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JPH06130438A - Photodetection device having diffraction grating and optical communication network - Google Patents

Photodetection device having diffraction grating and optical communication network

Info

Publication number
JPH06130438A
JPH06130438A JP30659992A JP30659992A JPH06130438A JP H06130438 A JPH06130438 A JP H06130438A JP 30659992 A JP30659992 A JP 30659992A JP 30659992 A JP30659992 A JP 30659992A JP H06130438 A JPH06130438 A JP H06130438A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
wavelength
optical
photodetector
diffraction grating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30659992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinobu Sekiguchi
芳信 関口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP30659992A priority Critical patent/JPH06130438A/en
Publication of JPH06130438A publication Critical patent/JPH06130438A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】光通信などにおいて使用される波長トラッキン
グ機能、分波機能などを有する光検出装置である。 【構成】光が入射される活性層4を含む半導体光導波路
と、導波路に形成された回折格子と、導波路の外部に出
射される回折光11を検出するための複数部分から成る
光検出器12とを有する光検出装置である。導波路と光
検出器12の間に、回折光11の特定の偏波成分のみを
選択透過させる偏光板10が配置されている。
(57) [Abstract] [Purpose] A photodetector having a wavelength tracking function, a demultiplexing function, and the like used in optical communication and the like. A photodetector including a semiconductor optical waveguide including an active layer 4 on which light is incident, a diffraction grating formed on the waveguide, and a plurality of portions for detecting diffracted light 11 emitted to the outside of the waveguide. And a container 12. A polarizing plate 10 that selectively transmits only a specific polarized component of the diffracted light 11 is disposed between the waveguide and the photodetector 12.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光通信などにおいて使
用される波長トラッキング機能を有する光検出装置、回
折格子が形成された光導波路から導波路外へ放射される
回折光の放射角が光の波長に依存することを利用する分
波機能を有する光検出装置、光通信分野において使用さ
れる波長多重用送受信装置およびこれらの装置を使用し
た光通信ネットワークないし波長多重光通信システムに
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photodetector having a wavelength tracking function used in optical communication and the like, in which the emission angle of the diffracted light emitted from the optical waveguide in which the diffraction grating is formed to the outside of the waveguide is optical. The present invention relates to a photodetector having a demultiplexing function that utilizes wavelength dependence of wavelengths, a wavelength multiplexing transmitter / receiver used in the field of optical communications, and an optical communication network or wavelength multiplexing optical communication system using these devices. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、回折格子を有する光検出装置は、
光導波路を伝搬する光がTE,TM両偏波成分を含む場
合、各偏波成分に対して導波路の等価屈折率が異なるた
め、それぞれの偏波成分に対応した放射角の異なる2本
の回折光が光検出器方向に放射される。
2. Description of the Related Art Conventionally, a photodetector having a diffraction grating is
When the light propagating through the optical waveguide includes both TE and TM polarization components, since the equivalent refractive index of the waveguide is different for each polarization component, two radiation angles corresponding to the respective polarization components are different. Diffracted light is emitted toward the photodetector.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとしている課題】上記従来例では、
入射光が水平偏波のみ又は垂直偏波のみであれば、導波
路外に射出される回折光は1本のみであるので、障害は
生じない。しかし、入射光が光ファイバから光検出装置
の導波路に入射されるような場合には、入射光は水平、
垂直両偏波成分を含むので、それぞれの偏波成分に対し
射出角のわずかに違う2本の回折光が生じて、分波機能
が著しく低下してしまう。
SUMMARY OF THE INVENTION In the above conventional example,
If the incident light is only horizontally polarized light or only vertically polarized light, there is only one diffracted light that is emitted outside the waveguide, so no obstacle occurs. However, when the incident light enters the waveguide of the photodetector from the optical fiber, the incident light is
Since both vertical polarization components are included, two diffracted lights with slightly different exit angles are generated for the respective polarization components, and the demultiplexing function is significantly deteriorated.

【0004】更に、シングルモードファイバから回折格
子が形成された導波路へ入射される光の偏波状態は、変
動するため、常に単一偏波のみを導波路へ入射させるた
めには、偏波制御が不可欠であった。
Further, since the polarization state of the light incident from the single mode fiber to the waveguide in which the diffraction grating is formed fluctuates, in order to always allow only a single polarization to enter the waveguide, the polarization Control was essential.

【0005】しかしながら、この偏波制御は、制御が複
雑であり、また波長多重されたローカルエリアネットワ
ークのように、異なるポイントから送られて来る光信号
の偏波状態はそれぞれ異なるため、これらの信号を同時
受信することはほとんど不可能であった。
However, this polarization control is complicated, and the polarization states of optical signals sent from different points are different, as in a wavelength-multiplexed local area network. It was almost impossible to receive at the same time.

【0006】本発明の目的は、上記の問題点を解決した
光通信などにおいて使用される波長トラッキング機能を
有する光検出装置、回折格子が形成された光導波路から
導波路外へ放射される回折光の放射角が光の波長に依存
することを利用する分波機能を有する光検出装置、およ
びこれらの装置を使用した光通信ネットワークないし波
長多重光通信システムを提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above problems by using a photodetector having a wavelength tracking function used in optical communication and the like, and diffracted light emitted from the optical waveguide having a diffraction grating to the outside of the waveguide. (EN) Provided are a photodetector device having a demultiplexing function that utilizes the fact that the radiation angle of the device depends on the wavelength of light, and an optical communication network or wavelength division multiplexing optical communication system using these devices.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の形態によ
れば、回折格子を有する光導波路と複数の光検出部を持
つ光検出器間に、偏光板を配置することにより、入射光
が水平・垂直両偏波成分を含んでいて2本の回折光が生
じても、偏光板が、どちらか一方の回折光を選択透過す
るため、光検出器への入射光は1本となる。したがっ
て、入射光が水平・垂直両偏波成分を含む場合も、分波
機能などが低下しない光検出装置を実現できる。
According to the first aspect of the present invention, by arranging a polarizing plate between an optical waveguide having a diffraction grating and a photodetector having a plurality of photodetectors, incident light can be obtained. Even when two diffracted lights are generated due to the inclusion of both horizontal and vertical polarization components, the polarizing plate selectively transmits either one of the diffracted lights, so that only one light is incident on the photodetector. . Therefore, even when the incident light includes both horizontal and vertical polarization components, it is possible to realize a photodetector in which the demultiplexing function is not deteriorated.

【0008】また、本発明の第2の形態によれば、複数
の光検出部を持つ光検出器を、TE偏波の回折光のみを
受光する光検出部列と、TM偏波の回折光のみを受光す
る光検出部列で構成することにより、信号光の偏波状態
に依存しない受信が可能となる。また、波長多重された
ローカルエリアネットワークのように偏波状態の異なる
複数の信号でも、同時受信することが可能となった。
According to a second aspect of the present invention, a photodetector having a plurality of photodetectors is provided with a photodetector array for receiving only TE polarized light and a TM polarized diffracted light. With the configuration of the photodetector array that receives only the light, it is possible to receive the signal light independent of the polarization state. In addition, it becomes possible to receive simultaneously multiple signals with different polarization states such as wavelength-division-multiplexed local area network.

【0009】本発明の第1の形態の場合、2本の回折光
のどちらか一方を偏光板で除去すると、受信される信号
強度が偏波状態に依存して大きく変動し、信号の偏波が
受信している偏波と逆になると、受信できない状況が生
じるが、、本発明の第2の形態では偏波状態に依存せ
ず、常に一定レベルで信号受信が可能である。
In the case of the first embodiment of the present invention, when either one of the two diffracted lights is removed by the polarizing plate, the received signal intensity largely changes depending on the polarization state, and the polarization of the signal is changed. If the polarization is opposite to the received polarization, a situation in which the polarization cannot be received occurs. However, in the second embodiment of the present invention, it is possible to always receive a signal at a constant level without depending on the polarization state.

【0010】また、異なる波長の光信号を送出する少な
くとも1つの送信端局と複数の波長の光信号を受信する
受信端局が、光伝送路で接続された光通信ネットワーク
においては、少なくとも1つの受信端局に上記の光検出
装置を備えたことを特徴とする。
Further, in an optical communication network in which at least one transmitting terminal station for transmitting optical signals of different wavelengths and a receiving terminal station for receiving optical signals of plural wavelengths are connected by an optical transmission line, at least one transmitting terminal station is connected. The receiving terminal station is provided with the above-mentioned photodetector.

