JPH06132592A - Semiconductor laser driving device - Google Patents
Semiconductor laser driving deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光学的情報記録再生装
置などに記録あるいは再生用の光源として使用される半
導体レーザの駆動装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a driving device for a semiconductor laser used as a light source for recording or reproducing in an optical information recording / reproducing device or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】図7は一般的な半導体レーザ駆動装置を
示した回路図で、1は駆動対象である半導体レーザ、2
はこの半導体レーザ1の光量をモニタするためのフォト
ダイオードである。半導体レーザ1の光量は、常時フォ
トダイオード2でモニタされ、その検出信号は電流−電
圧変換回路(以下、I−V変換回路という)3で電圧信
号に変換された後、制御回路4に送られる。制御回路4
では、電圧信号と基準電圧を比較してその差に応じた制
御信号を生成し、駆動回路5に出力する。駆動回路5は
半導体レーザ1に電流を供給する定電流回路で、トラン
ジスタ6とそのエミッタに接続された抵抗器7から構成
されている。ここで、半導体レーザ1の発光パワーが周
囲温度の変化などによって増加した場合、フォトダイオ
ード2の検出値が増加するので、制御回路4は検出値と
基準電圧を比較した結果、制御信号を低下するよう制御
する。即ち、駆動回路5のトランジスタ6のベース電圧
が低下し、トランジスタ6のコレクタで電流が減少する
ために、半導体レーザ1の供給電流も低下して半導体レ
ーザ1の発光量を低下させるよう制御が働く。これによ
り、半導体レーザ1の発光量は所定値に戻り、一定の発
光量に維持される。また、半導体レーザ1の発光量が何
らかの原因で低下した場合は、前記とは反対に半導体レ
ーザ1の供給電流が増加するように制御が働き、半導体
レーザ1の発光量は一定に保持される。2. Description of the Related Art FIG. 7 is a circuit diagram showing a general semiconductor laser driving device, 1 is a semiconductor laser to be driven, and 2 is a semiconductor laser to be driven.
Is a photodiode for monitoring the light quantity of the semiconductor laser 1. The light quantity of the semiconductor laser 1 is constantly monitored by the photodiode 2, and the detection signal thereof is converted into a voltage signal by the current-voltage conversion circuit (hereinafter, IV conversion circuit) 3 and then sent to the control circuit 4. . Control circuit 4
Then, the voltage signal is compared with the reference voltage to generate a control signal corresponding to the difference and output to the drive circuit 5. The drive circuit 5 is a constant current circuit that supplies a current to the semiconductor laser 1, and is composed of a transistor 6 and a resistor 7 connected to its emitter. Here, when the emission power of the semiconductor laser 1 increases due to a change in ambient temperature or the like, the detection value of the photodiode 2 increases, so that the control circuit 4 lowers the control signal as a result of comparing the detection value with the reference voltage. Control. That is, since the base voltage of the transistor 6 of the drive circuit 5 is reduced and the current of the collector of the transistor 6 is reduced, the supply current of the semiconductor laser 1 is also reduced and control is performed so as to reduce the light emission amount of the semiconductor laser 1. . As a result, the light emission amount of the semiconductor laser 1 returns to a predetermined value and is maintained at a constant light emission amount. Further, when the light emission amount of the semiconductor laser 1 is lowered for some reason, control is performed so that the supply current of the semiconductor laser 1 is increased contrary to the above, and the light emission amount of the semiconductor laser 1 is kept constant.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとしている課題】ところで、従来に
おいては、半導体レーザ駆動装置の動作中に何らかの事
故で半導体レーザと電流源との接続が断たれることがあ
る。特に、半導体レーザは交換のためにコネクタを用い
て外部回路と接続することが多く、装置の試験中などに
コネクタの接続ミスなどで断線状態になることがある。
こういう場合、上記従来の駆動装置では、動作中に断線
状態になると、半導体レーザの電流を増加するよう制御
が働くため、制御回路の出力電圧が増加し、断線状態が
長くつづくとその出力電圧は最大となる。そして、この
状態で断線が元に復帰すると、制御回路の出力電圧が最
大電圧であるため、半導体レーザは過電流で駆動され、
特性が劣化する恐れがある。そこで、従来はこういう事
態を回避するため、次のような解決策がとられている。 (1)制御回路4の出力電圧の上限を半導体レーザの過
電流とならない程度に規制する。 (2)駆動装置の帰還ループの時定数を大きくとって、
