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JPH0590325A - Bonding of semiconductor device - Google Patents

Bonding of semiconductor device

Info

Publication number
JPH0590325A
JPH0590325A JP3248763A JP24876391A JPH0590325A JP H0590325 A JPH0590325 A JP H0590325A JP 3248763 A JP3248763 A JP 3248763A JP 24876391 A JP24876391 A JP 24876391A JP H0590325 A JPH0590325 A JP H0590325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
pad
bonding pad
mark
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3248763A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoichi Isohata
良一 磯畑
Akira Kuromaru
明 黒丸
Masaharu Enjoji
正治 円城寺
Toru Tazaki
徹 田崎
Yuji Fujinaga
裕二 藤永
Narinobu Ootsuka
斉信 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3248763A priority Critical patent/JPH0590325A/en
Publication of JPH0590325A publication Critical patent/JPH0590325A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To recognize a central position of a bonding pad accurately, to optimize a pad area, to prevent lowering of contact strength between the pad and a bonding ball and to enable easy correction of a bonding place. CONSTITUTION:A bonding pad 12 is exposed from an opening part 14a of a layer insulating film 14. A mark 18 is provided near four corners of a bonding pad 12 corresponding to standard lines 16, 17 displayed as an X-shape on a monitor screen within a protecting film 14 excepting the bonding pad 12. Therefore, it is possible to recognize a central position of a bonding pad accurately, to optimize a pad area and to prevent lowering of contact strength between the pad and a bonding ball.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体装置に
係わり、特に、ワイヤがボンディングされるボンディン
グパッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, for example, and more particularly to a bonding pad to which a wire is bonded.

【0002】[0002]

【従来の技術】ワイヤボンディングを行う際、ボンディ
ング装置にボンディングパッドの中央位置をティーチン
グする必要が有る。ボンディングパッドに、パッドの中
央位置を示す目印が無い場合、操作者が感覚によってパ
ッドの中央位置をボンディング装置にティーチングする
ため、正確に中央位置を入力することが困難である。こ
のため、ワイヤをボンディングパッドにボンディングす
る際、ワイヤがパッドの中央位置からずれ、十分な接触
面積を得ることができないことがあった。
2. Description of the Related Art When performing wire bonding, it is necessary to teach a central position of a bonding pad to a bonding device. If the bonding pad does not have a mark indicating the central position of the pad, the operator teaches the central position of the pad to the bonding apparatus by feeling, and it is difficult to input the central position accurately. For this reason, when the wire is bonded to the bonding pad, the wire may deviate from the central position of the pad and a sufficient contact area may not be obtained.

【0003】そこで、特開昭58−63143号に開示
されるように、ボンディングパッドの中央にマークを設
けたり、特開平2−90634号に開示されるように、
ボンディングパッドの周囲に複数の切欠き部あるいは突
起を設け、これらマーク、切欠き部、突起を目印とし
て、ボンディングパッドの中央位置をボンディング装置
にティーチングすることが考えられている。
Therefore, as disclosed in JP-A-58-63143, a mark is provided at the center of the bonding pad, or as disclosed in JP-A-2-90634.
It is considered that a plurality of notches or protrusions are provided around the bonding pad and the center position of the bonding pad is taught to the bonding apparatus by using these marks, notches and protrusions as marks.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、ボンディング
パッドの中央にマークを設ける場合、ダイソートテスト
で使用される電極針によって、マークに傷が生じたり、
マークが消失することがある。このため、ボンディング
装置の操作者によってマークを認識しずらくなることが
あった。
However, when the mark is provided at the center of the bonding pad, the mark may be scratched by the electrode needle used in the die sort test.
The mark may disappear. For this reason, the operator of the bonding apparatus may have difficulty in recognizing the mark.

【0005】また、ボンディングパッドの周囲に複数の
突起を設けた場合、隣接するボンディングパッドの相互
間隔が突起の分だけ狭まるため、ボンディングパッドの
面積を大きくすることが困難であるとともに、パッドか
ら内部素子までの距離を短縮できないという問題を有し
ていた。
Further, when a plurality of protrusions are provided around the bonding pad, it is difficult to increase the area of the bonding pad because the mutual spacing between the adjacent bonding pads is reduced by the amount of the protrusion, and at the same time, the area from the pad to the inside is increased. There is a problem that the distance to the element cannot be shortened.