【0011】更に、前記光通信ネットワークにおいて
は、波長多重光源として波長可変DBR−LD(分布反
射型半導体レーザ)を用い、波長多重の波長間隔とし
て、該波長可変DBR−LDの縦モード間隔又はその整
数倍を使用することを特徴とする。
Further, in the optical communication network, a wavelength tunable DBR-LD (distributed reflection type semiconductor laser) is used as a wavelength multiplex light source, and the wavelength spacing of wavelength multiplexing is the longitudinal mode spacing of the wavelength tunable DBR-LD or its It is characterized by using an integral multiple.

【第1実施例】図1は、本実施例の特徴を最もよく表わ
す図面であり、回折格子付き光導波路は、光増幅部と回
折光出射部で構成されている。回折光出射部の導波路の
垂線方向に、導波路と相対して複数の光検出部12が一
列に配置され、両者の間には偏光板10が配置されてい
る。
[First Embodiment] FIG. 1 is a view best showing the features of the present embodiment. An optical waveguide with a diffraction grating is composed of an optical amplifying section and a diffracted light emitting section. A plurality of photodetector sections 12 are arranged in a line in the direction perpendicular to the waveguide of the diffracted light emitting section, facing the waveguide, and a polarizing plate 10 is arranged between the two.

【0012】回折格子付き光導波路はリブ導波構造を有
しており、光増幅部は、n−GaAs基板(不示図)上
のn−GaAsバッファ層2、n−AlxGa1-xAs第
1光閉込め層3、GaAs層が10層とAlyGa1-y
s(0<y≦x)層が11層から成る多重量子井戸構造
の活性層4、p−AlxGa1-xAs第2光閉込め層5、
Si34電気絶縁層6、p−GaAsコンタクト層8、
およびn,p用金属電極1,7で構成されている。
The optical waveguide with a diffraction grating has a rib waveguide structure, and the optical amplification section includes an n-GaAs buffer layer 2 on an n-GaAs substrate (not shown) and n-Al x Ga 1-x. As 1st optical confinement layer 3, 10 GaAs layers and Al y Ga 1-y A
an active layer 4 having a multi-quantum well structure including 11 s (0 <y ≦ x) layers, a p-Al x Ga 1-x As second optical confinement layer 5,
Si 3 N 4 electrical insulating layer 6, p-GaAs contact layer 8,
And n and p metal electrodes 1 and 7.

【0013】回折光出射部のリブ導波路9には、回折格
子が形成されており(不示図)、回折格子のピッチΛは
入射光の波長λに対し、Λ=λ/neff(neff:導波路
の等価屈折率)の関係を満たしている。
A diffraction grating is formed in the rib waveguide 9 of the diffracted light emitting portion (not shown), and the pitch Λ of the diffraction grating is Λ = λ / n eff (n eff : Equivalent refractive index of waveguide) is satisfied.

【0014】なお、図に示されていないが、光増幅部の
外部光入射端面には無反射コーティングが施されてお
り、光増幅部でのレーザ発振の抑圧と飽和注入電流密度
の増大を可能にしている。
Although not shown in the drawing, a reflection-free coating is applied to the external light incident end surface of the optical amplification section to suppress the laser oscillation in the optical amplification section and increase the saturation injection current density. I have to.

【0015】光増幅部を順バイアスに保持した状態で、
外部光がリブ導波路9に入射すると、入射光は光増幅部
で増幅され、回折光出射部から導波路に対しほぼ垂線方
向に射出される。この時、入射光が水平偏波成分のみ、
又は垂直偏波成分のみで構成されていれば、単一の一次
回折光が得られる。
With the optical amplifier section kept in forward bias,
When external light is incident on the rib waveguide 9, the incident light is amplified by the optical amplification section and is emitted from the diffracted light emission section in a direction substantially perpendicular to the waveguide. At this time, the incident light is only the horizontal polarization component,
Alternatively, a single first-order diffracted light can be obtained if it is composed of only vertically polarized components.

【0016】回折光が導波路の垂線となす角(出射角)
θは、入射光の波長に対し−0.3〜0.4deg/n
mの割で変化する。回折光の広がり角は、導波路の延伸
方向(θP)では非常に狭く0.2゜以下であるので、
光検出部列から成る検出器12の個々の検出部の受光面
の導波路延伸方向における長さを回折光の広がり角(θ
P)程度に設定することにより、0.5nm以下の波長
分解が可能である。
Angle formed by diffracted light with respect to the vertical line of the waveguide (emission angle)
θ is −0.3 to 0.4 deg / n with respect to the wavelength of incident light.
It changes for every m. Since the divergence angle of the diffracted light is very narrow in the extending direction (θ P ) of the waveguide and is 0.2 ° or less,
The length in the waveguide extending direction of the light receiving surface of each detector of the detector 12 including the row of photo detectors is defined as the spread angle (θ) of the diffracted light.
By setting it to about P ), wavelength resolution of 0.5 nm or less is possible.

【0017】しかしながら、入射光が水平・垂直両偏波
成分を含む場合は、導波路の伝搬定数が偏波によって異
なるので、それぞれの偏波成分に応じて、出射角のわず
かに違う2本の回折光が生じる。しかし、偏光板10に
よって、どちらか一方の偏波成分のみを選択透過させる
ことにより、光検出部列12には一方の偏波成分11の
みが入射される。したがって、入射光が水平・垂直両偏
波成分を含んでいても、分波機能は低下しない。
However, when the incident light includes both horizontal and vertical polarization components, since the propagation constant of the waveguide varies depending on the polarization, the two output angles slightly differ depending on the respective polarization components. Diffracted light is generated. However, the polarization plate 10 selectively transmits only one polarization component, so that only one polarization component 11 is incident on the photodetector array 12. Therefore, even if the incident light includes both horizontal and vertical polarization components, the demultiplexing function does not deteriorate.

【0018】[0018]

【第2実施例】本発明の第2実施例を図2で説明する。
図2は、本発明に基づく回折格子付き光導波路と光検出
素子列32を有する光検出装置の第2実施例の構成図で
ある。同図において、n−GaAs基板22上に、順
に、n−AlxGa1-xAs光閉じ込め層23、Aly
1-yAs光導波層24(0≦y<x<1)、p−Alx
Ga1-xAs光閉じ込め層25、p−AlzGa1-zAs
コンタクト層28(0<z<1)が形成される。横方向
の閉じ込めは、ストライプ状導波路の両側の高抵抗Al
xGa1-xAs埋め込み層35で行なわれる。
[Second Embodiment] A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a configuration diagram of a second embodiment of a photodetecting device having an optical waveguide with a diffraction grating and a photodetecting element array 32 according to the present invention. In the figure, on an n-GaAs substrate 22, sequentially, n-Al x Ga 1- x As light confinement layer 23, Al y G
a 1-y As optical waveguide layer 24 (0 ≦ y <x <1), p-Al x
Ga 1-x As optical confinement layer 25, p-Al z Ga 1-z As
A contact layer 28 (0 <z <1) is formed. Lateral confinement is due to the high resistance Al on both sides of the striped waveguide.
x Ga 1-x As embedded layer 35.

【0019】コンタクト層28の上には、回折光出射用
窓36が形成された上部p型電極27が形成され、n−
GaAs基板22の裏面には、n型電極21が形成され
ている。また、AlyGa1-yAs光導波層24の内部若
しくは導波層24から光の波長範囲内の位置に、回折格
子(不図示)が形成されている。更に、回折格子付き光
導波路の回折光出射用窓36の真上には、3個の素子P
Dから成る光検出素子列32が配置されている。また、
回折光出射用窓36の真上には、偏光板38も配置され
ている。これの機能は第1実施例で説明した通りであ
る。
An upper p-type electrode 27 having a diffracted light emitting window 36 is formed on the contact layer 28, and n−
An n-type electrode 21 is formed on the back surface of the GaAs substrate 22. A diffraction grating (not shown) is formed inside the Al y Ga 1-y As optical waveguide layer 24 or at a position within the wavelength range of light from the waveguide layer 24. Further, three elements P are provided directly above the diffracted light emitting window 36 of the optical waveguide with the diffraction grating.
A photodetector array 32 composed of D is arranged. Also,
A polarizing plate 38 is also arranged directly above the diffracted light emitting window 36. The function of this is as described in the first embodiment.

