにより溶融樹
脂の流通路は狭い範囲に限定されるため、樹脂は勢いよ
くキャビティ内に注入される。そのため、半導体チップ
が大きな衝撃力を受けて傾いた状態で固定されることが
ある。特に、半導体装置の薄型化を図るためにパッケー
ジの厚みを薄くした場合、半導体チップの受ける応力が
増加し一層傾きやすくなり、半導体チップ上の樹脂の膜
厚が薄くなり半導体装置の信頼性を低下させることにな
る。
【００１２】また、従来例では、上金型側からのみ溶融
樹脂が注入されるため樹脂の回り込みが均等になりにく
く、半導体チップが傾いて固定される傾向を助長する恐
れがある外、ボイドの発生等パッケージ不良の発生原因
を与えていた。
樹脂が注入されるため樹脂の回り込みが均等になりにく
く、半導体チップが傾いて固定される傾向を助長する恐
れがある外、ボイドの発生等パッケージ不良の発生原因
を与えていた。
【００１３】さらに、従来の製造方法では、不要樹脂８
ｄが絶縁テープ２上に付着されているため、ゲートプレ
ーク工程において分離された不要樹脂８ｄがリード３等
に接触する可能性が高くこれによりリードを傷つける恐
れがあった。
ｄが絶縁テープ２上に付着されているため、ゲートプレ
ーク工程において分離された不要樹脂８ｄがリード３等
に接触する可能性が高くこれによりリードを傷つける恐
れがあった。
【００１４】よって、本発明の目的とするところは、第
１に、溶融樹脂の流通経路を閉じた空間に限定して他へ
流出せしめないようにすることであり、第２に、キャビ
ティ内へ注入される溶融樹脂の勢いを緩和して半導体チ
ップの傾きを防止することであり、第３に、上金型およ
び下金型の両方に樹脂が均等に注入されるようにしてパ
ッケージ不良の発生を抑制することであり、第４に、不
要樹脂が絶縁フィルム上に付着することのないようにし
て、不要樹脂の除去を容易にしかつこれによってリード
等を傷つけることのないようにすることである。
１に、溶融樹脂の流通経路を閉じた空間に限定して他へ
流出せしめないようにすることであり、第２に、キャビ
ティ内へ注入される溶融樹脂の勢いを緩和して半導体チ
ップの傾きを防止することであり、第３に、上金型およ
び下金型の両方に樹脂が均等に注入されるようにしてパ
ッケージ不良の発生を抑制することであり、第４に、不
要樹脂が絶縁フィルム上に付着することのないようにし
て、不要樹脂の除去を容易にしかつこれによってリード
等を傷つけることのないようにすることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のキャリアテープ
は、長手方向の２辺のそれぞれの縁部に沿って所定の間
隔でスプロケット孔が開孔され、幅方向のほぼ中央に半
導体チップを収容するためのデバイス孔が開孔され、該
デバイス孔の周辺に複数のアウターリード孔が開孔さ
れ、長手方向の辺の端部から２つのアウターリード孔の
間のタイバー部を通り該タイバー部より内側にまで到達
するランナースリットが開設されている長尺の絶縁性テ
ープと、前記絶縁性テープに支持されそれぞれ前記アウ
ターリード孔をまたぎその一端が前記デバイス孔に突出
している複数のリードと、を備えたたものである。
は、長手方向の２辺のそれぞれの縁部に沿って所定の間
隔でスプロケット孔が開孔され、幅方向のほぼ中央に半
導体チップを収容するためのデバイス孔が開孔され、該
デバイス孔の周辺に複数のアウターリード孔が開孔さ
れ、長手方向の辺の端部から２つのアウターリード孔の
間のタイバー部を通り該タイバー部より内側にまで到達
するランナースリットが開設されている長尺の絶縁性テ
ープと、前記絶縁性テープに支持されそれぞれ前記アウ
ターリード孔をまたぎその一端が前記デバイス孔に突出
している複数のリードと、を備えたたものである。
【００１６】また、このキャリアテープに搭載された半
導体チップを樹脂封止するための金型は、前記キャリア
テープの前記ランナースリットに対応する部分に溶融樹
脂の通過路となるランナーゲートが設けられ、前記キャ
リアテープの前記デバイス孔に対応する部分に前記半導
体チップを樹脂封止するためのキャビティハーフが設け
られ、前記ランナーゲートと前記キャビティハーフとの
間にパーティング面より若干低くなされたゲートが設け
られている上金型と、前記上金型の前記ランナーゲー
