JPH06100838B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真感光体に関する。
用される電子写真感光体に関する。
(従来技術) 近年、導電性基体上に感光層が形成された電子写真用感
光体として、加工性がよく製造コストの面で有利である
と共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用さ
れている。上記有機感光体においては、光照射により電
荷を発生させる電荷発生材料と発生した電荷を輸送する
電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能とを
分離した感光層を有することで、高感度化を図った機能
分離型電子写真用感光体が知られている。上記機能分離
型電子写真用感光体の感光層としては、少なくとも電荷
発生材料を含有する電荷発生層と、電荷輸送材料と結着
樹脂とを含有する電荷輸送層とが積層された積層型感光
体や、電荷発生材料および電荷輸送材料とを結着樹脂中
に分散させて成る単層型感光体等が種々提案されてい
る。
光体として、加工性がよく製造コストの面で有利である
と共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用さ
れている。上記有機感光体においては、光照射により電
荷を発生させる電荷発生材料と発生した電荷を輸送する
電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能とを
分離した感光層を有することで、高感度化を図った機能
分離型電子写真用感光体が知られている。上記機能分離
型電子写真用感光体の感光層としては、少なくとも電荷
発生材料を含有する電荷発生層と、電荷輸送材料と結着
樹脂とを含有する電荷輸送層とが積層された積層型感光
体や、電荷発生材料および電荷輸送材料とを結着樹脂中
に分散させて成る単層型感光体等が種々提案されてい
る。
上記積層型感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とにより
各種機能を分離しているため、前記単層型感光体と異な
り、高感度で感光材料の選択幅が広いという利点があ
る。
各種機能を分離しているため、前記単層型感光体と異な
り、高感度で感光材料の選択幅が広いという利点があ
る。
ところで、電荷輸送材料には正孔輸送型が多いことや表
面に耐久性を持たせるため、導電性基体上に電荷発生層
を設け、更にその上に電荷輸送層を設けた負帯電用積層
型感光体の構造をとることが一般的である。しかしなが
ら、このような負帯電用積層型感光体では負帯電時に雰
囲気中にオゾンが発生し感光体の劣化及び複写環境の汚
染を引き起こしたり、また現像時には製造が困難である
正帯電性のトナーを必要とする等の問題がある。
面に耐久性を持たせるため、導電性基体上に電荷発生層
を設け、更にその上に電荷輸送層を設けた負帯電用積層
型感光体の構造をとることが一般的である。しかしなが
ら、このような負帯電用積層型感光体では負帯電時に雰
囲気中にオゾンが発生し感光体の劣化及び複写環境の汚
染を引き起こしたり、また現像時には製造が困難である
正帯電性のトナーを必要とする等の問題がある。
一方上記の単層型感光体は、正帯電させることができる
だけでなく、感光体の静電潜像を現像するトナーとして
負帯電性トナーを使用できる。これは、一般にトナーは
負帯電するものが得られ易いため、トナー材料の選択幅
が広く、種々のトナー材料を使用することができるとい
う利点がある。しかしながら、一層中で電子と正孔を移
動させるため、どちらかがトラップとなり残留電位が大
きくなる傾向がある。しかも、電荷発生材料と電荷輸送
材料との組合せ方により、帯電特性、感度、残留電位等
の電子写真特性が大きく左右されるという問題点があ
る。
だけでなく、感光体の静電潜像を現像するトナーとして
負帯電性トナーを使用できる。これは、一般にトナーは
負帯電するものが得られ易いため、トナー材料の選択幅
が広く、種々のトナー材料を使用することができるとい
う利点がある。しかしながら、一層中で電子と正孔を移
動させるため、どちらかがトラップとなり残留電位が大
きくなる傾向がある。しかも、電荷発生材料と電荷輸送
材料との組合せ方により、帯電特性、感度、残留電位等
の電子写真特性が大きく左右されるという問題点があ
る。
そこで、上記問題点に鑑み単層型感光体を高感度化する
試みとして、電荷発生顔料としてのN,N′−ジメチルペ
リレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′
−ジ(3,5−ジメチルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−
テトラカルボキシジイミド等のペリレン系顔料と、結着
樹脂と、増感剤としてのアセナフチレンとからなる電子
写真感光体(特開昭58-76840号公報)や、上記ペリレン
系顔料と、電荷輸送材料としてのポリビニルカルバゾー
ル系樹脂と、増感剤としてのターフェニルとからなる電
子写真感光体が提案されている(特開昭59-119356号公
報)。
試みとして、電荷発生顔料としてのN,N′−ジメチルペ
リレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′
−ジ(3,5−ジメチルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−
テトラカルボキシジイミド等のペリレン系顔料と、結着
樹脂と、増感剤としてのアセナフチレンとからなる電子
写真感光体(特開昭58-76840号公報)や、上記ペリレン
系顔料と、電荷輸送材料としてのポリビニルカルバゾー
ル系樹脂と、増感剤としてのターフェニルとからなる電
子写真感光体が提案されている(特開昭59-119356号公
報)。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記感光体においても未だ十分な電子写
真特性は得られていない。特に電荷発生材料として用い
られているペリレン系化合物が長波長側に分光感度がな
いことに起因して、赤の分光エネルギーの大きいハロゲ
ンランプと組み合わせた場合において十分な感度を得る
ことができないという問題点があった。
真特性は得られていない。特に電荷発生材料として用い
られているペリレン系化合物が長波長側に分光感度がな
いことに起因して、赤の分光エネルギーの大きいハロゲ
ンランプと組み合わせた場合において十分な感度を得る
ことができないという問題点があった。
(発明の目的) 本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、電子
写真感光体として要求される特性を十分満足する材料の
組合せを見出すことにより、高感度化された単層型電子
写真感光体を提供することを目的とする。
写真感光体として要求される特性を十分満足する材料の
組合せを見出すことにより、高感度化された単層型電子
写真感光体を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段および作用) 従って、本発明においては結着樹脂中に、電荷発生材料
として下記一般式〔I〕 (式中、R1、R2、R3およびR4は、アルキル基を示す)で表
されるペリレン系化合物と、電荷輸送材料として下記一
般式〔II〕〜〔V〕 (式中、R5〜R20は、同一または異なって、水素原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子
を示す;Yは、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基またはハロゲン原子を示す;nは1〜3の整数を示
す;l、m、oおよびpは0〜2の整数を示す;但し、
R9、R10、R11およびR12は同時に水素原子でないものと
し、水素原子でない前記R9、R10、R11およびR12のl、
m、oおよびpは、少なくとも1つが2であるものとす
る)で表されるジアミン誘導体の群から選ばれる少なく
とも1種の化合物と、さらに上記ペリレン系化合物100
重量部に対して1.25乃至3.75重量部のX型メタルフリー
フタロシアニンとを含有する感光層を、導電性基体上に
形成して電子写真感光体を構成することにより上記目的
を達成した。
として下記一般式〔I〕 (式中、R1、R2、R3およびR4は、アルキル基を示す)で表
されるペリレン系化合物と、電荷輸送材料として下記一
般式〔II〕〜〔V〕 (式中、R5〜R20は、同一または異なって、水素原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子
を示す;Yは、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基またはハロゲン原子を示す;nは1〜3の整数を示
