JPH06100398A - 鏡面を有するダイヤモンド膜の製造方法 - Google Patents
鏡面を有するダイヤモンド膜の製造方法Info
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- JPH06100398A JPH06100398A JP24991992A JP24991992A JPH06100398A JP H06100398 A JPH06100398 A JP H06100398A JP 24991992 A JP24991992 A JP 24991992A JP 24991992 A JP24991992 A JP 24991992A JP H06100398 A JPH06100398 A JP H06100398A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相合成法によって鏡面を有するダイヤモン
ド膜を容易に形成することができ、しかも基体を何度で
も使用可能である様な、経済的な方法を提供する。 【構成】 基体上に、IVａ，Ｖａ，VIａ族元素の炭化
物，窒化物，炭窒化物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2
Ｏ3 よりなる群から選択される１種以上からなる下地コ
ーティング層を形成すると共に、該下地コーティング層
の表面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下とし、６００℃
以上で下地コーティング層上にダイヤモンド膜を成膜
し、引き続き前記基体を冷却することによってダイヤモ
ンド膜を剥離する。
ド膜を容易に形成することができ、しかも基体を何度で
も使用可能である様な、経済的な方法を提供する。 【構成】 基体上に、IVａ，Ｖａ，VIａ族元素の炭化
物，窒化物，炭窒化物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2
Ｏ3 よりなる群から選択される１種以上からなる下地コ
ーティング層を形成すると共に、該下地コーティング層
の表面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下とし、６００℃
以上で下地コーティング層上にダイヤモンド膜を成膜
し、引き続き前記基体を冷却することによってダイヤモ
ンド膜を剥離する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐摩耗性鏡面や耐摩耗
性摺動面等の用途に有用な鏡面を有し、例えばビデオデ
ィスクのヘッドや切削工具の刃先等の素材として用いら
れるダイヤモンド膜を製造する為の方法に関するもので
ある。
性摺動面等の用途に有用な鏡面を有し、例えばビデオデ
ィスクのヘッドや切削工具の刃先等の素材として用いら
れるダイヤモンド膜を製造する為の方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】平滑な面（以下、鏡面と呼ぶ）を有する
ダイヤモンド膜は、耐摩耗性鏡面や耐摩耗性摺動面とし
て利用されており、例えばビデオディスクのヘッドや切
削工具の刃先等の素材として使用されている。
ダイヤモンド膜は、耐摩耗性鏡面や耐摩耗性摺動面とし
て利用されており、例えばビデオディスクのヘッドや切
削工具の刃先等の素材として使用されている。
【０００３】ところで近年では、マイクロ波や熱フィラ
メント等によって生成した炭化水素−水素混合ガスプラ
ズマを利用した化学気相合成法によって、Ｓｉ，Ｍｏ等
の金属やＳｉ3 Ｎ4 ，ＷＣ等の化合物からなる基板上に
ダイヤモンドを膜状に形成することが可能になってい
る。しかしながら、気相合成法によって通常の基板上に
合成されるダイヤモンド膜は数μｍ程度の粒子からなる
多結晶体であり、且つ各粒子の成長速度が異なっている
ので、ダイヤモンド膜の表面には数μｍ程度の凹凸がで
き、鏡面を有するダイヤモンド膜は得られていなかっ
た。尚気相合成法によって得られたダイヤモンド膜の表
面を、スカイフ盤等を用いて研磨することによって該表
面を鏡面状態とすることは一応可能であるが、ダイヤモ
ンドは最も硬い物質であるので、これを鏡面状態まで研
磨するには長時間を要するという問題がある。
メント等によって生成した炭化水素−水素混合ガスプラ
ズマを利用した化学気相合成法によって、Ｓｉ，Ｍｏ等
の金属やＳｉ3 Ｎ4 ，ＷＣ等の化合物からなる基板上に
ダイヤモンドを膜状に形成することが可能になってい
る。しかしながら、気相合成法によって通常の基板上に
合成されるダイヤモンド膜は数μｍ程度の粒子からなる
多結晶体であり、且つ各粒子の成長速度が異なっている
ので、ダイヤモンド膜の表面には数μｍ程度の凹凸がで
き、鏡面を有するダイヤモンド膜は得られていなかっ