ごく短い時間の断線に対しては制御が働かないようにす
る。 (3)反対に帰還ループの時定数を限りなく小さくして
制御の応答特性を速め、半導体レーザが過電流に至る前
に電流制御動作によってレーザ電流を適正値に制御す
る。 (4)断線を検知するための回路を設けて、制御回路4
の出力電圧を過電流にならないように制御する。By the way, conventionally, the semiconductor laser and the current source may be disconnected from each other due to some accident during the operation of the semiconductor laser driving device. In particular, a semiconductor laser is often connected to an external circuit by using a connector for replacement, and a disconnection may occur due to a connector connection error or the like during a device test.
In such a case, in the above-described conventional drive device, when a disconnection state occurs during operation, control works so as to increase the current of the semiconductor laser, so that the output voltage of the control circuit increases and the output voltage increases if the disconnection state continues for a long time. It will be the maximum. Then, when the disconnection is restored in this state, since the output voltage of the control circuit is the maximum voltage, the semiconductor laser is driven by the overcurrent,
The characteristics may deteriorate. Therefore, conventionally, in order to avoid such a situation, the following solutions have been taken. (1) The upper limit of the output voltage of the control circuit 4 is regulated to the extent that an overcurrent of the semiconductor laser does not occur. (2) By taking a large time constant of the feedback loop of the drive device,
Make sure the control does not work for very short breaks. (3) Conversely, the time constant of the feedback loop is made as small as possible to speed up the response characteristic of control, and the laser current is controlled to an appropriate value by the current control operation before the semiconductor laser reaches overcurrent. (4) The control circuit 4 is provided with a circuit for detecting disconnection.
The output voltage of is controlled to prevent overcurrent.
【0004】しかしながら、上記(1)の方法では、半
導体レーザの特性バラツキや温度変化などによって半導
体レーザの最大電流が変化するので、制御回路4の出力
電圧を規制するには、調整が必要である。また、調整し
ないで電圧の上限を低く設定した場合、半導体レーザの
最大発光出力が得られず、記録不良を生じる恐れがあっ
た。また、(2)の方法にあっては、断線時間が長くな
ると何の解決にもならないし、(3)の方法においては
半導体レーザの劣化が非常に短い時間の過電流印加によ
っても生じることを考えると十分ではなかった。更に、
(4)の方法であると、検知回路が必要であるために、
駆動装置の構成が複雑化し、コスト高となる問題があっ
た。However, in the above method (1), the maximum current of the semiconductor laser changes due to variations in the characteristics of the semiconductor laser, temperature changes, etc. Therefore, adjustment is necessary to regulate the output voltage of the control circuit 4. . Further, if the upper limit of the voltage is set to a low value without adjustment, the maximum emission output of the semiconductor laser cannot be obtained, and there is a possibility that recording failure may occur. Further, in the method (2), if the disconnection time becomes long, there is no solution, and in the method (3), the deterioration of the semiconductor laser occurs even when the overcurrent is applied for a very short time. It wasn't enough when I thought about it. Furthermore,
The method of (4) requires a detection circuit,
There is a problem that the structure of the driving device becomes complicated and the cost becomes high.
【0005】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、その目的は簡単かつ確実に半導体
レーザの過電流を防止するようにした半導体レーザ駆動
装置を提供することにある。The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor laser driving device capable of easily and surely preventing an overcurrent of a semiconductor laser. .