す;l、m、oおよびpは0〜2の整数を示す;但し、
R9、R10、R11およびR12は同時に水素原子でないものと
し、水素原子でない前記R9、R10、R11およびR12のl、
m、oおよびpは、少なくとも1つが2であるものとす
る)で表されるジアミン誘導体の群から選ばれる少なく
とも1種の化合物と、さらに上記ペリレン系化合物100
重量部に対して1.25乃至3.75重量部のX型メタルフリー
フタロシアニンとを含有する感光層を、導電性基体上に
形成して電子写真感光体を構成することにより上記目的
を達成した。
本発明者等が鋭意研究の結果、電荷輸送材料としての一
般式〔II〕〜〔V〕で表されるジアミン誘導体は、結着
樹脂に対する相溶性がよく、しかもドリフト移動度に関
する電界強度依存性が小さいという特性を有すると言う
知見を得た。そして、該ジアミン誘導体と電荷発生材料
としての一般式〔I〕で表されるペリレン化合物とを組
み合わせ、結着樹脂中に含有させることで得られる正帯
電性単層型電子写真感光体は、帯電特性、感度、残留電
位等の電子写真特性が優れている。さらに分光増感剤と
してX型メタルフリーフタロシアニンをペリレン系化合
物100重量部に対して1.25乃至3.75重量部の範囲で添加
することで、分光感度領域が長波長側に拡大し、より高
感度の感光体が得られることが判明した。
般式〔II〕〜〔V〕で表されるジアミン誘導体は、結着
樹脂に対する相溶性がよく、しかもドリフト移動度に関
する電界強度依存性が小さいという特性を有すると言う
知見を得た。そして、該ジアミン誘導体と電荷発生材料
としての一般式〔I〕で表されるペリレン化合物とを組
み合わせ、結着樹脂中に含有させることで得られる正帯
電性単層型電子写真感光体は、帯電特性、感度、残留電
位等の電子写真特性が優れている。さらに分光増感剤と
してX型メタルフリーフタロシアニンをペリレン系化合
物100重量部に対して1.25乃至3.75重量部の範囲で添加
することで、分光感度領域が長波長側に拡大し、より高
感度の感光体が得られることが判明した。
(発明の好適態様) 本発明に使用される電荷発生材料としてのペリレン系化
合物は、前記一般式〔I〕で表され、式中のR1、R2、R3、R
4のうちアルキル基としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル基などの炭素数1〜6のアルキ
ル基が例示される。
合物は、前記一般式〔I〕で表され、式中のR1、R2、R3、R
4のうちアルキル基としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル基などの炭素数1〜6のアルキ
ル基が例示される。
具体的には、N,N′−ジ(3,5−ジメチルフェニル)ペリ
レン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−
ジ(3−メチル−5−エチルフェニル)ペリレン−3,4,
9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ(3,5−ジ
エチルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキ
シジイミド、N,N′−ジ(3,5−ジプロピルフェニル)ペ
リレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′
−ジ(3,5−ジイソプロピルフェニル)ペリレン−3,4,
9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ(3−メ
チル−5−イソプロピルフェニル)ペリレン−3,4,9,10
−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ(3,5−ジブチ
ルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジ
イミド、N,N′−ジ(3,5−ジ−tert−ブチルフェニル)
ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,
N′−ジ(3,5−ジペンチルフェニル)ペリレン−3,4,9,
10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ(3,5−ジヘ
キシルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキ
シジイミド等が例示されるが、中でも、N,N′−ジ(3,5
−ジメチルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカル
ボキシジイミドが好ましい。
レン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−
ジ(3−メチル−5−エチルフェニル)ペリレン−3,4,
9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ(3,5−ジ
エチルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキ
シジイミド、N,N′−ジ(3,5−ジプロピルフェニル)ペ
リレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′
−ジ(3,5−ジイソプロピルフェニル)ペリレン−3,4,
9,10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ(3−メ
チル−5−イソプロピルフェニル)ペリレン−3,4,9,10
−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ(3,5−ジブチ
ルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジ
イミド、N,N′−ジ(3,5−ジ−tert−ブチルフェニル)
ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド、N,
N′−ジ(3,5−ジペンチルフェニル)ペリレン−3,4,9,
10−テトラカルボキシジイミド、N,N′−ジ(3,5−ジヘ
キシルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキ
シジイミド等が例示されるが、中でも、N,N′−ジ(3,5
−ジメチルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカル
ボキシジイミドが好ましい。
本発明に使用される電荷輸送材料としてのジアミン誘導
体としては、前記一般式〔II〕〜〔V〕で表される化合
物が用いられる。
体としては、前記一般式〔II〕〜〔V〕で表される化合
物が用いられる。
上記一般式〔II〕〜〔V〕における低級アルキル基とし
ては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル基
などの炭素数1〜6のアルキル基が例示される。上記低
級アルキル基のうち、炭素数1〜4のアルキル基が好ま
しい。
ては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル基
などの炭素数1〜6のアルキル基が例示される。上記低
級アルキル基のうち、炭素数1〜4のアルキル基が好ま
しい。
また、低級アルコキシ基としては、メトキシ、エトキ
シ、ブロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、tert−ブト
キシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などの炭素数
1〜6のアルコキシ基が例示される。上記低級アルコキ
シ基のうち、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましい。
シ、ブロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、tert−ブト
キシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などの炭素数
1〜6のアルコキシ基が例示される。上記低級アルコキ
シ基のうち、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましい。
また、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素およ
びヨウ素原子が挙げられる。
びヨウ素原子が挙げられる。
なお、上記置換基R5〜R20および上記置換基Yは、フェ
ニル環またはナフチル環の任意の位置に置換していても
よい。