た。尚気相合成法によって得られたダイヤモンド膜の表
面を、スカイフ盤等を用いて研磨することによって該表
面を鏡面状態とすることは一応可能であるが、ダイヤモ
ンドは最も硬い物質であるので、これを鏡面状態まで研
磨するには長時間を要するという問題がある。
【０００４】こうした問題を解消する技術として、例え
ば特開昭６１−１５１０９７号公報の様な方法も提案さ
れている。この方法は、鏡面を有するＳｉウェハー基板
上に、気相合成法でダイヤモンド膜を形成した後、前記
基板をフッ化水素酸によって溶解除去することによっ
て、ダイヤモンド膜の表面を鏡面状態とするものであ
る。この方法によれば、Ｓｉ基板の鏡面がダイヤモンド
膜の基板側面に転写されるので、研磨することなく鏡面
を有するダイヤモンド膜を製造することができる。しか
しながらこの方法では、ダイヤモンド膜を基板上に形成
した後、基板を溶解除去しているので、工程的に繁雑と
なり、しかもフッ化水素酸を使用するので取扱い面や設
備面等で安全対策も必要となる。そればかりか、Ｓｉ基
板は溶解除去されるので１度しか使用できず、経済的で
ない。
ば特開昭６１−１５１０９７号公報の様な方法も提案さ
れている。この方法は、鏡面を有するＳｉウェハー基板
上に、気相合成法でダイヤモンド膜を形成した後、前記
基板をフッ化水素酸によって溶解除去することによっ
て、ダイヤモンド膜の表面を鏡面状態とするものであ
る。この方法によれば、Ｓｉ基板の鏡面がダイヤモンド
膜の基板側面に転写されるので、研磨することなく鏡面
を有するダイヤモンド膜を製造することができる。しか
しながらこの方法では、ダイヤモンド膜を基板上に形成
した後、基板を溶解除去しているので、工程的に繁雑と
なり、しかもフッ化水素酸を使用するので取扱い面や設
備面等で安全対策も必要となる。そればかりか、Ｓｉ基
板は溶解除去されるので１度しか使用できず、経済的で
ない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした事情
に着目してなされたものであって、その目的は、気相合
成法によって鏡面を有するダイヤモンド膜を容易に形成
することができ、しかも基体を何度でも使用可能である
様な、経済的なダイヤモンド膜の製造方法を提供するこ
とにある。
に着目してなされたものであって、その目的は、気相合
成法によって鏡面を有するダイヤモンド膜を容易に形成
することができ、しかも基体を何度でも使用可能である
様な、経済的なダイヤモンド膜の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成し得た本
発明方法とは、基体上に、IVａ，Ｖａ族元素の炭化物，
窒化物，炭窒化物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2 Ｏ3
よりなる群から選択される１種以上からなる下地コーテ
ィング層を形成すると共に、該下地コーティング層の表
面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下とし、６００℃以上
で下地コーティング層上にダイヤモンド膜を成膜し、引
き続き前記基体を冷却することによってダイヤモンド膜
を剥離する点に要旨を有するダイヤモンド膜の製造方法
である。
発明方法とは、基体上に、IVａ，Ｖａ族元素の炭化物，
窒化物，炭窒化物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2 Ｏ3
よりなる群から選択される１種以上からなる下地コーテ
ィング層を形成すると共に、該下地コーティング層の表
面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下とし、６００℃以上
で下地コーティング層上にダイヤモンド膜を成膜し、引
き続き前記基体を冷却することによってダイヤモンド膜
を剥離する点に要旨を有するダイヤモンド膜の製造方法
である。
【０００７】尚上記方法を実施するに当たり、下地コー
ティング層の表面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下にす
る手段の一例として、表面粗度がＲｍａｘで０．１μｍ
以下の基体表面上に、前記下記コーティング層を０．１
〜１０μｍコーティングする構成を挙げることができ
る。
ティング層の表面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下にす
る手段の一例として、表面粗度がＲｍａｘで０．１μｍ
以下の基体表面上に、前記下記コーティング層を０．１
〜１０μｍコーティングする構成を挙げることができ
る。
【０００８】また上記目的を達成し得た本発明の他の方
法とは、IVａ，Ｖａ族元素の炭化物，窒化物，炭窒化