【0006】さらに、ボンディングパッドの周囲に切欠
き部を設けた場合、パッドの実質的な面積が減少するた
め、パッドとボンディングボールの接触面積が減少し、
これらの接触強度が低下することがある。しかも、ボン
ディングの位置がパッドの中央からずれた場合、切欠き
部はボンディングボールによって隠れてしまい。ボンデ
ィング位置を修正する場合、ボンディングパッドの中央
を正確に認識することが困難なものであった。
Further, when the notch is provided around the bonding pad, the substantial area of the pad is reduced, so that the contact area between the pad and the bonding ball is reduced,
These contact strengths may decrease. Moreover, when the bonding position is displaced from the center of the pad, the notch is hidden by the bonding ball. When correcting the bonding position, it was difficult to accurately recognize the center of the bonding pad.

【0007】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、ボンディ
ングパッドの中央位置を正確に認識できるとともに、パ
ッド面積を最適化でき、パッドとボンディングボールと
の接触強度の低下を防止し得るとともに、ボンディング
位置の補正を容易に行うことが可能な半導体装置のボン
ディングパッドを提供しようとするものである。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to accurately recognize the central position of a bonding pad and to optimize the pad area so that the pad and the bonding ball It is intended to provide a bonding pad of a semiconductor device which can prevent a decrease in contact strength with the bonding pad and can easily correct the bonding position.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、保護膜に設けられた開口部より露出され
たボンディングパッドと、ボンディング装置の基準線に
対応し、前記開口部より露出されたボンディングパッド
のうち、結線される全てのボンディングパッドの周辺上
に設けられたマークとを有している。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention corresponds to a bonding pad exposed from an opening provided in a protective film and a reference line of a bonding apparatus, and is exposed from the opening. Among the bonded bonding pads, marks are provided on the periphery of all the bonded bonding pads.

【0009】また、保護膜に設けられた開口部より露出
されたボンディングパッドと、ボンディング装置の基準
線に対応し、前記ボンディングパッド以外の前記保護膜
内で、結線される全てのボンディングパッド周辺近傍に
設けられたマークとを有している。
Further, in the vicinity of all the bonding pads connected to the bonding pads exposed through the openings provided in the protective film and corresponding to the reference line of the bonding device in the protective film other than the bonding pads. And a mark provided on the.

【0010】さらに、保護膜に設けられた開口部より露
出されたボンディングパッドと、ボンディング装置の基
準線に対応し、前記開口部より露出されたボンディング
パッドのうち、結線される全てのボンディングパッドの
周辺上に設けられた第1のマークと、ボンディング装置
の基準線に対応し、前記ボンディングパッド以外の前記
保護膜内で、結線される全てのボンディングパッド周辺
近傍に設けられた第2のマークとを有している。
Further, among the bonding pads exposed from the openings provided in the protective film and the bonding pads exposed from the openings corresponding to the reference line of the bonding apparatus, all the bonding pads to be connected are connected. A first mark provided on the periphery and a second mark corresponding to the reference line of the bonding apparatus and provided in the vicinity of all the bonding pads connected in the protective film other than the bonding pads. have.

【0011】[0011]

【作用】すなわち、この発明は、ボンディング装置の基
準線に対応して、ボンディングパッドの開口部より露出
された周辺上、あるいはボンディングパッド周囲の保護
膜内にマークを設けている。したがって、ボンディング
パッドの中央位置を正確に認識することができるととも
に、パッド面積を必要に応じて大きくすることが可能で
あり、パッドとボンディングボールとの接触面積を十分
確保して接触強度の低下を防止できるものである。しか
も、ボンディングがパッドの中央位置からずれた場合に
おいても、マークが隠れることがないため、ボンディン
グ位置の補正を容易に行うことができるものである。
That is, according to the present invention, a mark is provided on the periphery exposed from the opening of the bonding pad or in the protective film around the bonding pad, corresponding to the reference line of the bonding apparatus. Therefore, the central position of the bonding pad can be accurately recognized, and the pad area can be increased as necessary, and the contact area between the pad and the bonding ball can be sufficiently secured to reduce the contact strength. It can be prevented. In addition, even if the bonding is displaced from the center position of the pad, the mark is not hidden, so that the bonding position can be easily corrected.