ニル環またはナフチル環の任意の位置に置換していても
よい。
また、上記一般式〔II〕で表されるジアミン誘導体にお
いて、n=1のp−フェニレンジアミン誘導体のうち好
ましい化合物としては、例えば、1,4−ビス(N,N−ジフ
ェニルアミノ)ベンゼン、1−(N,N−ジフェニルアミ
ノ)−4−[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニ
ルアミノ]ベンゼン、1,4−ビス[N−(3−メチルフ
ェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼンなどが例示さ
れ、その他に特願昭62-277158号公報P13〜P20に記載の
ジアミン誘導体が例示される。
いて、n=1のp−フェニレンジアミン誘導体のうち好
ましい化合物としては、例えば、1,4−ビス(N,N−ジフ
ェニルアミノ)ベンゼン、1−(N,N−ジフェニルアミ
ノ)−4−[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニ
ルアミノ]ベンゼン、1,4−ビス[N−(3−メチルフ
ェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼンなどが例示さ
れ、その他に特願昭62-277158号公報P13〜P20に記載の
ジアミン誘導体が例示される。
上記一般式〔II〕で表されるジアミン誘導体において、
n=2のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、4,4′−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)
ジフェニル、4,4′−ビス[N−(3−メチルフェニ
ル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,4′−ビス
[N−(3−メトキシフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ジフェニル、4,4′−ビス[N−(3−クロロフェ
ニル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4−[N−
(2−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]−4′
−[N−(4−メチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ジフェニル、4−[N−(2−メチルフェニル)−
N−フェニルアミノ]−4′−[N−(3−メチルフェ
ニル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、3,3′−ジ
メチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェニ
ル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミン、3,3′−
ジメチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェ
ニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミンなどが例
示され、その他に特願昭62-277158号公報P21〜P28に記
載のジアミン誘導体が例示される。
n=2のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、4,4′−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)
ジフェニル、4,4′−ビス[N−(3−メチルフェニ
ル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,4′−ビス
[N−(3−メトキシフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ジフェニル、4,4′−ビス[N−(3−クロロフェ
ニル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4−[N−
(2−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]−4′
−[N−(4−メチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ジフェニル、4−[N−(2−メチルフェニル)−
N−フェニルアミノ]−4′−[N−(3−メチルフェ
ニル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、3,3′−ジ
メチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェニ
ル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミン、3,3′−
ジメチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェ
ニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミンなどが例
示され、その他に特願昭62-277158号公報P21〜P28に記
載のジアミン誘導体が例示される。
上記一般式〔II〕で表されるジアミン誘導体において、
n=3の4,4″−テルフェニルジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、4,4″−ビス(N,N−
ジフェニルアミノ)−1,1′:4′,1″−テルフェニル、
4,4″−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェ
ニルアミノ]−1,1′:4′,1″−テルフェニルなどが例
示され、その他に特願昭62-277158号公報P28〜P34に記
載のジアミン誘導体が例示される。
n=3の4,4″−テルフェニルジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、4,4″−ビス(N,N−
ジフェニルアミノ)−1,1′:4′,1″−テルフェニル、
4,4″−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェ
ニルアミノ]−1,1′:4′,1″−テルフェニルなどが例
示され、その他に特願昭62-277158号公報P28〜P34に記
載のジアミン誘導体が例示される。
また、上記一般式〔III〕で表されるジアミン誘導体に
おいて、n=1のp−フェニレンジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、1−[N−(3,
5−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミノ]−4−
(N,N−ジフェニルアミノ)ベンゼン、1−[N,N−ジ
(3,5−ジメチルフェニル)アミノ]−4−(N,N−ジフ
ェニルアミノ)ベンゼン、1,4−ビス[N−(3,5−ジメ
チルフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼンなどが
例示され、その他に特願昭62-277159号公報P13〜P21に
記載のジアミン誘導体が例示される。
おいて、n=1のp−フェニレンジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、1−[N−(3,
5−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミノ]−4−
(N,N−ジフェニルアミノ)ベンゼン、1−[N,N−ジ
(3,5−ジメチルフェニル)アミノ]−4−(N,N−ジフ
ェニルアミノ)ベンゼン、1,4−ビス[N−(3,5−ジメ
チルフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼンなどが
例示され、その他に特願昭62-277159号公報P13〜P21に
記載のジアミン誘導体が例示される。
上記一般式〔III〕で表されるジアミン誘導体におい
て、n=2のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物
としては、例えば、4,4−ビス[N−(3,5−ジメチルフ
ェニル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,4−ビ
ス[N−(3,5−ジメトキシフェニル)−N−フェニル
アミノ]ジフェニル、4,4−ビス[N−(3,5−ジクロロ
フェニル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,4−