【0020】以上の構成において、導波路に光が入力す
ると、光導波層24内又はこれを含む導波路の付近に形
成されている回折格子により回折光が導波路上面に出射
される。
In the above structure, when light is input to the waveguide, the diffracted light is emitted to the upper surface of the waveguide by the diffraction grating formed in the optical waveguide layer 24 or in the vicinity of the waveguide including the optical waveguide layer 24.

【0021】回折光の垂直方向からの傾斜角θは、回折
格子のピッチΛと入射光の波長λに対し、次の関係を満
たす。 sinθ=neff−qλ/Λ (1) ここで、qは整数、neffは導波路の等価屈折率であ
る。
The inclination angle θ of the diffracted light from the vertical direction satisfies the following relationship with the pitch Λ of the diffraction grating and the wavelength λ of the incident light. sin θ = n eff −qλ / Λ (1) where q is an integer and n eff is the equivalent refractive index of the waveguide.

【0022】本実施例では、導波路の等価屈折率は3.
4〜3.5となるので0.8μm帯の入射光に対し、お
よそ0.24μmの回折格子を形成する(q=1)。
In this embodiment, the equivalent refractive index of the waveguide is 3.
Since it is 4 to 3.5, a diffraction grating of about 0.24 μm is formed for incident light in the 0.8 μm band (q = 1).

【0023】このとき、入射光の波長変化に対する傾斜
角θの変化は、 dθ/dλ〜−0.3〜−0.4deg/nm であった。
At this time, the change in the tilt angle θ with respect to the change in the wavelength of the incident light was dθ / dλ to −0.3 to −0.4 deg / nm.

【0024】回折光のファーフィールドパターン(FF
P)は、導波路に沿う方向では非常に狭く、その広がり
角(θP)は0.2°以下であり、導波路を横切る方向
では広くその広がり角(θt)は15°程度である。従
って、入射光の波長が0.5nm程度変化すれば、出射
角即ち傾斜角θは〜0.2°変化するので、導波路に沿
う方向で回折光のビーム径程度変化することになる。よ
って、光検出素子列32の導波路に沿う方向の各素子P
D1、2、3の受光面のサイズを1次回折光のビーム径
(θP)程度にすれば、0.5nm程度の波長変化を検
出できる。波長分解能は上方に回折される回折光の導波
路に沿う方向の広がり角(θP)によって制限されてい
るので、回折格子付き導波路の吸収損失を低減したり、
回折格子と光導波路の結合効率を小さくすることによ
り、回折格子付き光導波路の回折光を出射する領域を長
くすることにより、θPを狭くし、波長分解能を〜0.
1mm程度まで上げることが可能である。
Far-field pattern of diffracted light (FF
P) is very narrow in the direction along the waveguide, its divergence angle (θ P ) is 0.2 ° or less, and it is wide in the direction crossing the waveguide, and its divergence angle (θ t ) is about 15 °. . Therefore, if the wavelength of the incident light changes by about 0.5 nm, the emission angle, that is, the tilt angle θ changes by about 0.2 °, so that the beam diameter of the diffracted light changes in the direction along the waveguide. Therefore, each element P in the direction along the waveguide of the photodetection element array 32 is
If the size of the light-receiving surfaces D1, 2, 3 is set to the beam diameter (θ P ) of the first-order diffracted light, a wavelength change of about 0.5 nm can be detected. The wavelength resolution is limited by the spread angle (θ P ) of the diffracted light that is diffracted upward in the direction along the waveguide, so that the absorption loss of the waveguide with a diffraction grating can be reduced,
By reducing the coupling efficiency between the diffraction grating and the optical waveguide, the region where the diffracted light of the optical waveguide with the diffraction grating is emitted is lengthened, thereby making θ P narrower and the wavelength resolution ˜0.
It is possible to raise it to about 1 mm.

【0025】図3は、波長トラッキング機能を有する図
2の光検出装置の簡単なブロック図である。図3におい
て、先ず受信開始前の初期設定として、光導波路に入射
した光の回折光の強度分布の最強領域が光検出素子列3
2の中央の素子PD2に入射される様に、光導波路の注
入電流を注入電流制御回路45で制御して回折格子のブ
ラッグ波長を変化させる。この時、他の検出素子PD
1、PD3への入射光量は、両者等しいかゼロになる様
に設定されている。この状態で受信を開始する。
FIG. 3 is a simple block diagram of the photodetector of FIG. 2 having a wavelength tracking function. In FIG. 3, first, as an initial setting before the start of reception, the strongest region of the intensity distribution of the diffracted light of the light incident on the optical waveguide is the photodetector array 3.
The injection current control circuit 45 controls the injection current of the optical waveguide so that the Bragg wavelength of the diffraction grating is changed so that the light is incident on the element PD2 at the center of 2. At this time, another detection element PD
1, the amount of light incident on the PD 3 is set so that both are equal or zero. Reception is started in this state.

【0026】受信中に入射光の波長が長い方へ変化する
と、検出素子PD2の入射光量が減少すると共に、検出
素子PD1の入射光量が増加し検出素子PD3の入射光
量は減少するかゼロのままである。比較回路46で、P
D1(検出素子PD1の入射光量)−PD3、及びPD
2−PD1(又はPD3)を演算することで、この入射
光の波長の変化の量と方向が分かる。そこで、比較回路
46で注入電流制御回路45を制御して光導波路への注
入電流を減少させて、回折格子のブラッグ波長を長波長
側へシフトさせる。これで、検出素子PD1、PD3の
入射光量を等しくさせるかゼロにすることにより、回折
光の入射最強領域が中央の検出素子PD2になる様にす
る。一方、入射光の波長が短い方へ変化して上記入射光
量が逆に変化した場合は、光導波路への注入電流を同様
の仕方で増加させて回折格子のブラッグ波長を短波側へ
シフトさせ、同様に回折光の出射角を制御する。こうし
て、入射光の波長が変化しても光導波路からの回折光が
常に光検出素子列32の中央の検出素子PD2へ入射す
る様にでき、入射光の波長トラッキングが可能となる。
この際、注入電流と回折格子のブラッグ波長との関係
は、前もって測定されていて注入電流制御回路45に記
憶されている。
When the wavelength of the incident light changes to the longer side during reception, the incident light amount of the detecting element PD2 decreases and the incident light amount of the detecting element PD1 increases and the incident light amount of the detecting element PD3 decreases or remains zero. Is. In the comparison circuit 46, P
D1 (amount of incident light on detection element PD1) -PD3, and PD
By calculating 2-PD1 (or PD3), the amount and direction of change in the wavelength of this incident light can be known. Therefore, the comparison circuit 46 controls the injection current control circuit 45 to reduce the injection current to the optical waveguide and shift the Bragg wavelength of the diffraction grating to the long wavelength side. With this, the incident light amounts of the detection elements PD1 and PD3 are made equal or zero, so that the strongest incident region of the diffracted light becomes the detection element PD2 at the center. On the other hand, when the wavelength of the incident light changes to the shorter side and the amount of the incident light changes, the injection current to the optical waveguide is increased in the same manner to shift the Bragg wavelength of the diffraction grating to the short wave side, Similarly, the outgoing angle of the diffracted light is controlled. In this way, even if the wavelength of the incident light changes, the diffracted light from the optical waveguide can always enter the detection element PD2 at the center of the photodetection element array 32, and the wavelength tracking of the incident light becomes possible.
At this time, the relationship between the injection current and the Bragg wavelength of the diffraction grating is measured in advance and stored in the injection current control circuit 45.

【0027】光導波路から出射される回折光のファーフ
ィールドパターン(FFP)は、前述したように、導波
路に沿う方向では非常に狭くその広がり角(θP)は
0.2°以下であり、導波路を横切る方向では広く、そ
の広がり角(θt)は15°程度である。このように導
波路を横切る方向における広がり角が大きいので、光検
出素子列32に入射する光量は、全放射光量の数%程度
になってしまう。
As described above, the far-field pattern (FFP) of the diffracted light emitted from the optical waveguide is very narrow in the direction along the waveguide and its spread angle (θ P ) is 0.2 ° or less. It is wide in the direction crossing the waveguide, and its spread angle (θ t ) is about 15 °. Since the divergence angle in the direction crossing the waveguide is large as described above, the amount of light incident on the photodetector array 32 becomes about several percent of the total emitted light amount.