【0012】[0012]

【実施例】以下、この発明の一実施例について、図面を
参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図1は、半導体チップ10を示すものであ
る。この半導体チップ10は中央部に回路パターン11
が設けられており、周囲に前記回路パターンと接続され
た複数のボンディングパッド12が配設されている。こ
れらボンディングパッド12は、例えば層間絶縁膜13
の上に設けられており、且つ、半導体チップ11の表面
に設けられた、例えばPSG(phospho-silicate glass)
からなる保護膜14に設けられた開口部14aから露出
されている。
FIG. 1 shows a semiconductor chip 10. This semiconductor chip 10 has a circuit pattern 11 at the center.
Are provided, and a plurality of bonding pads 12 connected to the circuit pattern are provided around the same. These bonding pads 12 are, for example, the interlayer insulating film 13
Provided on the surface of the semiconductor chip 11, for example PSG (phospho-silicate glass)
Is exposed from the opening 14a provided in the protective film 14 made of.

【0014】図2は、図1に示すボンディングパッド1
2を拡大して示すものであり、ボンディングパッドの第
1の実施例を示すものである。このボンディングパッド
12のうち、開口部14aから露出された部分で、四隅
近傍には、例えば四角形のマーク15がそれぞれ設けら
れている。これらマーク15はボンディング装置の図示
せぬ顕微鏡やモニタ画面に表示される位置合わせ用の基
準線16、17に対応して設けられている。この実施例
の場合、基準線16、17は例えばモニタ画面にX字状
に表示されている。
FIG. 2 shows the bonding pad 1 shown in FIG.
2 is an enlarged view of FIG. 2, showing the first embodiment of the bonding pad. For example, a quadrangular mark 15 is provided near each of four corners of the bonding pad 12 exposed from the opening 14a. These marks 15 are provided corresponding to reference lines 16 and 17 for alignment displayed on a microscope or monitor screen (not shown) of the bonding apparatus. In the case of this embodiment, the reference lines 16 and 17 are displayed in an X shape on the monitor screen, for example.

【0015】ボンディングパッド12に対する図示せぬ
ボンディングボールの接触面積は約100〜120μm
とされ、前記マーク15の一片の長さは、ボンディング
ボールの接触面積に影響を与えないよう、約30μmと
されている。図3は、ボンディングパッドの第2の実施
例を示すものであり、図2と同一部分には同一符号を付
す。
The contact area of a bonding ball (not shown) with respect to the bonding pad 12 is about 100 to 120 μm.
The length of one piece of the mark 15 is about 30 μm so as not to affect the contact area of the bonding ball. FIG. 3 shows a second embodiment of the bonding pad, and the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals.

【0016】この実施例において、マーク15はボンデ
ィングパッド12の開口部14aから露出された部分
で、四辺の各中央近傍に設けられている。すなわち、こ
の実施例の場合、基準線19、20は十字状に表示され
ているため、これら基準線19、20に対応してマーク
15が配設されている。
In this embodiment, the mark 15 is a portion exposed from the opening 14a of the bonding pad 12, and is provided in the vicinity of each center of the four sides. That is, in the case of this embodiment, since the reference lines 19 and 20 are displayed in a cross shape, the mark 15 is arranged corresponding to these reference lines 19 and 20.

【0017】上記第1、第2の実施例によれば、基準線
19、20に対応して、ボンディングパッド12の四隅
あるいは四辺の各中央近傍にマーク15を設けている。
したがって、マーク15を容易に認識することができる
とともに、ダイソータ・テストの電極針によって傷付い
たり、消滅することがないものである。
According to the first and second embodiments, the marks 15 are provided in the four corners of the bonding pad 12 or in the vicinity of the centers of the four sides, corresponding to the reference lines 19 and 20, respectively.
Therefore, the mark 15 can be easily recognized and is not damaged or disappeared by the electrode needle of the die sorter test.