ビス[N−(3,5−ジメチルフェニル)−N−(3−メ
チルフェニル)アミノ]ジフェニル、4−[N−(2,4
−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミノ]−4′−
[N−(3,5−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ジフェニルなどが例示され、その他に特願昭62-277
159号公報P21〜P29に記載のジアミン誘導体が例示され
る。
て、n=2のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物
としては、例えば、4,4−ビス[N−(3,5−ジメチルフ
ェニル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,4−ビ
ス[N−(3,5−ジメトキシフェニル)−N−フェニル
アミノ]ジフェニル、4,4−ビス[N−(3,5−ジクロロ
フェニル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,4−
ビス[N−(3,5−ジメチルフェニル)−N−(3−メ
チルフェニル)アミノ]ジフェニル、4−[N−(2,4
−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミノ]−4′−
[N−(3,5−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ジフェニルなどが例示され、その他に特願昭62-277
159号公報P21〜P29に記載のジアミン誘導体が例示され
る。
上記一般式〔III〕で表されるジアミン誘導体におい
て、n=3の4,4″−テルフェニルジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、4,4″−ビス
[N−(3,5−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]−1,1′:4′,1″−テルフェニル、4−[N−(3,5
−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミノ]−4″−
(N,N−ジフェニルアミノ)−1,1′:4′,1″−テルフェ
ニル、4−[N,N−ビス(3,5−ジメチルフェニル)アミ
ノ]−4″−(N,N−ジフェニルアミノ)−1,1′:4′,
1″−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭62-
277159号公報P29〜P36に記載のジアミン誘導体が例示さ
れる。
て、n=3の4,4″−テルフェニルジアミン誘導体のう
ち、好ましい化合物としては、例えば、4,4″−ビス
[N−(3,5−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]−1,1′:4′,1″−テルフェニル、4−[N−(3,5
−ジメチルフェニル)−N−フェニルアミノ]−4″−
(N,N−ジフェニルアミノ)−1,1′:4′,1″−テルフェ
ニル、4−[N,N−ビス(3,5−ジメチルフェニル)アミ
ノ]−4″−(N,N−ジフェニルアミノ)−1,1′:4′,
1″−テルフェニルなどが例示され、その他に特願昭62-
277159号公報P29〜P36に記載のジアミン誘導体が例示さ
れる。
また、上記一般式〔IV〕で表されるジアミン誘導体にお
いて、n=1のp−フェニレンジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、1,4−ビス[N−
(6−メチルナフチル)−N−フェニルアミノ]ベンゼ
ン、1,4−ビス(N−ナフチル−N−フェニルアミノ)
ベンゼン、1−(N−ナフチル−N−フェニルアミノ)
−4−[N−(6−メチルナフチル)−N−フェニルア
ミノ]ベンゼンなどが例示され、その他に特願昭62-277
161号公報P13〜P19に記載のジアミン誘導体が例示され
る。
いて、n=1のp−フェニレンジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、1,4−ビス[N−
(6−メチルナフチル)−N−フェニルアミノ]ベンゼ
ン、1,4−ビス(N−ナフチル−N−フェニルアミノ)
ベンゼン、1−(N−ナフチル−N−フェニルアミノ)
−4−[N−(6−メチルナフチル)−N−フェニルア
ミノ]ベンゼンなどが例示され、その他に特願昭62-277
161号公報P13〜P19に記載のジアミン誘導体が例示され
る。
上記一般式〔IV〕で表されるジアミン誘導体において、
n=2のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、4,4′−ビス(N−ナフチル−N−フェ
ニルアミノ)ジフェニル、4,4′−ビス[N−(6−メ
チルナフチル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,
4′−ビス[N−(6−メトキシナフチル)−N−フェ
ニルアミノ]ジフェニル、4,4′−ビス[N−(6−ク
ロロナフチル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,
4′−ビス[N−(6−メチルナフチル)−N−(3−
メチルフェニル)アミノ]ジフェニル、4−[N−(6
−メチルナフチル)−N−フェニルアミノ]−4′−
[N−(6−メチルナフチル)−N−(3−メチルフェ
ニル)アミノ]ジフェニル、4−[N−(4−メチルナ
フチル)−N−フェニルアミノ]−4′−[N−(6−
メチルナフチル)−N−フェニルアミノ]ジフェニルな
どが例示され、その他に特願昭62-277161号公報P19〜P2
5に記載のジアミン誘導体が例示される。
n=2のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、4,4′−ビス(N−ナフチル−N−フェ
ニルアミノ)ジフェニル、4,4′−ビス[N−(6−メ
チルナフチル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,
4′−ビス[N−(6−メトキシナフチル)−N−フェ
ニルアミノ]ジフェニル、4,4′−ビス[N−(6−ク
ロロナフチル)−N−フェニルアミノ]ジフェニル、4,
4′−ビス[N−(6−メチルナフチル)−N−(3−
メチルフェニル)アミノ]ジフェニル、4−[N−(6
−メチルナフチル)−N−フェニルアミノ]−4′−
[N−(6−メチルナフチル)−N−(3−メチルフェ
ニル)アミノ]ジフェニル、4−[N−(4−メチルナ
フチル)−N−フェニルアミノ]−4′−[N−(6−
メチルナフチル)−N−フェニルアミノ]ジフェニルな
どが例示され、その他に特願昭62-277161号公報P19〜P2
5に記載のジアミン誘導体が例示される。
上記一般式〔IV〕で表されるジアミン誘導体において、
n=3の4,4″−テルフェニルジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、4,4″−ビス(N−
ナフチル−N−フェニルアミノ)−1,1′:4′,1″−テ
ルフェニル、4,4″−ビス[N−(6−メチルナフチ
ル)−N−フェニルアミノ]−1,1′:4′,1″−テルフ
ェニルなどが例示され、その他に特願昭62-277161号公
報P25〜P30に記載のジアミン誘導体が例示される。
n=3の4,4″−テルフェニルジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、4,4″−ビス(N−
ナフチル−N−フェニルアミノ)−1,1′:4′,1″−テ
ルフェニル、4,4″−ビス[N−(6−メチルナフチ
ル)−N−フェニルアミノ]−1,1′:4′,1″−テルフ
ェニルなどが例示され、その他に特願昭62-277161号公
報P25〜P30に記載のジアミン誘導体が例示される。
また、上記一般式〔V〕で表されるジアミン誘導体にお
いて、n=1のp−フェニレンジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、1,4−ビス(N,N−ジ
ナフチルアミノ)ベンゼン、1−(N,N−ジナフチルア
ミノ)−4−[N−(6−メチルナフチル)−N−ナフ
チルアミノ]ベンゼン、1,4−ビス[N−(6−メチル
ナフチル)−N−ナフチルアミノ]ベンゼンなどが例示
され、その他に特願昭62-277162号公報P13〜P22に記載
のジアミン誘導体が例示される。
いて、n=1のp−フェニレンジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、1,4−ビス(N,N−ジ
ナフチルアミノ)ベンゼン、1−(N,N−ジナフチルア