【0028】そこで、光導波路と光検出素子列32の間
にシリンドリカルレンズ37を配置して、回折光の導波
路を横切る方向の集光を行なうことにより検出素子列3
2に入射する光量を増加させ、光導波路に入射する光が
弱くても波長トラッキングが有効に行なわれるようにし
たものである。
Therefore, a cylindrical lens 37 is arranged between the optical waveguide and the photodetector array 32 to collect the diffracted light in the direction traversing the waveguide, whereby the detector array 3 is formed.
The amount of light entering the optical waveguide 2 is increased so that wavelength tracking can be effectively performed even if the light entering the optical waveguide is weak.

【0029】[0029]

【第3実施例】図4は本実施例の特徴を最もよく表す図
面であり、回折格子が形成された光導波路と、光増幅器
がモノリシックに構成されている。光導波路の上面から
垂線方向に、TE偏波の回折光のみを受光する光検出器
列64と、TM偏波の回折光のみを受光する光検出器列
65が導波路の延伸方向に配置されている。
[Third Embodiment] FIG. 4 is a view best showing the features of this embodiment, in which an optical waveguide in which a diffraction grating is formed and an optical amplifier are monolithically constructed. A photodetector array 64 that receives only TE polarized light and a photodetector array 65 that receives only TM polarized diffraction light are arranged in the extending direction of the waveguide in a direction perpendicular to the upper surface of the optical waveguide. ing.

【0030】素子の左半分のみを示す図4において、光
増幅部は、InP基板52、バンドギャップエネルギー
〜0.95eVのInGaAsP光ガイド層53、バン
ドギャップエネルギー〜0.8eVのInGaAsP活
性層54、InP上部光閉込め層55、InGaAsコ
ンタクト層57、InP高抵抗埋込み層56、および
p,nのオーミック電極51,58で構成されている。
一方、回折格子59が形成された導波路は、光増幅部と
同一のInP基板52、ピッチΛの回折格子59、In
GaAsP光ガイド層53、InP上部光閉込め層55
で構成されている。63は光増幅部の注入電流制御装置
である。なお、図には示されていないが、入射端面およ
び反対側の端面には、光の反射を防ぐため、誘電体の反
射防止膜が形成されている。また、回折格子59のピッ
チΛは、信号光の波長λに対しΛ〜λ/neff(neff
導波路の等価屈折率)の関係を満たしている。
In FIG. 4, which shows only the left half of the device, the optical amplifying section includes an InP substrate 52, an InGaAsP optical guide layer 53 having a band gap energy of 0.95 eV, an InGaAsP active layer 54 having a band gap energy of 0.8 eV, It is composed of an InP upper optical confinement layer 55, an InGaAs contact layer 57, an InP high resistance buried layer 56, and ohmic electrodes 51 and 58 of p and n.
On the other hand, the waveguide in which the diffraction grating 59 is formed is the same InP substrate 52, the diffraction grating 59 having the pitch Λ, the In
GaAsP optical guide layer 53, InP upper optical confinement layer 55
It is composed of. Reference numeral 63 is an injection current control device for the optical amplification section. Although not shown in the figure, a dielectric antireflection film is formed on the incident end face and the opposite end face to prevent reflection of light. Further, the pitch Λ of the diffraction grating 59 is Λ to λ / n eff (n eff : for the wavelength λ of the signal light).
The equivalent refractive index of the waveguide) is satisfied.

【0031】図面において、入射光は光増幅部で増幅さ
れた後、回折格子が形成された導波路の回折格子59に
より、導波路上面から回折光が放射される。この時、入
射光が、TE,TM両偏波成分を有していれば、それぞ
れの偏波成分に対応した、放射角φ1,φ2の異なる2本
の回折光67,68が生じる。2本の回折光は、導波路
を横切る方向には広がり角が大きいので、光検出器列6
4,65にほぼ等しい強度で入射するが、光検出器列6
4では、TE偏波の回折光のみが受信され、光検出器列
65では、TM偏波の回折光のみが受信されるので、受
信されたそれぞれの信号を加算することにより、入射光
の偏波状態に依存せず、ほぼ一定強度の信号受信が可能
になった。
In the drawing, after the incident light is amplified by the optical amplification section, the diffraction grating 59 of the waveguide in which the diffraction grating is formed emits the diffracted light from the upper surface of the waveguide. At this time, if the incident light has both TE and TM polarization components, two diffracted lights 67 and 68 corresponding to the respective polarization components and having different emission angles φ 1 and φ 2 are generated. Since the two diffracted lights have a large divergence angle in the direction crossing the waveguide, the photodetector array 6
The incident light intensity is approximately equal to 4, 65, but the photodetector array 6
In FIG. 4, only TE-polarized diffracted light is received, and in the photodetector array 65, only TM-polarized diffracted light is received. It became possible to receive signals with almost constant intensity without depending on the wave condition.

【0032】また、複数の信号が波長多重されている場
合は、初期設定として、同一信号のTE偏波成分とTM
偏波成分を受信している光検出部ないし光検出器を特定
し、信号を加算するように設定することにより、偏波状
態の異なる複数の信号を同時に、しかも、 ほぼ一定の
信号強度で受信することが可能になった。
When a plurality of signals are wavelength-multiplexed, the TE polarization component and TM of the same signal are initially set.
By specifying the photodetector or photodetector that is receiving the polarization component and setting it to add the signals, multiple signals with different polarization states can be received simultaneously and with almost constant signal strength. It became possible to do.

【0033】[0033]

【第4実施例】図5は、本発明の光通信ネットワークに
おいて個々の送信端局の電気・光変換部を構成する2電
極波長可変DBR−LDの破断斜視図であり、DBR領
域の反射特性の半値幅は、DBR−LDの縦モード間隔
より狭く形成されている。図5において、活性領域及び
DBR領域には、n−GaAs基板72上に、n−Al
xGa1-xAs光閉じ込め層73、AlyGa1-yAs光導
波層74、AlnGa1-nAs(0≦n<y<x<1)活
性層741、高抵抗AlyGa1-yAs埋め込み層75、
p−AlxGa1-xAs光閉じ込め層76、p−Alz
1-zAs(0<z<1)コンタクト層77が形成され
ており、n型基板72の反対側にはn型電極71が形成
されている。DBR領域の光導波路部には回折格子80
が形成され、コンタクト層77上にp型電極81が形成
されている。活性領域には、上部p型電極78が形成さ
れている。活性領域とDBR領域の間には、少なくとも
電極とコンタクト層77を貫いて溝79が形成されてい
る。
[Fourth Embodiment] FIG. 5 is a cutaway perspective view of a two-electrode variable wavelength DBR-LD which constitutes an electrical / optical conversion unit of an individual transmitting terminal in an optical communication network of the present invention, and shows a reflection characteristic in a DBR region. Is formed to be narrower than the longitudinal mode interval of DBR-LD. In FIG. 5, in the active region and the DBR region, n-Al is formed on the n-GaAs substrate 72.
x Ga 1-x As optical confinement layer 73, Al y Ga 1-y As optical waveguide layer 74, Al n Ga 1-n As (0 ≦ n <y <x <1) active layer 741, high resistance Al y Ga 1-y As embedded layer 75,
p-Al x Ga 1-x As light confinement layer 76, p-Al z G
An a 1 -z As (0 <z <1) contact layer 77 is formed, and an n-type electrode 71 is formed on the opposite side of the n-type substrate 72. A diffraction grating 80 is provided in the optical waveguide portion of the DBR region.
And the p-type electrode 81 is formed on the contact layer 77. An upper p-type electrode 78 is formed in the active region. A groove 79 is formed between the active region and the DBR region at least through the electrode and the contact layer 77.

【0034】DBR−LDの活性領域にしきい値以上の
電流を注入すると、DBRの反射特性と縦モードがほぼ
一致した波長で発振を開始する。この状態で、DBR領
域にキャリヤを注入すると、プラズマ効果により実効屈
折率が変化し、反射特性の中心波長が短波長側にシフト
するので、発振波長におけるDBRの反射率が低下し、
光出力が低下する。更に、キャリヤを注入すると、DB
Rの反射率も更に低下するので、光出力は、ほとんど得
られなくなるとともに、反射特性の中心波長は、短波長
側の隣接縦モードの波長に近づく。更にキャリヤを注入
すると、隣接縦モードの波長におけるDBRの反射率が
増大し、この波長において発振を開始するため、発振波
長が縦モード1本分短波長側へシフトする。
When a current above the threshold value is injected into the active region of the DBR-LD, oscillation starts at a wavelength at which the reflection characteristics of the DBR and the longitudinal mode substantially match. When carriers are injected into the DBR region in this state, the effective refractive index changes due to the plasma effect, and the central wavelength of the reflection characteristics shifts to the short wavelength side, so the reflectance of the DBR at the oscillation wavelength decreases,
Light output is reduced. Furthermore, if carriers are injected, DB
Since the reflectance of R is further reduced, almost no optical output is obtained, and the center wavelength of the reflection characteristic approaches the wavelength of the adjacent longitudinal mode on the short wavelength side. When carriers are further injected, the reflectance of the DBR at the wavelength of the adjacent longitudinal mode increases, and oscillation is started at this wavelength, so the oscillation wavelength shifts to the short wavelength side by one longitudinal mode.