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、半導体
レーザの光量を検出するためのセンサと、前記半導体レ
ーザに電流を供給するためのトランジスタ及びそのエミ
ッタに接続されたエミッタ抵抗からなる駆動回路と、前
記センサの検出値に基づいて前記駆動回路を制御し、半
導体レーザの光量を所定値に制御するための制御回路と
を備えた半導体レーザ駆動装置において、前記駆動回路
の入力に抵抗及びコンデンサからなる積分回路を設ける
と共に、この積分回路の時定数を電流制御の帰還ループ
の時定数よりも大きく設定し、前記半導体レーザが駆動
回路に非接続である場合は、前記コンデンサには前記制
御回路の出力を積分回路の抵抗と前記エミッタ抵抗とで
分圧した電圧が印加され、前記半導体レーザが駆動回路
に接続された場合には、前記駆動回路の入力電圧を前記
コンデンサの分圧された初期電圧から徐々に上昇してい
くことを特徴とする半導体レーザ駆動装置によって達成
される。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to drive a sensor for detecting the light quantity of a semiconductor laser, a transistor for supplying a current to the semiconductor laser, and an emitter resistor connected to its emitter. In a semiconductor laser drive device comprising a circuit and a control circuit for controlling the drive circuit based on a detection value of the sensor, and controlling a light amount of the semiconductor laser to a predetermined value, a resistor and an input are provided to the drive circuit. In addition to providing an integrating circuit composed of a capacitor, the time constant of the integrating circuit is set to be larger than the time constant of the feedback loop for current control, and when the semiconductor laser is not connected to the drive circuit, the capacitor is provided with the control circuit. When a voltage obtained by dividing the output of the circuit by the resistance of the integrating circuit and the emitter resistance is applied and the semiconductor laser is connected to the drive circuit It is accomplished by a semiconductor laser driving apparatus characterized by gradually increasing the input voltage of the driver circuit from the divided initial voltage of the capacitor.
【0007】[0007]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図1は本発明の半導体レーザ駆動
装置の一実施例を示した回路図である。なお、図1では
図7に示した従来装置と同一部分は同一符号を付し、本
実施例ではその詳細な説明は省略する。この実施例で
は、制御回路4と駆動回路5の間に、抵抗器8とコンデ
ンサ9から構成された積分回路を設けてある。この積分
回路の時定数は、駆動装置の負帰還ループの時定数、即
ちフォトダイオード2、I−V変換回路3、制御回路
4、駆動回路5、半導体レーザ1に至る一順の制御ルー
プの時定数よりも大きく設定されている。また、積分回
路の抵抗器8の抵抗値は駆動回路5の抵抗器7の抵抗値
より十分大きく設定されている。なお、その他の構成は
図7と同じである。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a semiconductor laser driving device of the present invention. In FIG. 1, the same parts as those in the conventional device shown in FIG. 7 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted in the present embodiment. In this embodiment, an integrating circuit composed of a resistor 8 and a capacitor 9 is provided between the control circuit 4 and the driving circuit 5. The time constant of this integrator circuit is the time constant of the negative feedback loop of the drive device, that is, the time constant of the control loop that leads to the photodiode 2, the IV conversion circuit 3, the control circuit 4, the drive circuit 5, and the semiconductor laser 1. It is set larger than the constant. Further, the resistance value of the resistor 8 of the integrating circuit is set sufficiently larger than the resistance value of the resistor 7 of the drive circuit 5. The rest of the configuration is the same as in FIG. 7.