物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2 Ｏ3 よりなる群から
選択される１種以上からなり、且つ表面粗度がＲｍａｘ
で０．１μｍ以下の基体上に、６００℃以上でダイヤモ
ンド膜を成膜し、引き続き前記基体を冷却することによ
ってダイヤモンド膜を剥離する点に要旨を有するダイヤ
モンド膜の製造方法である。
法とは、IVａ，Ｖａ族元素の炭化物，窒化物，炭窒化
物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2 Ｏ3 よりなる群から
選択される１種以上からなり、且つ表面粗度がＲｍａｘ
で０．１μｍ以下の基体上に、６００℃以上でダイヤモ
ンド膜を成膜し、引き続き前記基体を冷却することによ
ってダイヤモンド膜を剥離する点に要旨を有するダイヤ
モンド膜の製造方法である。
【０００９】
【作用】ダイヤモンド膜はヤング率の大きな物質であ
り、少ない歪でも大きな応力が発生する。本発明者らは
この様なダイヤモンド膜の特性を考慮しつつ、鏡面を有
するダイヤモンド膜を製造する為の方法について様々な
角度から検討した。その結果、基体上に下記の物質から
なる下地コーティング層を形成しておき、気相合成温度
を６００℃以上でダイヤモンドを成膜し、引き続き基体
を室温程度まで冷却すれば、冷却する間にダイヤモンド
膜に内部応力が発生し、且つ下地コーティング層との密
着性の悪さおよび熱膨張係数の差からダイヤモンド膜が
下地コーティング層との界面から自発的に剥離すること
を見出した。そして、下地コーティング層の表面粗度を
Ｒｍａｘで０．１μｍ以下の鏡面状態としておけば、ダ
イヤモンド膜剥離面には、下地の鏡面が転写され、且つ
純粋なダイヤモンドが露出することを見出し、本発明を
完成した。
り、少ない歪でも大きな応力が発生する。本発明者らは
この様なダイヤモンド膜の特性を考慮しつつ、鏡面を有
するダイヤモンド膜を製造する為の方法について様々な
角度から検討した。その結果、基体上に下記の物質から
なる下地コーティング層を形成しておき、気相合成温度
を６００℃以上でダイヤモンドを成膜し、引き続き基体
を室温程度まで冷却すれば、冷却する間にダイヤモンド
膜に内部応力が発生し、且つ下地コーティング層との密
着性の悪さおよび熱膨張係数の差からダイヤモンド膜が
下地コーティング層との界面から自発的に剥離すること
を見出した。そして、下地コーティング層の表面粗度を
Ｒｍａｘで０．１μｍ以下の鏡面状態としておけば、ダ
イヤモンド膜剥離面には、下地の鏡面が転写され、且つ
純粋なダイヤモンドが露出することを見出し、本発明を
完成した。
【００１０】本発明で下地コーティング層として用いる
物質は、IVａ，Ｖａ，VIａ族元素の炭化物，窒化物，炭
窒化物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2 Ｏ3 よりなる群
から選択される１種以上であるが、これらの物質を用い
る理由は下記の通りである。即ち、これらの物質はダイ
ヤモンド膜との界面に反応層を作らないのでダイヤモン
ドとの密着性が悪く、且つダイヤモンドとの熱膨張係数
差によって、前述した冷却によってダイヤモンド膜が容
易に剥離する。
物質は、IVａ，Ｖａ，VIａ族元素の炭化物，窒化物，炭
窒化物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2 Ｏ3 よりなる群
から選択される１種以上であるが、これらの物質を用い
る理由は下記の通りである。即ち、これらの物質はダイ
ヤモンド膜との界面に反応層を作らないのでダイヤモン
ドとの密着性が悪く、且つダイヤモンドとの熱膨張係数
差によって、前述した冷却によってダイヤモンド膜が容
易に剥離する。
【００１１】尚下地コーティング層を形成する方法につ
いては、特に制限するものではなく、例えばイオンプレ
ーティング法，スパッタリング法，プラズマＣＶＤ法，
真空蒸着法，電気めっき法などの中から適宜選んで採用
すればよい。また下地コーティング層の表面粗度をＲｍ
ａｘで０．１μｍ以下にする手段としては、基体表面に
下地コーティング層を形成した後、その表面を研磨して
もよいが、基体の表面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下
に研磨した後該表面に厚さ０．１〜１０μｍの下地コー
ティング層を形成し、基体表面の表面粗度が下地コーテ
ィング層表面の表面粗度に反映する様にしてもよい。こ
のとき、下地コーティング層の厚さを０．１〜１０μｍ
とするのは、０．１μｍ未満では下地コーティング層に
ピンホール等の欠陥が発生し、ダイヤモンド膜の剥離面
に基体との反応物が付着し、一方１０μｍを超えると基
体表面の表面粗度が下地コーティング層の表面に反映さ
れず、下地コーティング層の表面粗度がＲｍａｘで０．