【0035】したがって、2電極波長可変DBR−LD
のDBR領域への注入電流を制御することにより、ほぼ
DBR−LDの縦モード間隔で発振波長を離散的に変化
させることが可能である。
Therefore, the two-electrode variable wavelength DBR-LD
It is possible to discretely change the oscillation wavelength at almost the longitudinal mode interval of the DBR-LD by controlling the injection current into the DBR region.

【0036】一方、個々の受信端局の光・電気変換部を
構成する分波機能を有する光検出装置として、図1、4
に記載のものを使用する。次に、本実施例の動作につい
て説明する。放射光の導波路延伸方向への広がり角(θ
P)は0.2゜以下と非常に狭い。一方、放射光の導波
路延伸方向への出射角θの波長依存性は、〜−0.4d
eg/nmであるので、各々の検出部の受光面の導波路
延伸方向の長さを、放射光の広がり角(θP)程度にす
ることにより、〜0.5nm程度の波長分解能が得られ
る。したがって、前記DBR−LDの実効共振器長L
eff(活性領域長Lactと有効DBR長LDBRの和)を調
整することにより、縦モード間隔をこの光検出装置の波
長分解能と同程度に設定すれば、送信側から波長多重さ
れて送られて来る信号を、すべて個々の波長に分波し、
しかも必要ならばすべての波長の信号を同時に受信する
ことが可能である。
On the other hand, as a photodetector having a demultiplexing function, which constitutes an optical / electrical conversion section of each receiving terminal station, the optical detection apparatus shown in FIGS.
Use the one described in. Next, the operation of this embodiment will be described. Spread angle of synchrotron radiation in the waveguide extension direction (θ
P ) is very narrow, less than 0.2 °. On the other hand, the wavelength dependence of the emission angle θ of the emitted light in the waveguide extension direction is up to −0.4d.
Since it is EG / nm, a wavelength resolution of about 0.5 nm can be obtained by setting the length of the light receiving surface of each detector in the waveguide extension direction to about the divergence angle (θ P ) of the emitted light. . Therefore, the effective resonator length L of the DBR-LD is
By adjusting the eff (the sum of the active region length L act and the effective DBR length L DBR ) to set the longitudinal mode interval to the same level as the wavelength resolution of this photodetector, wavelength-multiplexed signals are transmitted from the transmission side. Demultiplexes all incoming signals into individual wavelengths,
Moreover, it is possible to simultaneously receive signals of all wavelengths if necessary.

【0037】また、本発明の光通信ネットワークでは、
個々の送信端局の発振波長は縦モード間隔の離散的な発
振波長の中から選択されるので、厳密に安定化させる必
要はなく、制御が格段に容易になる。
In the optical communication network of the present invention,
Since the oscillation wavelength of each transmitting terminal station is selected from the discrete oscillation wavelengths of the longitudinal mode intervals, it is not necessary to strictly stabilize it, and control becomes much easier.

【0038】図6は、図5と図1または4に示す本発明
の送・受信デバイスを使用した波長多重光通信ネットワ
ークの1つの形態を表わす概略図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing one form of a wavelength division multiplexing optical communication network using the transmitting / receiving device of the present invention shown in FIG. 5 and FIG. 1 or 4.

【0039】同図において、各送信端局は、電気・光変
換部に図5の波長可変DBR−LDを有しており、DB
R領域への注入電流を制御して発振可能な波長(λ1
・・λn)から、任意の波長λn(1≦i≦n)で送信を
開始する。この時、同時に送信を希望する複数の送信端
局があれば、それぞれの送信端局で使われていない波長
λj,λk・・・(1≦j,k,・・・≦n、i≠j≠k
・・・)で送信することが可能である。
In the figure, each transmitting terminal has the wavelength variable DBR-LD of FIG.
Wavelength (λ 1 ·
· From lambda n), it starts transmission at any wavelength λ n (1 ≦ i ≦ n ). At this time, if there are a plurality of transmitting terminal stations desiring to transmit at the same time, wavelengths λ j , λ k ... (1 ≦ j, k, ... ≦ n, i) that are not used by the respective transmitting terminal stations. ≠ j ≠ k
...) can be transmitted.

【0040】全送信端局201、202、・・・、20
Nから送出される光信号は、分岐合流器301によっ
て、逐次又は一括して多重化され、光伝送路400によ
って、受信側へ送出される。一方、各受信端局501、
502、・・・、50Mの光・電気変換部は、分波機能
を有する光検出装置で構成されている。光伝送路400
によって送られて来る波長多重された信号は、分岐合流
器302によって分岐された後、各受信端局501、5
02、・・・、50Mに入力される。
All transmitting terminal stations 201, 202, ..., 20
The optical signals sent from N are sequentially or collectively multiplexed by the branching / combining device 301 and sent to the receiving side by the optical transmission line 400. On the other hand, each receiving terminal 501
The optical / electrical converters 502, ..., 50M are configured by photodetectors having a demultiplexing function. Optical transmission line 400
The wavelength-multiplexed signal sent by the branching / combining device 302 is branched by the branching / combining device 302, and then received by each of the receiving terminal stations 501, 5
02, ..., 50M.

【0041】入力された波長多重信号は、分波機能を有
する光検出装置によって、各波長に分波された後、所望
の波長の信号が選択されて受信端局へ取込まれる。この
際、波長の異なる複数の信号、または、必要ならば、す
べての信号を同時に取込むことも可能である。
The input wavelength-multiplexed signal is demultiplexed into each wavelength by a photodetector having a demultiplexing function, and then a signal of a desired wavelength is selected and taken into the receiving terminal station. At this time, a plurality of signals having different wavelengths, or if necessary, all signals can be simultaneously captured.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第1の形
態の光検出装置によれば、回折格子を有する光導波路
と、該光導波路から導波路外へ放射され回折光を検出す
るための光検出手段の間に、特定の偏波成分のみを選択
透過する偏光板などの偏光手段を配置することにより、
光導波路への入射光が、水平・垂直両偏波成分を含む場
合にも良好な分波機能などを有する光検出装置が実現で
きる。
As described above, according to the photodetector of the first embodiment of the present invention, the optical waveguide having the diffraction grating and the diffracted light emitted from the optical waveguide to the outside of the waveguide are detected. By disposing polarizing means such as a polarizing plate that selectively transmits only a specific polarized component between the light detecting means of
It is possible to realize a photodetector having a good demultiplexing function even when the incident light on the optical waveguide contains both horizontal and vertical polarization components.

【0043】また、本発明の第2の形態の光検出装置に
よれば、以上説明したように、回折格子が形成された光
導波路と、複数の光検出部を持つ光検出器で構成される
分波機能などを有する光検出装置において、前記複数の
光検出部をTE偏波を検出する検出部と、TM偏波を検
出する検出部で構成することにより、入射信号光の偏波
状態に依存せず、一定強度の信号受信が可能となった。
また、偏波状態の異なる複数の信号を、それぞれの偏波
状態に依存せず一定強度で、同時に受信可能となった。
Further, according to the photodetector of the second aspect of the present invention, as described above, it is composed of the optical waveguide in which the diffraction grating is formed and the photodetector having a plurality of photodetectors. In a photodetector having a demultiplexing function and the like, by configuring the plurality of photodetectors with a detector that detects TE polarization and a detector that detects TM polarization, the polarization state of incident signal light is changed. It became possible to receive signals of constant intensity without depending on them.
In addition, it became possible to receive multiple signals with different polarization states at the same time with constant intensity without depending on each polarization state.

【0044】また、本発明の光検出装置を、波長多重光
通信ネットワークの受信端局の光・電変換部として使用
すると、波長多重された信号を各波長に分波した後、複
数の信号あるいは必要ならばすべての信号を同時に受信
することが可能である。
Further, when the photodetector of the present invention is used as an optical / electrical conversion unit of a receiving terminal station of a wavelength division multiplexing optical communication network, after wavelength division multiplexed signals are demultiplexed into respective wavelengths, a plurality of signals or It is possible to receive all signals simultaneously if desired.