ト、前記キャビティハーフおよび前記ゲートと対向する
部分にそれぞれランナーゲート、キャビティハーフおよ
びゲートが設けられている下金型と、を備えたものであ
る。
導体チップを樹脂封止するための金型は、前記キャリア
テープの前記ランナースリットに対応する部分に溶融樹
脂の通過路となるランナーゲートが設けられ、前記キャ
リアテープの前記デバイス孔に対応する部分に前記半導
体チップを樹脂封止するためのキャビティハーフが設け
られ、前記ランナーゲートと前記キャビティハーフとの
間にパーティング面より若干低くなされたゲートが設け
られている上金型と、前記上金型の前記ランナーゲー
ト、前記キャビティハーフおよび前記ゲートと対向する
部分にそれぞれランナーゲート、キャビティハーフおよ
びゲートが設けられている下金型と、を備えたものであ
る。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１の（ａ）は、本発明の第１の実施例に
係るキャリアテープに半導体チップを搭載した状態を示
す平面図であり、図１の（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図
１の（ａ）のＢ−Ｂ線とＣ−Ｃ線の断面図である。キャ
リアテープ１は、ポリイミド等から形成された絶縁テー
プ２およびリード３を有している。
て説明する。図１の（ａ）は、本発明の第１の実施例に
係るキャリアテープに半導体チップを搭載した状態を示
す平面図であり、図１の（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図
１の（ａ）のＢ−Ｂ線とＣ−Ｃ線の断面図である。キャ
リアテープ１は、ポリイミド等から形成された絶縁テー
プ２およびリード３を有している。
【００１８】絶縁性テープ２には、その両側縁部に沿っ
て複数のスプロケット孔２ａが等間隔に配置されると共
にその幅方向の中央部には半導体チップ６を収容するた
めの矩形状のデバイス孔２ｂが開孔されている。デバイ
ス孔２ｂの周辺部には、デバイス孔の各辺に沿って４個
のアウターリード孔２ｃが形成されている。デバイス孔
２ｂとアウターリード孔２ｃとの間は、リードサポート
部２ｄになされており、リードサポート部２ｄは、隣接
する２つのアウターリード孔２ｃ間に設けられたタイバ
ー２ｅにより、絶縁性テープ本体と接続されている。
て複数のスプロケット孔２ａが等間隔に配置されると共
にその幅方向の中央部には半導体チップ６を収容するた
めの矩形状のデバイス孔２ｂが開孔されている。デバイ
ス孔２ｂの周辺部には、デバイス孔の各辺に沿って４個
のアウターリード孔２ｃが形成されている。デバイス孔
２ｂとアウターリード孔２ｃとの間は、リードサポート
部２ｄになされており、リードサポート部２ｄは、隣接
する２つのアウターリード孔２ｃ間に設けられたタイバ
ー２ｅにより、絶縁性テープ本体と接続されている。
【００１９】絶縁テープ２には、また幅方向の端からタ
イバー２ｅの１つを通り、モールド工程時に樹脂パッケ
ージにより封止される境界線を示すモールドライン７を
またぐように、ランナースリット２ｆが開設されてい
る。このランナースリット２ｆは、半導体チップの樹脂
封止時に溶融樹脂の流通路となる。
イバー２ｅの１つを通り、モールド工程時に樹脂パッケ
ージにより封止される境界線を示すモールドライン７を
またぐように、ランナースリット２ｆが開設されてい
る。このランナースリット２ｆは、半導体チップの樹脂
封止時に溶融樹脂の流通路となる。
【００２０】リードサポート部２ｄ上には複数のリード
３が固着されている。リード３の先端部は、インナーリ
ード３ａとしてデバイス孔２ｂ内に突出し、その中央部
は、外部回路の電極に接続されるアウターリード３ｂと
してアウターリード孔２ｃ上に位置している。さらに各
リード３の後端部にはテストパッド３ｃが形成されてい
る。
３が固着されている。リード３の先端部は、インナーリ
ード３ａとしてデバイス孔２ｂ内に突出し、その中央部
は、外部回路の電極に接続されるアウターリード３ｂと
してアウターリード孔２ｃ上に位置している。さらに各
リード３の後端部にはテストパッド３ｃが形成されてい
る。
【００２１】ランナースリット２ｆの周辺部には、リー
