JPH06112526A - Semiconductor chip array, semiconductor chip forming pattern therefor, and its dicing method - Google Patents
Semiconductor chip array, semiconductor chip forming pattern therefor, and its dicing methodInfo
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- JPH06112526A JPH06112526A JP25655292A JP25655292A JPH06112526A JP H06112526 A JPH06112526 A JP H06112526A JP 25655292 A JP25655292 A JP 25655292A JP 25655292 A JP25655292 A JP 25655292A JP H06112526 A JPH06112526 A JP H06112526A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、LEDアレイチップ等
の半導体チップが所定の位置関係で隣接するように組み
立てられた半導体チップ、このような半導体チップを半
導体ウエハ上に格子状に形成する時の形成パターン、及
び半導体ウエハからそのようなパターンで形成された半
導体チップを切り出すダイシング方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip assembled such that semiconductor chips such as LED array chips are adjacent to each other in a predetermined positional relationship, and when such semiconductor chips are formed in a lattice pattern on a semiconductor wafer. And a dicing method for cutting a semiconductor chip formed in such a pattern from a semiconductor wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】LEDプリンタに使用されるLEDアレ
イは、微小なピッチで微小なLEDを一方向に多数配列
したものである。LEDアレイの全長は印刷幅だけ必要
であり、通常数百mmの幅を有する。このような長さのア
レイを半導体ウエハ上に形成することは、ウエハの使用
効率と歩留りの関係から不可能なことである。そこで数
十個から100個程度のLEDで構成される10mm程度
のLEDアレイチップをチップの長軸方向に複数個配列
してアレイを作ることで長尺のLEDアレイを実現して
いる。このような複数のチップを配列するものには感熱
ヘッド等があるが、以下ではLEDアレイを例として説
明する。2. Description of the Related Art An LED array used in an LED printer is a large number of minute LEDs arranged in one direction at a minute pitch. The entire length of the LED array requires only the printing width, and usually has a width of several hundred mm. It is impossible to form an array having such a length on a semiconductor wafer because of the relationship between wafer use efficiency and yield. Therefore, a long LED array is realized by arranging a plurality of LED array chips of about 10 mm composed of several tens to 100 LEDs in the long axis direction of the chip to form an array. Although there is a thermal head or the like in the arrangement of a plurality of such chips, an LED array will be described below as an example.
【0003】図4はLEDアレイチップと組立状態を示
す図である。図4の(a) はLEDアレイチップ42を長
軸方向に配列した状態を示している。例えば、1個のL
EDアレイチップ内には128個のLEDが85μm ピ
ッチで配列されている。通常各LEDアレイチップ42
は、セラミック等の基板上に、各LEDが一直線上にな
るように接着剤等で固定して組み立てられる。FIG. 4 is a view showing an LED array chip and an assembled state. FIG. 4A shows a state in which the LED array chips 42 are arranged in the long axis direction. For example, one L
In the ED array chip, 128 LEDs are arranged at a pitch of 85 μm. Usually each LED array chip 42
Are assembled on a substrate made of ceramic or the like by fixing each LED with an adhesive or the like so that they are aligned.
【0004】図4の(b) は配列されたLEDアレイチッ
プの接続部分を示す図である。42 1 ,422 は隣接す
るLEDアレイチップであり、各チップ上には微小なL
ED43が一直線上に所定ピッチで配列されている。4
4は各LED43毎の電極であり、LED43に駆動信
号を印加する駆動用ICとLED43とを接続する配線
がボンディングされる。FIG. 4B shows an arrayed LED array chip.
It is a figure which shows the connection part of a battery. 42 1, 422Are adjacent
LED array chip with a small L on each chip
The EDs 43 are arranged on a straight line at a predetermined pitch. Four
Reference numeral 4 is an electrode for each LED 43, and the drive signal is sent to the LED 43.
For connecting the driving IC that applies the signal and the LED 43
Are bonded.