１μｍより大きくなるからである。
いては、特に制限するものではなく、例えばイオンプレ
ーティング法，スパッタリング法，プラズマＣＶＤ法，
真空蒸着法，電気めっき法などの中から適宜選んで採用
すればよい。また下地コーティング層の表面粗度をＲｍ
ａｘで０．１μｍ以下にする手段としては、基体表面に
下地コーティング層を形成した後、その表面を研磨して
もよいが、基体の表面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下
に研磨した後該表面に厚さ０．１〜１０μｍの下地コー
ティング層を形成し、基体表面の表面粗度が下地コーテ
ィング層表面の表面粗度に反映する様にしてもよい。こ
のとき、下地コーティング層の厚さを０．１〜１０μｍ
とするのは、０．１μｍ未満では下地コーティング層に
ピンホール等の欠陥が発生し、ダイヤモンド膜の剥離面
に基体との反応物が付着し、一方１０μｍを超えると基
体表面の表面粗度が下地コーティング層の表面に反映さ
れず、下地コーティング層の表面粗度がＲｍａｘで０．
１μｍより大きくなるからである。
【００１２】本発明に用いる基体としては、ダイヤモン
ドの合成温度に耐えうるものなら良く、特に制限はな
い。従来ダイヤモンド合成に使用されていない基板、例
えば、Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ等は少なくとも基体として使用で
きる。
ドの合成温度に耐えうるものなら良く、特に制限はな
い。従来ダイヤモンド合成に使用されていない基板、例
えば、Ｗ，Ｍｏ，Ｓｉ等は少なくとも基体として使用で
きる。
【００１３】これまでの説明では、基体上に下地コーテ
ィング層を形成する場合について説明を進めてきたが、
下地コーティング層として用いられる物質を基体として
用い、この基体上にダイヤモンド膜を形成した後、冷却
によって剥離する様な技術的応用は可能である。
ィング層を形成する場合について説明を進めてきたが、
下地コーティング層として用いられる物質を基体として
用い、この基体上にダイヤモンド膜を形成した後、冷却
によって剥離する様な技術的応用は可能である。
【００１４】一方ダイヤモンド膜を気相合成する方法に
ついては特に限定するものではなく、熱フィラメントＣ
ＶＤ法，マイクロ波プラズマＣＶＤ法等、これまで行な
われている気相合成法を採用すればよい。また本発明に
おいて、ダイヤモンド膜を形成するときの気相合成温度
は６００℃以上とする必要があるが、これは６００℃未
満であると熱応力が小さくなり、剥離が不充分となった
り、剥離時にダイヤモンド膜の割れを生じたり、グラフ
ァイトやアモルファスガーボンが析出し易くなるからで
ある。尚気相合成温度は、基体や下地コーティング層の
融点または分解温度よりも低い温度とする必要があるの
は言う迄もない。また本発明で合成するダイヤモンド膜
の厚みは２０μｍ以上とするのが好ましく、２０μｍ未
満であるとダイヤモンド膜自体の強度が不足し、膜剥離
時にクラックが発生し易くなる。
ついては特に限定するものではなく、熱フィラメントＣ
ＶＤ法，マイクロ波プラズマＣＶＤ法等、これまで行な
われている気相合成法を採用すればよい。また本発明に
おいて、ダイヤモンド膜を形成するときの気相合成温度
は６００℃以上とする必要があるが、これは６００℃未
満であると熱応力が小さくなり、剥離が不充分となった
り、剥離時にダイヤモンド膜の割れを生じたり、グラフ
ァイトやアモルファスガーボンが析出し易くなるからで
ある。尚気相合成温度は、基体や下地コーティング層の
融点または分解温度よりも低い温度とする必要があるの
は言う迄もない。また本発明で合成するダイヤモンド膜
の厚みは２０μｍ以上とするのが好ましく、２０μｍ未
満であるとダイヤモンド膜自体の強度が不足し、膜剥離
時にクラックが発生し易くなる。
【００１５】本発明では、基体を溶解除去するという工
程を含まずして、鏡面を有するダイヤモンド膜を製造す
ることができる。また本発明で用いる基体は、ダイヤモ
ンドとの反応層を形成しないので、熱覆歴による下地コ
ーティング層の剥離や基体の変形等が生じない限り、何
度でも使用することができ、経済的である。
程を含まずして、鏡面を有するダイヤモンド膜を製造す
ることができる。また本発明で用いる基体は、ダイヤモ
ンドとの反応層を形成しないので、熱覆歴による下地コ
ーティング層の剥離や基体の変形等が生じない限り、何
度でも使用することができ、経済的である。
【００１６】以下本発明を実施例によって更に詳細に説
明するが、下記実施例は本発明を限定するものではな
く、前・後記の趣旨に徴して設計変更することはいずれ
も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
明するが、下記実施例は本発明を限定するものではな