ド３と同様に銅箔から形成された樹脂もれ防止用金属箔
４が固着されている。この樹脂もれ防止用金属箔４は、
テープキャリアがモールド用金型に装着されたときに、
その外側端部が、金型のランナーゲートの側壁面より外
側になるように、即ち、金型のパーティング面と接触す
るように形成される。樹脂もれ防止用金属箔４の内側端
面は、金型のランナーゲートの側壁と一致することを原
則とするが、ランナーゲート内に突出していてもあるい
は側壁面より若干後退していても特に問題はない。ま
た、樹脂もれ防止用金属箔４は、スプロケット孔２ａに
対応する位置に形成された、絶縁性テープ２のはねあが
りを防止するためのはねあがり防止用金属箔５によって
連結されている。はねあがり防止用金属箔５もリード３
と同一の素材で形成されており、その幅は１００μｍ程
度である。
ド３と同様に銅箔から形成された樹脂もれ防止用金属箔
４が固着されている。この樹脂もれ防止用金属箔４は、
テープキャリアがモールド用金型に装着されたときに、
その外側端部が、金型のランナーゲートの側壁面より外
側になるように、即ち、金型のパーティング面と接触す
るように形成される。樹脂もれ防止用金属箔４の内側端
面は、金型のランナーゲートの側壁と一致することを原
則とするが、ランナーゲート内に突出していてもあるい
は側壁面より若干後退していても特に問題はない。ま
た、樹脂もれ防止用金属箔４は、スプロケット孔２ａに
対応する位置に形成された、絶縁性テープ２のはねあが
りを防止するためのはねあがり防止用金属箔５によって
連結されている。はねあがり防止用金属箔５もリード３
と同一の素材で形成されており、その幅は１００μｍ程
度である。
【００２２】次に、このような構造のキャリアテープを
用いて半導体装置を製造する方法について説明する。ま
ず、表面上に複数のバンプ６ａが形成された半導体チッ
プ６を、各バンプ６ａと対応するリード３のインナーリ
ード３ａとの位置が合うようにキャリアテープ１のデバ
イス２ｂ内に位置合わせした後、熱圧着によりバンプ６
ａとインナーリード３ａとを電気的に接続する。これに
よりテープキャリアが形成される。
用いて半導体装置を製造する方法について説明する。ま
ず、表面上に複数のバンプ６ａが形成された半導体チッ
プ６を、各バンプ６ａと対応するリード３のインナーリ
ード３ａとの位置が合うようにキャリアテープ１のデバ
イス２ｂ内に位置合わせした後、熱圧着によりバンプ６
ａとインナーリード３ａとを電気的に接続する。これに
よりテープキャリアが形成される。
【００２３】次に、図２に示すように、金型１０を構成
する上金型１０ａと下金型１０ｂとの間にテープキャリ
アをセットする。このとき半導体チップ６が下金型１０
ｂのキャビティハーフ１２ｂ内に収容されるようにテー
プキャリアの位置合わせを行う。なお、上金型１０ａに
は下金型１０ｂのキャビティハーフ１２ｂに対応する位
置にキャビティハーフ１２ａが形成されている。
する上金型１０ａと下金型１０ｂとの間にテープキャリ
アをセットする。このとき半導体チップ６が下金型１０
ｂのキャビティハーフ１２ｂ内に収容されるようにテー
プキャリアの位置合わせを行う。なお、上金型１０ａに
は下金型１０ｂのキャビティハーフ１２ｂに対応する位
置にキャビティハーフ１２ａが形成されている。
【００２４】また、上金型１０ａおよび下金型１０ｂに
は、共にキャリアテープのランナースリット２ｆに対応
する位置にキャビティに向かう溝形状のランナーゲート
１４ａ、１４ｂが形成されている。このランナーゲート
１４ａ、１４ｂはキャリアテープの樹脂もれ防止用金属
箔４の範囲を超えることのないように、その幅はキャリ
アテープのランナースリット２ｆと同程度になされてい
る。またランナーゲート１４ａとキャビティハーフ１２
ａおよびランナーゲート１４ｂとキャビティハーフ１２
ｂとの境界部は、キャリアテープのランナースリット２
ｆの終端部に対応した位置にあり、ここにゲート１３
ａ、１３ｂが形成されている。このゲート１３ａ、１３
ｂの表面は、上金型１０ａのパーティング面１１ａおよ
び下金型１０ｂのパーティング面１１ｂより３０μｍ程
度低い位置に形成されている。
は、共にキャリアテープのランナースリット２ｆに対応
する位置にキャビティに向かう溝形状のランナーゲート
１４ａ、１４ｂが形成されている。このランナーゲート
１４ａ、１４ｂはキャリアテープの樹脂もれ防止用金属
箔４の範囲を超えることのないように、その幅はキャリ
アテープのランナースリット２ｆと同程度になされてい
る。またランナーゲート１４ａとキャビティハーフ１２
ａおよびランナーゲート１４ｂとキャビティハーフ１２
ｂとの境界部は、キャリアテープのランナースリット２
ｆの終端部に対応した位置にあり、ここにゲート１３
ａ、１３ｂが形成されている。このゲート１３ａ、１３
ｂの表面は、上金型１０ａのパーティング面１１ａおよ
び下金型１０ｂのパーティング面１１ｂより３０μｍ程
度低い位置に形成されている。
【００２５】テープキャリアの装着後、上金型１０ａと
下金型１０ｂとを型締めする。これにより上金型１０ａ
のパーティング面１１ａはリード３および樹脂もれ防止
用金属箔４に密着し、下金型１０ｂのパーティング面１
１ｂは、絶縁性テープ２の下面に密着する。この状態で
トランスファ法によりエポキシ樹脂等からなる溶融樹脂
をランナーゲート１４ａ、１４ｂを介して、上金型１０
ａのキャビティハーフ１２ａと下金型１０ｂのキャビテ
ィハーフ１２ｂとにより形成されるキャビティ内に注入
する。
下金型１０ｂとを型締めする。これにより上金型１０ａ
のパーティング面１１ａはリード３および樹脂もれ防止
用金属箔４に密着し、下金型１０ｂのパーティング面１
１ｂは、絶縁性テープ２の下面に密着する。この状態で
トランスファ法によりエポキシ樹脂等からなる溶融樹脂
をランナーゲート１４ａ、１４ｂを介して、上金型１０
ａのキャビティハーフ１２ａと下金型１０ｂのキャビテ
ィハーフ１２ｂとにより形成されるキャビティ内に注入
する。
【００２６】上述したように、上金型１０ａおよび下金
型１０ｂに形成されたランナーゲート１４ａ、１４ｂ
は、樹脂もれ防止金属箔４の外端部からはみ出すことの
ないように形成されているので、型締め後には、溶融樹
脂流通路は、ランナーゲート１４ａ、１４ｂ、およびラ
ンナースリット２ｆと樹脂もれ防止用金属箔４の側面か
ら構成される閉じた空間に限定される。従って、溶融樹
脂が流通路からもれてアウターリード孔２ｃへ侵入する
不都合はなくなる。ランナーゲート１４ａ、１４ｂ間の
流通路を通過した溶融樹脂は、ゲート１３ａ、１３ｂお
よびランナースリット２ｆで構成される注入口を介して
キャビティ内に導入される。このとき、注入口の前方に
樹脂の流入を遮るものは何も存在していないので、樹脂
の注入はスムーズに行われる。
型１０ｂに形成されたランナーゲート１４ａ、１４ｂ
は、樹脂もれ防止金属箔４の外端部からはみ出すことの
ないように形成されているので、型締め後には、溶融樹
脂流通路は、ランナーゲート１４ａ、１４ｂ、およびラ
ンナースリット２ｆと樹脂もれ防止用金属箔４の側面か
ら構成される閉じた空間に限定される。従って、溶融樹
脂が流通路からもれてアウターリード孔２ｃへ侵入する
不都合はなくなる。ランナーゲート１４ａ、１４ｂ間の
流通路を通過した溶融樹脂は、ゲート１３ａ、１３ｂお
よびランナースリット２ｆで構成される注入口を介して
キャビティ内に導入される。このとき、注入口の前方に
樹脂の流入を遮るものは何も存在していないので、樹脂
の注入はスムーズに行われる。
【００２７】注入された樹脂を硬化させた後、上金型１
０ａおよび下金型１０ｂを開いて成型物を取り出す。図
３に、得られた成型物の断面図を示す。次に、ゲートブ
レイク工程により上金型１０ａのゲート１３ａおよび下
金型１０ｂのゲート１３ｂに対応する樹脂８ａ部分で樹
脂を折ってランナーゲート部に形成された不要樹脂８ｂ
をモールド樹脂８から分離・除去する。その後、各リー
ド３を、アウターリード３ｂとテストパッド３ｃとの間
で切断すると共に、絶縁性テープ２をタイバー２ｅで切
断することによりＴＡＢ型の樹脂封止半導体装置が得ら
れる。
０ａおよび下金型１０ｂを開いて成型物を取り出す。図
３に、得られた成型物の断面図を示す。次に、ゲートブ
レイク工程により上金型１０ａのゲート１３ａおよび下
金型１０ｂのゲート１３ｂに対応する樹脂８ａ部分で樹
脂を折ってランナーゲート部に形成された不要樹脂８ｂ
をモールド樹脂８から分離・除去する。その後、各リー
ド３を、アウターリード３ｂとテストパッド３ｃとの間
で切断すると共に、絶縁性テープ２をタイバー２ｅで切