【0008】次に、動作を説明する。まず、通常の動作
においては、トランジスタ6のベースから見た入力抵抗
は、エミッタに接続された抵抗器7の抵抗値のhFE(ト
ランジスタ6の電流増幅率)倍になり、この入力抵抗は
ベースに接続された抵抗器8の抵抗値よりも十分に大き
く設定されているので、ベースの抵抗器8の存在は無視
できる。また、ベースの抵抗器8とコンデンサ9の時定
数は、半導体レーザ1の外乱による光出力変動の速度よ
り十分小さく設定されているため、通常の動作は従来の
動作と全く同じである。ここで、半導体レーザ1と駆動
回路5の接続が断たれた場合は、トランジスタ6のベー
スとエミッタ間は単なるダイオードとみなしてよく、コ
ンデンサ9の両端電圧は略制御回路4の出力電圧を抵抗
器7と8で分圧した値となる。仮に、制御回路4の出力
電圧が最大電圧であったとしてもベースの抵抗器8の抵
抗値がエミッタの抵抗器7の抵抗値よりも十分大きいた
めに、コンデンサ9の両端電圧は十分小さくなる。Next, the operation will be described. First, in normal operation, the input resistance seen from the base of the transistor 6 becomes h FE (current amplification factor of the transistor 6) times the resistance value of the resistor 7 connected to the emitter, and this input resistance is Since the resistance value of the resistor 8 is set to be sufficiently larger than the resistance value of the resistor 8, the existence of the base resistor 8 can be ignored. Further, since the time constants of the base resistor 8 and the capacitor 9 are set to be sufficiently smaller than the speed of light output fluctuation due to the disturbance of the semiconductor laser 1, the normal operation is exactly the same as the conventional operation. Here, when the connection between the semiconductor laser 1 and the drive circuit 5 is cut off, the base and emitter of the transistor 6 may be regarded as a simple diode, and the voltage across the capacitor 9 is approximately the output voltage of the control circuit 4 as a resistor. It is the value divided by 7 and 8. Even if the output voltage of the control circuit 4 is the maximum voltage, the resistance value of the base resistor 8 is sufficiently larger than the resistance value of the emitter resistor 7, so that the voltage across the capacitor 9 becomes sufficiently small.
【0009】図2に断線時の各部の信号波形を示してお
り、図2(a)はI−V変換回路3の出力電圧、図2
(b)は制御回路4の出力電圧である。断線が生じた場
合、半導体レーザ1が消灯するため、フォトダイオード
2の光電流は0となり、I−V変換回路3の出力電圧も
図2(a)に示す如く0となる。また、制御回路4の出
力電圧は、半導体レーザ1の電流を増加させようと制御
が働くため、図2(b)に示す如く増加し、最大電圧ま
で上昇する。一方、コンデンサ9の両端電圧は前述した
ように抵抗器7と8で分圧されるため、図2(c)に示
すように十分小さくなり、またこのときの半導体レーザ
1の電流は図2(d)に示すように当然のことながら0
となる。そして、断線状態が解除され、再び半導体レー
ザ1と駆動回路5が接続されると、トランジスタ6のベ
ースにコンデンサ9の充電電圧が初期値として与えら
れ、トランジスタ6の電流は小さい電流から再起動す
る。この場合、抵抗器8とコンデンサ9からなる積分回
路の時定数を負帰還ループの時定数よりも十分大きくし
たことにより、駆動回路5の電流値が適正値に復帰する
より早く検出系などが正常に復帰し、半導体レーザ1の
電流にオーバーシュートが起こることはない。従って、
コンデンサ9の電圧は図2(c)に示すように積分回路
の時定数で徐々に上昇し、これに伴ってレーザ駆動電流
も図2(d)に示す如く徐々に上昇していくために、断
線から復帰した場合は、必らず半導体レーザ1の電流は
低い電流から立上がり、これによって断線時における半
導体レーザ1の過電流を確実に防止することができる。FIG. 2 shows the signal waveform of each part at the time of disconnection. FIG. 2 (a) shows the output voltage of the IV conversion circuit 3, and FIG.
