JPH06148868A - レチクルの形成方法 - Google Patents
レチクルの形成方法Info
- Publication number
- JPH06148868A JPH06148868A JP32115492A JP32115492A JPH06148868A JP H06148868 A JPH06148868 A JP H06148868A JP 32115492 A JP32115492 A JP 32115492A JP 32115492 A JP32115492 A JP 32115492A JP H06148868 A JPH06148868 A JP H06148868A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phase shifter
- reticle
- shifter film
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- Prior art date
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- Withdrawn
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトマスクにおいて、位相シフター膜
の局部的膜厚異常をなくす。 【構成】 ガラス基板１１及び遮光膜パターン１２の上
に位相シフター膜１３を形成した後、有機膜１４を回転
塗布し、位相シフター膜１３と有機膜１４のエッチング
速度が等しくなる条件でエッチバックする。 【効果】 遮光膜パターンのエッジ近辺においても一定
の膜厚の位相シフター膜を得ることができる。
の局部的膜厚異常をなくす。 【構成】 ガラス基板１１及び遮光膜パターン１２の上
に位相シフター膜１３を形成した後、有機膜１４を回転
塗布し、位相シフター膜１３と有機膜１４のエッチング
速度が等しくなる条件でエッチバックする。 【効果】 遮光膜パターンのエッジ近辺においても一定
の膜厚の位相シフター膜を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレチクルの形成方法に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の位相シフトレチクルの形成方法の
一例を図２を用いて説明する。
一例を図２を用いて説明する。
【０００３】まず、図２（ａ）のような遮光膜パターン
２２が形成されているガラス基板２１を用い、この上
に、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法又は回転塗布法
により位相シフター膜２３（例えば、ＳｉＯ2 膜）を形
成する。次いで、位相シフター膜２３を選択的にエッチ
ングすると、図２（ｃ）に示すような位相シフトレチク
ルが作製される。
２２が形成されているガラス基板２１を用い、この上
に、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法又は回転塗布法
により位相シフター膜２３（例えば、ＳｉＯ2 膜）を形
成する。次いで、位相シフター膜２３を選択的にエッチ
ングすると、図２（ｃ）に示すような位相シフトレチク
ルが作製される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来法では、
形成された位相シフター膜２３′が、遮光膜パターンの
エッジ部において、その膜厚が所望の膜厚よりも厚くな
るという問題があった。即ち、図２（ｃ）において、位
相シフター膜２３′の本来所望する膜厚はＡの領域で得
られている膜厚であるが、Ｂの領域ではこれよりも厚く
なっている。このため、理想的な位相シフター膜の効果
が得られないという問題があった。
形成された位相シフター膜２３′が、遮光膜パターンの
エッジ部において、その膜厚が所望の膜厚よりも厚くな
るという問題があった。即ち、図２（ｃ）において、位
相シフター膜２３′の本来所望する膜厚はＡの領域で得
られている膜厚であるが、Ｂの領域ではこれよりも厚く
なっている。このため、理想的な位相シフター膜の効果
が得られないという問題があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、遮光膜パターン
の存在しない領域における位相シフター膜の膜厚を一定
にした位相シフトレチクルの形成方法を提供することで
ある。
の存在しない領域における位相シフター膜の膜厚を一定
にした位相シフトレチクルの形成方法を提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明のレチクルの形成方法は、基板上に遮光
膜をパターニングする工程と、この上に位相シフター膜
を成膜する工程と、この上に有機膜を成膜する工程と、
前記有機膜の全部と前記位相シフター膜の一部を同時に
エッチングし、前記位相シフター膜を平坦化する工程
と、前記位相シフター膜を選択エッチングしてレチクル
を形成する工程とを具備する。
ために、本発明のレチクルの形成方法は、基板上に遮光
膜をパターニングする工程と、この上に位相シフター膜
を成膜する工程と、この上に有機膜を成膜する工程と、
前記有機膜の全部と前記位相シフター膜の一部を同時に
エッチングし、前記位相シフター膜を平坦化する工程
と、前記位相シフター膜を選択エッチングしてレチクル
を形成する工程とを具備する。
【０００７】
【作用】本発明の方法によれば、有機膜と位相シフター
膜を同じエッチング速度でエッチバックするため、最終
的に得られる位相シフター膜の表面には例えば回転塗布
法により成膜された有機膜表面の凹凸が転写されて実質
的に平坦となり、従来法で問題となっていた遮光膜パタ
ーンのエッジ近辺における位相シフター膜の膜厚異常が
なくなる。
膜を同じエッチング速度でエッチバックするため、最終
的に得られる位相シフター膜の表面には例えば回転塗布
法により成膜された有機膜表面の凹凸が転写されて実質
的に平坦となり、従来法で問題となっていた遮光膜パタ
ーンのエッジ近辺における位相シフター膜の膜厚異常が
なくなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を用いて説明
する。
する。
【０００９】まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板１１上に遮光膜パターン１２を形成する。この遮光膜