断することによりＴＡＢ型の樹脂封止半導体装置が得ら
れる。
【００２８】上記実施例において、ランナーゲート部に
形成される不要樹脂８ｂは、絶縁性テープ上には形成さ
れていないので、ゲートブレーク工程により簡単に本体
から分離できる。従って、例えばテープキャリア下に受
け皿を用意しておき、樹脂切断時に不要樹脂８ｂを受け
皿内に落下させるようにすることにより、分離された不
要樹脂をリード３等に接触させないようにすることがで
き、リード３の損傷を防止できる。また樹脂封止時に絶
縁性テープ２のアウターリード孔２ｃ内に樹脂が侵入す
ることが防止されるので、ボンディング不良の発生を回
避することができると共にここから不要な封止樹脂を取
り除く必要がなくなり、樹脂除去作業に伴うリード破損
も防止できる。
形成される不要樹脂８ｂは、絶縁性テープ上には形成さ
れていないので、ゲートブレーク工程により簡単に本体
から分離できる。従って、例えばテープキャリア下に受
け皿を用意しておき、樹脂切断時に不要樹脂８ｂを受け
皿内に落下させるようにすることにより、分離された不
要樹脂をリード３等に接触させないようにすることがで
き、リード３の損傷を防止できる。また樹脂封止時に絶
縁性テープ２のアウターリード孔２ｃ内に樹脂が侵入す
ることが防止されるので、ボンディング不良の発生を回
避することができると共にここから不要な封止樹脂を取
り除く必要がなくなり、樹脂除去作業に伴うリード破損
も防止できる。
【００２９】さらに、上金型１０ａと下金型１０ｂの両
方にゲートが設けられ、樹脂の注入口がゲート１３ａ、
１３ｂおよびランナースリット２ｆと広くなるため、樹
脂注入時の流入樹脂の勢いを緩和することができ、注入
樹脂によって半導体チップが傾くことが抑制される。ま
た、樹脂が上下のキャビティハーフ１２ａ、１２ｂに注
入されるようになるため、樹脂のキャビティ内への充填
が円滑に行われるようになりパッケージ不良の発生も抑
えられる。
方にゲートが設けられ、樹脂の注入口がゲート１３ａ、
１３ｂおよびランナースリット２ｆと広くなるため、樹
脂注入時の流入樹脂の勢いを緩和することができ、注入
樹脂によって半導体チップが傾くことが抑制される。ま
た、樹脂が上下のキャビティハーフ１２ａ、１２ｂに注
入されるようになるため、樹脂のキャビティ内への充填
が円滑に行われるようになりパッケージ不良の発生も抑
えられる。
【００３０】図４の（ａ）は、本発明の第２の実施例の
キャリアテープに、半導体チップを搭載した状態を示す
平面図であり、図４の（ｂ）は、そのＢ−Ｂ線の断面図
である。本実施例では、第１の実施例のキャリアテープ
１に設けられたランナースリット２ｆおよびはねあがり
防止用金属箔５を有する樹脂もれ防止用金属箔４がデバ
イス孔２ｂの中心に対し点対称位置に形成されている。
このキャリアテープでは樹脂封止の際、溶融樹脂供給源
を、図４の（ａ）の上側または下側のいずれの側にも設
置することが可能となる。従って、本実施例によれば、
１つの金型の中央にポット（溶融樹脂供給源）を配置
し、その左右にテープキャリアを供給するいわゆる２連
型のモールド装置を構成することが可能となるから、第
１の実施例の場合よりも量産性を向上させることができ
る。
キャリアテープに、半導体チップを搭載した状態を示す
平面図であり、図４の（ｂ）は、そのＢ−Ｂ線の断面図
である。本実施例では、第１の実施例のキャリアテープ
１に設けられたランナースリット２ｆおよびはねあがり
防止用金属箔５を有する樹脂もれ防止用金属箔４がデバ
イス孔２ｂの中心に対し点対称位置に形成されている。
このキャリアテープでは樹脂封止の際、溶融樹脂供給源
を、図４の（ａ）の上側または下側のいずれの側にも設
置することが可能となる。従って、本実施例によれば、
１つの金型の中央にポット（溶融樹脂供給源）を配置
し、その左右にテープキャリアを供給するいわゆる２連
型のモールド装置を構成することが可能となるから、第
１の実施例の場合よりも量産性を向上させることができ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のキャリア
テープは、テープの幅方向の端部からモールドラインに
到達する位置にまでランナースリットを設け、その周辺
部に樹脂もれ防止用金属箔を設けたものであり、そのキ