【0018】また、パッドの面積を必要に応じて大きく
することが可能であり、ボンディングボールとパッドと
の接触面積を十分確保することができるため、これらの
接触強度を向上できるものである。図4は、ボンディン
グパッドの第3の実施例を示すものであり、図2と同一
部分には同一符号を付す。
Further, the area of the pad can be increased as necessary, and the contact area between the bonding ball and the pad can be sufficiently secured, so that the contact strength between them can be improved. FIG. 4 shows a third embodiment of the bonding pad, and the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals.

【0019】この実施例において、マーク18はボンデ
ィングパッド12以外の位置に設けられている。すなわ
ち、マーク18はボンディングパッド12の四隅近傍
で、後述するように、保護膜14内に設けられている。
この保護膜14は透明であるため、保護膜14を介して
マーク18を目視することができる。図5は、ボンディ
ングパッドの第4の実施例を示すものであり、図3と同
一部分には同一符号を付す。
In this embodiment, the mark 18 is provided at a position other than the bonding pad 12. That is, the marks 18 are provided in the protective film 14 near the four corners of the bonding pad 12, as will be described later.
Since the protective film 14 is transparent, the mark 18 can be seen through the protective film 14. FIG. 5 shows a fourth embodiment of the bonding pad, and the same parts as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals.

【0020】この実施例において、マーク18はボンデ
ィングパッド12以外の位置で、ボンディングパッド1
2の四辺の各中央近傍に設けられている。この実施例の
場合も、基準線19、20は十字状に表示されているた
め、これら基準線19、20に対応してマーク18が配
設されている。
In this embodiment, the mark 18 is provided at a position other than the bonding pad 12 at the bonding pad 1
It is provided near the center of each of the four sides. Also in the case of this embodiment, since the reference lines 19 and 20 are displayed in a cross shape, the mark 18 is arranged corresponding to these reference lines 19 and 20.

【0021】上記第3、第4の実施例によれば、基準線
19、20に対応して、ボンディングパッド12以外
で、ボンディングパッド12の四隅あるいは四辺の各中
央近傍にマーク18を設けている。したがって、マーク
18を容易に認識することができるとともに、ダイソー
タ・テストの針によって傷付いたり、消滅することがな
いものである。
According to the third and fourth embodiments, the marks 18 are provided corresponding to the reference lines 19 and 20 in the vicinity of the four corners of the bonding pad 12 or the centers of the four sides, other than the bonding pad 12. .. Therefore, the mark 18 can be easily recognized, and the mark 18 is not damaged or erased by the needle of the die sorter test.

【0022】また、パッドの面積を必要に応じて大きく
することが可能であり、ボンディングボールとパッドと
の接触面積を十分確保することができるため、これらの
接触強度を向上できるものである。
Further, the area of the pad can be increased as necessary, and the contact area between the bonding ball and the pad can be sufficiently secured, so that the contact strength between them can be improved.

【0023】さらに、ボンディングの位置がパッドの中
央からずれた場合においても、ボンディングボールによ
ってマーク18が隠れることが無いため、ボンディング
位置を修正する場合、ボンディングパッドの中央を正確
に認識することができるものである。図6は、ボンディ
ングパッドの第5の実施例を示すものであり、図2、図
3と同一部分には同一符号を付す。
Further, even if the bonding position deviates from the center of the pad, the mark 18 is not hidden by the bonding ball. Therefore, when the bonding position is corrected, the center of the bonding pad can be accurately recognized. It is a thing. FIG. 6 shows a fifth embodiment of the bonding pad, and the same parts as those in FIGS. 2 and 3 are designated by the same reference numerals.

【0024】この実施例において、マーク15はボンデ
ィングパッド12の開口部14aから露出された部分
で、四辺の各中央近傍、および四隅近傍に設けられてい
る。すなわち、この実施例の場合、十字状の基準線1
9、20とX字状の基準線16、17のいずれにも対応
することができ、さらに、これらを組合わせて使用する
こともできる。図7は、ボンディングパッドの第6の実
施例を示すものであり、図4、図5と同一部分には同一
符号を付す。
In this embodiment, the mark 15 is a portion exposed from the opening 14a of the bonding pad 12, and is provided near the center of each of the four sides and near the four corners. That is, in the case of this embodiment, the cross-shaped reference line 1
It is possible to correspond to any of the reference lines 9 and 20 and the X-shaped reference lines 16 and 17, and it is also possible to use them in combination. FIG. 7 shows a sixth embodiment of the bonding pad, and the same parts as those in FIGS. 4 and 5 are designated by the same reference numerals.

【0025】この実施例において、マーク18はボンデ
ィングパッド12以外の保護膜14内で、ボンディング
パッド12の四辺の各中央近傍、および四隅近傍に設け
られている。すなわち、この実施例の場合、図6に示す
ように、十字状の基準線19、20とX字状の基準線1
6、17のいずれにも対応することができ、さらに、こ
れらを組合わせて使用することもできる。図8は、ボン
ディングパッドの第7の実施例を示すものであり、図
2、図4と同一部分には同一符号を付す。
In this embodiment, the marks 18 are provided in the protective film 14 other than the bonding pads 12 near the centers of the four sides of the bonding pad 12 and near the four corners. That is, in the case of this embodiment, as shown in FIG. 6, the cross-shaped reference lines 19 and 20 and the X-shaped reference line 1 are provided.
It is possible to correspond to both 6 and 17, and it is also possible to use them in combination. FIG. 8 shows a seventh embodiment of the bonding pad, and the same parts as those in FIGS. 2 and 4 are designated by the same reference numerals.

【0026】この実施例において、マーク15はボンデ
ィングパッド12の開口部14aから露出された部分
で、隣接する2つの隅部近傍に設けられている。また、
マーク18はボンディングパッド12以外の保護膜14
内で、ボンディングパッド12の隣接する2つの隅部近
傍に設けられている。すなわち、この実施例の場合、X
字状の基準線16、17が使用され、マーク15、18
はこれら基準線16、17に対応して配設されている。
図9は、ボンディングパッドの第8の実施例を示すもの
であり、図3、図5と同一部分には同一符号を付す。
In this embodiment, the mark 15 is a portion exposed from the opening 14a of the bonding pad 12 and is provided in the vicinity of two adjacent corners. Also,
The mark 18 is a protective film 14 other than the bonding pad 12.
Inside, it is provided in the vicinity of two adjacent corners of the bonding pad 12. That is, in the case of this embodiment, X
Character-shaped reference lines 16 and 17 are used, and marks 15 and 18 are used.
Are arranged corresponding to these reference lines 16 and 17.
FIG. 9 shows an eighth embodiment of the bonding pad, and the same parts as those in FIGS. 3 and 5 are designated by the same reference numerals.

【0027】この実施例において、マーク15はボンデ
ィングパッド12の開口部14aから露出された部分
で、対向する2つの辺の中央部近傍に設けられている。
また、マーク18はボンディングパッド12以外の保護
膜14内で、ボンディングパッド12の対向する2つの
辺の中央部近傍に設けられている。すなわち、この実施
例の場合、十字状の基準線19、20が使用され、マー
ク15、18はこれら基準線19、20に対応して配設
されている。第7、第8の実施例によれば、第1、第2
の実施例と第3、第4の実施例とを組合わせた効果を得
ることができる。
In this embodiment, the mark 15 is a portion exposed from the opening 14a of the bonding pad 12, and is provided in the vicinity of the central portion of two opposing sides.
The mark 18 is provided in the protective film 14 other than the bonding pad 12 in the vicinity of the central portion of the two opposing sides of the bonding pad 12. That is, in the case of this embodiment, cross-shaped reference lines 19 and 20 are used, and the marks 15 and 18 are arranged corresponding to these reference lines 19 and 20, respectively. According to the seventh and eighth embodiments, the first and second
It is possible to obtain the effect obtained by combining the embodiment of (3) and the third and fourth embodiments.

【0028】次に、ボンディングパッドあるいは保護膜
内にマークを形成する場合の実施例について説明する。
図10乃至図12はマークを積層構造によって形成した
場合を示すものである。
Next, an example of forming a mark in the bonding pad or the protective film will be described.
10 to 12 show the case where the mark is formed by a laminated structure.

【0029】図10は、ボンディングパッド12にマー
ク15を設ける場合を実施例を示すものである。この実
施例の場合、層間絶縁膜13の上には、パッド・メタル
としてのボンディングパッド12が設けられ、このボン
ディングパッド12の表面は層間絶縁膜13の上に設け
られた保護膜14の開口部14aから露出されている。
この露出されたボンディングパッド12の表面には、印
刷技術によってマーク15が設けられる。
FIG. 10 shows an embodiment in which a mark 15 is provided on the bonding pad 12. In the case of this embodiment, a bonding pad 12 as a pad metal is provided on the interlayer insulating film 13, and the surface of the bonding pad 12 has an opening of a protective film 14 provided on the interlayer insulating film 13. It is exposed from 14a.
A mark 15 is provided on the exposed surface of the bonding pad 12 by a printing technique.

【0030】図11において、層間絶縁膜13の表面に
は、マーク形成位置に対応して突起13aが設けられて
いる。層間絶縁膜13の上に設けられたボンディングパ
ッド12には、前記突起13aに対応して突出したマー
ク15が設けられる。このマーク15は突起13aと同
一形状とされている。
In FIG. 11, projections 13a are provided on the surface of the interlayer insulating film 13 in correspondence with the mark formation positions. The bonding pad 12 provided on the interlayer insulating film 13 is provided with a mark 15 protruding corresponding to the protrusion 13a. The mark 15 has the same shape as the protrusion 13a.

【0031】図12において、層間絶縁膜13の表面に
は、マーク18としての突起13bが突出して設けられ
ている。保護膜14は透明であるため、この保護膜14
を介してマーク18を目視できる。
In FIG. 12, a protrusion 13b as a mark 18 is provided so as to project on the surface of the interlayer insulating film 13. Since the protective film 14 is transparent,
The mark 18 can be visually observed through.

【0032】図13乃至図15はマークを溝構造によっ
て形成した場合を示すものである。図13において、ボ
ンディングパッド12には、マーク15が溝によって形
成されている。
13 to 15 show a case where the mark is formed by a groove structure. In FIG. 13, the bonding pad 12 has a mark 15 formed by a groove.

【0033】図14において、層間絶縁膜13の表面に
は、マーク形成位置に対応して溝部13cが設けられて
いる。層間絶縁膜13の上に設けられたボンディングパ
ッド12には、前記溝部13cに対応して溝状のマーク
15が設けられる。
In FIG. 14, a groove portion 13c is provided on the surface of the interlayer insulating film 13 so as to correspond to the mark forming position. The bonding pad 12 provided on the interlayer insulating film 13 is provided with a groove-shaped mark 15 corresponding to the groove portion 13c.

【0034】図15において、層間絶縁膜13の表面に
は、マーク形成位置に対応して溝部13dが設けられて
いる。層間絶縁膜13の上に設けられた保護膜14の表
面には、前記溝部13dに対応して溝状のマーク18が
設けられる。この場合、保護膜14は透明である必要は
ない。
In FIG. 15, the surface of the interlayer insulating film 13 is provided with a groove 13d corresponding to the mark forming position. A groove-shaped mark 18 is provided on the surface of the protective film 14 provided on the interlayer insulating film 13 so as to correspond to the groove portion 13d. In this case, the protective film 14 does not need to be transparent.

【0035】上記図11乃至図15に示す構造によれ
ば、マーク15、18をボンディングパッド12、層間
絶縁膜13、保護膜14を用いて形成でき、別途材料を
必要としないため、材料を無駄無く使用でき、材料の使
用効率を向上できる。
According to the structure shown in FIGS. 11 to 15, the marks 15 and 18 can be formed by using the bonding pad 12, the interlayer insulating film 13 and the protective film 14, and no separate material is required. It can be used without any use, and the material usage efficiency can be improved.

【0036】図16は、マーク15、18の形状を示す
ものである。マーク15、18は同図(a)に示すよう
に、四角形に限定されるものではなく、同図(b)に示
すように三角形、同図(c)に示すように台形、同図
(d)に示すように十字形等の多角形あるいは円形とし
てもよい。
FIG. 16 shows the shapes of the marks 15 and 18. The marks 15 and 18 are not limited to the quadrangle as shown in FIG. 7A, but are triangular as shown in FIG. 7B, trapezoidal as shown in FIG. ), A polygon such as a cross or a circle may be used.

【0037】また、同図(e)乃至同図(h)に示すよ
うに、単一の三角形、矩形、台形、十字形からなるマー
ク15、18を組合わせ、一対のマークとしてもよい。
この場合、同図(e)に示すように、例えば2つの三角
形の相互間に例えば基準線19が位置するようにマーク
15、18を配設すればよい。なお、マーク15、18
は全てのボンディングパッドに設けてもよいし、少なく
ともワイヤがボンディングされるボンディングパッドの
みに設けてもよい。また、上記実施例において、開口部
14aはボンディングパッド12より小さくしたが、こ
れに限らず、ボンディングパッド12より大きくしても
よい。その他、この発明の要旨を変えない範囲におい
て、種々変形実施可能なことは勿論である。
Further, as shown in FIGS. 8E to 8H, the marks 15 and 18 of a single triangle, rectangle, trapezoid or cross may be combined to form a pair of marks.
In this case, as shown in FIG. 8E, the marks 15 and 18 may be arranged so that, for example, the reference line 19 is located between two triangles. The marks 15, 18
May be provided on all bonding pads, or at least only on bonding pads to which wires are bonded. Although the opening 14a is smaller than the bonding pad 12 in the above embodiment, the opening 14a is not limited to this and may be larger than the bonding pad 12. Of course, various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、ボンディングパッドの中央位置を正確に認識できる
とともに、パッド面積を最適化でき、パッドとボンディ
ングボールとの接触強度の低下を防止し得るとともに、
ボンディング位置の補正を容易に行うことが可能な半導
体装置のボンディングパッドを提供できる。
As described above in detail, according to the present invention, the central position of the bonding pad can be accurately recognized, the pad area can be optimized, and the reduction of the contact strength between the pad and the bonding ball can be prevented. With getting
It is possible to provide a bonding pad of a semiconductor device that can easily correct the bonding position.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】半導体チップの構成を示す上面図。FIG. 1 is a top view showing the configuration of a semiconductor chip.

【図2】この発明に係わるボンディングパッドの第1の
実施例を示す上面図。
FIG. 2 is a top view showing a first embodiment of a bonding pad according to the present invention.

【図3】この発明に係わるボンディングパッドの第2の
実施例を示す上面図。
FIG. 3 is a top view showing a second embodiment of the bonding pad according to the present invention.

【図4】この発明に係わるボンディングパッドの第3の
実施例を示す上面図。
FIG. 4 is a top view showing a third embodiment of the bonding pad according to the present invention.

【図5】この発明に係わるボンディングパッドの第4の
実施例を示す上面図。
FIG. 5 is a top view showing a fourth embodiment of the bonding pad according to the present invention.

【図6】この発明に係わるボンディングパッドの第5の
実施例を示す上面図。
FIG. 6 is a top view showing a fifth embodiment of a bonding pad according to the present invention.

【図7】この発明に係わるボンディングパッドの第6の
実施例を示す上面図。
FIG. 7 is a top view showing a bonding pad according to a sixth embodiment of the invention.

【図8】この発明に係わるボンディングパッドの第7の
実施例を示す上面図。
FIG. 8 is a top view showing a seventh embodiment of the bonding pad according to the present invention.

【図9】この発明に係わるボンディングパッドの第8の
実施例を示す上面図。
FIG. 9 is a top view showing an eighth embodiment of the bonding pad according to the present invention.

【図10】マークを積層構造によって形成した場合を示
すものであり、図9の10−10線に沿った断面図。
10 is a cross-sectional view taken along line 10-10 of FIG. 9, showing a case where the mark is formed by a laminated structure.

【図11】図10の変形例を示す断面図。11 is a cross-sectional view showing a modified example of FIG.

【図12】マークを積層構造によって形成した場合を示
すものであり、図9の12−12線に沿った断面図。
12 is a cross-sectional view taken along line 12-12 of FIG. 9, showing a case where the mark is formed by a laminated structure.

【図13】マークを溝構造によって形成した場合を示す
ものであり、図10の変形例を示す断面図。
13 is a cross-sectional view showing a modification of FIG. 10, showing a case where the mark is formed by a groove structure.

【図14】図13の変形例を示す断面図。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a modified example of FIG.

【図15】マークを積層構造によって形成した場合を示
すものであり、図12の変形例を示す断面図。
15 is a cross-sectional view showing a case where the mark is formed by a laminated structure, showing a modification of FIG.

【図16】マークの形状を示すものであり、同図(a)
乃至同図(d)は単一のマークの形状を示す上面図、同
図(e)乃至同図(h)は単一のマークを組合わせて一
対のマークとした状態を示す上面図。
16A and 16B show the shape of a mark, and FIG.
6A to 6D are top views showing the shape of a single mark, and FIGS. 8E to 8H are top views showing a state in which the single marks are combined to form a pair of marks.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…半導体チップ、12…ボンディングパッド、13
…層間絶縁膜、14…保護膜、14a…開口部、15、
18…マーク。
10 ... Semiconductor chip, 12 ... Bonding pad, 13
... interlayer insulating film, 14 ... protective film, 14a ... opening, 15,
18 ... Mark.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 円城寺 正治 大分県大分市大字松岡3500番地 株式会社 東芝大分工場内 (72)発明者 田崎 徹 大分県大分市大字松岡3500番地 株式会社 東芝大分工場内 (72)発明者 藤永 裕二 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 大塚 斉信 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shoji Enjoji 3500 Matsuoka, Oita-shi, Oita Prefecture, inside Toshiba Oita Plant, Inc. (72) Inventor Toru Tazaki 3500 Matsuoka, Oita-shi, Oita Prefecture, inside Oita Plant, Toshiba Corporation (72) 72) Inventor Yuji Fujinaga 25-1 Ekimaehonmachi, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Toshiba Microelectronics Co., Ltd. (72) Inoue Masanobu 25-1, Ekimaehonmachi, Kawasaki-ku, Kawasaki, Kanagawa

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 保護膜に設けられた開口部より露出され
たボンディングパッドと、 ボンディング装置の基準線に対応し、前記開口部より露
出されたボンディングパッドのうち、結線される全ての
ボンディングパッドの周辺上に設けられたマークと、 を具備することを特徴とする半導体装置のボンディング
パッド。
1. A bonding pad exposed from an opening provided in a protective film and all bonding pads to be connected among the bonding pads exposed from the opening corresponding to a reference line of a bonding apparatus. A bonding pad for a semiconductor device, comprising: a mark provided on the periphery of the bonding pad.
【請求項2】 保護膜に設けられた開口部より露出され
たボンディングパッドと、 ボンディング装置の基準線に対応し、前記ボンディング
パッド以外の前記保護膜内で、結線される全てのボンデ
ィングパッド周辺近傍に設けられたマークと、 を具備することを特徴とする半導体装置のボンディング
パッド。
2. A bonding pad exposed from an opening provided in the protective film, and a vicinity of all bonding pads corresponding to a reference line of a bonding device and connected in the protective film other than the bonding pad. A bonding pad for a semiconductor device, comprising: a mark provided on the bonding pad.
【請求項3】 保護膜に設けられた開口部より露出され
たボンディングパッドと、 ボンディング装置の基準線に対応し、前記開口部より露
出されたボンディングパッドのうち、結線される全ての
ボンディングパッドの周辺上に設けられた第1のマーク
と、 ボンディング装置の基準線に対応し、前記ボンディング
パッド以外の前記保護膜内で、結線される全てのボンデ
ィングパッド周辺近傍に設けられた第2のマークと、 を具備することを特徴とする半導体装置のボンディング
パッド。
3. A bonding pad exposed from an opening provided in the protective film and all bonding pads to be connected among the bonding pads exposed from the opening corresponding to a reference line of a bonding apparatus. A first mark provided on the periphery and a second mark corresponding to the reference line of the bonding apparatus and provided in the vicinity of all the bonding pads to be connected in the protective film other than the bonding pads A bonding pad for a semiconductor device, comprising:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199921A (en) * 1997-01-09 1998-07-31 Hitachi Ltd Semiconductor device with position recognition mark
JP2003347407A (en) * 1997-03-14 2003-12-05 Toshiba Corp Microwave integrated circuit device
JP2007142436A (en) * 2005-11-22 2007-06-07 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor device comprising lineup mark film and method of manufacturing same

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Effective date: 19981203