く、前・後記の趣旨に徴して設計変更することはいずれ
も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００１７】
実施例１ 表面粗度がＲｍａｘで１μｍのＴｉ基体表面に、ＴｉＮ
をイオンプレーティング法によって１５μｍコーティン
グした後、コーティング表面をダイヤモンドパウダーで
研磨して表面粗度をＲｍａｘで０．０９μｍに仕上げ
た。引き続き、この上に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法
によって、ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝１／９９（容積比），ガス
圧：４０Ｔｏｒｒ，基体温度：８５０℃の条件で２０時
間ダイヤモンド合成して、厚さ１００μｍのダイヤモン
ド膜を形成した。
をイオンプレーティング法によって１５μｍコーティン
グした後、コーティング表面をダイヤモンドパウダーで
研磨して表面粗度をＲｍａｘで０．０９μｍに仕上げ
た。引き続き、この上に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法
によって、ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝１／９９（容積比），ガス
圧：４０Ｔｏｒｒ，基体温度：８５０℃の条件で２０時
間ダイヤモンド合成して、厚さ１００μｍのダイヤモン
ド膜を形成した。
【００１８】成膜終了後、基体を室温まで徐冷して試料
を取り出したところ、ダイヤモンド膜はＴｉＮ表面から
既に剥離しており、剥離面にはＴｉＮコーティング層の
表面粗さが転写されており、Ｒｍａｘでほぼ０．０９μ
ｍの鏡面が形成されていた。
を取り出したところ、ダイヤモンド膜はＴｉＮ表面から
既に剥離しており、剥離面にはＴｉＮコーティング層の
表面粗さが転写されており、Ｒｍａｘでほぼ０．０９μ
ｍの鏡面が形成されていた。
【００１９】実施例２ 表面粗度がＲｍａｘで０．０５μｍのＮｉ基体表面に、
電気めっき法によって厚さ５μｍのＣｕ光沢めっきを施
した。このときのＣｕめっき層の表面粗度はＲｍａｘで
０．０６μｍであった。このＣｕめっき表面に、熱フィ
ラメント法によって、ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝３／９７（容積
比），ガス圧：４０Ｔｏｒｒ，基体温度８００℃の条件
で１０時間ダイヤモンドを合成して、厚さ６０μｍのダ
イヤモンド膜を形成した。
電気めっき法によって厚さ５μｍのＣｕ光沢めっきを施
した。このときのＣｕめっき層の表面粗度はＲｍａｘで
０．０６μｍであった。このＣｕめっき表面に、熱フィ
ラメント法によって、ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝３／９７（容積
比），ガス圧：４０Ｔｏｒｒ，基体温度８００℃の条件
で１０時間ダイヤモンドを合成して、厚さ６０μｍのダ
イヤモンド膜を形成した。
【００２０】成膜終了後、基体を室温まで冷却して試料
を取り出したところ、ダイヤモンド膜はＣｕめっき表面
から既に剥離しており、ダイヤモンド膜の剥離面には基
体と同様の鏡面が形成されていた。また上記基板を用い
てもう一度ダイヤモンド膜の合成を行なったところ、上
記と同様に鏡面を有するダイヤモンド膜が得られた。
を取り出したところ、ダイヤモンド膜はＣｕめっき表面
から既に剥離しており、ダイヤモンド膜の剥離面には基
体と同様の鏡面が形成されていた。また上記基板を用い
てもう一度ダイヤモンド膜の合成を行なったところ、上
記と同様に鏡面を有するダイヤモンド膜が得られた。
【００２１】実施例３ 表面粗度がＲｍａｘで０．１μｍのＡｌ2 Ｏ3 基体表面
に、熱フィラメント法によって、ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝２／９
８（容積比），ガス圧：６０Ｔｏｒｒ，基体温度：９０
０℃の条件で５時間ダイヤモンドを合成して、厚さ２５
μｍのダイヤモンド膜を形成した。
に、熱フィラメント法によって、ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝２／９
８（容積比），ガス圧：６０Ｔｏｒｒ，基体温度：９０
０℃の条件で５時間ダイヤモンドを合成して、厚さ２５
μｍのダイヤモンド膜を形成した。
【００２２】成膜終了後、基体を室温まで冷却して試料
を取り出したところ、ダイヤモンド膜は基体から既に剥
離しており、ダイヤモンド膜の剥離面には基体と同様の
鏡面が形成されていた。
を取り出したところ、ダイヤモンド膜は基体から既に剥
離しており、ダイヤモンド膜の剥離面には基体と同様の
鏡面が形成されていた。
【００２３】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、気
相合成法によって鏡面を有するダイヤモンド膜を容易に
形成することができ、しかも基体を何度でも使用可能で
ある様な、経済的な方法が実現できた。
相合成法によって鏡面を有するダイヤモンド膜を容易に
形成することができ、しかも基体を何度でも使用可能で
ある様な、経済的な方法が実現できた。
Claims (3)
- 【請求項１】 基体上に、IVａ，Ｖａ，VIａ族元素の炭
化物，窒化物，炭窒化物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ
2 Ｏ3 よりなる群から選択される１種以上からなる下地
コーティング層を形成すると共に、該下地コーティング
層の表面粗度をＲｍａｘで０．１μｍ以下とし、６００
℃以上で下地コーティング層上にダイヤモンド膜を成膜
し、引き続き前記基体を冷却することによってダイヤモ
ンド膜を剥離することを特徴とする鏡面を有するダイヤ
モンド膜の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の製造方法において、表
面粗度がＲｍａｘで０．１μｍ以下の基体表面上に、前
記下地コーティング層を０．１〜１０μｍコーティング
することによって、下地コーティング層の表面粗度をＲ
ｍａｘで０．１μｍ以下とする製造方法。 - 【請求項３】 IVａ，Ｖａ，VIａ族元素の炭化物，窒化
物，炭窒化物、およびＩｂ族元素並びにＡｌ2 Ｏ3 より
なる群から選択される１種以上からなり、且つ表面粗度
がＲｍａｘで０．１μｍ以下の基体上に、６００℃以上
でダイヤモンド膜を成膜し、引き続き前記基体を冷却す
ることによってダイヤモンド膜を剥離することを特徴と
する鏡面を有するダイヤモンド膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24991992A JPH06100398A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 鏡面を有するダイヤモンド膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24991992A JPH06100398A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 鏡面を有するダイヤモンド膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06100398A true JPH06100398A (ja) | 1994-04-12 |
Family
ID=17200141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24991992A Withdrawn JPH06100398A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 鏡面を有するダイヤモンド膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100398A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6248400B1 (en) | 1993-08-12 | 2001-06-19 | Fujitsu Limited | Vapor phase diamond synthesis method |
| JP2007526974A (ja) * | 2004-03-05 | 2007-09-20 | ウオーターズ・インベストメンツ・リミテツド | 低摩擦コーティングを備えた弁 |
| WO2009101695A1 (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Shimadzu Corporation | 流路切換バルブ |
| JP2010024506A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Central Japan Railway Co | ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法、ホウ素ドープダイヤモンド、及び電極 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24991992A patent/JPH06100398A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
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