【0005】LED43の位置精度は、そのまま印刷位
置の精度や印刷品質に影響するため、一直線上に所定の
ピッチaで配列されていることが必要であり、これが全
幅にわたって要求される。各チップ内での位置精度は高
精度であり、このような精度を満たす上で何ら問題はな
いが、隣接するチップ間でいかに高精度に組み立てるか
が大きな問題である。Since the positional accuracy of the LEDs 43 directly affects the accuracy of the printing position and the printing quality, it is necessary that they are arranged in a straight line at a predetermined pitch a, which is required over the entire width. The positional accuracy in each chip is high, and there is no problem in satisfying such accuracy, but how to assemble adjacent chips with high accuracy is a big problem.
【0006】隣接するチップ間でのLEDの位置精度に
は、LED配列の中心軸の傾き、接続部における図4の
平面内でのずれが関係する。実際には、図4の平面に垂
直な方向のずれもあるが、これは接着等によって決定さ
れるためここでは省略する。組み立ては顕微鏡を使用し
て位置合わせを行うことで、上記の精度が満足されるよ
うに行われるが、組み立てを容易にするには隣接するチ
ップの縁を合わせ、縁に沿って図4の(b) におけるY方
向の位置を合わせることが望ましい。そのためチップの
縁とLEDの中心位置との距離の両チップでの合計がL
EDの配列ピッチaに等しいことが必要である。また縁
はLEDの配列方向に対して垂直であることが必要であ
る。The positional accuracy of the LEDs between adjacent chips is related to the inclination of the central axis of the LED array and the displacement of the connecting portion in the plane of FIG. In reality, there is also a deviation in the direction perpendicular to the plane of FIG. 4, but this is omitted here because it is determined by adhesion or the like. The assembly is performed by using a microscope so that the above accuracy is satisfied. However, in order to facilitate the assembly, the edges of the adjacent chips are aligned, and the edge of FIG. It is desirable to match the position in the Y direction in b). Therefore, the sum of the distance between the edge of the chip and the center position of the LED is L
It is necessary to be equal to the arrangement pitch a of the EDs. Further, the edge needs to be perpendicular to the arrangement direction of the LEDs.
【0007】LEDアレイチップは半導体ウエハ上に格
子状に形成され、それを図5に示すようなダイサで薄溝
を加工して切り出す。これをダイシングという。図5に
おいて、51は薄い砥石刃であり、52は砥石刃51を
支持し回転させる部分である。53は半導体ウエハを保
持するウエハチャックであり、54はウエハチャックを
X,Yの2軸方向、更に必要に応じてZ軸方向にも平行
移動する移動機構であり、回転機能も有している。The LED array chip is formed in a lattice shape on a semiconductor wafer, and thin grooves are processed by a dicer as shown in FIG. 5 and cut out. This is called dicing. In FIG. 5, 51 is a thin grindstone blade, and 52 is a part that supports and rotates the grindstone blade 51. Reference numeral 53 is a wafer chuck for holding a semiconductor wafer, 54 is a moving mechanism for moving the wafer chuck in parallel in the X- and Y-axis directions, and further in the Z-axis direction as necessary, and also has a rotating function. .
【0008】ダイシングは格子状に配列された各チップ
のすき間に繰り返し溝を加工することにより行われる。
LEDアレイチップのダイシング方法として従来から用
いられている方法で加工されたLEDアレイチップの加
工後の状態を図6に示す。図6の(a) は上面図であり、
図6の(b) は側面図である。図6において611 と61
2 は隣接して形成されたチップであり、両チップの端の
LEDのピッチは、正規のLEDのピッチに溝65の
幅、すなわち砥石刃の幅を加えた長さになっている。砥
石刃で溝55を加工して分割した後は、そのまま配列す
るチップを選択して組み立てる。Dicing is performed by repeatedly forming grooves in the gaps of the chips arranged in a grid.
FIG. 6 shows a state after processing of an LED array chip processed by a method conventionally used as a dicing method for an LED array chip. 6 (a) is a top view,
FIG. 6B is a side view. In FIG. 6, 61 1 and 61
Reference numeral 2 is a chip formed adjacent to each other, and the pitch of the LEDs at the ends of both chips is equal to the pitch of the regular LEDs plus the width of the groove 65, that is, the width of the grindstone blade. After the groove 55 is processed and divided by the grindstone blade, the chips to be arranged as they are are selected and assembled.