(B) is the output voltage of the control circuit 4. When the disconnection occurs, the semiconductor laser 1 is turned off, so that the photocurrent of the photodiode 2 becomes 0 and the output voltage of the IV conversion circuit 3 also becomes 0 as shown in FIG. Further, the output voltage of the control circuit 4 increases as shown in FIG. 2B because the control works to increase the current of the semiconductor laser 1, and increases to the maximum voltage. On the other hand, since the voltage across the capacitor 9 is divided by the resistors 7 and 8 as described above, it becomes sufficiently small as shown in FIG. 2C, and the current of the semiconductor laser 1 at this time is as shown in FIG. Naturally 0 as shown in d)
Becomes When the disconnection state is released and the semiconductor laser 1 and the drive circuit 5 are connected again, the charging voltage of the capacitor 9 is given to the base of the transistor 6 as an initial value, and the current of the transistor 6 restarts from a small current. . In this case, by setting the time constant of the integrating circuit composed of the resistor 8 and the capacitor 9 sufficiently larger than the time constant of the negative feedback loop, the current value of the drive circuit 5 returns to an appropriate value and the detection system or the like operates normally. Then, the current of the semiconductor laser 1 does not overshoot. Therefore,
The voltage of the capacitor 9 gradually rises with the time constant of the integrating circuit as shown in FIG. 2C, and the laser drive current also gradually rises as shown in FIG. 2D. When the semiconductor laser 1 recovers from the disconnection, the current of the semiconductor laser 1 inevitably rises from a low current, which can surely prevent the overcurrent of the semiconductor laser 1 at the time of disconnection.
【0010】なお、以上の実施例では、説明を簡単にす
るためにトランジスタ6の入力抵抗は抵抗器8の抵抗値
よりも十分に大きいとしたが、同じ程度でもよく、その
場合には抵抗器8の電圧降下分を十分補える電圧を制御
回路4から出力できるようにすればよい。また、このと
きの積分回路の時定数は、もちろん帰還ループの時定数
よりも大きくなければならない。In the above embodiment, the input resistance of the transistor 6 is sufficiently larger than the resistance value of the resistor 8 for simplification of description, but it may be about the same. It suffices that the control circuit 4 can output a voltage that can sufficiently compensate for the voltage drop of No. 8. Further, the time constant of the integrating circuit at this time must be larger than the time constant of the feedback loop.
【0011】図3〜図6はそれぞれ本発明の他の実施例
を示した回路図である。図3の実施例は、トランジスタ
6としてPNPのものを使用したときの例、図4の実施
例は制御回路4に出力インピーダンスがある場合、その
インピーダンスを抵抗器8の代わりに用いるようにした
例である。また、図5の実施例は、ダーリントン接続の
トランジスタ6A,6Bを使用した例で、ここではダー
リントン接続であるため、コンデンサ9と並列に抵抗器
10を接続してコンデンサ9の電圧を低くするようにし
てある。更に、図6の実施例は、半導体レーザ1を差動
増幅回路で駆動し、またエミッタの抵抗器7の電圧値を
帰還して電流制御を行う駆動装置に実施した例である。3 to 6 are circuit diagrams showing other embodiments of the present invention. The embodiment of FIG. 3 is an example in which a PNP transistor is used as the transistor 6, and the embodiment of FIG. 4 is an example in which when the control circuit 4 has an output impedance, that impedance is used instead of the resistor 8. Is. Further, the embodiment of FIG. 5 is an example in which the transistors 6A and 6B in Darlington connection are used. Since it is in Darlington connection here, the resistor 10 is connected in parallel with the capacitor 9 so that the voltage of the capacitor 9 is lowered. I am doing it. Further, the embodiment of FIG. 6 is an example in which the semiconductor laser 1 is driven by a differential amplifier circuit, and the voltage value of the resistor 7 of the emitter is fed back to control the current.
