JPH06124900A - 化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法 - Google Patents
化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法Info
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- JPH06124900A JPH06124900A JP20225691A JP20225691A JPH06124900A JP H06124900 A JPH06124900 A JP H06124900A JP 20225691 A JP20225691 A JP 20225691A JP 20225691 A JP20225691 A JP 20225691A JP H06124900 A JPH06124900 A JP H06124900A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分子層エピタキシーの基本概念に基づき、高
純度の結晶を低温成長で得ることができる化合物結晶の
エピタキシャル成長方法、及び低温で厳密に不純物制御
された高濃度な不純物密度の成長膜を単分子層オーダで
得ることができる化合物結晶のエピタキシャル成長にお
けるドーピング方法を提供する。 【構成】 真空中で加熱された基板結晶上に、化合物の
複数の結晶成分ガスを所定の順序で導入して単結晶を成
長させる化合物結晶のエピタキシャル成長方法におい
て、前記結晶成分ガスと化学反応する反応ガスを前記複
数の結晶成分ガスのうちの少なくとも一つと同時に導入
するようにした。
純度の結晶を低温成長で得ることができる化合物結晶の
エピタキシャル成長方法、及び低温で厳密に不純物制御
された高濃度な不純物密度の成長膜を単分子層オーダで
得ることができる化合物結晶のエピタキシャル成長にお
けるドーピング方法を提供する。 【構成】 真空中で加熱された基板結晶上に、化合物の
複数の結晶成分ガスを所定の順序で導入して単結晶を成
長させる化合物結晶のエピタキシャル成長方法におい
て、前記結晶成分ガスと化学反応する反応ガスを前記複
数の結晶成分ガスのうちの少なくとも一つと同時に導入
するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は化合物結晶のエピタキ
シャル成長方法及びそのドーピング方法に係り、特に半
導体の薄膜結晶育成技術として単分子オーダの膜厚制御
性を有する化合物結晶のエピタキシャル成長方法、及び
上記単分子オーダの膜厚制御性に加えてドーパント不純
物の厳密な制御性を有する化合物結晶のエピタキシャル
成長におけるドーピング方法に関するものである。
シャル成長方法及びそのドーピング方法に係り、特に半
導体の薄膜結晶育成技術として単分子オーダの膜厚制御
性を有する化合物結晶のエピタキシャル成長方法、及び
上記単分子オーダの膜厚制御性に加えてドーパント不純
物の厳密な制御性を有する化合物結晶のエピタキシャル
成長におけるドーピング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば半導体の薄膜結晶育成技術
としては、分子線エピタキシー（Mol-ecular Beam Epit
axy 、以下ＭＢＥという）や有機金属気相エピタキシャ
ル成長法（Metal Organic-Chemical Vapor Deposition
、以下ＭＯ−ＣＶＤという）などが一般に用いられて
おり、特に化合物半導体にあっては、これらの方法は半
導体デバイスの作製に多用されてきた。
としては、分子線エピタキシー（Mol-ecular Beam Epit
axy 、以下ＭＢＥという）や有機金属気相エピタキシャ
ル成長法（Metal Organic-Chemical Vapor Deposition
、以下ＭＯ−ＣＶＤという）などが一般に用いられて
おり、特に化合物半導体にあっては、これらの方法は半
導体デバイスの作製に多用されてきた。
【０００３】上記ＭＯ−ＣＶＤは、構造が比較的簡易で
安価な装置でよいこと、成長速度が大きく成長時間の短
いことなど量産性に優れているなどの理由で汎用されて
いるが、単分子層オーダで成長膜厚を制御することはで
きなかった。
安価な装置でよいこと、成長速度が大きく成長時間の短
いことなど量産性に優れているなどの理由で汎用されて
いるが、単分子層オーダで成長膜厚を制御することはで
きなかった。
【０００４】このＭＯ−ＣＶＤによるドーピング技術
は、基板結晶上に、半導体の構成元素の化合物ガスと、
ドーパントの化合物ガスとを、同時に導入して行ってい
る。また、上記ＭＢＥは原料を加熱蒸発させ分子線を制
御しつつ、その蒸気を基板結晶上に蒸着する方法を用い
ており、結晶膜厚が極めて薄く、かつ組成，プロファイ
ル及び結晶成長速度を充分制御することができるので、
成長膜厚の制御性は上記ＭＯ−ＣＶＤに比べて優れてい
る。
は、基板結晶上に、半導体の構成元素の化合物ガスと、
ドーパントの化合物ガスとを、同時に導入して行ってい
る。また、上記ＭＢＥは原料を加熱蒸発させ分子線を制
御しつつ、その蒸気を基板結晶上に蒸着する方法を用い
ており、結晶膜厚が極めて薄く、かつ組成，プロファイ
ル及び結晶成長速度を充分制御することができるので、
成長膜厚の制御性は上記ＭＯ−ＣＶＤに比べて優れてい
る。
【０００５】上記ＭＢＥにおけるドーピング方法は、基
板結晶上に、原料となる構成元素の蒸気と共に、ドーパ
ント元素の蒸気を同時に蒸着して行っている。このＭＢ
Ｅで良質の結晶を得るためには、例えばGaAsの場合、結
晶成長温度を５００〜６００℃の高温に設定する必要が
あり、温度が高いため、ｎｐｎやｐｎｐといった急峻な
不純物プロファイルを作製する場合に不純物が再分布す
ることが問題となる。さらにＭＢＥは、蒸着法に基づい
ているので、成長膜の化学量論的組成からのずれや、オ
ーバル欠陥などの表面欠陥密度が高いという問題があっ
た。
板結晶上に、原料となる構成元素の蒸気と共に、ドーパ
ント元素の蒸気を同時に蒸着して行っている。このＭＢ
Ｅで良質の結晶を得るためには、例えばGaAsの場合、結
晶成長温度を５００〜６００℃の高温に設定する必要が
あり、温度が高いため、ｎｐｎやｐｎｐといった急峻な
不純物プロファイルを作製する場合に不純物が再分布す
ることが問題となる。さらにＭＢＥは、蒸着法に基づい
ているので、成長膜の化学量論的組成からのずれや、オ
ーバル欠陥などの表面欠陥密度が高いという問題があっ
た。
【０００６】これらの不都合があるため、近年、単分子
層オーダの膜厚制御性を有する分子層エピタキシー（Mo
lecular Layer Epitaxy 、以下ＭＬＥという）が注目さ
れている。このＭＬＥは、III −Ｖ族化合物の結晶成長
の場合には、基板結晶上にIII 族化合物ガスとＶ族化合
物ガスとを交互に導入し、結晶を単分子層ずつ成長させ
る方法である。
層オーダの膜厚制御性を有する分子層エピタキシー（Mo
lecular Layer Epitaxy 、以下ＭＬＥという）が注目さ
れている。このＭＬＥは、III −Ｖ族化合物の結晶成長
の場合には、基板結晶上にIII 族化合物ガスとＶ族化合
物ガスとを交互に導入し、結晶を単分子層ずつ成長させ
る方法である。
【０００７】この技術は、例えば、西澤潤一他の論文
「 J. Nishizawa, H. Abe and T.Kurabayashi; J. E
lectrochem. Soc. 132(1985) 1197 〜1200」に報告され
ている。上記ＭＬＥは、化合物ガスの吸着及び表面反応
を利用し、例えば III−Ｖ族結晶の場合、III 族化合物
ガスとＶ族化合物ガスとの１回ずつの導入で単分子膜成
長層を得ている。
「 J. Nishizawa, H. Abe and T.Kurabayashi; J. E
lectrochem. Soc. 132(1985) 1197 〜1200」に報告され
ている。上記ＭＬＥは、化合物ガスの吸着及び表面反応
を利用し、例えば III−Ｖ族結晶の場合、III 族化合物
ガスとＶ族化合物ガスとの１回ずつの導入で単分子膜成
長層を得ている。
【０００８】このようにＭＬＥは、化合物ガスの単分子
層吸着を利用しているため、導入ガスの圧力が変化して
もある圧力範囲で常に単分子層ずつのオーダで成長させ
ることができる。さらに、このＭＬＥは、GaAsの結晶成
長において、アルキルガリウムであるトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）及びヒ素の水素化合物であるアルシン（As
Ｈ3 ）を用いていたが、上記ＴＭＧの代わりに、アルキ
ルガリウムであるトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用い
ることで高純度GaAs成長層をより低温成長で得ることが
できる。
層吸着を利用しているため、導入ガスの圧力が変化して
もある圧力範囲で常に単分子層ずつのオーダで成長させ
ることができる。さらに、このＭＬＥは、GaAsの結晶成
長において、アルキルガリウムであるトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）及びヒ素の水素化合物であるアルシン（As
Ｈ3 ）を用いていたが、上記ＴＭＧの代わりに、アルキ
ルガリウムであるトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用い
ることで高純度GaAs成長層をより低温成長で得ることが
できる。
【０００９】この技術は、例えば、西澤潤一他の論文
「 J. Nishizawa, H.Abe, T. Kuraba-yashi & N.Sakura
i; J. Vac. Sci. Technol. A4(3),(1986)706〜710 」に
報告されている。また、上記GaAsのＭＬＥによるドーピ
ング方法は、ＴＥＧ，AsＨ3 の化合物ガスに加えて、ド
ーパントの化合物ガスを、基板結晶表面に別々に順次導
入して行っている。これにより、低温でハイドープ結晶
をはじめとする不純物制御された高純度結晶を得ること
ができる。
「 J. Nishizawa, H.Abe, T. Kuraba-yashi & N.Sakura
i; J. Vac. Sci. Technol. A4(3),(1986)706〜710 」に
報告されている。また、上記GaAsのＭＬＥによるドーピ
ング方法は、ＴＥＧ，AsＨ3 の化合物ガスに加えて、ド
ーパントの化合物ガスを、基板結晶表面に別々に順次導
入して行っている。これにより、低温でハイドープ結晶
をはじめとする不純物制御された高純度結晶を得ること
ができる。
【００１０】さらに、ＭＬＥは、低温下で結晶膜を成長
させるため、不純物の再分布が非常に少なく、急峻な不
純物プロファイルを実現することができる。この技術
は、例えば、西澤潤一他の論文「 J. Nishizawa, H. Ab
e and T.Kurabayashi; J. Electrochem. Soc. Vol.136,
No.２pp.478〜484(1989) 」に報告されている。
させるため、不純物の再分布が非常に少なく、急峻な不
純物プロファイルを実現することができる。この技術
は、例えば、西澤潤一他の論文「 J. Nishizawa, H. Ab
e and T.Kurabayashi; J. Electrochem. Soc. Vol.136,
No.２pp.478〜484(1989) 」に報告されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば高速
半導体デバイスを得るためには、さらに高濃度な不純物
密度の成長膜を得ることや、より低温での結晶成長を実
現することが必要となってくる。従って、前記分子層エ
ピタキシャル成長におけるドーピング方法をより一層改
良していくことが望まれる。
半導体デバイスを得るためには、さらに高濃度な不純物
密度の成長膜を得ることや、より低温での結晶成長を実
現することが必要となってくる。従って、前記分子層エ
ピタキシャル成長におけるドーピング方法をより一層改
良していくことが望まれる。
【００１２】上述のような課題に鑑み、本発明の目的
は、分子層エピタキシーの基本概念に基づき、高純度の
結晶を低温成長で得ることができる化合物結晶のエピタ
キシャル成長方法、及び低温で厳密に不純物制御された
高濃度な不純物密度の成長膜を単分子層オーダで得るこ
とができる化合物結晶のエピタキシャル成長におけるド
ーピング方法を提供することにある。
は、分子層エピタキシーの基本概念に基づき、高純度の
結晶を低温成長で得ることができる化合物結晶のエピタ
キシャル成長方法、及び低温で厳密に不純物制御された
高濃度な不純物密度の成長膜を単分子層オーダで得るこ
とができる化合物結晶のエピタキシャル成長におけるド
ーピング方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明法に
よれば、真空中で加熱した基板結晶上に、III 族及びＶ
族元素等の化合物の複数の結晶成分ガスを所定の順序で
導入して単結晶を成長させる化合物結晶のエピタキシャ
ル成長方法において、前記結晶成分ガスと化学反応する
Ｈ2 等の反応ガスを前記複数の結晶成分ガスのうちの少
なくとも一つと同時に導入することにより達成される。
よれば、真空中で加熱した基板結晶上に、III 族及びＶ
族元素等の化合物の複数の結晶成分ガスを所定の順序で
導入して単結晶を成長させる化合物結晶のエピタキシャ
ル成長方法において、前記結晶成分ガスと化学反応する
Ｈ2 等の反応ガスを前記複数の結晶成分ガスのうちの少
なくとも一つと同時に導入することにより達成される。
【００１４】また、本発明の化合物結晶のエピタキシャ
ル成長におけるドーピング方法によれば、真空中で加熱
された基板結晶上に、III 族及びＶ族元素等の化合物の
結晶成分ガスとSi, Ge, Ｓ，Se, Te, Zn, Cd, Mg等のド
ーパントの化合物ガスとを所定の順序で導入して単結晶
を成長させる化合物結晶のエピタキシャル成長における
ドーピング方法において、前記結晶成分ガスの導入に同
期して、前記結晶成分ガスと化学反応するＨ2 等の反応
ガスを導入することにより達成される。
ル成長におけるドーピング方法によれば、真空中で加熱
された基板結晶上に、III 族及びＶ族元素等の化合物の
結晶成分ガスとSi, Ge, Ｓ，Se, Te, Zn, Cd, Mg等のド
ーパントの化合物ガスとを所定の順序で導入して単結晶
を成長させる化合物結晶のエピタキシャル成長における
ドーピング方法において、前記結晶成分ガスの導入に同
期して、前記結晶成分ガスと化学反応するＨ2 等の反応
ガスを導入することにより達成される。
【００１５】
【作用】上記構成によれば、真空中で加熱された基板結
晶上に、GaAs等の結晶成長成分を含むガスに加えて反応
ガスを、前記結晶成分ガスのうちの少なくとも一つと同
時に導入することにより、上記基板結晶上で結晶成分ガ
スと反応ガスとを低温で化学反応させ、これにより高純
度の結晶を低温成長で得ることができる。
晶上に、GaAs等の結晶成長成分を含むガスに加えて反応
ガスを、前記結晶成分ガスのうちの少なくとも一つと同
時に導入することにより、上記基板結晶上で結晶成分ガ
スと反応ガスとを低温で化学反応させ、これにより高純
度の結晶を低温成長で得ることができる。
【００１６】また、真空中で加熱された基板結晶上に結
晶成分ガスとドーパントの化合物ガスとを所定の順序で
導入するドーピング方法において、前記結晶成分ガス及
びドーパントガスに加えて反応ガスを、前記結晶成分ガ
スの導入に同期して供給し、低温で化学反応させること
により、低温で厳密に不純物制御された結晶を得ること
ができる。
晶成分ガスとドーパントの化合物ガスとを所定の順序で
導入するドーピング方法において、前記結晶成分ガス及
びドーパントガスに加えて反応ガスを、前記結晶成分ガ
スの導入に同期して供給し、低温で化学反応させること
により、低温で厳密に不純物制御された結晶を得ること
ができる。
【００１７】結晶成分ガスを真空中で加熱された基板上
に交互に導入すると表面吸着、あるいは堆積と表面反応
を伴った結晶化が順次起こり、半導体単結晶が単分子層
ずつ成長していく。例えばGaAsの結晶成長では、結晶成
分ガスはGaの原料ガスとしては、ＴＭＧ（トリメチルガ
リウム），ＴＥＧ（トリエチルガリウム），ＤＭGaCl
（ジメチルガリウムクロライド），ＤＥGaCl（ジエチル
ガリウムクロライド）あるいはGaCl3（三塩化ガリウ
ム）が用いられる。
に交互に導入すると表面吸着、あるいは堆積と表面反応
を伴った結晶化が順次起こり、半導体単結晶が単分子層
ずつ成長していく。例えばGaAsの結晶成長では、結晶成
分ガスはGaの原料ガスとしては、ＴＭＧ（トリメチルガ
リウム），ＴＥＧ（トリエチルガリウム），ＤＭGaCl
（ジメチルガリウムクロライド），ＤＥGaCl（ジエチル
ガリウムクロライド）あるいはGaCl3（三塩化ガリウ
ム）が用いられる。
【００１８】またAsの原料ガスとしてはAsＨ3 （アルシ
ン），ＴＭAs（トリメチルヒ素），ＴＥAs（トリエチル
ヒ素）あるいはAsCl3 （三塩化ヒ素）が用いられる。Al
GaAsの成長では、上記のGa及びAsの原料ガスに加えてAl
の原料として、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム），Ｔ
ＥＡ（トリエチルアルミニウム),ＴＩＢＡ（トリイソブ
チルアルミニウム），ＤＭAlＨ（ジメチルアルミニウム
ハイドライド），ＤＥAlＨ（ジエチルアルミニウムハイ
ドライド），ＤＭAlCl（ジメチルアルミニウムクロライ
ド），ＤＥAlCl（ジエチルアルミニウムクロライド）或
いはAlCl3 （三塩化アルミニウム）が用いられる。
ン），ＴＭAs（トリメチルヒ素），ＴＥAs（トリエチル
ヒ素）あるいはAsCl3 （三塩化ヒ素）が用いられる。Al
GaAsの成長では、上記のGa及びAsの原料ガスに加えてAl
の原料として、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム），Ｔ
ＥＡ（トリエチルアルミニウム),ＴＩＢＡ（トリイソブ
チルアルミニウム），ＤＭAlＨ（ジメチルアルミニウム
ハイドライド），ＤＥAlＨ（ジエチルアルミニウムハイ
ドライド），ＤＭAlCl（ジメチルアルミニウムクロライ
ド），ＤＥAlCl（ジエチルアルミニウムクロライド）或
いはAlCl3 （三塩化アルミニウム）が用いられる。
【００１９】上記のGa，As及びAlの原料ガスを導入後、
これと化学反応する反応ガスを送り込むことにより、メ
チル基，エチル基などのアルキル基やCl，Ｈなどの表面
吸着物の官能基を表面反応により取り去ることができ
る。これによってアルキル基からのＣ（カーボン）の汚
染や上記Clの結晶中への混入を防ぐことができる。ま
た、上記Ｈを取り除くことにより原料とする物質の原子
が表面に露出することになり、次に供給される原料ガス
が効率良く表面吸着するので厳密な単分子層成長の制御
が可能になる。
これと化学反応する反応ガスを送り込むことにより、メ
チル基，エチル基などのアルキル基やCl，Ｈなどの表面
吸着物の官能基を表面反応により取り去ることができ
る。これによってアルキル基からのＣ（カーボン）の汚
染や上記Clの結晶中への混入を防ぐことができる。ま
た、上記Ｈを取り除くことにより原料とする物質の原子
が表面に露出することになり、次に供給される原料ガス
が効率良く表面吸着するので厳密な単分子層成長の制御
が可能になる。
【００２０】上記GaAsやAlGaAsの結晶成長法におけるド
ーピング方法では、ドーパントを含む化合物ガスについ
ても所定の時間だけ導入される。すなわち、結晶成分ガ
スとドーパントの化合物ガスとが所定の順序で導入され
る。ドーパントの化合物ガスはｎ形不純物の化合物とし
ては、ＤＭSe（ジメチルセレン），ＤＥSe（ジエチルセ
レン），ＤＭＳ（ジメチル硫黄），ＤＥＳ（ジエチル硫
黄），ＤＭTe（ジメチルテルル），ＤＥTe（ジエチルテ
ルル）などのVI族有機金属やＨ2 Ｓ（硫化水素），Ｈ2
Se（セレン化水素）などのVI族水素化合物及びSiＨ4 ，
Si2 Ｈ6 ，Si3 Ｈ8 ，Si（CH3 ）4 などのIV族化合物が
ある。
ーピング方法では、ドーパントを含む化合物ガスについ
ても所定の時間だけ導入される。すなわち、結晶成分ガ
スとドーパントの化合物ガスとが所定の順序で導入され
る。ドーパントの化合物ガスはｎ形不純物の化合物とし
ては、ＤＭSe（ジメチルセレン），ＤＥSe（ジエチルセ
レン），ＤＭＳ（ジメチル硫黄），ＤＥＳ（ジエチル硫
黄），ＤＭTe（ジメチルテルル），ＤＥTe（ジエチルテ
ルル）などのVI族有機金属やＨ2 Ｓ（硫化水素），Ｈ2
Se（セレン化水素）などのVI族水素化合物及びSiＨ4 ，
Si2 Ｈ6 ，Si3 Ｈ8 ，Si（CH3 ）4 などのIV族化合物が
ある。
【００２１】また、ｐ形不純物の化合物としては、ＤＭ
Zn（ジメチル亜鉛），ＤＥZn（ジエチル亜鉛），ＤＭCd
（ジメチルカドミウム），ＤＥCd（ジエチルカドミウ
ム），Bi−ＣＰMg（ビス−シクロペンタジエニルマグネ
シウム），GeＨ4 及びＴＭＧなどのメチル基からのＣ
（カーボン）などがある。
Zn（ジメチル亜鉛），ＤＥZn（ジエチル亜鉛），ＤＭCd
（ジメチルカドミウム），ＤＥCd（ジエチルカドミウ
ム），Bi−ＣＰMg（ビス−シクロペンタジエニルマグネ
シウム），GeＨ4 及びＴＭＧなどのメチル基からのＣ
（カーボン）などがある。
【００２２】これらのガスを基板結晶上に導入し、効率
よくドナー及びアクセプタとして結晶中に取り込ませる
ためには、これらのガスを導入後に結晶表面で元素と結
合して残っている官能基を取り去る必要がある。このた
め、ドーパントの化合物を導入した後に反応ガスを導入
して、表面反応により官能基を取り去ることで純粋な元
素のドーピングが可能になる。また、分子層ずつ成長す
る過程でドーピングを行うのでドーパントが入る結晶の
サイトを制御できるので完全性の高いドープされた結晶
を得ることができる。
よくドナー及びアクセプタとして結晶中に取り込ませる
ためには、これらのガスを導入後に結晶表面で元素と結
合して残っている官能基を取り去る必要がある。このた
め、ドーパントの化合物を導入した後に反応ガスを導入
して、表面反応により官能基を取り去ることで純粋な元
素のドーピングが可能になる。また、分子層ずつ成長す
る過程でドーピングを行うのでドーパントが入る結晶の
サイトを制御できるので完全性の高いドープされた結晶
を得ることができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明のエピタキシャル結晶成長方法
の好適な実施例を半導体のエピタキシャル結晶成長を例
にとって添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は分
子層エピタキシーにおいて、従来行われてきたドーピン
グ方法に関するタイムチャートであり、（ＴＥＧ−AsＨ
3 ）系のGaAsの分子層エピタキシーの例を示すものであ
る。
の好適な実施例を半導体のエピタキシャル結晶成長を例
にとって添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は分
子層エピタキシーにおいて、従来行われてきたドーピン
グ方法に関するタイムチャートであり、（ＴＥＧ−AsＨ
3 ）系のGaAsの分子層エピタキシーの例を示すものであ
る。
【００２４】すなわち、基板結晶上にＴＥＧとAsＨ3 と
をそれぞれ所定の圧力で所定の時間だけ交互に導入する
結晶成長方法において、ドーパントを含む化合物ガスを
以下の（ａ）〜（ｄ）のガス導入モードのうちの何れか
一つを選んで導入する。（ａ）のモードはAsＨ3 の排気
時に同期させてドーパントの化合物ガスを導入する場
合、（ｂ）のモードはＴＥＧ導入時に同期させてドーパ
ントの化合物ガスを導入する場合、（ｃ）のモードはＴ
ＥＧ排気時に同期させてドーパントの化合物ガスを導入
する場合、（ｄ）のモードはAsＨ3 の導入時に同期させ
てドーパントの化合物ガスを導入する場合である。
をそれぞれ所定の圧力で所定の時間だけ交互に導入する
結晶成長方法において、ドーパントを含む化合物ガスを
以下の（ａ）〜（ｄ）のガス導入モードのうちの何れか
一つを選んで導入する。（ａ）のモードはAsＨ3 の排気
時に同期させてドーパントの化合物ガスを導入する場
合、（ｂ）のモードはＴＥＧ導入時に同期させてドーパ
ントの化合物ガスを導入する場合、（ｃ）のモードはＴ
ＥＧ排気時に同期させてドーパントの化合物ガスを導入
する場合、（ｄ）のモードはAsＨ3 の導入時に同期させ
てドーパントの化合物ガスを導入する場合である。
【００２５】図２は本発明によるノンドープのGaAs分子
層エピタキシャル結晶成長の実施例を示すものである。
結晶成分ガスには、Gaの原料ガスとしてＴＥＧあるいは
ＴＭＧを用い、Asの原料ガスとしてAsＨ3 を用いる。ま
た、これらと化学反応する反応ガスとしては、Ｈ2 を用
いる。これらのガスは、図示されているようなガス導入
手順で真空中で加熱された基板結晶上に導入される。
層エピタキシャル結晶成長の実施例を示すものである。
結晶成分ガスには、Gaの原料ガスとしてＴＥＧあるいは
ＴＭＧを用い、Asの原料ガスとしてAsＨ3 を用いる。ま
た、これらと化学反応する反応ガスとしては、Ｈ2 を用
いる。これらのガスは、図示されているようなガス導入
手順で真空中で加熱された基板結晶上に導入される。
【００２６】例えば上記基板結晶上にGaの有機金属ガス
を導入している時に、同時に反応ガスであるＨ2 を導入
することにより、表面吸着層を形成していたGa−（Ｃ2
Ｈ5）x （０＜ｘ≦３）あるいはGa−（ＣＨ3 ）x （０
＜ｘ≦３）中のＣ2 Ｈ5 やCH3 がＨ2 と反応して脱離す
るため、上記基板結晶上にＣ（カーボン）の混入のない
エピタキシャル結晶成長膜を形成することができ、また
低温における結晶成長を実現することができる。
を導入している時に、同時に反応ガスであるＨ2 を導入
することにより、表面吸着層を形成していたGa−（Ｃ2
Ｈ5）x （０＜ｘ≦３）あるいはGa−（ＣＨ3 ）x （０
＜ｘ≦３）中のＣ2 Ｈ5 やCH3 がＨ2 と反応して脱離す
るため、上記基板結晶上にＣ（カーボン）の混入のない
エピタキシャル結晶成長膜を形成することができ、また
低温における結晶成長を実現することができる。
【００２７】Gaの原料ガスとしては他にＤＭGaCl，ＤＥ
GaCl及びGaCl3 があるが、これらのガスを導入している
時に、同時に反応ガスＨ2 を導入することにより、上述
したと同様に高純度のGaAs結晶を低温成長で得ることが
できる。また、Asの原料ガスとしてはAsＨ3 の他にＴＭ
As，ＴＥAs及びAsCl3 などの有機金属ガスや塩化物を用
いる場合には、これらのガスを導入している時に、同時
に反応ガスＨ2 を導入することにより、上述したと同様
に高純度のGaAs結晶を低温成長で得ることができる。
GaCl及びGaCl3 があるが、これらのガスを導入している
時に、同時に反応ガスＨ2 を導入することにより、上述
したと同様に高純度のGaAs結晶を低温成長で得ることが
できる。また、Asの原料ガスとしてはAsＨ3 の他にＴＭ
As，ＴＥAs及びAsCl3 などの有機金属ガスや塩化物を用
いる場合には、これらのガスを導入している時に、同時
に反応ガスＨ2 を導入することにより、上述したと同様
に高純度のGaAs結晶を低温成長で得ることができる。
【００２８】次に、図３乃至図５は本発明によるノンド
ープのAlx Ga1-x As成長の実施例を示すものである。結
晶成分ガスには、Gaの原料ガスとしてＴＥＧあるいはＴ
ＭＧを用い、またAlの原料ガスとしてはＴＩＢＡあるい
はＴＥＡを用い、さらにAsの原料ガスとしてはAsＨ3 を
用いている。
ープのAlx Ga1-x As成長の実施例を示すものである。結
晶成分ガスには、Gaの原料ガスとしてＴＥＧあるいはＴ
ＭＧを用い、またAlの原料ガスとしてはＴＩＢＡあるい
はＴＥＡを用い、さらにAsの原料ガスとしてはAsＨ3 を
用いている。
【００２９】図３乃至図５は何れもAlx Ga1-x As成長の
ガス導入手順を表すものである。いずれの場合にも、Ga
及びAlの有機金属ガスを導入している時に、同時に反応
ガスであるＨ2 を導入することにより、高純度のAlx Ga
1-x As結晶を低温成長で得ることができる。
ガス導入手順を表すものである。いずれの場合にも、Ga
及びAlの有機金属ガスを導入している時に、同時に反応
ガスであるＨ2 を導入することにより、高純度のAlx Ga
1-x As結晶を低温成長で得ることができる。
【００３０】上記結晶成分ガスの他にGaの原料ガスとし
てＤＭGaCl，ＤＥGaCl及びGaCl3 を用い、Alの原料ガス
としてＴＭＡ，ＤＭAlＨ，ＤＥAlＨ，ＤＭAlCl，ＤＥAl
Cl及びAlCl3 を用いた場合にも同様に、これらのガスを
導入している時に、同時に反応ガスであるＨ2 を導入す
ることにより、高純度のAlx Ga1-x As結晶を低温成長で
得ることができる。
てＤＭGaCl，ＤＥGaCl及びGaCl3 を用い、Alの原料ガス
としてＴＭＡ，ＤＭAlＨ，ＤＥAlＨ，ＤＭAlCl，ＤＥAl
Cl及びAlCl3 を用いた場合にも同様に、これらのガスを
導入している時に、同時に反応ガスであるＨ2 を導入す
ることにより、高純度のAlx Ga1-x As結晶を低温成長で
得ることができる。
【００３１】また、Asの原料ガスとしてＴＭAs，ＴＥAs
及びAsCl3 などの有機金属ガスや塩化物を用いる場合に
は、これらのガスを導入している時に、同時に反応ガス
であるＨ2 を導入することにより、高純度のAlx Ga1-x
As結晶を低温成長で得ることができる。
及びAsCl3 などの有機金属ガスや塩化物を用いる場合に
は、これらのガスを導入している時に、同時に反応ガス
であるＨ2 を導入することにより、高純度のAlx Ga1-x
As結晶を低温成長で得ることができる。
【００３２】図２乃至図５で示した例は、何れもGaAs及
びAlx Ga1-x Asの結晶成長方法であるが、この他に、Ga
P, InP, AlAs, InAs, InSb, Inx Ga1-x As, Alx Ga1-x
Ｐ，InAsy Ｐ1-y 等の分子層エピタキシャル結晶成長に
おいても同様の方法を適用することができる。
びAlx Ga1-x Asの結晶成長方法であるが、この他に、Ga
P, InP, AlAs, InAs, InSb, Inx Ga1-x As, Alx Ga1-x
Ｐ，InAsy Ｐ1-y 等の分子層エピタキシャル結晶成長に
おいても同様の方法を適用することができる。
【００３３】さらに、図６は本発明よるGaAsの分子層エ
ピタキシャル結晶成長におけるドーピング方法の実施例
を示すものである。図示されているように、結晶成分ガ
スのＴＥＧあるいはＴＭＧと、AsＨ3 とを真空中で加熱
された基板結晶上に交互に導入して結晶成長を行うに際
して、ドーパントの化合物ガスをＴＥＧ（或いはＴＭ
Ｇ）の排気時に同期させて導入するドーピング方法にお
いて（第１図のｃモードに相当する）、反応ガスを以下
の（ｃ1 ），（ｃ2 ）のモードにより導入するものであ
る。（ｃ1 ）のモードはAsＨ3 の導入に同期して反応ガ
スを導入する場合、（ｃ2 ）モードはＴＥＧ或いはＴＭ
Ｇの導入に同期して反応ガスを導入する場合である。
ピタキシャル結晶成長におけるドーピング方法の実施例
を示すものである。図示されているように、結晶成分ガ
スのＴＥＧあるいはＴＭＧと、AsＨ3 とを真空中で加熱
された基板結晶上に交互に導入して結晶成長を行うに際
して、ドーパントの化合物ガスをＴＥＧ（或いはＴＭ
Ｇ）の排気時に同期させて導入するドーピング方法にお
いて（第１図のｃモードに相当する）、反応ガスを以下
の（ｃ1 ），（ｃ2 ）のモードにより導入するものであ
る。（ｃ1 ）のモードはAsＨ3 の導入に同期して反応ガ
スを導入する場合、（ｃ2 ）モードはＴＥＧ或いはＴＭ
Ｇの導入に同期して反応ガスを導入する場合である。
【００３４】ドーパントの化合物ガスとして、ｎ形ドー
パントの化合物ではＤＭS ，ＤＥS,ＤＭSe，ＤＥSe，Ｄ
ＭTe，ＤＥTeなどのVI族有機金属化合物やＨ2 Ｓ及びＨ
2 SeなどのVI族水素化物、またはSiＨ4 ，Si2 Ｈ6 ，Si
3 Ｈ8 などのIV族水素化物やSi（ＣＨ3 ）4 などのIV族
有機金属化合物等が用いられる。また、ｐ形ドーパント
の化合物としては、ＤＭCd，ＤＥCd，Bi−ＣＰMgなどの
II族有機金属化合物や、GeＨ4 などのIV族水素化物ある
いはＴＭＧなどのメチル基からのＣ（カーボン）などが
用いられる。
パントの化合物ではＤＭS ，ＤＥS,ＤＭSe，ＤＥSe，Ｄ
ＭTe，ＤＥTeなどのVI族有機金属化合物やＨ2 Ｓ及びＨ
2 SeなどのVI族水素化物、またはSiＨ4 ，Si2 Ｈ6 ，Si
3 Ｈ8 などのIV族水素化物やSi（ＣＨ3 ）4 などのIV族
有機金属化合物等が用いられる。また、ｐ形ドーパント
の化合物としては、ＤＭCd，ＤＥCd，Bi−ＣＰMgなどの
II族有機金属化合物や、GeＨ4 などのIV族水素化物ある
いはＴＭＧなどのメチル基からのＣ（カーボン）などが
用いられる。
【００３５】ｎ形，ｐ形のドーパントの化合物は共に、
大別して有機金属化合物と水素化物とに分類することが
できる。また、反応ガスとしてＨ2 に代えて、上記ＴＥ
Ｇ（あるいはＴＭＧ）の排気時に同期させて導入するド
ーパントの化合物ガスと異なる種類のドーパントの化合
物ガスを導入しても良い。例えば 下記（１），（２）
は共に、上記図６に示した（ｃ1 ）モードに相当する。 （１）｛ＴＥＧ−Si2 Ｈ6 −（ＤＥSe，AsＨ3 ）｝ （２）｛（ＴＥＧ，ＤＥSe）−Si2 Ｈ6 −AsＨ3 ｝
大別して有機金属化合物と水素化物とに分類することが
できる。また、反応ガスとしてＨ2 に代えて、上記ＴＥ
Ｇ（あるいはＴＭＧ）の排気時に同期させて導入するド
ーパントの化合物ガスと異なる種類のドーパントの化合
物ガスを導入しても良い。例えば 下記（１），（２）
は共に、上記図６に示した（ｃ1 ）モードに相当する。 （１）｛ＴＥＧ−Si2 Ｈ6 −（ＤＥSe，AsＨ3 ）｝ （２）｛（ＴＥＧ，ＤＥSe）−Si2 Ｈ6 −AsＨ3 ｝
【００３６】上記ＴＥＧ（あるいはＴＭＧ）の排気時に
同期させて導入するドーパントの化合物ガスとしてはSi
2 Ｈ6 を用いる。上記（１）及び（２）は反応ガスとし
てドーパントの化合物ガスであるＤＥSeを用いた場合を
示している。
同期させて導入するドーパントの化合物ガスとしてはSi
2 Ｈ6 を用いる。上記（１）及び（２）は反応ガスとし
てドーパントの化合物ガスであるＤＥSeを用いた場合を
示している。
【００３７】またさらに、図７は、ドーパントの化合物
ガスをAsＨ3 の排気時に同期させて導入するドーピング
方法（図１のＡモードに相当する）において、反応ガス
を以下の（ａ1 ），（ａ2 ）のモードにより導入する場
合を示している。（ａ1 ）のモードはAsＨ3 の導入に同
期して反応ガスを導入する場合、（ａ2 ）のモードはＴ
ＥＧ或いはＴＭＧの導入に同期して反応ガスを導入する
場合である。
ガスをAsＨ3 の排気時に同期させて導入するドーピング
方法（図１のＡモードに相当する）において、反応ガス
を以下の（ａ1 ），（ａ2 ）のモードにより導入する場
合を示している。（ａ1 ）のモードはAsＨ3 の導入に同
期して反応ガスを導入する場合、（ａ2 ）のモードはＴ
ＥＧ或いはＴＭＧの導入に同期して反応ガスを導入する
場合である。
【００３８】ドーパントの化合物ガスには、上記VI族有
機金属化合物，VI族水素化物，IV族水素化物，IV族有機
金属化合物，II族有機金属化合物及びＴＭＧなどが用い
られる。また、反応ガスとしてＨ2 に代えて、上記AsＨ
3 の排気時に同期させて導入するドーパントの化合物ガ
スと異なる種類のドーパントの化合物ガスを導入するよ
うにしても良い。
機金属化合物，VI族水素化物，IV族水素化物，IV族有機
金属化合物，II族有機金属化合物及びＴＭＧなどが用い
られる。また、反応ガスとしてＨ2 に代えて、上記AsＨ
3 の排気時に同期させて導入するドーパントの化合物ガ
スと異なる種類のドーパントの化合物ガスを導入するよ
うにしても良い。
【００３９】例えば、下記（３），（４），（５）は図
７に示した（ａ1 ）モードに相当する。 （３）｛ＴＥＧ−（Si2 Ｈ6 ，AsＨ3 ）−ＤＥSe｝ （４）｛ＴＥＧ−（Ｈ2 ，AsＨ3 ）−ＤＥSe｝ （５）｛ＴＥＧ−（Ｈ2 Se，AsＨ3 ）−ＤＥSe｝ 上記AsＨ3 の排気時に同期させて導入するドーパントの
化合物ガスとしてはＤＥSeを用いる。
７に示した（ａ1 ）モードに相当する。 （３）｛ＴＥＧ−（Si2 Ｈ6 ，AsＨ3 ）−ＤＥSe｝ （４）｛ＴＥＧ−（Ｈ2 ，AsＨ3 ）−ＤＥSe｝ （５）｛ＴＥＧ−（Ｈ2 Se，AsＨ3 ）−ＤＥSe｝ 上記AsＨ3 の排気時に同期させて導入するドーパントの
化合物ガスとしてはＤＥSeを用いる。
【００４０】上記（３）は反応ガスとしてドーパントの
化合物ガスのSi2 Ｈ6 を用いた場合、（４）は反応ガス
としてＨ2 を用いた場合、（５）は反応ガスとしてドー
パントの化合物ガスのＨ2 Seを用いた場合を示すもので
ある。上記（５）の例では、Seの有機金属化合物とSeの
水素化物とが表面反応するため、このSeのドーピング密
度を室温でｎ≧２×１０19ｃｍ-3の高密度にすることが
できる。
化合物ガスのSi2 Ｈ6 を用いた場合、（４）は反応ガス
としてＨ2 を用いた場合、（５）は反応ガスとしてドー
パントの化合物ガスのＨ2 Seを用いた場合を示すもので
ある。上記（５）の例では、Seの有機金属化合物とSeの
水素化物とが表面反応するため、このSeのドーピング密
度を室温でｎ≧２×１０19ｃｍ-3の高密度にすることが
できる。
【００４１】また、上記（３）及び（４）の例では、吸
着したＴＥＧのエチル基が、反応ガスＨ2 SeもしくはＨ
2 と反応して脱離する。このため結晶成長膜中へのＣ
（カーボン）の混入を少なくすることができる。さら
に、上記（５）の例のようにドーパント化合物と反応ガ
スが低温で反応するため、結晶成長温度を低温化するこ
とが可能である。従って、ドーパントが再分布しないの
で、高純度の成長膜を得ることができる。
着したＴＥＧのエチル基が、反応ガスＨ2 SeもしくはＨ
2 と反応して脱離する。このため結晶成長膜中へのＣ
（カーボン）の混入を少なくすることができる。さら
に、上記（５）の例のようにドーパント化合物と反応ガ
スが低温で反応するため、結晶成長温度を低温化するこ
とが可能である。従って、ドーパントが再分布しないの
で、高純度の成長膜を得ることができる。
【００４２】本発明によるGaAs分子層エピタキシャル結
晶成長におけるドーピング方法のドーパントの化合物ガ
スと反応ガスとの組合わせの例を、下記第１表に示す。
晶成長におけるドーピング方法のドーパントの化合物ガ
スと反応ガスとの組合わせの例を、下記第１表に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】以上のようなこの発明のエピタキシャル結
晶成長におけるドーピング方法は、GaAsの他に、Alx Ga
1-x As，GaＰ，InＰ，AlAs，InAs，InSb，Inx Ga1-x A
s，Alx Ga1-x Ｐ，InAsy Ｐ1-y 等の分子層エピタキシ
ャル結晶成長においても適応できる。このように本発明
は、ＬＳＩや超高速ＩＣに必要な能動層を作製するのに
極めて適した技術である。
晶成長におけるドーピング方法は、GaAsの他に、Alx Ga
1-x As，GaＰ，InＰ，AlAs，InAs，InSb，Inx Ga1-x A
s，Alx Ga1-x Ｐ，InAsy Ｐ1-y 等の分子層エピタキシ
ャル結晶成長においても適応できる。このように本発明
は、ＬＳＩや超高速ＩＣに必要な能動層を作製するのに
極めて適した技術である。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、この発明の化合物結
晶のエピタキシャル結晶成長方法は、真空中で加熱され
た基板結晶上に複数の結晶成分ガスを所定の順序で別個
に導入して単結晶薄膜を成長させる化合物結晶のエピタ
キシャル結晶成長において、上記基板結晶上に結晶成分
ガスの他に該結晶成分ガスの少なくとも一つの導入と同
期して反応ガスを導入することにより、高純度の結晶を
低温成長で得ることができる。また、本発明の化合物結
晶のエピタキシャル結晶成長におけるドーピング方法
は、真空中で加熱された基板結晶上に結晶成分ガス及び
ドーパント化合物ガスの他に該結晶成分ガスの導入と同
期して反応ガスを導入することにより、低温成長で厳密
に不純物制御された結晶を得ることができ、さらに高濃
度に不純物添加された結晶を得ることができる。
晶のエピタキシャル結晶成長方法は、真空中で加熱され
た基板結晶上に複数の結晶成分ガスを所定の順序で別個
に導入して単結晶薄膜を成長させる化合物結晶のエピタ
キシャル結晶成長において、上記基板結晶上に結晶成分
ガスの他に該結晶成分ガスの少なくとも一つの導入と同
期して反応ガスを導入することにより、高純度の結晶を
低温成長で得ることができる。また、本発明の化合物結
晶のエピタキシャル結晶成長におけるドーピング方法
は、真空中で加熱された基板結晶上に結晶成分ガス及び
ドーパント化合物ガスの他に該結晶成分ガスの導入と同
期して反応ガスを導入することにより、低温成長で厳密
に不純物制御された結晶を得ることができ、さらに高濃
度に不純物添加された結晶を得ることができる。
【図１】分子層エピタキシーにおけるドーパント化合物
ガスのガス導入方法に関するタイムチャートを示すグラ
フである。
ガスのガス導入方法に関するタイムチャートを示すグラ
フである。
【図２】反応ガスとしてＨ2 を用いた場合のノンドープ
GaAsの分子層エピタキシーにおけるガス導入方法を示す
グラフである。
GaAsの分子層エピタキシーにおけるガス導入方法を示す
グラフである。
【図３】反応ガスとしてＨ2 を用いた場合のノンドープ
Alx Ga1-x Asの分子層エピタキシーにおけるガス導入方
法の第１例を示すグラフである。
Alx Ga1-x Asの分子層エピタキシーにおけるガス導入方
法の第１例を示すグラフである。
【図４】反応ガスとしてＨ2 を用いた場合のノンドープ
Alx Ga1-x Asの分子層エピタキシーにおけるガス導入方
法の第２例を示すグラフである。
Alx Ga1-x Asの分子層エピタキシーにおけるガス導入方
法の第２例を示すグラフである。
【図５】反応ガスとしてＨ2 を用いた場合のノンドープ
Alx Ga1-x Asの分子層エピタキシーにおけるガス導入方
法の第３例を示すグラフである。
Alx Ga1-x Asの分子層エピタキシーにおけるガス導入方
法の第３例を示すグラフである。
【図６】GaAsの分子層エピタキシーにおけるＣモードに
よるドーピング方法を示すグラフである。
よるドーピング方法を示すグラフである。
【図７】GaAsの分子層エピタキシーにおけるＡモードに
よるドーピング方法を示すグラフである。
よるドーピング方法を示すグラフである。
Claims (7)
- 【請求項１】 真空中で加熱された基板結晶上に、化合
物の複数の結晶成分ガスを所定の順序で導入して単結晶
を成長させる化合物結晶のエピタキシャル成長方法にお
いて、前記結晶成分ガスと化学反応する反応ガスを前記
複数の結晶成分ガスのうちの少なくとも一つと同時に導
入するようにしたことを特徴とする、化合物結晶のエピ
タキシャル成長方法。 - 【請求項２】 前記反応ガスがＨ2 であることを特徴と
する、請求項１に記載の化合物結晶のエピタキシャル成
長方法。 - 【請求項３】 真空中で加熱された基板結晶上に、化合
物の結晶成分ガスとドーパントの化合物ガスとを所定の
順序で導入して単結晶を成長させる化合物結晶のエピタ
キシャル成長におけるドーピング方法において、前記結
晶成分ガスの導入に同期して、前記結晶成分ガスと化学
反応する反応ガスを導入するようにしたことを特徴とす
る、前記ドーピング方法。 - 【請求項４】 前記反応ガスがＨ2 であることを特徴と
する、請求項３に記載の化合物結晶のエピタキシャル成
長におけるドーピング方法。 - 【請求項５】 前記反応ガスが、前記基板結晶上に先行
して導入した結晶成分ガスと異なる種類の結晶成分ガス
であることを特徴とする、請求項３に記載の化合物結晶
のエピタキシャル成長におけるドーピング方法。 - 【請求項６】 前記結晶成分ガスが、III 族とＶ族の元
素を含むことを特徴とする、請求項３乃至請求項５の何
れかに記載の化合物結晶のエピタキシャル成長における
ドーピング方法。 - 【請求項７】 前記ドーパントの化合物ガスがSi, Ge,
Ｓ，Se, Te, Zn, Cd, Mgの化合物ガスであることを特徴
とする、請求項３乃至請求項６の何れかに記載の化合物
結晶のエピタキシャル成長におけるドーピング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202256A JP2821563B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202256A JP2821563B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124900A true JPH06124900A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2821563B2 JP2821563B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=16454537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3202256A Expired - Fee Related JP2821563B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2821563B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021745A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体積層構造体およびその成長方法 |
| JP2013021057A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Sharp Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体膜の製造方法および化合物半導体太陽電池の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181314A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体結晶のド−ピング方法 |
| JPH02116120A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Fujitsu Ltd | 結晶成長方法 |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP3202256A patent/JP2821563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181314A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体結晶のド−ピング方法 |
| JPH02116120A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Fujitsu Ltd | 結晶成長方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021745A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体積層構造体およびその成長方法 |
| JP2013021057A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Sharp Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体膜の製造方法および化合物半導体太陽電池の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2821563B2 (ja) | 1998-11-05 |
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