ミノ)−4−[N−(6−メチルナフチル)−N−ナフ
チルアミノ]ベンゼン、1,4−ビス[N−(6−メチル
ナフチル)−N−ナフチルアミノ]ベンゼンなどが例示
され、その他に特願昭62-277162号公報P13〜P22に記載
のジアミン誘導体が例示される。
上記一般式〔V〕で表されるジアミン誘導体において、
n=2のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、4,4′−ビス[N,N−ジ(6−メチルナフ
チル)アミノ]ジフェニル、4,4′−ビス[N−(6−
メチルナフチル)−N−ナフチルアミノ]ジフェニル、
4,4′−ビス[N−(6−メトキシナフチル)−N−ナ
フチルアミノ]ジフェニル、4,4′−ビス[N−(6−
クロロナフチル)−N−ナフチルアミノ]ジフェニル、
4−[N,N−ジ(6−メチルナフチル)アミノ]−4′
−[N−(6−メチルナフチル)−N−ナフチルアミ
ノ]ジフェニル、4−[N−(4−メチルナフチル)ア
ミノ−N−ナフチルアミノ]−4′−[N−(6−メチ
ルナフチル)−N−ナフチルアミノ]ジフェニルなどが
例示され、その他に特願昭62-277162号公報P22〜P30に
記載のジアミン誘導体が例示される。
n=2のベンジジン誘導体のうち、好ましい化合物とし
ては、例えば、4,4′−ビス[N,N−ジ(6−メチルナフ
チル)アミノ]ジフェニル、4,4′−ビス[N−(6−
メチルナフチル)−N−ナフチルアミノ]ジフェニル、
4,4′−ビス[N−(6−メトキシナフチル)−N−ナ
フチルアミノ]ジフェニル、4,4′−ビス[N−(6−
クロロナフチル)−N−ナフチルアミノ]ジフェニル、
4−[N,N−ジ(6−メチルナフチル)アミノ]−4′
−[N−(6−メチルナフチル)−N−ナフチルアミ
ノ]ジフェニル、4−[N−(4−メチルナフチル)ア
ミノ−N−ナフチルアミノ]−4′−[N−(6−メチ
ルナフチル)−N−ナフチルアミノ]ジフェニルなどが
例示され、その他に特願昭62-277162号公報P22〜P30に
記載のジアミン誘導体が例示される。
上記一般式〔V〕で表されるジアミン誘導体において、
n=3の4,4″−テルフェニルジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、4,4″−ビス(N,N−
ジナフチルアミノ)−1,1′:4′,1″−テルフェニル、
4,4″−ビス[N−(6−メチルナフチル)−N−ナフ
チルアミノ]−1,1′:4′,1″−テルフェニルなどが例
示され、その他に特願昭62-277162号公報P30〜P38に記
載のジアミン誘導体が例示される。
n=3の4,4″−テルフェニルジアミン誘導体のうち、
好ましい化合物としては、例えば、4,4″−ビス(N,N−
ジナフチルアミノ)−1,1′:4′,1″−テルフェニル、
4,4″−ビス[N−(6−メチルナフチル)−N−ナフ
チルアミノ]−1,1′:4′,1″−テルフェニルなどが例
示され、その他に特願昭62-277162号公報P30〜P38に記
載のジアミン誘導体が例示される。
上記一般式〔II〕〜〔V〕で表されるジアミン誘導体
は、一種または二種以上混合して用いられる。なお、上
記ジアミン誘導体は、分子の対称性がよく、光照射によ
り異性化反応などが生じず、光安定性に優れているだけ
でなく、ドリフト移動度が大きく、しかもドリフト移動
度に関する電界強度依存性が小さい。
は、一種または二種以上混合して用いられる。なお、上
記ジアミン誘導体は、分子の対称性がよく、光照射によ
り異性化反応などが生じず、光安定性に優れているだけ
でなく、ドリフト移動度が大きく、しかもドリフト移動
度に関する電界強度依存性が小さい。
上記のような特性を有するジアミン誘導体と、前記ペリ
レン系化合物とを組み合わせることにより、単層型感光
層を有する感光体であっても、高感度で残留電位の小さ
なものが得られる。
レン系化合物とを組み合わせることにより、単層型感光
層を有する感光体であっても、高感度で残留電位の小さ
なものが得られる。
本発明に使用される結着樹脂としては、種々のもの、例
えば、スチレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン
−アクリル系重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、
アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、
アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ
樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホ
ン、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、ケトン樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フ
ェノール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬化型樹
脂等、各種の重合体が使用できるが、感光体の感度を高
め、感光体の耐摩耗性および繰り返し特性に優れると共
に結着樹脂を溶解する溶剤の選択幅が広いポリ(4,4′
−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネートが好ま
しい。上記ポリ(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニ
ル)カーボネートを用いると、従来、溶液安定性等の点
から、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン等の塩素系
溶剤しか使用できなかったビスフェノールA型ポリカー
ボネートと異なり、テトラヒドロフラン、メチルエチル
ケトン等の溶剤も使用することができるので、安全衛生
上も好ましく、取扱いが容易である。なお、上記ポリ
(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネー
トの中でも、分子量15000〜25000、ガラス転移点が58℃
程度のものが好ましい。
えば、スチレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン
−アクリル系重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、
アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、
アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ
樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホ
ン、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、ケトン樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フ
ェノール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬化型樹
脂等、各種の重合体が使用できるが、感光体の感度を高
め、感光体の耐摩耗性および繰り返し特性に優れると共
に結着樹脂を溶解する溶剤の選択幅が広いポリ(4,4′
−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネートが好ま
しい。上記ポリ(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニ
ル)カーボネートを用いると、従来、溶液安定性等の点
から、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン等の塩素系
溶剤しか使用できなかったビスフェノールA型ポリカー
ボネートと異なり、テトラヒドロフラン、メチルエチル
ケトン等の溶剤も使用することができるので、安全衛生
上も好ましく、取扱いが容易である。なお、上記ポリ
(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネー
トの中でも、分子量15000〜25000、ガラス転移点が58℃
程度のものが好ましい。
上記ペリレン系化合物とジアミン誘導体と上記結着樹脂
との使用割合は、特に限定されず、所望する電子写真感
光体の特性等に応じて適宜選択することができるが、結
着樹脂100重量部に対して、ペリレン系化合物2〜20重
量部、好ましくは、3〜15重量部、ジアミン誘導体40〜
200重量部、好ましくは、50〜100重量部使用される。ペ
リレン系化合物およびジアミン誘導体が上記使用量より