【0045】更に、以上説明したように、波長多重光通
信ネットワークにおいて、送信端局の光源として、波長
可変DBR−LDを用い、波長多重の波長間隔を該波長
可変DBR−LDの縦モード間隔、又はその整数倍と
し、受信端局の検出器として、分波機能を有する光検出
装置を使用することにより、波長多重度の増大が可能と
なり、送信端局の構成も簡単になった。
Further, as described above, in the wavelength division multiplexing optical communication network, the wavelength tunable DBR-LD is used as the light source of the transmitting terminal, and the wavelength division of the wavelength division multiplexing is set to the longitudinal mode interval of the wavelength tunable DBR-LD. Alternatively, by using a photodetector having a demultiplexing function as a detector of the receiving end station, the wavelength multiplicity can be increased and the configuration of the transmitting end station can be simplified.

【0046】また、波長可変DBR−LDは、縦モード
間隔で発振していればよいので、連続波長可変の場合に
比較して、最大波長可変幅が広く、かつ制御も容易で、
波長多重度も更に増大できる。
Further, since the wavelength tunable DBR-LD only needs to oscillate at the longitudinal mode interval, it has a wide maximum wavelength tunable range and is easy to control as compared with the continuous wavelength tunable case.
The wavelength multiplicity can be further increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を実施した回折格子を有する光検出装置
の第1実施例の概略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a first embodiment of a photodetector having a diffraction grating embodying the present invention.

【図2】光導波路と光検出手段の間に集光用のシリンド
リカルレンズを配置した光検出装置の第2実施例の概略
構成図。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a second embodiment of a photodetecting device in which a condensing cylindrical lens is arranged between an optical waveguide and a photodetecting means.

【図3】第2実施例に波長トラッキング機能を持たせる
為の構成のブロック図。
FIG. 3 is a block diagram of a configuration for providing a wavelength tracking function in the second embodiment.

【図4】本発明を実施した回折格子が形成された光導波
路とTE偏波を検出する検出器列とTM偏波を検出する
検出器列により構成される分波機能などを有する光検出
装置の第3実施例の概略構成図。
FIG. 4 is a photodetector having a demultiplexing function and the like, which is configured by an optical waveguide having a diffraction grating formed according to the present invention, a detector array for detecting TE polarization and a detector array for detecting TM polarization. The schematic block diagram of 3rd Example of this.

【図5】本発明の送信端局の電気・光変換部を構成する
波長可変DBR−LDの構造の概略図。
FIG. 5 is a schematic diagram of the structure of a wavelength tunable DBR-LD that constitutes the electrical / optical conversion unit of the transmission terminal station of the present invention.

【図6】本発明を実施した波長多重光通信ネットワーク
の概略図。
FIG. 6 is a schematic diagram of a wavelength division multiplexing optical communication network embodying the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,7,21,27,51,.58,71,78,81
金属電極 2,22,52,72 GaAs基板およびバッファ層 3,5,23,25,55,73,76 AlGaAs
光閉込め層 4,24,54,74,741 活性層 6 電気絶縁層 8,28 GaAsコンタクト層 9 回折格子を有するリブ導波路 10,38 偏光板 11 導波路外へ出射される回折光 12,32 複数部分から成る光検出器 35,,56,75 高抵抗埋め込み層 36 回折光出射用窓 37 シリンドリカル・レンズ 41 回折格子付き光導波路 45,63 注入電流制御回路 46 比較回路 53 光ガイド層 59,80 回折格子 64 TE偏波光を検出する光検出器列 65 TM偏波光を検出する光検出器列 67,68 偏波状態の異なる回折光 77 AlGaAsコンタクト層 79 電気分離用溝 201〜20N 送信端局 301,302 分岐合流器 400 光伝送路 501〜50NM 受信端局
1, 7, 21, 27, 51 ,. 58, 71, 78, 81
Metal electrode 2, 22, 52, 72 GaAs substrate and buffer layer 3, 5, 23, 25, 55, 73, 76 AlGaAs
Light confinement layer 4, 24, 54, 74, 741 Active layer 6 Electrical insulating layer 8, 28 GaAs contact layer 9 Rib waveguide having diffraction grating 10, 38 Polarizing plate 11 Diffracted light emitted outside waveguide 12, 32 Photodetector consisting of multiple parts 35, 56, 75 High resistance buried layer 36 Diffracted light emitting window 37 Cylindrical lens 41 Optical waveguide with diffraction grating 45, 63 Injection current control circuit 46 Comparison circuit 53 Optical guide layer 59, 80 Diffraction Grating 64 Photodetector array for detecting TE polarized light 65 TM Photodetector array for detecting polarized light 67, 68 Diffracted light with different polarization state 77 AlGaAs contact layer 79 Electric separation groove 201-20N Transmitting terminal station 301, 302 Branching / combining device 400 Optical transmission line 501 to 50NM Receiving terminal station

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年12月16日[Submission date] December 16, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0011[Correction target item name] 0011

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0011】 更に、前記光通信ネットワークにおいて
は、波長多重光源として波長可変DBR−LD(分布反
射型半導体レーザ)を用い、波長多重の波長間隔とし
て、該波長可変DBR−LDの縦モード間隔又はその整
数倍を使用することを特徴とする。
Further, in the optical communication network, a wavelength tunable DBR-LD (distributed reflection type semiconductor laser) is used as a wavelength multiplexing light source, and the wavelength multiplexing wavelength interval is the longitudinal mode interval of the wavelength tunable DBR-LD or its It is characterized by using an integral multiple.

【第1実施例】 図1は、本実施例の特徴を最もよく表
わす分波機能を有する光検出装置の図面であり、回折格
子付き光導波路は、光増幅部と回折光出射部で構成され
ている。回折光出射部の導波路の垂線方向に、導波路と
相対して複数の光検出部12が一列に配置され、両者の
間には偏光板10が配置されている。
First Embodiment FIG. 1 is a drawing of a photo-detecting device having a demultiplexing function that best represents the features of the present embodiment. An optical waveguide with a diffraction grating is composed of an optical amplification section and a diffracted light emission section. ing. A plurality of photodetector sections 12 are arranged in a line in the direction perpendicular to the waveguide of the diffracted light emitting section, facing the waveguide, and a polarizing plate 10 is arranged between the two.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0013[Correction target item name] 0013

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0013】 回折光出射部のリブ導波路9には、回折
格子が形成されており(不図示)、回折格子のピッチΛ
は入射光の波長λに対し、およそΛ〜λ/neff(n
eff:導波路の等価屈折率)の関係を満たしている。
A diffraction grating is formed in the rib waveguide 9 of the diffracted light emitting portion ( not shown ), and the diffraction grating pitch Λ
Is approximately λ˜λ / n eff (n
eff : Equivalent refractive index of the waveguide) is satisfied.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0015[Name of item to be corrected] 0015

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0015】 光増幅部を順バイアスに保持した状態
で、各々波長の異なる1以上の信号光で構成される外部
光がリブ導波路9に入射すると、入射光は光増幅部で増
幅され、回折光出射部から導波路に対しほぼ垂線方向
、各波長に分波され、射出される。
When external light composed of one or more signal lights each having a different wavelength is incident on the rib waveguide 9 while the optical amplifier is held in the forward bias, the incident light is amplified by the optical amplifier and diffracted. The light is demultiplexed into each wavelength in the direction substantially perpendicular to the waveguide and emitted from the light emitting portion .

【手続補正5】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0016】 回折光が導波路の垂線となす角(出射
角)θは、入射光の波長に対し−0.3〜0.4de
g/nmの割で変化する。回折光の広がり角は、導波路
の延伸方向(θ)では非常に狭く0.2゜程度である
ので、光検出部列から成る検出器12の個々の検出部の
受光面の導波路延伸方向における長さを回折光の広がり
角(θ)程度に設定することにより、0.5nm程度
の波長分解が可能である。
The perpendicular and the angle of the diffracted light waveguide (emission angle) theta is -0.3 the wavelength of the incident light - 0.4De
It changes for every g / nm. Since the divergence angle of the diffracted light is extremely narrow in the waveguide extension direction (θ P ) and is about 0.2 °, the waveguide extension of the light-receiving surface of each of the detectors of the detector 12 including the photodetector array. By setting the length in the direction to about the spread angle (θ P ) of the diffracted light, wavelength resolution of about 0.5 nm is possible.

【手続補正6】[Procedure correction 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0017[Correction target item name] 0017

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0017】 入射光が水平偏波成分のみ、又は垂直偏
波成分のみで構成されていれば、単一の一次回折光が得
られる。しかしながら、入射光が水平・垂直両偏波成分
を含む場合は、導波路の伝搬定数が偏波によって異なる
ので、それぞれの偏波成分に応じて、出射角のわずかに
違う2本の回折光が生じる。しかし、偏光板10によっ
て、どちらか一方の偏波成分のみを選択透過させること
により、光検出部列12には一方の偏波成分11のみが
入射される。したがって、入射光が水平・垂直両偏波成
分を含んでいても、分波機能は低下しない。
The incident light may have only a horizontal polarization component or a vertical polarization component.
A single first-order diffracted light can be obtained if it is composed of only wave components.
To be However, when the incident light contains both horizontal and vertical polarization components, the propagation constant of the waveguide differs depending on the polarization, so two diffracted lights with slightly different exit angles are generated depending on each polarization component. Occurs. However, the polarization plate 10 selectively transmits only one polarization component, so that only one polarization component 11 is incident on the photodetector array 12. Therefore, even if the incident light includes both horizontal and vertical polarization components, the demultiplexing function does not deteriorate.

【手続補正7】[Procedure Amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0018[Correction target item name] 0018

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0018】[0018]

【第2実施例】本発明の第2実施例を図2で説明する。
図2は、本発明に基づく回折格子付き光導波路と光検出
素子列32で構成される波長トラッキング機能を有する
光検出装置の第2実施例の構成図である。同図におい
て、n−GaAs基板22上に、順に、n−AlGa
1−xAs光閉じ込め層23、AlGa1−yAs光
導波層24(0≦y<x<1)、p−AlGa1−x
As光閉じ込め層25、p−AlGa1−zAsコン
タクト層28(0<z<1)が形成される。横方向の閉
じ込めは、ストライプ状導波路の両側の高抵抗Al
1−xAs埋め込み層35で行なわれる。
[Second Embodiment] A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of a photodetector having a wavelength tracking function, which is composed of an optical waveguide with a diffraction grating and a photodetector array 32 according to the present invention. In the figure, n-Al x Ga is deposited on the n-GaAs substrate 22 in order.
1-x As optical confinement layer 23, Al y Ga 1-y As optical waveguide layer 24 (0 ≦ y <x <1), p-Al x Ga 1-x
The As light confinement layer 25 and the p-Al z Ga 1-z As contact layer 28 (0 <z <1) are formed. Lateral confinement is achieved by high resistance Al x G on both sides of the striped waveguide.
a 1−x As embedded layer 35.

【手続補正8】[Procedure Amendment 8]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0024[Name of item to be corrected] 0024

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0024】 回折光のファーフィールドパターン(F
FP)は、導波路に沿う方向では非常に狭く、その広が
り角(θ)は0.2°程度であり、導波路を横切る方
向では広くその広がり角(θ)は15°程度である。
従って、入射光の波長が0.5nm程度変化すれば、出
射角即ち傾斜角θは〜0.2°変化するので、導波路に
沿う方向で回折光のビーム径程度変化することになる。
よって、光検出素子列32の導波路に沿う方向の各素子
PD1、2、3の受光面のサイズを1次回折光のビーム
径(θ)程度にすれば、0.5nm程度の波長変化を
検出できる。波長分解能は上方に回折される回折光の導
波路に沿う方向の広がり角(θ)によって制限されて
いるので、回折格子付き導波路の吸収損失を低減した
り、回折格子と光導波路の結合効率を小さくすることに
より、回折格子付き光導波路の回折光を出射する領域を
長くすることにより、θを狭くし、波長分解能を〜
0.1nmまで上げることが可能である。
Far-field pattern (F
FP) is very narrow in the direction along the waveguide, its spread angle (θ P ) is about 0.2 °, and it is wide in the direction crossing the waveguide, and its spread angle (θ t ) is about 15 °. .
Therefore, if the wavelength of the incident light changes by about 0.5 nm, the emission angle, that is, the tilt angle θ changes by about 0.2 °, so that the beam diameter of the diffracted light changes in the direction along the waveguide.
Therefore, if the size of the light receiving surface of each of the elements PD1, 2, 3 in the direction along the waveguide of the photodetecting element array 32 is set to about the beam diameter (θ P ) of the first-order diffracted light, a wavelength change of about 0.5 nm will occur. Can be detected. Since the wavelength resolution is limited by the divergence angle (θ P ) of the diffracted light that is diffracted upwards in the direction along the waveguide, the absorption loss of the waveguide with the diffraction grating can be reduced, or the coupling between the diffraction grating and the optical waveguide can be reduced. By reducing the efficiency, the region for emitting the diffracted light of the optical waveguide with the diffraction grating is lengthened, and thus θ P is narrowed, and the wavelength resolution is reduced.
It is possible to increase to 0.1 nm .

【手続補正9】[Procedure Amendment 9]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0029[Name of item to be corrected] 0029

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0029】[0029]

【第3実施例】図4は本実施例の特徴を最もよく表す
波機能を有する光検出装置の偏波依存性を改善した図面
であり、回折格子が形成された光導波路と、光増幅器が
モノリシックに構成されている。光導波路の上面から垂
線方向に、TE偏波の回折光のみを受光する光検出器列
64と、TM偏波の回折光のみを受光する光検出器列6
5が導波路の延伸方向に配置されている。
[Third Embodiment] FIG. 4 shows the characteristics of the present embodiment best .
It is the figure which improved the polarization dependence of the photon detection device which has a wave function, and the optical waveguide in which the diffraction grating was formed, and the optical amplifier are constituted monolithically. A photodetector array 64 that receives only TE-polarized diffracted light and a photodetector array 6 that receives only TM-polarized diffracted light in a direction perpendicular to the upper surface of the optical waveguide.
5 is arranged in the extending direction of the waveguide.

【手続補正10】[Procedure Amendment 10]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0031[Correction target item name] 0031

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0035】図面において、各々波長の異なる1以上の
信号光で構成される入射光は光増幅部で増幅された後、
回折格子が形成された導波路の回折格子59により、導
波路上面から回折光として各波長に分波され放射され
る。今、1つの信号光が、TE,TM両偏波成分を有し
ていれば、それぞれの偏波成分に対応し、放射角
φ,φの異なる2本の回折光67,68が生じる。
2本の回折光は、導波路を横切る方向には広がり角が大
きいので、光検出器列64,65にほぼ等しい強度で入
射するが、光検出器列64では、TE偏波の回折光のみ
が受信され、光検出器列65では、TM偏波の回折光の
みが受信されるので、受信されたそれぞれの信号を加算
することにより、入射光の偏波状態に依存せず、ほぼ一
定強度の信号受信が可能になった。
In the drawings, one or more different wavelengths are used.
After the incident light composed of signal light is amplified by the optical amplifier,
By the diffraction grating 59 of the waveguide having the diffraction grating formed, the light is split into each wavelength and emitted as diffracted light from the upper surface of the waveguide. Now, one of the signal light, TE, as long as the TM both polarization components, corresponding to each of the polarization components, the radiation angle phi 1, phi 2 different two diffracted light 67 and 68 Occurs.
Since the two diffracted lights have a large divergence angle in the direction crossing the waveguide, they are incident on the photodetector arrays 64 and 65 with almost equal intensity. However, in the photodetector array 64, only TE polarized light is diffracted. Is received and only the TM polarized light is received by the photodetector array 65. Therefore, by adding the received signals, it is possible to obtain an almost constant intensity without depending on the polarization state of the incident light. It became possible to receive the signal.

【手続補正11】[Procedure Amendment 11]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0032[Name of item to be corrected] 0032

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0032】 また、偏波状態の異なる複数の信号が波
長多重されている場合は、初期設定として、各々の同一
信号のTE偏波成分とTM偏波成分を受信している光検
出部ないし光検出器を特定し、信号を加算するように設
定することにより、偏波状態の異なる複数の信号を同時
に、しかも、ほぼ一定の信号強度で受信することが可能
になった。
Further, when a plurality of signals having different polarization states are wavelength-multiplexed, as a default setting, a photodetector or an optical detector that receives the TE polarization component and the TM polarization component of each identical signal is used. By specifying the detector and setting it to add the signals, it has become possible to receive a plurality of signals with different polarization states at the same time and with substantially constant signal strength.