【0012】[0012]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体レ
ーザが断線状態となった場合、簡単な回路の追加だけ
で、半導体レーザの過電流を確実に防止でき、これによ
って半導体レーザの特性劣化を防ぎ、信頼性を向上でき
るという効果がある。As described above, according to the present invention, when the semiconductor laser is in a disconnection state, the overcurrent of the semiconductor laser can be surely prevented by simply adding a simple circuit, thereby deteriorating the characteristics of the semiconductor laser. This has the effect of preventing this and improving reliability.
【図1】本発明の半導体レーザ駆動装置の一実施例を示
した回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a semiconductor laser driving device of the present invention.
【図2】図1の実施例の各部の信号波形を示したタイム
チャートである。FIG. 2 is a time chart showing signal waveforms of various parts of the embodiment of FIG.
【図3】本発明の他の実施例を示した回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.
【図4】本発明の他の実施例を示した回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.
【図5】本発明の他の実施例を示した回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.
【図6】本発明の他の実施例を示した回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.
【図7】従来例の半導体レーザ駆動装置を示した回路図
である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a conventional semiconductor laser driving device.
1 半導体レーザ 2 フォトダイオード 3 電流−電圧変換回路(I−V変換回路) 4 制御回路 5 駆動回路 6 トランジスタ 7,8 抵抗器 9 コンデンサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser 2 Photodiode 3 Current-voltage conversion circuit (IV conversion circuit) 4 Control circuit 5 Drive circuit 6 Transistor 7,8 Resistor 9 Capacitor
Claims (2)
ンサと、前記半導体レーザに電流を供給するためのトラ
ンジスタ及びそのエミッタに接続されたエミッタ抵抗か
らなる駆動回路と、前記センサの検出値に基づいて前記
駆動回路を制御し、半導体レーザの光量を所定値に制御
するための制御回路とを備えた半導体レーザ駆動装置に
おいて、前記駆動回路の入力に抵抗及びコンデンサから
なる積分回路を設けると共に、この積分回路の時定数を
電流制御の帰還ループの時定数よりも大きく設定し、前
記半導体レーザが駆動回路に非接続である場合は、前記
コンデンサには前記制御回路の出力を積分回路の抵抗と
前記エミッタ抵抗とで分圧した電圧が印加され、前記半
導体レーザが駆動回路に接続された場合には、前記駆動
回路の入力電圧を前記コンデンサの分圧された初期電圧
から徐々に上昇していくことを特徴とする半導体レーザ
駆動装置。1. A sensor for detecting a light quantity of a semiconductor laser, a drive circuit including a transistor for supplying a current to the semiconductor laser and an emitter resistor connected to an emitter thereof, and a detection value of the sensor. In the semiconductor laser drive device including a control circuit for controlling the drive circuit by controlling the drive circuit and controlling the light quantity of the semiconductor laser to a predetermined value, an input circuit of the drive circuit is provided with an integrating circuit including a resistor and a capacitor, and When the time constant of the integrating circuit is set to be larger than the time constant of the feedback loop of the current control and the semiconductor laser is not connected to the drive circuit, the output of the control circuit is connected to the resistance of the integrating circuit and the resistance of the integrating circuit. When a voltage divided by the emitter resistance is applied and the semiconductor laser is connected to the drive circuit, the input voltage of the drive circuit is A semiconductor laser driving device characterized in that the voltage gradually increases from the divided initial voltage of the capacitor.
ミッタ抵抗の抵抗値よりも大きいことを特徴とする請求
項1の半導体レーザ駆動装置。2. The semiconductor laser driving device according to claim 1, wherein the resistance value of the resistance of the integrating circuit is larger than the resistance value of the emitter resistance.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4300563A JPH06132592A (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Semiconductor laser driving device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4300563A JPH06132592A (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Semiconductor laser driving device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06132592A true JPH06132592A (en) | 1994-05-13 |
Family
ID=17886343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4300563A Pending JPH06132592A (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Semiconductor laser driving device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06132592A (en) |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP4300563A patent/JPH06132592A/en active Pending
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