【0009】しかし砥石刃の幅はある程度のばらつきが
ある上、使用するに従って摩耗し、幅が変化する。幅が
異なると、加工された縁とLED62との距離が所望の
値にならず、組み立てられたLEDアレイのピッチはチ
ップの接続部で異なるピッチになるという問題がある。
そこでLEDアレイチップをダイシングする他の方法で
は、隣接するLEDアレイチップをある程度離して形成
し、各チップの間には2本の溝をそれぞれ縁が端のLE
Dから所定の位置になるようにする。図7はこの加工方
法で溝加工をしたチップを示す図であり、(a) は上面
図、(b) は側面図である。However, the width of the grindstone blade varies to some extent, and the width of the grindstone blade is abraded and the width changes as it is used. If the widths are different, the distance between the processed edge and the LED 62 does not reach a desired value, and the pitch of the assembled LED array has different pitches at the connecting portions of the chips.
Therefore, according to another method of dicing the LED array chips, adjacent LED array chips are formed with a certain distance therebetween, and two grooves are formed between the chips to form LEs each having an edge.
Set it to a predetermined position from D. 7A and 7B are views showing a chip grooved by this processing method. FIG. 7A is a top view and FIG. 7B is a side view.
【0010】図7の(a) において、711 と712 がL
EDアレイチップであり、72がLEDである。751
と752 は加工された溝を示している。砥石刃による加
工溝が表面に対して垂直で且つ端のLEDの中心と加工
された縁との間の距離がLEDの配列ピッチの半分であ
れば、隣接して配列するLEDアレイチップの縁を接触
させて配列することによりLEDが等ピッチになるよう
に配列できる。正確には隣接して配列するLEDアレイ
チップの端のLEDと縁との間の距離を合わせた長さが
LEDの配列ピッチであればよい。In FIG. 7A, 71 1 and 71 2 are L
It is an ED array chip, and 72 is an LED. 75 1
And 75 2 indicate the processed grooves. If the groove formed by the grindstone is perpendicular to the surface and the distance between the center of the LED at the edge and the processed edge is half the LED arrangement pitch, the edge of the LED array chips to be arranged adjacent to each other is set. By arranging the LEDs in contact with each other, the LEDs can be arranged at an equal pitch. To be precise, the total length of the distances between the LEDs at the ends of the LED array chips arranged adjacent to each other and the edge may be the LED arrangement pitch.
【0011】しかし実際に加工される溝は表面に対して
完全に垂直ではなく、若干ではあるが傾きの誤差が生じ
る。このような傾きの誤差がある場合には、たとえ表面
で上記の長さ関係が満たされていても、下部で長さ関係
が満たされず、LEDの配列ピッチが接続部分のみ大き
くなるか又は小さくなることが起こり得る。上記のよう
な問題が生じるのを防止するため、これまでは加工する
溝を図7の(b) に示すように表面に対して傾斜させ、各
チップの底面での長さが表面よりかならず短くなるよう
にしていた。端のLEDの中心と縁の間の距離が表面に
おいて上記の長さ関係を満たしていれば、各LEDアレ
イチップを接触させて配列することでLEDの配列ピッ
チが接続部分においても正規の長さになる。However, the actually processed groove is not completely perpendicular to the surface, and a slight tilt error occurs. When there is such a tilt error, even if the above-described length relationship is satisfied on the surface, the length relationship is not satisfied at the lower portion, and the LED arrangement pitch is increased or decreased only in the connection portion. Can happen. In order to prevent the above problems from occurring, until now the groove to be processed is inclined with respect to the surface as shown in Fig. 7 (b), and the length of the bottom of each chip is always shorter than the surface. I was trying to become. If the distance between the center and the edge of the LED at the edge satisfies the above length relationship on the surface, the LED array chips are arranged in contact with each other so that the LED array pitch is a regular length even at the connection portion. become.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】図6の(b) に示すよう
な半導体ウエハ表面に対して傾いた溝を加工するには、
砥石刃を所定量傾けた上で加工する。但し、図7の(b)
に示すように隣接して形成されたLEDアレイチップの
間に加工される2個の溝751 ,752 は傾きの方向が
異なるため、これらの溝を加工する時には砥石刃の傾き
を変えるか、又はウエハを180°回転する必要があ
る。To process a groove inclined with respect to the surface of a semiconductor wafer as shown in FIG. 6B,
The grindstone blade is tilted by a predetermined amount before processing. However, FIG. 7 (b)
As shown in Fig. 2, the two grooves 75 1 and 75 2 which are processed between the LED array chips formed adjacent to each other have different inclination directions. Therefore, when processing these grooves, the inclination of the grindstone blade should be changed. , Or the wafer must be rotated 180 °.