ャリアテープ上の半導体チップを封止する際に用いる上
・下金型には、それぞれランナースリットに対応する位
置にランナーゲートを設け、ランナーゲートの終端部に
はそれぞれゲートを設けているので、以下の効果を奏す
ることができる。
テープは、テープの幅方向の端部からモールドラインに
到達する位置にまでランナースリットを設け、その周辺
部に樹脂もれ防止用金属箔を設けたものであり、そのキ
ャリアテープ上の半導体チップを封止する際に用いる上
・下金型には、それぞれランナースリットに対応する位
置にランナーゲートを設け、ランナーゲートの終端部に
はそれぞれゲートを設けているので、以下の効果を奏す
ることができる。
【００３２】 キャビティ内に注入される溶融樹脂に
よる半導体チップへの衝撃を緩和することができ、半導
体チップの傾きやリードの変形を防止することができ
る。 不要樹脂がキャリアテープ上に形成されないので、
ゲートブレークにおいて不要樹脂を本体から簡単に除去
できるようになる。また、分離された不要樹脂をリード
等に接触させないようにすることができリード等を傷つ
けないようにすることができる。 アウターリード孔への樹脂の侵入を防止することが
でき、リードのボンディング性を低下させないようにす
ることができるとともに、樹脂除去に伴うリード損傷も
回避することができる。 樹脂封止時に溶融樹脂が上・下金型の両方のキャビ
ティハーフに注入されるので、キャビティ内への樹脂の
充填を円滑に行うことができ、パッケージ不良の発生を
抑制することができる。
よる半導体チップへの衝撃を緩和することができ、半導
体チップの傾きやリードの変形を防止することができ
る。 不要樹脂がキャリアテープ上に形成されないので、
ゲートブレークにおいて不要樹脂を本体から簡単に除去
できるようになる。また、分離された不要樹脂をリード
等に接触させないようにすることができリード等を傷つ
けないようにすることができる。 アウターリード孔への樹脂の侵入を防止することが
でき、リードのボンディング性を低下させないようにす
ることができるとともに、樹脂除去に伴うリード損傷も
回避することができる。 樹脂封止時に溶融樹脂が上・下金型の両方のキャビ
ティハーフに注入されるので、キャビティ内への樹脂の
充填を円滑に行うことができ、パッケージ不良の発生を
抑制することができる。
【図１】 本発明の第１の実施例のキャリアテープを示
す平面図と断面図。
す平面図と断面図。
【図２】 第１の実施例のキャリアテープを用いた半導
体装置の製造方法を説明するための断面図。
体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図３】 第１の実施例のキャリアテープを用いた半導
体装置の製造方法を説明するための断面図。
体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図４】 本発明の第２の実施例のキャリアテープを示
す平面図と断面図。
す平面図と断面図。
【図５】 従来のキャリアテープの平面図と断面図。
【図６】 従来のキャリアテープを用いた半導体装置の
製造方法を説明するための断面図。
製造方法を説明するための断面図。
【図７】 従来のキャリアテープを用いた半導体装置の
製造方法を説明するための断面図。
製造方法を説明するための断面図。
１…キャリアテープ、 ２…絶縁性テープ、 ２ａ
…スプロケット孔、２ｂ…デバイス孔、 ２ｃ…アウ
ターリード孔、 ２ｄ…リードサポート部、 ２ｅ
…タイバー、 ２ｆ…ランナースリット、 ２ｇ…
開口部、３…リード、 ３ａ…インナーリード、
３ｂ…アウターリード、 ３ｃ…テストパッド、
４…樹脂もれ防止用金属箔、 ５…はねあがり防止用
金属箔、 ６…半導体チップ、 ６ａ…バンプ、
７…モールドライン、８…モールド樹脂、 ８ａ、
８ｃ…ゲート部に対応する樹脂、 ８ｂ、８ｄ…不要
樹脂、 １０…金型、 １０ａ、１０ｃ…上金型、
１０ｂ、１０ｄ…下金型、 １１ａ、１１ｂ…パ
ーティング面、 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ…
キャビティハーフ、 １３ａ、１３ｂ、１３ｃ…ゲー
ト、 １４ａ、１４ｂ、１４ｃ…ランナーゲート。