も少ないと、感光体の感度が十分でないばかりか、残留
電位が大きくなる。また上記範囲を越えると感光体の耐
摩耗性等が十分でなくなる。
との使用割合は、特に限定されず、所望する電子写真感
光体の特性等に応じて適宜選択することができるが、結
着樹脂100重量部に対して、ペリレン系化合物2〜20重
量部、好ましくは、3〜15重量部、ジアミン誘導体40〜
200重量部、好ましくは、50〜100重量部使用される。ペ
リレン系化合物およびジアミン誘導体が上記使用量より
も少ないと、感光体の感度が十分でないばかりか、残留
電位が大きくなる。また上記範囲を越えると感光体の耐
摩耗性等が十分でなくなる。
なお、通常、上記ペリレン系化合物を多量に使用すると
正帯電性が十分でなくなり、小量であると感度等が低下
するが、本発明の電子写真感光体においては、特定のペ
リレン系化合物とジアミン誘導体とX型メタルフリーフ
タロシアニンを組み合わせているので、ペリレン系化合
物の量が小量であっても感度および表面電位が高く、し
かも残留電位の小さい、正帯電性に優れた電子写真感光
体を得ることができる。
正帯電性が十分でなくなり、小量であると感度等が低下
するが、本発明の電子写真感光体においては、特定のペ
リレン系化合物とジアミン誘導体とX型メタルフリーフ
タロシアニンを組み合わせているので、ペリレン系化合
物の量が小量であっても感度および表面電位が高く、し
かも残留電位の小さい、正帯電性に優れた電子写真感光
体を得ることができる。
本発明に使用されるX型メタルフリーフタロシアニン
は、ブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.5°、9.1°、16.
7°、17.3°、22.3°に強い解析ピークを示すものが好
ましい。上記X型メタルフリーフタロシアニンをペリレ
ン系化合物100重量部に対して1.25乃至3.75重量部添加
することで、分光感度領域が長波長側に拡大し、より感
光体の感度が高くなるのである。しかし、X型メタルフ
リーフタロシアニンをペリレン系化合物100重量部に対
して1.25重量部以下添加しただけでは、長波長側への増
感効果が生じない。また、X型メタルフリーフタロシア
ニンをペリレン系化合物100重量部に対して3.75重量部
以上添加すると逆に長波長側での分光感度が高くなって
しまい、赤色原稿の再現性が悪くなってしまう。
は、ブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.5°、9.1°、16.
7°、17.3°、22.3°に強い解析ピークを示すものが好
ましい。上記X型メタルフリーフタロシアニンをペリレ
ン系化合物100重量部に対して1.25乃至3.75重量部添加
することで、分光感度領域が長波長側に拡大し、より感
光体の感度が高くなるのである。しかし、X型メタルフ
リーフタロシアニンをペリレン系化合物100重量部に対
して1.25重量部以下添加しただけでは、長波長側への増
感効果が生じない。また、X型メタルフリーフタロシア
ニンをペリレン系化合物100重量部に対して3.75重量部
以上添加すると逆に長波長側での分光感度が高くなって
しまい、赤色原稿の再現性が悪くなってしまう。
また、酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を受け易い
構造を持つ電荷輸送材料等の酸化による劣化を好適に防
止することができる。
構造を持つ電荷輸送材料等の酸化による劣化を好適に防
止することができる。
上記酸化防止剤としては、2,6−ジ−tert−ブチル−p
−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス〔3−
(3−tert−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート〕、1,6−ヘキサンジオール−ビ
ス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート〕、ペンタエリスリチル−テト
ラキス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオ−ジエチレ
ンビス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオビス(4−
メチル−6−tert−ブチルフェノール)、N,N′−ヘキ
サメチレンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシ−ヒドロシンナマミド)、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ
ベンジル)ベンゼン等のフェノール系酸化防止剤を例示
することができるが、中でも、2,6−ジ−tert−ブチル
−p−クレゾールが好ましい。
−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス〔3−
(3−tert−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート〕、1,6−ヘキサンジオール−ビ
ス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート〕、ペンタエリスリチル−テト
ラキス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオ−ジエチレ
ンビス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオビス(4−
メチル−6−tert−ブチルフェノール)、N,N′−ヘキ
サメチレンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシ−ヒドロシンナマミド)、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ
ベンジル)ベンゼン等のフェノール系酸化防止剤を例示
することができるが、中でも、2,6−ジ−tert−ブチル
−p−クレゾールが好ましい。
本発明の感光体は、前述した各成分を含有する塗布液を
調製し、この塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させ
ることで得られる。
調製し、この塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させ
ることで得られる。
上記導電性基体は、導電性を有するシート状やドラム状
のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料、
例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理の
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記金
属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラス
チック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫酸
アルマイト法で陽極酸化し、酢酸ニッケルで封孔処理し
たものが好ましい。
のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料、
例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理の
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記金
属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラス
チック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫酸
アルマイト法で陽極酸化し、酢酸ニッケルで封孔処理し
たものが好ましい。
なお、導電性基体は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。
上記塗布液の調製に際しては、使用される結着樹脂等の
種類に応じて適宜の有機溶剤が使用され、該有機溶剤と
しては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコール
類、n−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪
族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化
炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テトラ
ヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、
エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類等種
々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合して用い
られる。また、上記各塗布液を調製する際、分散性、塗
工性等をよくするため、界面活性剤、シリコーンオイル
などのレベリング剤、あるいはターフェニル、ハロナフ
トキノン類、アセナフチレンなどの従来公知の増感剤
等、種々の添加剤を併用していてもよい。上記シリコー
ンオイルとしては、ポリジメチルシロキサンが好まし
い。
種類に応じて適宜の有機溶剤が使用され、該有機溶剤と
しては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコール
類、n−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪
族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化
炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テトラ
ヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、
エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類等種
々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合して用い
られる。また、上記各塗布液を調製する際、分散性、塗
工性等をよくするため、界面活性剤、シリコーンオイル
などのレベリング剤、あるいはターフェニル、ハロナフ
トキノン類、アセナフチレンなどの従来公知の増感剤
等、種々の添加剤を併用していてもよい。上記シリコー
ンオイルとしては、ポリジメチルシロキサンが好まし
い。
上記各塗布液などは、従来慣用の混合分散方法、例え
ば、ペイントシェーカー、ミキサー、ボールミル、サン
ドミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調整す
ることができ、得られた分散液などの塗布に際しては、
従来慣用のコーティング方法、例えば、ディップコーテ
ィング、スプレーコーティング、スピンコーティング、
ローラーコーティング、ブレードコーティング、カーテ
ンコーティング、バーコーティング法等が採用される。
ば、ペイントシェーカー、ミキサー、ボールミル、サン
ドミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調整す
ることができ、得られた分散液などの塗布に際しては、
従来慣用のコーティング方法、例えば、ディップコーテ
ィング、スプレーコーティング、スピンコーティング、
ローラーコーティング、ブレードコーティング、カーテ
ンコーティング、バーコーティング法等が採用される。
本発明における電子写真感光体の単層型感光体は、適宜
の厚みを有してもよいが、15〜30μm、特に18〜27μm
の厚みを有するものが好ましい。
の厚みを有してもよいが、15〜30μm、特に18〜27μm
の厚みを有するものが好ましい。
(実施例) 以下に、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明す
る。
る。
実施例1 ポリ(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボ
ネート(三菱瓦斯化学社製、商品名ポリカーボネート
Z)100重量部、N,N′−ジ(3,5−ジメチルフェニル)
ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド8重量
部、X型メタルフリーフタロシアニン(大日本インキ社
製)0.2重量部、3,3′−ジエチル−N,N,N′,N′−テト
ラキス−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−
4,4′−ジアミン100重量部、シリコンオイル(信越化学
社製)0.01重量部および所定量のテトラヒドロフランを
用い、超音波分散器にて単層型感光層用分散液を調製す
ると共に、約8μmにアルマイト処理されたアルミニウ
ム素管上に塗布し、約100℃で熱処理を加えることによ
り、厚み約23μmの感光層を有する電子写真感光体を作
製した。
ネート(三菱瓦斯化学社製、商品名ポリカーボネート
Z)100重量部、N,N′−ジ(3,5−ジメチルフェニル)
ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボキシジイミド8重量
部、X型メタルフリーフタロシアニン(大日本インキ社
製)0.2重量部、3,3′−ジエチル−N,N,N′,N′−テト
ラキス−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−
4,4′−ジアミン100重量部、シリコンオイル(信越化学
社製)0.01重量部および所定量のテトラヒドロフランを
用い、超音波分散器にて単層型感光層用分散液を調製す
ると共に、約8μmにアルマイト処理されたアルミニウ
ム素管上に塗布し、約100℃で熱処理を加えることによ
り、厚み約23μmの感光層を有する電子写真感光体を作
製した。
実施例2 実施例1の3,3′−ジエチル−N,N,N′,N′−テトラキス
−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−
ジアミンに代えて、4,4′−ビス[N−(3,5−ジメチル
フェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル100重量
部を用い、上記実施例1と同様にして電子写真感光体を
作製した。
−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−
ジアミンに代えて、4,4′−ビス[N−(3,5−ジメチル
フェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル100重量
部を用い、上記実施例1と同様にして電子写真感光体を
作製した。
実施例3 実施例1の3,3′−ジエチル−N,N,N′,N′−テトラキス
−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−
ジアミンに代えて4,4′−ビス[N−(6−メチルナフ
チル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルを100重量部
用い、上記実施例1と同様にして電子写真感光体を作製
した。
−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−
ジアミンに代えて4,4′−ビス[N−(6−メチルナフ
チル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルを100重量部
用い、上記実施例1と同様にして電子写真感光体を作製
した。
実施例4 実施例1の3,3′−ジエチル−N,N,N′,N′−テトラキス
−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−
ジアミンに代えて、4,4′−ビス[N−(6−メチルナ
フチル)−N−ナフチルアミノ]ビフェニルを100重量
部用い、上記実施例1と同様にして電子写真感光体を作
製した。
−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−
ジアミンに代えて、4,4′−ビス[N−(6−メチルナ
フチル)−N−ナフチルアミノ]ビフェニルを100重量
部用い、上記実施例1と同様にして電子写真感光体を作
製した。
比較例1 実施例1の3,3′−ジエチル−N,N,N′,N′−テトラキス
−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−
ジアミンに代えて、N−エチル−3−カルバゾリルアル
デヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン100重量部を用いて、
上記実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−
ジアミンに代えて、N−エチル−3−カルバゾリルアル
デヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン100重量部を用いて、
上記実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
比較例2 実施例1のX型メタルフリーフタロシアニンに代えて、
β型メタルフリーフタロシアニン0.2重量部を用いて、
上記実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
β型メタルフリーフタロシアニン0.2重量部を用いて、
上記実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
比較例3 実施例1において、X型メタルフリーフタロシアニンを
0.05重量部用いる以外は上記実施例1と同様にして電子
写真感光体を作製した。
0.05重量部用いる以外は上記実施例1と同様にして電子
写真感光体を作製した。
比較例4 実施例1において、X型メタルフリーフタロシアニンを
0.4重量部用いる以外は上記実施例1と同様にして電子
写真感光体を作製した。
0.4重量部用いる以外は上記実施例1と同様にして電子
写真感光体を作製した。
評価試験 (a)帯電特性、感光特性等 上記各実施例および比較例で得られた電子写真用感光体
の帯電特性、感光特性を調べるため、ドラム感度試験機
(ジェンテック社製、ジェンテック シンシア 30M)
を用いて各感光体を正に帯電させ、それらの帯電電位
(表面電位)S.P(V)を測定した。また、ハロゲンラ
ンプにより露光し、前記帯電電位が1/2となるまでの時
間を求め、半減露光量E1/2(μJ/cm2)を算出した。ま
た、露光後、0.15秒経過後の表面電位を残留電位R.P
(V)とした。
の帯電特性、感光特性を調べるため、ドラム感度試験機
(ジェンテック社製、ジェンテック シンシア 30M)
を用いて各感光体を正に帯電させ、それらの帯電電位
(表面電位)S.P(V)を測定した。また、ハロゲンラ
ンプにより露光し、前記帯電電位が1/2となるまでの時
間を求め、半減露光量E1/2(μJ/cm2)を算出した。ま
た、露光後、0.15秒経過後の表面電位を残留電位R.P
(V)とした。
(b)赤色再現性 赤と同じ明度のグレー原稿を複写し、得られた複写物の
反射濃度を反射濃度計によって測定した後、 を算出することで赤色再現性を調べた。赤色再現性が70
%以下のものを×、70〜100%の範囲内のものを△、100
%以上のものを○として評価した。
反射濃度を反射濃度計によって測定した後、 を算出することで赤色再現性を調べた。赤色再現性が70
%以下のものを×、70〜100%の範囲内のものを△、100
%以上のものを○として評価した。
上記実施例および比較例で得られた各電子写真感光体の
帯電特性、感光特性および赤色再現性の結果を表に示
す。
帯電特性、感光特性および赤色再現性の結果を表に示
す。
表から明らかなように、本発明の電子写真感光体は、半
減露光量が小さく感度が良好であり、表面電位が高く、
残留電位が小さい。
減露光量が小さく感度が良好であり、表面電位が高く、
残留電位が小さい。
これに対して、比較例1、2の感光体は、感度が低く、
残留電位も大きくなっている。
残留電位も大きくなっている。
また、X型メタルフリーフタロシアニンをペリレン系化
合物に対して1.25重量部より少なく添加した比較例3の
感光体は、実施例1の感光体に比べて感度が低く、残留
電位も大きい。一方、3.75重量部より多く添加した比較
例4の感光体は、赤色再現性が悪くなっている。
合物に対して1.25重量部より少なく添加した比較例3の
感光体は、実施例1の感光体に比べて感度が低く、残留
電位も大きい。一方、3.75重量部より多く添加した比較
例4の感光体は、赤色再現性が悪くなっている。
(発明の効果) 以上のように、本発明によれば、特定のペリレン化合物
とジアミン誘導体とX型メタルフリーフタロシアニンを
組み合わせることにより、高感度の電子写真感光体を得
ることができる。
とジアミン誘導体とX型メタルフリーフタロシアニンを
組み合わせることにより、高感度の電子写真感光体を得
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 住田 圭介 大阪府大阪市中央区玉造1丁目2番28号 三田工業株式会社内 (72)発明者 中沢 享 大阪府大阪市中央区玉造1丁目2番28号 三田工業株式会社内 審査官 須磨 光夫 (56)参考文献 特開 昭62−103650(JP,A) 特開 昭63−188152(JP,A) 特公 平5−20742(JP,B2) 特公 平5−20743(JP,B2) 特公 平5−20744(JP,B2) 特公 平5−20745(JP,B2)
Claims (5)
- 【請求項1】結着樹脂中に、電荷発生材料として下記一
般式〔I〕 (式中、R1、R2、R3およびR4は、アルキル基を示す)で表
されるペリレン系化合物と、電荷輸送材料として下記一
般式〔II〕〜〔V〕 (式中、R5〜R20は、同一または異なって、水素原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子
を示す;Yは、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基またはハロゲン原子を示す;nは1〜3の整数を示
す;l、m、oおよびpは0〜2の整数を示す;但し、
R9、R10、R11およびR12は同時に水素原子でないものと
し、水素原子でない前記R9、R10、R11およびR12のl、
m、oおよびpは、少なくとも1つが2であるものとす
る) で表されるジアミン誘導体の群から選ばれる少なくとも
1種の化合物と、さらに上記ペリレン系化合物100重量
部に対して1.25乃至3.75重量部のX型メタルフリーフタ
ロシアニンを含有する感光層を、導電性基体上に形成す
ることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項2】該感光層が、酸化防止剤を含有する請求項
第1項記載の電子写真感光体。 - 【請求項3】ペリレン系化合物が、N,N′−ビス(3,5−
ジメチルフェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボ
キシジイミドである請求項第1項記載の電子写真感光
体。 - 【請求項4】R5〜R20が、同一または異なって、炭素数
1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基また
はハロゲン原子である請求項第1項記載の電子写真感光
体。 - 【請求項5】Yが、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数
1〜4のアルコキシ基またはハロゲン原子である請求項
第1項記載の電子写真感光体。
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DE69019038T DE69019038T2 (de) | 1989-02-28 | 1990-02-28 | Elektrophotoempfindliches Material. |
US07/485,320 US5153088A (en) | 1989-02-28 | 1990-02-28 | Electrophotosensitive material with x-type metal free phthalocyanine and perylene compound |
EP90103907A EP0385440B1 (en) | 1989-02-28 | 1990-02-28 | Electrophotosensitive material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1049107A JPH06100838B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 電子写真感光体 |
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Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=12821856
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JP (1) | JPH06100838B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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-
1989
- 1989-02-28 JP JP1049107A patent/JPH06100838B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH02228671A (ja) | 1990-09-11 |
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