【0013】通常溝加工は半導体ウエハの一方から順に
行われるが、各チップ列の間の2本の溝を加工する毎に
砥石刃の傾きを変化させるのは、傾き調整が煩雑で良好
な位置精度で溝加工するのも難しくなるという問題があ
る。そこで一方の傾きの溝を順次加工し、それらの加工
がすべて終了した時点で半導体ウエハを180°回転さ
せるか砥石刃の傾きを変えて、もう一方の傾きの溝を順
次加工する。このような加工であれば砥石刃と半導体ウ
エハの位置合わせを行った後、一定ピッチで砥石刃を送
りながら各溝を順次加工することができる。Normally, the groove processing is performed in order from one side of the semiconductor wafer. However, changing the inclination of the grindstone blade every time two grooves between each chip row are processed is complicated because the inclination adjustment is complicated. There is a problem that it becomes difficult to perform groove processing with high accuracy. Therefore, the groove with one inclination is sequentially processed, and when the processing is completed, the semiconductor wafer is rotated by 180 ° or the inclination of the grindstone blade is changed, and the groove with the other inclination is sequentially processed. With such processing, after the positioning of the grindstone blade and the semiconductor wafer, each groove can be sequentially processed while the grindstone blade is fed at a constant pitch.
【0014】しかし上記のような加工方法では一方の傾
きの溝が加工された時点で各チップ列は切り離された状
態になる。半導体ウエハは接着テープ等で台に固定され
ているが、各チップ列毎に切り離された状態では、もう
一方の傾きの溝を加工する2回目の加工時に各チップ列
に微小ではあるが位置ずれが生じる。そのため各チップ
列の幅にばらつきが生じるという問題が発生している。
各チップ列の幅のばらつきはそのままLEDアレイチッ
プの幅のばらつきになるため、LEDアレイチップを接
触させて配列しても接続部分ではLEDのピッチが所定
値からずれることになる。However, in the above-described processing method, each chip row is cut off when the groove having one inclination is processed. The semiconductor wafer is fixed to the table with adhesive tape or the like, but in the state where it is separated for each chip row, a slight misalignment occurs in each chip row during the second processing for processing the groove with the other inclination. Occurs. Therefore, there is a problem in that the width of each chip row varies.
Since the variation in the width of each chip row becomes the variation in the width of the LED array chip as it is, even if the LED array chips are arranged in contact with each other, the pitch of the LEDs at the connecting portion deviates from the predetermined value.
【0015】また一方の溝加工が終了してもう一方の溝
を加工する時には、半導体ウエハを180°回転するか
砥石刃の傾きを変化させるが、このような作業の後では
半導体ウエハ上の各チップ列に対して砥石刃を再度位置
調整するアラインメント作業が必要になる。このアライ
ンメント作業は煩雑なだけでなく、調整誤差に起因する
LEDアレイチップの幅の誤差が発生するという問題が
ある。When the processing of one groove is completed and the other groove is processed, the semiconductor wafer is rotated by 180 ° or the inclination of the grindstone blade is changed. Alignment work is required to reposition the grindstone blade with respect to the insert row. This alignment work is not only complicated, but there is a problem that an error in the width of the LED array chip occurs due to an adjustment error.
