JPH0595103A - 量子素子 - Google Patents
量子素子Info
- Publication number
- JPH0595103A JPH0595103A JP25341391A JP25341391A JPH0595103A JP H0595103 A JPH0595103 A JP H0595103A JP 25341391 A JP25341391 A JP 25341391A JP 25341391 A JP25341391 A JP 25341391A JP H0595103 A JPH0595103 A JP H0595103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum
- quantum dot
- potential barrier
- fine line
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2216/00—Indexing scheme relating to G11C16/00 and subgroups, for features not directly covered by these groups
- G11C2216/02—Structural aspects of erasable programmable read-only memories
- G11C2216/08—Nonvolatile memory wherein data storage is accomplished by storing relatively few electrons in the storage layer, i.e. single electron memory
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 量子井戸によって信号の記憶を行う量子素子
を提供する。 【構成】 複数個の量子ドットメモリ１を並列に接続
し、容量を増大させた構造とする。
を提供する。 【構成】 複数個の量子ドットメモリ１を並列に接続
し、容量を増大させた構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は量子効果を利用する量子
ドットメモリに関するものである。
ドットメモリに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、量子ドットメモリは従来のメモリ
素子にかわるものとして注目されている。
素子にかわるものとして注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、量子ド
ットメモリは、閉じ込められる電子の数量に制限があ
り、電荷量が少ないという欠点が予測される。本発明は
上記問題点に鑑み、実質的な電荷量をおおきくする量子
ドットメモリを提供するものである。
ットメモリは、閉じ込められる電子の数量に制限があ
り、電荷量が少ないという欠点が予測される。本発明は
上記問題点に鑑み、実質的な電荷量をおおきくする量子
ドットメモリを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の量子素子は、同一サイズの量子井戸メモリ
が、ポテンシャル障壁と量子ドットとポテンシャル障壁
を介して複数個並列に量子細線に接続されているという
構成を備えたものである。
めに本発明の量子素子は、同一サイズの量子井戸メモリ
が、ポテンシャル障壁と量子ドットとポテンシャル障壁
を介して複数個並列に量子細線に接続されているという
構成を備えたものである。
【０００５】
【作用】本発明は上記した構成によって、複数個の量子
井戸メモリより、共鳴トネリング効果を利用して量子細
線に記憶情報を並列に入出力することより、量子ドツト
に蓄えられる信号電子の情報を取り出すこととなる。
井戸メモリより、共鳴トネリング効果を利用して量子細
線に記憶情報を並列に入出力することより、量子ドツト
に蓄えられる信号電子の情報を取り出すこととなる。
【０００６】
【実施例】以下本発明の一実施例の量子素子について、
図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例に
おける量子素子の構造を示すものである。図１におい
て、１は量子ドット、２はポテンシャル障壁、３は量子
ドット、４は量子細線である。前記量子ドット１は、ポ
テンシャル障壁２及び量子ドット３及びポテンシャル障
壁２を介して、前記量子細線４に複数個並列に接続され
ている。
図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例に
おける量子素子の構造を示すものである。図１におい
て、１は量子ドット、２はポテンシャル障壁、３は量子
ドット、４は量子細線である。前記量子ドット１は、ポ
テンシャル障壁２及び量子ドット３及びポテンシャル障
壁２を介して、前記量子細線４に複数個並列に接続され
ている。
【０００７】以上のように構成された量子素子につい
て、以下図１及び図２を用いてその動作を説明する。
て、以下図１及び図２を用いてその動作を説明する。
【０００８】まず図２は本発明の素子の動作原理をしめ
すエネルギーバンド構造図を示すものであって、前記量
子ドット３及び量子細線４のポテンシャルを制御するこ
とによって、前記量子ドット１の情報を、前記量子ドッ
ト３による共鳴トネリング効果によって、前記量子細線
４に並列に読み書きする。
すエネルギーバンド構造図を示すものであって、前記量
子ドット３及び量子細線４のポテンシャルを制御するこ
とによって、前記量子ドット１の情報を、前記量子ドッ
ト３による共鳴トネリング効果によって、前記量子細線
４に並列に読み書きする。
【０００９】以上のように本実施例のよれば、複数個の
量子井戸メモリが並列にポテンシャル障壁を介して量子
細線に接続する構造を設けることにより、複数個分の量
子ドットの電荷量を得ることができる。
量子井戸メモリが並列にポテンシャル障壁を介して量子
細線に接続する構造を設けることにより、複数個分の量
子ドットの電荷量を得ることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明は、量子井戸メモリ
が、ポテンシャル障壁と量子ドットとポテンシャル障壁
を介して複数個並列に量子細線に接続されているという
構成により、複数個分の量子ドットの電荷量を得ること
ができる。
が、ポテンシャル障壁と量子ドットとポテンシャル障壁
を介して複数個並列に量子細線に接続されているという
構成により、複数個分の量子ドットの電荷量を得ること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例における量子素子の構成
図
図
【図２】同実施例における動作説明のためのエネルギー
バンドの構成図
バンドの構成図
１ 量子ドット ２ ポテンシャル障壁 ３ 量子ドット ４ 量子細線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹羽 正昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岡田 健治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 和田 敦夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 森本 廉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】同一サイズの量子井戸メモリが、ポテンシ
ャル障壁と量子ドットとポテンシャル障壁を介して複数
個並列に量子細線に接続されている構造を具備すること
を特徴とする量子素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25341391A JPH0595103A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 量子素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25341391A JPH0595103A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 量子素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595103A true JPH0595103A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17251045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25341391A Pending JPH0595103A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 量子素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595103A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512762A (en) * | 1993-09-22 | 1996-04-30 | Sony Corporation | Quantum device with plural stable states |
| US6770916B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-08-03 | Fujitsu Limited | Quantum circuit device and method for quantum operation |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP25341391A patent/JPH0595103A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512762A (en) * | 1993-09-22 | 1996-04-30 | Sony Corporation | Quantum device with plural stable states |
| US6770916B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-08-03 | Fujitsu Limited | Quantum circuit device and method for quantum operation |
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