…スプロケット孔、２ｂ…デバイス孔、 ２ｃ…アウ
ターリード孔、 ２ｄ…リードサポート部、 ２ｅ
…タイバー、 ２ｆ…ランナースリット、 ２ｇ…
開口部、３…リード、 ３ａ…インナーリード、
３ｂ…アウターリード、 ３ｃ…テストパッド、
４…樹脂もれ防止用金属箔、 ５…はねあがり防止用
金属箔、 ６…半導体チップ、 ６ａ…バンプ、
７…モールドライン、８…モールド樹脂、 ８ａ、
８ｃ…ゲート部に対応する樹脂、 ８ｂ、８ｄ…不要
樹脂、 １０…金型、 １０ａ、１０ｃ…上金型、
１０ｂ、１０ｄ…下金型、 １１ａ、１１ｂ…パ
ーティング面、 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ…
キャビティハーフ、 １３ａ、１３ｂ、１３ｃ…ゲー
ト、 １４ａ、１４ｂ、１４ｃ…ランナーゲート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (8)
- 【請求項１】 長手方向の２辺のそれぞれの縁部に沿っ
て所定の間隔でスプロケット孔が開孔され、幅方向のほ
ぼ中央に半導体チップを収容するためのデバイス孔が開
孔され、該デバイス孔の周辺に複数のアウターリード孔
が開孔され、長手方向の辺の端部から２つのアウターリ
ード孔の間のタイバー部を通り該タイバー部より内側に
まで到達するランナースリットが開設されている長尺の
絶縁性テープと、 前記絶縁性テープに支持されそれぞれ前記アウターリー
ド孔をまたぎその一端が前記デバイス孔に突出している
複数のリードと、を備えたキャリアテープ。 - 【請求項２】 前記絶縁性テープ上に前記ランナースリ
ットの端部に沿って１対の樹脂もれ防止用金属箔が形成
されている請求項１記載のキャリアテープ。 - 【請求項３】 前記１対の樹脂もれ防止用金属箔が、前
記ランナースリット上に架設されたはねあがり防止用金
属箔で連結されている請求項２記載のキャリアテープ。 - 【請求項４】 前記ランナースリットが前記スプロケッ
ト孔の形成されるべき箇所を通過しており、前記１対の
樹脂もれ防止用金属箔および１対の前記はねあがり防止
用金属箔により１つのスプロケット孔が形成されている
請求項３記載のキャリアテープ。 - 【請求項５】 前記ランナースリットが前記デバイス孔
に対して点対称に２箇所に設けられている請求項１、
２、３または４記載のキャリアテープ。 - 【請求項６】 半導体チップを収容するためのデバイス
孔が開孔され、長手方向の辺の端部から前記デバイス孔
の近くまでランナースリットが開設されている絶縁性テ
ープと、該絶縁性テープ上に支持され、一端が前記デバ
イス孔内に突出している複数のリードと、を備えるキャ
リアテープに搭載された半導体チップを樹脂封止するた
めの金型であって、 前記キャリアテープの前記ランナースリットに対応する
部分に溶融樹脂の通過路となるランナーゲートが設けら
れ、前記キャリアテープの前記デバイス孔に対応する部
分に前記半導体チップを樹脂封止するためのキャビティ
ハーフが設けられ、前記ランナーゲートと前記キャビテ
ィハーフとの間にパーティング面より若干低くなされた
ゲートが設けられている上金型と、 前記上金型の前記ランナーゲート、前記キャビティハー
フおよび前記ゲートと対向する部分にそれぞれランナー
ゲート、キャビティハーフおよびゲートが設けられてい
る下金型と、を備えたモールド用金型。 - 【請求項７】 前記上金型および前記下金型に、同一の
溶融樹脂供給源から溶融樹脂の供給を受けるランナーゲ
ート、ゲートおよびキャビティハーフが前記絶縁性テー
プの幅方向に２箇所設けられている請求項６記載のモー
ルド用金型。 - 【請求項８】 半導体チップを収容するためのデバイス
孔が開孔され、長手方向の辺の端部から前記デバイス孔
の近くまでランナースリットが開設されている絶縁性テ
ープと、該絶縁性テープ上に支持され、一端が前記デバ
イス孔内に突出している複数のリードと、を備えるキャ
リアテープに半導体チップを搭載する工程と、 前記半導体チップが搭載されたキャリアテープを、前記
キャリアテープの前記ランナースリットに対応する部分
に溶融樹脂の通過路となるランナーゲートが設けられ、
前記キャリアテープの前記デバイス孔に対応する部分に
前記半導体チップを樹脂封止するためのキャビティハー