【0016】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、組み合わされる半導体チップの切り出しが容
易で高い組立精度を満たすのに適した半導体チップアレ
イの実現と、そのための半導体チップのウエハ上での形
成パターンとダイシング方法の実現を目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and realizes a semiconductor chip array suitable for easily cutting out semiconductor chips to be combined and satisfying high assembly precision, and a semiconductor chip wafer for that purpose. The purpose is to realize the above-mentioned formation pattern and dicing method.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体チップアレイは、組み立てられる半
導体チップの配列方向の幅を密に配列する時に必要とす
る幅よりも短くし、配列した半導体チップ間には隙間が
存在するようにする。In order to achieve the above object, the semiconductor chip array of the present invention is arranged such that the width of the semiconductor chips to be assembled in the arrangement direction is shorter than the width required for dense arrangement. There should be a gap between the semiconductor chips.
【0018】[0018]
【作用】従来の半導体チップアレイは、隣接して整列さ
せる半導体チップをその縁で接触させて整列させるた
め、各半導体チップの長さが隣接して密に配列する時の
長さに等しく、且つ半導体チップの下部でこの長さが短
くなることが要求された。そのため組み立てられる半導
体チップのダイシングでは、図6の(b) に示すような傾
きの異なる溝を形成することが要求された。In the conventional semiconductor chip array, since the semiconductor chips to be aligned adjacent to each other are brought into contact with each other at their edges and aligned, the length of each semiconductor chip is equal to the length when closely arranged, and It was required that this length be shortened at the bottom of the semiconductor chip. Therefore, in dicing of the semiconductor chip to be assembled, it is required to form grooves having different inclinations as shown in FIG. 6 (b).
【0019】しかし半導体チップはセラミック基板等の
上に整列されて接着されるので、半導体チップの縁で接
触させないのであれば、半導体チップの幅が密に隣接し
て配列する時の幅より小さい時には正規のピッチになる
ように隙間をあけて配列することができる。もちろん接
触させずに位置調整することが必要になるが、このよう
な位置調整は近年のTVカメラを使用したパターン認識
技術を使用すれば容易であり、何ら問題はない。However, since the semiconductor chips are aligned and adhered on the ceramic substrate or the like, if the widths of the semiconductor chips are smaller than the widths when they are closely arranged, the semiconductor chips are not contacted at the edges of the semiconductor chips. It can be arranged with a gap so as to have a regular pitch. Of course, it is necessary to adjust the position without making contact, but such position adjustment is easy if a pattern recognition technique using a TV camera in recent years is used, and there is no problem.
【0020】半導体チップを整列した時に上記の隙間を
設けるのであれば、この隙間で溝の傾きの誤差が吸収で
きるため垂直な溝を加工しても問題は生じない。このよ
うな垂直な溝であれば砥石刃の傾きを調整する必要はな
く、この方向の溝はすべて一回の送り動作中に加工でき
る。If the above-mentioned gap is provided when the semiconductor chips are aligned, an error in the inclination of the groove can be absorbed in this gap, so that there is no problem even if a vertical groove is processed. With such a vertical groove, it is not necessary to adjust the inclination of the grindstone blade, and all the grooves in this direction can be processed during one feeding operation.
【0021】[0021]
【実施例】図1は、実施例における半導体ウエハ上のL
EDアレイチップの配列と加工動作を示す図である。図
1の(a) は半導体ウエハ全体を示す図であり、図1の
(b)は一部を拡大した図である。図1の(a) において、
1は半導体ウエハであり、2はLEDアレイチップであ
る。切り出し加工は、まずX方向の溝を加工してチップ
列に切り離した後、半導体ウエハ1を90°回転してY
方向の溝を加工して各LEDアレイチップに切り離す。
本発明はX方向のダイシングに関するものであり、以下
X方向のダイシングについてのみ説明する。EXAMPLE FIG. 1 shows L on a semiconductor wafer in an example.
It is a figure which shows arrangement | positioning of an ED array chip and a processing operation. 1A is a diagram showing the entire semiconductor wafer.
(b) is a partially enlarged view. In (a) of Figure 1,
Reference numeral 1 is a semiconductor wafer, and 2 is an LED array chip. In the cutting process, first, a groove in the X direction is processed and separated into a chip row, and then the semiconductor wafer 1 is rotated by 90 ° to perform Y cutting.
A groove in the direction is processed to separate each LED array chip.
The present invention relates to dicing in the X direction, and only dicing in the X direction will be described below.