パターン１２は、厚さ１００ｎｍのクロムである。
板１１上に遮光膜パターン１２を形成する。この遮光膜
パターン１２は、厚さ１００ｎｍのクロムである。
【００１０】次に、図１（ｂ）に示すように、位相シフ
ター膜１３を形成する。この位相シフター膜１３は、Ｃ
ＶＤ法で形成された厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2 膜であ
る。
ター膜１３を形成する。この位相シフター膜１３は、Ｃ
ＶＤ法で形成された厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2 膜であ
る。
【００１１】次に、図１（ｃ）に示すように、有機膜１
４を形成する。この有機膜１４としては、ホトレジスト
（ＯＦＰＲ８００：東京応化工業社製）を約１μｍ厚に
形成する。
４を形成する。この有機膜１４としては、ホトレジスト
（ＯＦＰＲ８００：東京応化工業社製）を約１μｍ厚に
形成する。
【００１２】次に、図１（ｄ）に示すように、ＣＦ4 と
Ｏ2 の混合ガスを用いてプラズマエッチングを行う。Ｃ
Ｆ4 とＯ2 の混合比は、位相シフター膜１３と有機膜１
４が同一のエッチング速度となるように選択する。この
プラズマエッチングは、遮光膜１２の存在しない領域で
位相シフター膜１３が約１２６ｎｍ残るところで止め
る。この残存位相シフター膜１３の厚さは、レチクル使
用時の露光波長３６５ｎｍが１８０°の位相ずれを起こ
すように決めた。
Ｏ2 の混合ガスを用いてプラズマエッチングを行う。Ｃ
Ｆ4 とＯ2 の混合比は、位相シフター膜１３と有機膜１
４が同一のエッチング速度となるように選択する。この
プラズマエッチングは、遮光膜１２の存在しない領域で
位相シフター膜１３が約１２６ｎｍ残るところで止め
る。この残存位相シフター膜１３の厚さは、レチクル使
用時の露光波長３６５ｎｍが１８０°の位相ずれを起こ
すように決めた。
【００１３】次に、図１（ｅ）に示すように、位相シフ
ター膜１３をパターニングして、所望パターンの位相シ
フター膜１３′を残す。
ター膜１３をパターニングして、所望パターンの位相シ
フター膜１３′を残す。
【００１４】以上の方法により作製された位相シフトマ
スクでは、遮光膜パターン１２の無い領域における位相
シフター膜１３′の膜厚を一定にすることができ、位相
シフト露光法を良好な状態で行うことができる。
スクでは、遮光膜パターン１２の無い領域における位相
シフター膜１３′の膜厚を一定にすることができ、位相
シフト露光法を良好な状態で行うことができる。
【００１５】なお、上述の実施例の位相シフター膜１３
は、ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2 膜であるが、回
転塗布法を用いたＳＯＧ膜若しくはＰＭＭＡ膜であって
も良い。
は、ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2 膜であるが、回
転塗布法を用いたＳＯＧ膜若しくはＰＭＭＡ膜であって
も良い。
【００１６】
【発明の効果】本発明のレチクルの形成方法によれば、
位相シフトレチクルにおける遮光パターンの無い領域に
形成される位相シフター膜の厚さが所望の値から局部的
にずれることがないため、本発明により形成されたレチ
クルを位相シフト露光法に用いると良好な微細パターン
が形成できる。
位相シフトレチクルにおける遮光パターンの無い領域に
形成される位相シフター膜の厚さが所望の値から局部的
にずれることがないため、本発明により形成されたレチ
クルを位相シフト露光法に用いると良好な微細パターン
が形成できる。
【図１】本発明の一実施例によるレチクルの形成方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】従来のレチクルの形成方法を示す断面図であ
る。
る。
１１ ガラス基板 １２ 遮光膜パターン １３ 位相シフター膜 １４ 有機膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に遮光膜をパターニングする工程
と、 この上に位相シフター膜を成膜する工程と、 この上に有機膜を成膜する工程と、 前記有機膜の全部と前記位相シフター膜の一部を同時に
エッチングし、前記位相シフター膜を平坦化する工程
と、 前記位相シフター膜を選択エッチングしてレチクルを形
成する工程とを具備することを特徴とするレチクルの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32115492A JPH06148868A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | レチクルの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32115492A JPH06148868A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | レチクルの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148868A true JPH06148868A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=18129411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32115492A Withdrawn JPH06148868A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | レチクルの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018045016A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-05 JP JP32115492A patent/JPH06148868A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018045016A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |