JPH06128738A - Sputtering target manufacturing method - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリングターゲットに関し、スパッタ
リングの際の半田接合部の剥離防止を目的とする。
【構成】 ターゲット部材とターゲット支持部材との半
田接合部について、予め双方の部材の接合面に超音波法
又は摩擦法により予備半田を付着させた後、双方の部材
を相互に半田接合するように構成し、半田接合に先立っ
て予め接合面の酸化膜を除去することで接合面における
半田の濡れ不足を防止し、接合部の強度を所定以上に維
持する。
(57) [Summary] [Purpose] The purpose of the sputtering target is to prevent the peeling of the solder joint during sputtering. [Structure] Regarding a solder joint portion between a target member and a target support member, after preliminarily soldering is attached to a joint surface of both members by an ultrasonic method or a friction method, both members are solder-joined to each other. Thus, the oxide film on the joint surface is removed in advance prior to the solder joint, thereby preventing insufficient wetting of the solder on the joint surface and maintaining the strength of the joint portion above a predetermined level.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、金属若しくは合金から
成るスパッタリングターゲットの製造方法に関し、詳し
くは、半導体の配線膜形成に特に好適なアルミニウム、
アルミニウム合金、チタン、タングステン、モリブデ
ン、シリサイド合金等から成るスパッタリングターゲッ
トに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a sputtering target made of a metal or an alloy, and more specifically, aluminum which is particularly suitable for forming a semiconductor wiring film,
The present invention relates to a sputtering target made of aluminum alloy, titanium, tungsten, molybdenum, silicide alloy or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ或いは磁気ヘッド等の電子デバイ
スでは、例えばアルミニウム或いはチタンを主成分とす
る配線は、１μm厚み程度の薄膜として絶縁層上に形成
された後、リソグラフィによって所定の配線パターンに
形成される。薄膜形成には、スパッタリング法が多用さ
れており、このためのスパッタリングターゲットには、
加速されたイオンに照射されるスパッタ面を有するター
ゲット部材と、このターゲット部材の支持部材を成すバ
ッキングプレートとが接合される形式のものがある。2. Description of the Related Art In an electronic device such as an LSI or a magnetic head, for example, a wiring containing aluminum or titanium as a main component is formed as a thin film having a thickness of about 1 μm on an insulating layer and then formed into a predetermined wiring pattern by lithography. To be done. A sputtering method is often used for forming a thin film, and a sputtering target for this purpose is
There is a type in which a target member having a sputtering surface irradiated with accelerated ions and a backing plate forming a support member of the target member are joined together.
【０００３】一般に、ターゲット部材及びバッキングプ
レートは夫々、円形若しくは長方形の平板形状を成して
いる。ターゲット部材の材料は、目的とする配線組成に
より適宜選択され、アルミニウム、アルミニウム合金、
チタン又はタングステン等の金属若しくは合金から構成
される。また、バッキングプレートは、強度及び冷却性
能等の観点から選択され、例えば銅、アルミニウム又は
ステンレス等の金属若しくは合金から構成される。Generally, the target member and the backing plate each have a circular or rectangular flat plate shape. The material of the target member is appropriately selected according to the intended wiring composition, aluminum, aluminum alloy,
It is composed of a metal or alloy such as titanium or tungsten. The backing plate is selected from the viewpoint of strength and cooling performance, and is made of, for example, a metal or alloy such as copper, aluminum or stainless steel.
【０００４】前記形式のスパッタリングターゲットで
は、一般に、ターゲット部材とバッキングプレートとの
接合には、双方の部材よりも融点が低い半田材料による
接合が採用され、スパッタ面と逆側のターゲット部材の
背面が、バッキングプレートの一方の面と半田材料を介
して接合される。半田材料としては、比較的融点の低い
Ｐｂ−Ｓｎ系合金、Ｉｎ等が使用される。In the above-mentioned type of sputtering target, in general, the target member and the backing plate are joined by using a solder material having a melting point lower than that of both members, and the back surface of the target member on the side opposite to the sputtering surface is used. , And is bonded to one surface of the backing plate via a solder material. As the solder material, a Pb—Sn alloy having a relatively low melting point, In, or the like is used.
【０００５】図２（ａ）〜（ｄ）は、従来のスパッタリ
ングターゲットの製造方法における接合時の工程を順次
に示す断面模式図である。同図（ａ）において、円板状
のターゲット部材１は、例えばＷＳi合金から構成さ
れ、上面がスパッタ面１１を成している。バッキングプ
レート２は、同様に円板状を成し、例えば銅から成る。
バッキングプレート２の上面には、ターゲット部材１を
所定位置に着座させるために浅い凹部２１が形成されて
いる。FIGS. 2A to 2D are schematic cross-sectional views sequentially showing the steps of joining in the conventional method of manufacturing a sputtering target. In FIG. 1A, the disc-shaped target member 1 is made of, for example, a WSi alloy, and the upper surface thereof forms a sputtering surface 11. The backing plate 2 also has a disk shape and is made of copper, for example.
A shallow recess 21 is formed on the upper surface of the backing plate 2 for seating the target member 1 at a predetermined position.
【０００６】双方の部材１、２は、夫々単独に物理的及
び化学的洗浄のための所定の前処理を行い、その後、予
めその接合面１２、２１となる部分に予備半田が付着さ
せてある。この予備半田付けは、例えば、蒸着によって
Ｉｎを接合面上に堆積させることで行われる。Both the members 1 and 2 are individually subjected to a predetermined pretreatment for physical and chemical cleaning, and after that, preliminary solder is adhered to the portions to be the bonding surfaces 12 and 21 in advance. . This preliminary soldering is performed by depositing In on the bonding surface by vapor deposition, for example.
【０００７】接合に際して、新たにＩｎ箔から成る半田
材料３を介してターゲット部材１の接合面１２とバッキ
ングプレート２の凹部２１を成す接合面とを密着させる
（図２（ｂ））。ターゲット部材１をバッキングプレー
ト２に対して押圧固定すると共に、熱風等の熱源によっ
て双方の接合面の温度を約１８０℃に上げてＩｎ半田箔
３を溶融させる（同図（ｃ））。押圧固定状態を保って
そのまま冷却することにより、ターゲット部材１とバッ
キングプレート２とが半田接合される（同図（ｄ））。At the time of joining, the joining surface 12 of the target member 1 and the joining surface forming the concave portion 21 of the backing plate 2 are brought into close contact with each other via the solder material 3 made of In foil (FIG. 2B). The target member 1 is pressed and fixed to the backing plate 2, and the temperature of both joint surfaces is raised to about 180 ° C. by a heat source such as hot air to melt the In solder foil 3 (FIG. 2C). The target member 1 and the backing plate 2 are solder-bonded by keeping the pressed and fixed state and cooling as it is ((d) in the same figure).
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】スパッタリング法によ
って、例えば半導体ウエハ上に配線膜を形成している際
に、スパッタリングターゲットのターゲット部材とバッ
キングプレートとが剥離すると、そのスパッタリングを
停止させなければならず、半導体装置の生産効率が低下
するばかりか、その時のウエハが無駄になり歩留りも低
下する。このため、双方の部材の接合部に剥離が生じな
いよう、接合部を堅固にする必要がある。しかし、従来
のスパッタリングターゲットでは、半田接合部の強度不
足のため往々にしてターゲット部材の剥離が生じてい
た。When the target member of the sputtering target and the backing plate are separated from each other when the wiring film is formed on the semiconductor wafer by the sputtering method, the sputtering must be stopped. Not only the production efficiency of the semiconductor device is reduced, but also the wafer at that time is wasted and the yield is reduced. For this reason, it is necessary to make the joints firm so that no peeling occurs at the joints of both members. However, in the conventional sputtering target, peeling of the target member often occurs due to insufficient strength of the solder joint portion.
【０００９】本発明は、上記に鑑み、従来のスパッタリ
ングターゲットにおいて、ターゲット部材と、ターゲッ
ト支持部材を成すバッキングプレートとの接合部を改良
し、スパッタリングの際にこの接合部が容易に剥離しな
いスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること
を目的とする。[0009] In view of the above, the present invention has improved the joint between the target member and the backing plate forming the target support member in the conventional sputtering target, and the sputtering target does not easily peel off during sputtering. It aims at providing the manufacturing method of.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、
金属若しくは合金から成るターゲット部材と、金属若し
くは合金から成るターゲット支持部材とに夫々超音波法
又は摩擦法により予め予備半田を付着させた後、前記双
方の部材を相互に半田接合することを特徴とする。In order to achieve the above object, the method for producing a sputtering target of the present invention comprises:
A target member made of a metal or an alloy and a target supporting member made of a metal or an alloy are preliminarily soldered by an ultrasonic method or a friction method, respectively, and then the two members are soldered to each other. To do.
【００１１】本発明者らは、従来、スパッタリングター
ゲットの接合部において生じていた剥離の原因が、ター
ゲット部材及びバッキングプレート双方の接合面に存在
する金属酸化膜であり、この酸化膜により、双方の部材
の接合面において半田接合の際に半田の濡れ不足が生じ
ていたことに想到し、本発明の前記構成を採用してこの
金属酸化膜の除去を可能としたものである。The inventors of the present invention have conventionally caused the peeling at the bonding portion of the sputtering target to be the metal oxide film existing on the bonding surfaces of both the target member and the backing plate. It is conceived that the solder is insufficiently wetted at the joining surface of the members at the time of solder joining, and the metal oxide film can be removed by adopting the configuration of the present invention.
【００１２】[0012]
【作用】ターゲット部材とターゲット支持部材とに夫々
超音波法又は摩擦法により予備半田を施すことにより、
金属酸化物は接合面から容易に剥離し、その比重の差等
により金属酸化物が予備半田表面に浮き出すので、双方
の部材の接合面における半田の濡れが良好になる。この
ため、半田の濡れ不足に起因する半田接合部の強度不足
の発生を防止することができる。[Operation] By preliminarily soldering the target member and the target supporting member by the ultrasonic method or the friction method,
The metal oxide is easily peeled off from the joint surface, and the metal oxide floats on the surface of the preliminary solder due to the difference in the specific gravity and the like, so that the wettability of the solder on the joint surface of both members becomes good. Therefore, it is possible to prevent insufficient strength of the solder joint portion due to insufficient solder wetting.
【００１３】[0013]
【実施例】図面を参照して本発明を更に説明する。図１
（ａ）〜（ｃ）は夫々、本発明の実施例のスパッタリン
グターゲットの製造方法におけるターゲット部材及びタ
ーゲット支持部材を成すバッキングプレートの構造を示
すための断面模式図である。同図（ａ）において、本発
明の第一の実施例に係わるスパッタリングターゲットの
製造方法においては、ターゲット部材１は、円板状のア
ルミニウム合金からなり、その上面にスパッタ面１１を
備える。The present invention will be further described with reference to the drawings. Figure 1
(A)-(c) is a cross-sectional schematic diagram for showing the structure of the backing plate which comprises the target member and target support member in the manufacturing method of the sputtering target of the Example of this invention, respectively. In FIG. 1A, in the method of manufacturing a sputtering target according to the first embodiment of the present invention, the target member 1 is made of a disc-shaped aluminum alloy and has a sputtering surface 11 on its upper surface.
【００１４】ターゲット部材１には、溶媒を成すアルミ
ニウムに少量の溶質元素が添加されている。これによ
り、ターゲット部材からスパッタリング法により薄膜と
して形成される配線の機械的特性等が向上する。例え
ば、０．０１〜３重量％のＳi元素から成る溶質、或い
は、０．０１〜３重量％のＳi元素の他に０．０１〜３
重量％のＣu、Ｔi、Ｐd、Ｚr、Ｈf、及びＹ、Ｓcを含む
希土類元素から成る元素の１種又は２種以上から成る溶
質が、このアルミニウム合金内に含まれている。In the target member 1, a small amount of solute element is added to aluminum forming a solvent. As a result, the mechanical characteristics and the like of the wiring formed as a thin film from the target member by the sputtering method are improved. For example, a solute composed of 0.01 to 3% by weight of Si element, or 0.01 to 3% by weight of Si element in addition to 0.01 to 3% by weight
A solute of one or more of the rare earth elements including weight percent Cu, Ti, Pd, Zr, Hf, and Y, Sc is included in the aluminum alloy.
【００１５】ターゲット部材１は、スパッタ面１１と逆
側の接合面１２に、摩擦法により、Ｐｂ−Ｓｎから成る
半田材料で例えば２０〜５０μm厚みの予備半田付けが
施してある（図１（ａ））。予備半田付けは、例えばタ
ーゲット部材を２２０℃の温度に維持し、Ｐｂ−Ｓｎか
ら成る棒半田を接合面に擦りつけて摩擦法より半田材料
を付着させる。この摩擦力のため、予備半田付け以前に
ターゲット部材１の接合面１２に形成されていた金属酸
化膜は、その接合面から離れ、更に比重の差等により予
備半田の表面に浮上する。この酸化膜は予備半田の固化
後に容易に除去可能である。The target member 1 is pre-soldered on the joint surface 12 opposite to the sputter surface 11 by a friction method with a solder material composed of Pb-Sn to a thickness of, for example, 20 to 50 μm (FIG. 1 (a)). )). In the pre-soldering, for example, the target member is maintained at a temperature of 220 ° C., the solder bar made of Pb—Sn is rubbed on the joint surface, and the solder material is attached by the friction method. Due to this frictional force, the metal oxide film formed on the joint surface 12 of the target member 1 before the pre-soldering separates from the joint surface and further floats on the surface of the pre-solder due to a difference in specific gravity or the like. This oxide film can be easily removed after the solidification of the preliminary solder.
【００１６】バッキングプレート２は、銅から成り、上
面にターゲット部材着座のための凹部２１を備え、その
凹部２１として形成された接合面には、一面にＰｂ−Ｓ
ｎ半田により予備半田付けが施してある（図１
（ａ））。バッキングプレート２の予備半田付けは超音
波半田ごてにより行われ、この半田の厚みは約２０〜５
０μmである。超音波半田ごては、こての先端から超音
波弾性信号を発生させ、バッキングプレート２の接合面
２１に生じていた金属酸化膜を破壊してこれを除去す
る。除去された酸化膜は比重の差等により予備半田の表
面に浮上し、予備半田の固化後に容易に除去可能であ
る。The backing plate 2 is made of copper and has a concave portion 21 for seating the target member on the upper surface thereof. The joint surface formed as the concave portion 21 has one surface made of Pb-S.
Pre-soldering is performed with n solder (Fig. 1
(A)). The pre-soldering of the backing plate 2 is performed by an ultrasonic soldering iron, and the thickness of this solder is about 20-5.
It is 0 μm. The ultrasonic soldering iron generates an ultrasonic elastic signal from the tip of the iron to destroy the metal oxide film formed on the bonding surface 21 of the backing plate 2 and remove it. The removed oxide film floats on the surface of the preliminary solder due to the difference in specific gravity and can be easily removed after the preliminary solder is solidified.
【００１７】双方の部材の予備半田表面の酸化膜除去に
引続き、予備半田の表面に新たに、２２０℃として溶融
させたＰｂ−Ｓｎから成る半田材料４を添加する（図１
ｂ）。その後、双方の部材相互を直ちに押圧固定して半
田を冷却固化させる（図１ｃ）。このように、双方の部
材１、２の接合面１２、２１に予備半田を付着させる際
に、その接合面に以前から形成されていた金属酸化膜が
除去されるので、双方の部材の接合面において酸化膜に
起因する半田の濡れ不足が生じない。Subsequent to the removal of the oxide film on the surface of the preliminary solder of both members, a solder material 4 made of Pb-Sn melted at 220 ° C. is newly added to the surface of the preliminary solder (FIG. 1).
b). After that, both members are immediately pressed and fixed to cool and solidify the solder (FIG. 1c). In this way, when the preliminary solder is attached to the joint surfaces 12 and 21 of both members 1 and 2, the metal oxide film previously formed on the joint surfaces is removed, so that the joint surfaces of both members are joined. In the above, insufficient wetting of the solder due to the oxide film does not occur.
【００１８】上記実施例の方法によれば、ターゲット部
材１とバッキングプレート２との間の接合面１２、２１
における半田の濡れ不足が解消されるので、半田接合部
の強度が所定の大きさに維持される。このため、スパッ
タリング法による配線膜の形成に際して、スパッタリン
グターゲット接合部の剥離のおそれが減少する。According to the method of the above embodiment, the joint surfaces 12, 21 between the target member 1 and the backing plate 2 are joined.
Since the insufficient wetting of the solder is solved, the strength of the solder joint is maintained at a predetermined level. Therefore, when forming the wiring film by the sputtering method, the risk of peeling of the sputter target joint is reduced.
【００１９】本発明の第二の実施例に係わるスパッタリ
ングターゲットの製造方法では、図１（ａ）〜（ｃ）の
各図において、ターゲット部材１がタングステンのシリ
サイド合金（ＷＳi）によって形成されており、また、
半田材料としてインジウム（Ｉｎ）が使用される。双方
の部材１、２の予備半田付けは何れも超音波法により行
われる。Ｉｎから成る半田材料は、予備半田付け及び酸
化膜除去後の半田添加の双方の工程において、約１８０
℃の温度とされ、溶融状態で双方の接合面１２、２１の
夫々に供給される。その他の構成は、第一の実施例の場
合と同様であり、その説明を省略する。In the method of manufacturing a sputtering target according to the second embodiment of the present invention, in each of FIGS. 1A to 1C, the target member 1 is formed of a tungsten silicide alloy (WSi). ,Also,
Indium (In) is used as the solder material. Preliminary soldering of both members 1 and 2 is performed by an ultrasonic method. The solder material made of In is about 180 in both the steps of pre-soldering and adding solder after removing the oxide film.
The temperature is set to 0 ° C. and the molten state is supplied to each of the joint surfaces 12 and 21. Other configurations are similar to those of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
【００２０】上記各実施例における予備半田付け方法に
おいて、超音波法又は摩擦法の何れを採用した場合で
も、フラックスを使用することなく半田の濡れを良好と
することができるので、残留フラックスに起因する接合
部の腐食のおそれがない。In the pre-soldering method in each of the above-mentioned embodiments, regardless of whether the ultrasonic method or the friction method is adopted, the solder can be well wetted without using the flux. There is no risk of corrosion of the joint.
【００２１】前記第一及び第二の実施例の方法により作
製したスパッタリングターゲットと、先に説明した従来
の方法により作製したスパッタリングターゲットとにつ
いて、超音波探傷器を採用して接合面の欠陥率を測定す
ることとした。With respect to the sputtering targets manufactured by the methods of the first and second embodiments and the sputtering target manufactured by the conventional method described above, an ultrasonic flaw detector is used to measure the defect rate of the bonding surface. It was decided to measure.
【００２２】超音波探傷器により、半田接合部に存在す
る０．１mm以上の直径を有する全ての空隙（ボイド）を
探し出し、その各ボイドについて接合面内の面積を測定
した。各ボイドの面積の合計と接合面全体面積との比
を、その半田接合部の欠陥率とした。実施例及び従来の
各方法により半田接合を行った５個づつの試料の欠陥率
についてその平均をとり、夫々、各方法により製造され
たスパッタリングターゲットの接合部の欠陥率とした。An ultrasonic flaw detector was used to find all voids (voids) having a diameter of 0.1 mm or more present in the solder joint portion, and the area within the joint surface was measured for each void. The ratio of the total area of the voids to the total area of the joint surface was defined as the defect rate of the solder joint. The defect rates of five samples solder-bonded by each of the examples and the conventional methods were averaged, and the average was taken as the defect rate of the bonding part of the sputtering target manufactured by each method.
【００２３】上記において、第一の実施例の方法により
製造したスパッタリングターゲットの欠陥率は１．８
％、第二の実施例の方法により製造したスパッタリング
ターゲットの欠陥率は２．１％と充分に低い数値であっ
たが、従来の方法により製造したスパッタリングターゲ
ットでは、その欠陥率が９．０％と高率であった。従っ
て、本発明の実施例の方法により作製したスパッタリン
グターゲットの接合部の良好性が確認できた。In the above, the defect rate of the sputtering target manufactured by the method of the first embodiment is 1.8.
%, The defect rate of the sputtering target manufactured by the method of the second embodiment was 2.1%, which was a sufficiently low numerical value, but the defect rate of the sputtering target manufactured by the conventional method was 9.0%. Was high rate. Therefore, the goodness of the bonding portion of the sputtering target produced by the method of the example of the present invention was confirmed.
【００２４】なお、上記実施例では、ターゲット部材及
びターゲット支持部材を成すバッキングプレートがいず
れも円板状であるとして説明したが、部材の形状として
は、例えば、双方の部材がいずれも長方形の板状であ
る、或いは組合わせ形状が円筒状である等、種々の形状
を採用することが可能であり、特に実施例の形状に限定
されるものではない。In the above embodiments, the backing plates forming the target member and the target supporting member are both disc-shaped, but the members may be rectangular plates, for example. It is possible to adopt various shapes such as a shape or a combined shape that is a cylindrical shape, and the shape is not particularly limited to the shape of the embodiment.
【００２５】また、ターゲット部材、バッキングプレー
ト、或いは半田材料としては、従来から採用されている
種々の材料を選定することができ、上記実施例の材料に
限定されるものでもない。例えばターゲット部材として
は、アルミニウム、アルミニウム合金、又は、チタン、
タングステン、モリブデン等のシリサイド合金等が採用
され、バッキングプレートとしては、銅の他に例えばア
ルミニウム、ステンレス鋼等が採用される。また半田材
料としては、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｉｎ系の他にＰｂ−Ａｇ系、
Ａｕ系等種々のものが採用できる。As the target member, the backing plate, or the solder material, various materials that have been conventionally used can be selected, and the materials are not limited to the materials of the above embodiment. For example, as the target member, aluminum, aluminum alloy, or titanium,
A silicide alloy of tungsten, molybdenum, or the like is used, and as the backing plate, for example, aluminum, stainless steel, or the like is used in addition to copper. As the solder material, in addition to Pb-Sn and In-based materials, Pb-Ag-based materials,
Various materials such as Au system can be adopted.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リングターゲットの製造方法によると、この方法によっ
て得られるスパッタリングターゲットは、ターゲット部
材及びターゲット支持部材双方の接合面の金属酸化膜が
予め除去されるので、双方の接合面において半田の濡れ
不足が生ずることはなく、半田接合の強度が容易に所定
以上に維持されることから、スパッタリング法による配
線膜形成の際に接合部の剥離が生じ難い。従って、スパ
ッタリング停止等の事態が起らず、半導体装置等の配線
形成において生産効率及び歩留りの向上が可能である。As described above, according to the method for producing a sputtering target of the present invention, the sputtering target obtained by this method has the metal oxide film on the bonding surfaces of both the target member and the target support member removed in advance. Therefore, insufficient solder wetting does not occur on both joint surfaces, and the strength of solder joint is easily maintained at a predetermined value or more, so that peeling of the joint portion is unlikely to occur when forming a wiring film by the sputtering method. Therefore, the situation such as the sputtering stop does not occur, and the production efficiency and the yield can be improved in the wiring formation of the semiconductor device or the like.
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例のスパッタ
リングターゲットの製造方法におけるターゲット部材及
びターゲット支持部材を成すバッキングプレートの構造
を示すための断面模式図である。1A to 1C are schematic cross-sectional views showing a structure of a backing plate which constitutes a target member and a target supporting member in a sputtering target manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、従来のスパッタリングター
ゲットの製造方法における接合時の工程を順次に示す断
面模式図である。FIG. 2A to FIG. 2D are schematic cross-sectional views sequentially showing the steps of joining in a conventional sputtering target manufacturing method.
１：ターゲット部材 11：スパッタ面 12：下面 ２：バッキングプレート 21：凹部 1: Target member 11: Sputtering surface 12: Lower surface 2: Backing plate 21: Recess
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年３月２３日[Submission date] March 23, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All drawings
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図１】 [Figure 1]
【図２】 [Fig. 2]
Claims (1)
材と、金属若しくは合金から成るターゲット支持部材と
に夫々超音波法又は摩擦法により予め予備半田を付着さ
せた後、前記双方の部材を相互に半田接合することを特
徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。1. A target member made of a metal or an alloy and a target support member made of a metal or an alloy are preliminarily soldered with a pre-solder by an ultrasonic method or a friction method, respectively, and then the two members are soldered to each other. A method of manufacturing a sputtering target, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30620192A JPH06128738A (en) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | Sputtering target manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30620192A JPH06128738A (en) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | Sputtering target manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06128738A true JPH06128738A (en) | 1994-05-10 |
Family
ID=17954217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30620192A Pending JPH06128738A (en) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | Sputtering target manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06128738A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-10-20 JP JP30620192A patent/JPH06128738A/en active Pending
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| US12227830B2 (en) | 2020-04-23 | 2025-02-18 | Tosoh Corporation | Yttrium ingot and sputtering target in which the yttrium ingot is used |
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