【0022】図1の(b) に示すように、各チップ列はあ
る程度の隙間を置いて形成されており、この隙間の
5M ,5S で示した位置にそれぞれ2本の溝を1回のY
方向の移動中に加工する。前述のように、ダイシング
は、半導体ウエハ1を砥石刃に対してアラインメントし
た後、X方向に半導体ウエハ1を移動させて溝を加工す
る。これをY方向に所定ピッチで移動させながら繰り返
し、すべての溝を加工する。ダイサにはY方向の送りピ
ッチを規定するインデックスを入力する機能があり、ダ
イシング時には送りピッチに応じた値を入力している。As shown in FIG. 1 (b), each chip row is formed with a certain gap, and two grooves are formed once at the positions indicated by 5 M and 5 S in this gap. Y
Machining while moving in the direction. As described above, in dicing, after the semiconductor wafer 1 is aligned with the grindstone blade, the semiconductor wafer 1 is moved in the X direction to process the groove. This is repeated while moving in the Y direction at a predetermined pitch to process all the grooves. The dicer has a function of inputting an index that defines the feed pitch in the Y direction, and a value corresponding to the feed pitch is input during dicing.
【0023】しかし本実施例では、一方の溝5M 又は5
S はそれぞれ一定ピッチであるが、隣接する溝5M と5
S のピッチは異なる。従ってY方向に一回だけ送る間に
すべての溝を加工するためには、送りピッチを変える必
要がある。現在のダイサでは、Y方向の送りピッチを規
定するインデックスとしてメインインデックスとサブイ
ンデックスが規定できるようになっている。メインイン
デックスが従来のインデックスであり、サブインデック
スはメインインデックスの送り量に更に付加する送り量
を規定するものである。そこで本実施例ではこのメイン
インデックスとサブインデックスを利用し、溝5M を加
工する位置をメインインデックスで規定し、溝5S の位
置をサブインデックスでで規定する。However, in this embodiment, one of the grooves 5 M or 5
S has a constant pitch, but adjacent grooves 5 M and 5
The pitch of S is different. Therefore, in order to process all the grooves in the Y direction only once, it is necessary to change the feed pitch. In a current dicer, a main index and a sub index can be defined as indexes that define the feed pitch in the Y direction. The main index is a conventional index, and the sub index defines the feed amount to be added to the feed amount of the main index. Therefore, in the present embodiment, by using the main index and the sub index, the position for processing the groove 5 M is defined by the main index, and the position of the groove 5 S is defined by the sub index.
【0024】図2は本実施例におけるLEDアレイチッ
プの隣接部分の拡大図と加工した溝位置を示す図であ
り、(a) は上面図であり、(b) は側面図である。図2に
おいて、221 ,222 は隣接して形成されたLEDア
レイチップであり、23がLEDであり、24はボンデ
ィング用の電極である。LED23は正方形又は長方形
の発光部を有し、各チップ内ではピッチaで等間隔に配
置されている。左側のチップ221 の右端のLED23
1 と右側のチップ222 の左端のLED232 とのピッ
チはxになるように形成されている。2A and 2B are an enlarged view of a portion adjacent to the LED array chip in this embodiment and a diagram showing a processed groove position. FIG. 2A is a top view and FIG. 2B is a side view. In FIG. 2, 22 1 and 22 2 are LED array chips formed adjacent to each other, 23 is an LED, and 24 is an electrode for bonding. The LEDs 23 have square or rectangular light emitting portions, and are arranged at equal intervals at a pitch a in each chip. LED 23 on the right end of the left chip 22 1
Pitch between LED 23 2 at the left end 1 and the right side of the chip 22 2 are formed so as to x.