フが設けられ、前記ランナーゲートと前記キャビティハ
ーフとの間にパーティング面より若干低くなされたゲー
トが設けられている上金型と、前記上金型の前記ランナ
ーゲート、前記キャビティハーフおよび前記ゲートと対
向する部分にそれぞれランナーゲート、キャビティハー
フおよびゲートが設けられている下金型と、の間に、前
記ランナースリットが前記ランナーゲート間に、かつ、
前記デバイス孔が前記キャビティハーフ間に位置するよ
うに案内する工程と、 溶融樹脂を、前記ランナースリットおよび２つの前記ラ
ンナーゲートによって形成される通過経路、並びに前記
ランナースリットおよび２つの前記ゲートによって形成
される開孔を介して、２つの前記キャビティハーフによ
って形成されるキャビティ内に流入させ、該キャビティ
内を溶融樹脂で充填する工程と、 前記キャビティ内の溶融樹脂を硬化させて、半導体チッ
プを樹脂封止する工程と、を備える半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32854292A JPH0793346B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | キャリアテープ、モールド用金型およびこれらを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32854292A JPH0793346B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | キャリアテープ、モールド用金型およびこれらを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151515A true JPH06151515A (ja) | 1994-05-31 |
| JPH0793346B2 JPH0793346B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=18211447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32854292A Expired - Lifetime JPH0793346B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | キャリアテープ、モールド用金型およびこれらを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793346B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG115569A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-10-28 | Micron Technology Inc | Tape substrates with mold gate support structures that are coplanar with conductive traces thereof and associated methods |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP32854292A patent/JPH0793346B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG115569A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-10-28 | Micron Technology Inc | Tape substrates with mold gate support structures that are coplanar with conductive traces thereof and associated methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793346B2 (ja) | 1995-10-09 |
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