【手続補正12】[Procedure Amendment 12]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0045[Name of item to be corrected] 0045

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0045】 更に、以上説明したように、波長多重光
通信ネットワークにおいて、送信端局の光源として、波
長可変DBR−LDを用い、波長多重の波長間隔を該波
長可変DBR−LDの縦モード間隔、又はその整数倍と
し、受信端局の検出器として、分波機能を有する光検出
装置を使用することにより、波長多重度の増大が可能と
なり、発振波長の制御も簡単になった。
Further, as described above, in the wavelength division multiplexing optical communication network, the wavelength tunable DBR-LD is used as the light source of the transmitting terminal station, and the wavelength division of the wavelength division multiplexing is set to the longitudinal mode interval of the wavelength tunable DBR-LD. Alternatively, by using a photodetector having a demultiplexing function as a detector of the receiving terminal station, which is an integral multiple thereof, it is possible to increase the wavelength multiplicity and simplify control of the oscillation wavelength .

【手続補正13】[Procedure Amendment 13]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を実施した分波機能を有する光検出装置
の第1実施例の概略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a first embodiment of a photo-detecting device having a demultiplexing function according to the present invention.

【図2】光導波路と光検出手段の間に集光用のシリンド
リカルレンズを配置した波長トラッキング機能を有する
光検出装置の第2実施例の概略構成図。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a second embodiment of a photodetector having a wavelength tracking function in which a condensing cylindrical lens is arranged between an optical waveguide and a photodetector.

【図3】第2実施例に波長トラッキング機能を持たせる
為の構成のブロック図。
FIG. 3 is a block diagram of a configuration for providing a wavelength tracking function in the second embodiment.

【図4】本発明を実施した回折格子が形成された光導波
路とTE偏波を検出する検出器列とTM偏波を検出する
検出器列により構成され偏波依存性を改善した分波機能
を有する光検出装置の第3実施例の概略構成図。
FIG. 4 is a demultiplexing function having an improved polarization dependency, which is configured by an optical waveguide having a diffraction grating formed according to the present invention, a detector array for detecting TE polarization and a detector array for detecting TM polarization. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a third embodiment of a photodetector including the above.

【図5】本発明の送信端局の電気・光変換部を構成する
波長可変DBR−LDの構造の概略図。
FIG. 5 is a schematic diagram of the structure of a wavelength tunable DBR-LD that constitutes the electrical / optical conversion unit of the transmission terminal station of the present invention.

【図6】本発明を実施した波長多重光通信ネットワーク
の概略図。
FIG. 6 is a schematic diagram of a wavelength division multiplexing optical communication network embodying the present invention.

【符号の説明】 1,7,21,27,51,58,71,78,81
金属電極 2,22,52,72 基板およびバッファ層 3,5,23,25,55,73,76 光閉込め層 4,24,54,74,741 活性層 6 電気絶縁層 8,28 GaAsコンタクト層 9 回折格子を有するリブ導波路 10,38 偏光板 11 導波路外へ出射される回折光 12,32 複数部分から成る光検出器 35,56,75 高抵抗埋め込み層 36 回折光出射用窓 37 シリンドリカル・レンズ 41 回折格子付き光導波路 45,63 注入電流制御回路 46 比較回路 53,73 光ガイド層 59,80 回折格子 64 TE偏波光を検出する光検出器列 65 TM偏波光を検出する光検出器列 67,68 偏波状態の異なる回折光 77 コンタクト層 79 電気分離用溝 201〜20N 送信端局 301,302 分岐合流器 400 光伝送路 501〜50NM 受信端局
[Explanation of Codes] 1,7,21,27,51,58,71,78,81
Metal electrode 2,22,52,72 Substrate and buffer layer 3,5,23,25,55,73,76 Light confinement layer 4,24,54,74,741 Active layer 6 Electrical insulation layer 8,28 GaAs contact Layer 9 Rib waveguide having a diffraction grating 10,38 Polarizing plate 11 Diffracted light emitted outside the waveguide 12,32 Photodetector consisting of multiple parts 35,56,75 High resistance embedded layer 36 Diffracted light emitting window 37 Cylindrical lens 41 Optical waveguide with diffraction grating 45,63 Injection current control circuit 46 Comparison circuit 53,73 Optical guide layer 59,80 Diffraction grating 64 Photodetector array for detecting TE polarized light 65 TM Optical detection for detecting polarized light Array 67, 68 Diffracted light with different polarization states 77 Contact layer 79 Grooves for electrical separation 201 to 20N Transmitting terminal station 301, 302 Branch / merge 40 0 Optical transmission line 501 to 50NM Receiving terminal station

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 31/14 A 7210−4M H01S 3/10 Z 8934−4M 3/18 H04B 10/04 10/06 Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI Technical display location H01L 31/14 A 7210-4M H01S 3/10 Z 8934-4M 3/18 H04B 10/04 10/06

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光が入射される光導波路と、該導波路に形
成された回折格子と、該導波路の外部に出射される回折
光を検出するための複数部分から成る光検出手段とを有
する光検出装置において、該導波路と光検出手段の間
に、回折光の特定の偏波成分のみを選択透過させる偏光
手段が配置されていることを特徴とする回折格子を有す
る光検出装置。
1. An optical waveguide into which light is incident, a diffraction grating formed in the waveguide, and a photodetecting means including a plurality of portions for detecting diffracted light emitted to the outside of the waveguide. The photo-detecting device having a diffraction grating, wherein a polarizing means for selectively transmitting only a specific polarization component of the diffracted light is arranged between the waveguide and the photo-detecting means.
【請求項2】前記導波路と光検出手段の間に、回折光の
導波路を横切る方向の集光を行う為の集光手段が更に配
置されている請求項1記載の光検出装置。
2. The photodetector according to claim 1, further comprising a condensing unit arranged between the waveguide and the photodetector for condensing diffracted light in a direction traversing the waveguide.
【請求項3】前記光導波路が半導体で構成されており、
且つ導波路の一部に、電流注入により入射光を増幅する
少なくとも1個の光増幅部を有する請求項1記載の光検
出装置。
3. The optical waveguide is composed of a semiconductor,
The photodetector according to claim 1, further comprising at least one optical amplification unit that amplifies the incident light by injecting a current in a part of the waveguide.
【請求項4】回折格子が形成された光導波路から導波路
外に放射される回折光を検出するために複数の光検出部
を配置した光検出装置において、前記複数の光検出部
が、TE偏波を検出する1個以上の検出部とTM偏波を
検出する1個以上の検出部によって構成されていること
を特徴とする回折格子を有する光検出装置。
4. A photodetector in which a plurality of photodetectors are arranged to detect diffracted light emitted from an optical waveguide formed with a diffraction grating to the outside of the waveguide, wherein the plurality of photodetectors are TE. 1. A photodetector having a diffraction grating, which comprises one or more detectors for detecting polarized waves and one or more detectors for detecting TM polarized waves.
【請求項5】前記光導波路が半導体で構成されており、
且つ導波路の一部に、電流注入により入射光を増幅する
少なくとも1個の光増幅部を有する請求項4記載の光検
出装置。
5. The optical waveguide is composed of a semiconductor,
The photodetector according to claim 4, further comprising at least one optical amplification section that amplifies the incident light by injecting a current in a part of the waveguide.
【請求項6】異なる波長の光信号を送出する少なくとも
1つの送信端局と複数の波長の光信号を受信する受信端
局が、光伝送路で接続された波長多重光通信ネットワー
クにおいて、少なくとも1つの受信端局に請求項1また
は2に記載の光検出装置を備えたことを特徴とする光通
信ネットワーク。
6. A wavelength division multiplexing optical communication network in which at least one transmitting terminal station for transmitting optical signals of different wavelengths and a receiving terminal station for receiving optical signals of a plurality of wavelengths are connected by an optical transmission line. An optical communication network, wherein one receiving terminal station is provided with the photodetector according to claim 1.
【請求項7】波長多重光通信ネットワークにおいて、波
長多重の波長間隔として、波長可変DBR−LDの縦モ
ード間隔、又はその整数倍を使用することを特徴とする
波長多重光通信ネットワーク。
7. A wavelength-division-multiplexing optical communication network, wherein the wavelength-division-multiplexing optical communication network uses a longitudinal mode interval of a wavelength tunable DBR-LD or an integral multiple thereof as a wavelength-division multiplexing wavelength.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100759805B1 (en) * 2005-12-07 2007-09-20 한국전자통신연구원 Optically boosted elctroabsorption duplexer
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