【0025】25M と25S はダイサで加工された溝で
ある。左側のチップ221 の右端のLED231 の中心
と溝25S によるチップの縁との間の距離をcで表し、
同様に右側のチップ222 の左端のLED232 の中心
とチップの縁との距離をdで表すと、cとdの和がaよ
り小さくなるように溝が加工される。図中のbがウエハ
上の2個のチップの隙間に相当するが、この隙間bは2
本の溝を正確に形成するのに必要な幅以上であることが
要求される。この隙間bが狭いと、溝加工の途中で図2
の(b) の26で示した部分が破断し、ウエハを貼り付け
ているテープから欠落してウエハの表面に当たるといっ
た問題が発生する。そのため隙間bの値は、貼り付ける
テープの保持力や砥石刃と切削時に供給される水の作用
を考慮して決定することが望ましい。25 M and 25 S are grooves processed by a dicer. It represents the distance between the edge of the chip by the central and grooves 25 S of the rightmost LED 23 1 on the left side of the chip 22 1 c,
Similarly, if representing the distance between the edge of the right chip 22 2 of the leftmost LED 23 2 and the center of the chip in d, the sum of c and d is the groove is machined to be less than a. Although b in the figure corresponds to a gap between two chips on the wafer, this gap b is 2
It is required that the width be equal to or larger than the width required to accurately form the groove of the book. If the gap b is narrow, the groove shown in FIG.
There arises a problem that the portion indicated by 26 in (b) is broken, and is dropped from the tape to which the wafer is attached and hits the surface of the wafer. Therefore, the value of the gap b is preferably determined in consideration of the holding force of the tape to be attached and the action of the grindstone blade and the water supplied during cutting.
【0026】前述のように砥石刃は使用中に摩耗し、幅
が狭くなることがある。刃の幅が狭くなると図2のcと
dが増加する。その場合、メインインデックスを修正せ
ず、サブインデックスで調整する。上記のようにして切
り離されたLEDアレイチップは、各チップ毎に検査さ
れた後組み立てられる。図3は組み立てられたLEDア
レイを示す図であり、LEDアレイの接続部分の拡大図
である。As described above, the whetstone blade may be worn during use and its width may become narrow. As the width of the blade becomes narrower, c and d in FIG. 2 increase. In that case, adjust the sub index without modifying the main index. The LED array chips separated as described above are assembled after being inspected for each chip. FIG. 3 is a view showing the assembled LED array, and is an enlarged view of a connecting portion of the LED array.
【0027】図3において、321 ,322 はLEDア
レイチップであり、1チップ内に通常128個程度のL
EDが配列されている。このLEDアレイチップを数十
個一直線上に、各LEDのピッチが全幅にわたって等し
くなるように整列させる。ここでは図示していないが、
組立はセラミック基板等の上に接着剤でチップを貼り付
ける。この際LEDが一直線上に等ピッチで整列される
ように、TVカメラ等でパターン認識を行いながら組み
立てる。In FIG. 3, 32 1 and 32 2 are LED array chips, and usually about 128 L array chips are included in one chip.
The EDs are arranged. The LED array chips are aligned in a line of several tens so that the pitch of each LED is equal over the entire width. Although not shown here,
For assembly, the chip is attached onto a ceramic substrate or the like with an adhesive. At this time, the LEDs are assembled while performing pattern recognition with a TV camera or the like so that the LEDs are aligned in a straight line at equal pitches.
【0028】組み立てられた状態では、図3に示すよう
にチップの接続部分においてもLEDの配列ピッチはa
に等しい。図2に示したように、チップの端のLEDの
中心と縁との間の距離c,dは、それらの和がaより小
さくなるように切り離されているので、組み立てた状態
では、チップの間にかならず隙間37が生じる。逆にた
とえ砥石刃の幅や位置誤差により、上記のc,dの値が
誤差を有しても、この隙間37の大きさt以内であれば
これらの誤差を吸収して組み立てが可能である。従っ
て、これらの誤差やLEDのパターン等を考慮して上記
のcとdを決定することが望ましい。In the assembled state, as shown in FIG. 3, the LED arrangement pitch is a at the chip connecting portion as well.
be equivalent to. As shown in FIG. 2, the distances c and d between the center and the edge of the LED at the edge of the chip are separated so that their sum is smaller than a, so that in the assembled state, the chip A gap 37 is always formed between them. On the contrary, even if the values of c and d have errors due to the width and position error of the grindstone blade, as long as they are within the size t of the gap 37, these errors can be absorbed to assemble. . Therefore, it is desirable to determine the above c and d in consideration of these errors and the LED pattern.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所定の位置関係になるように整列して組み立てられるL
EDアレイチップ等の半導体チップをウエハから切り出
すダイシングが容易になり、組立精度も良好にできる半
導体チップアレイが実現できる。As described above, according to the present invention,
L that is aligned and assembled to have a predetermined positional relationship
A semiconductor chip array in which a semiconductor chip such as an ED array chip is easily cut out from a wafer and the assembling accuracy is good can be realized.
【図1】本発明の実施例における半導体ウエハ上の半導
体チップ配列パターンを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor chip arrangement pattern on a semiconductor wafer in an example of the present invention.
【図2】実施例における溝加工後の半導体チップと溝の
拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a semiconductor chip and a groove after groove processing in an example.
【図3】実施例において、最終的に組み立てられたLE
Dアレイの組立状態を示す図である。FIG. 3 shows the finally assembled LE in the example.
It is a figure which shows the assembly state of a D array.
【図4】従来のLEDアレイと組立状態を示す図であ
る。FIG. 4 is a view showing a conventional LED array and an assembled state.
【図5】ダイサの概略構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a dicer.
【図6】従来のダイシング方法の1つの例を示す図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing an example of a conventional dicing method.
【図7】従来のダイシング方法の別の例を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing another example of a conventional dicing method.
【符号の説明】 1…半導体ウエハ 2…半導体チップ(LEDアレイチップ) 23…LED(発光部) 24…電極 25…溝[Explanation of Codes] 1 ... Semiconductor wafer 2 ... Semiconductor chip (LED array chip) 23 ... LED (light emitting portion) 24 ... Electrode 25 ... Groove
Claims (3)
うに隣接して配列した半導体チップアレイであって、 前記半導体チップの配列方向の幅は、密に配列する時に
必要とする幅よりも短く、配列した半導体チップ間には
隙間が存在することを特徴とする半導体チップアレイ。1. A semiconductor chip array in which semiconductor chips are arranged adjacent to each other so as to have a predetermined positional relationship, and the width of the semiconductor chips in an arrangement direction is shorter than a width required for dense arrangement. A semiconductor chip array characterized in that a gap exists between the arranged semiconductor chips.
る半導体チップを半導体ウエハ上に格子状に形成する時
の半導体チップの形成パターンであって、 半導体チップ列の前記半導体チップが組立時に配列され
る方向の間隔は、ダイサで2本の溝を加工するのに必要
な幅以上であることを特徴とする半導体チップの形成パ
ターン。2. A semiconductor chip forming pattern for forming the semiconductor chips forming the semiconductor chip array according to claim 1 in a grid pattern on a semiconductor wafer, wherein the semiconductor chips in a semiconductor chip row are arranged during assembly. The semiconductor chip forming pattern is characterized in that the distance in the direction of the arrow is equal to or more than the width required to process the two grooves with the dicer.
れた半導体チップを半導体ウエハから切り出すためのダ
イシング方法であって、 半導体ウエハを一方向に送る1回の動作中に、すべての
チップ列の間に2本の溝が加工されることを特徴とする
ダイシング方法。3. A dicing method for cutting out semiconductor chips formed by the formation pattern according to claim 2 from a semiconductor wafer, wherein all chip rows are formed during one operation of feeding the semiconductor wafer in one direction. A dicing method characterized in that two grooves are processed between the two.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25655292A JPH06112526A (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Semiconductor chip array, semiconductor chip forming pattern therefor, and its dicing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25655292A JPH06112526A (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Semiconductor chip array, semiconductor chip forming pattern therefor, and its dicing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06112526A true JPH06112526A (en) | 1994-04-22 |
Family
ID=17294228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25655292A Pending JPH06112526A (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Semiconductor chip array, semiconductor chip forming pattern therefor, and its dicing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06112526A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6637087B1 (en) | 1999-03-18 | 2003-10-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing edge reflection type surface acoustic wave device |
JP2008535233A (en) * | 2005-03-30 | 2008-08-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Flexible LED array |
JP2008288257A (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP25655292A patent/JPH06112526A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6637087B1 (en) | 1999-03-18 | 2003-10-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing edge reflection type surface acoustic wave device |
JP2008535233A (en) * | 2005-03-30 | 2008-08-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Flexible LED array |
JP2008288257A (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device |
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