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JPH0575439A - Ttl circuit - Google Patents

Ttl circuit

Info

Publication number
JPH0575439A
JPH0575439A JP25971691A JP25971691A JPH0575439A JP H0575439 A JPH0575439 A JP H0575439A JP 25971691 A JP25971691 A JP 25971691A JP 25971691 A JP25971691 A JP 25971691A JP H0575439 A JPH0575439 A JP H0575439A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
transistor
pull
base
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25971691A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shunsuke Fujimoto
俊介 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP25971691A priority Critical patent/JPH0575439A/en
Publication of JPH0575439A publication Critical patent/JPH0575439A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate an output delay of the TTL circuit caused in a current path formed to a Schottky diode located between a collector and a base of a pull-down TR and between a base and an emitter of a base drive transistor(TR) for the pull-down TR. CONSTITUTION:A 0 clamp circuit comprising a TR 10 and Schottky diodes 16, 17 is connected between a circuit output 25 and a collector of an emitter follower TR 7 of a first stage of the circuit input. With a negative noise applied to the output 25 when the output 25 is at a low level, the 0 clamp circuit is set to clamp the output 25 to 0V (almost low level). Then a current path formed between a Schottky diode of a pull-down TR 21 and a base-emitter of a drive TR 11 is eliminated and a change from an output low level to a high level is quickened.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【技術分野】本発明はTTL回路に関し、特に出力電位
をプルアップ及びプルダウンする出力トランジスタを有
するTTL回路に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a TTL circuit, and more particularly to a TTL circuit having an output transistor that pulls up and pulls down an output potential.

【0002】[0002]

【従来技術】従来のこの種のTTL回路は図2に示す様
に3段増幅回路構成となっており、本例では1入力イン
バータ回路を示すが、複数入力のナンド回路であっても
良い。
2. Description of the Related Art A conventional TTL circuit of this type has a three-stage amplifier circuit configuration as shown in FIG. 2, and in this example, a one-input inverter circuit is shown, but a NAND circuit having a plurality of inputs may be used.

【0003】入力1はダイオード3を介してエミッタフ
ォロワトランジスタ7のベース入力となっており、この
エミッタフォロワ出力は駆動トランジスタ11のベース
入力となる。このトランジスタ11のコレクタとエミッ
タとに一対の相補的な信号が得られ、この一対の相補信
号のうちコレクタ出力信号はトランジスタ18のベース
入力となり、エミッタ出力信号はトランジスタ21のベ
ース入力となる。
The input 1 is the base input of the emitter follower transistor 7 via the diode 3, and the emitter follower output is the base input of the drive transistor 11. A pair of complementary signals are obtained at the collector and the emitter of the transistor 11, and the collector output signal of the pair of complementary signals becomes the base input of the transistor 18, and the emitter output signal becomes the base input of the transistor 21.

【0004】トランジスタ18と19とはダーリントン
接続されており、両トランジスタ18,19により、出
力25の電位をプルアップ(正電源24)するようにな
っている。また、トランジスタ21により出力25の電
位をプルダウン(アース)するようになっている。
The transistors 18 and 19 are Darlington-connected, and the potential of the output 25 is pulled up (the positive power supply 24) by the transistors 18 and 19. Also, the transistor 21 pulls down (potentially grounds) the potential of the output 25.

【0005】尚、ダイオード2,4,14,15,23
はショットキーダイオードであり、特にダイオード2及
び23は回路の入出力端子における静電破壊防止用ダイ
オードである。また、5,6,8,12,13,20,
22は抵抗素子を示す。
The diodes 2, 4, 14, 15, 23
Is a Schottky diode, and in particular, the diodes 2 and 23 are electrostatic breakdown preventing diodes at the input / output terminals of the circuit. Also, 5, 6, 8, 12, 13, 20,
Reference numeral 22 represents a resistance element.

【0006】かかる構成において、入力段から2段目の
トランジスタ11(ひいては1段目のトランジスタ7に
ついても同様であるが)のオンオフは、出力段プルアッ
プトランジスタ19がオンでかつプルダウントランジス
タ21がオフである出力ハイレベル状態と、プルアップ
トランジスタ19がオフでかつプルダウントランジスタ
21がオンである出力ローレベル状態に対応している。
In such a configuration, the output stage pull-up transistor 19 is on and the pull-down transistor 21 is off when the transistor 11 in the second stage from the input stage (the same applies to the transistor 7 in the first stage) is turned on and off. And the output low level state in which the pull-up transistor 19 is off and the pull-down transistor 21 is on.

【0007】ここで、出力25に負のノイズが重畳され
た場合、以下の理由でリーク電流が流れて2段目トラン
ジスタ11がオフにならず、よって出力段のプルアップ
トランジスタ19がオンせず、出力25のローからハイ
レベルのディレータイムが大となる。
When negative noise is superimposed on the output 25, a leak current flows due to the following reason and the second-stage transistor 11 is not turned off. Therefore, the pull-up transistor 19 in the output stage is not turned on. The output 25 has a long delay time from low to high level.

【0008】一般に、プルダウントランジスタ21はス
イッチング特性を良くするために、ショットキートラン
ジスタが用いられており、そのベースとコレクタとの間
には、ベースからコレクタ方向へショットキーダイオー
ドが形成されている。よって、出力25に負のノイズが
重畳されると、トランジスタ11のベース,エミッタと
プルダウントランジスタ21のベース・コレクタ間のシ
ョットダイオードとを介して出力25への電流経路が形
成される。
In general, the pull-down transistor 21 uses a Schottky transistor in order to improve switching characteristics, and a Schottky diode is formed between the base and the collector in the direction from the base to the collector. Therefore, when negative noise is superimposed on the output 25, a current path to the output 25 is formed via the base and emitter of the transistor 11 and the shot diode between the base and collector of the pull-down transistor 21.

【0009】このとき、入力が変化してトランジスタ1
1がオフしようとしても、出力25に、反射ノイズやク
ロストークノイズ等による負のノイズがある間は上記の
電流経路により電流が流れて、トランジスタ11はオフ
せず、よって出力25はハイ状態にならない。従って、
負ノイズが出力に存在している間は、ローレベルからハ
イレベルへ出力状態が変化しないので、ディレータイム
が増加するのである。
At this time, the input changes and the transistor 1
Even if 1 is turned off, while the output 25 has negative noise due to reflection noise, crosstalk noise, etc., current flows through the above current path, the transistor 11 is not turned off, and thus the output 25 is in a high state. I won't. Therefore,
While the negative noise is present at the output, the output state does not change from low level to high level, so the delay time increases.

【0010】現在、TTL回路は高速で使用されるよう
になってきており、反射波やグランドノイズ,クロスト
ークノイズ等による負ノイズが増加してきており、これ
により、上述のディレータイムの増加が生じて装置の信
頼性を悪化させると共に、装置設計をも困難にするとい
う欠点がある。
At present, TTL circuits are used at high speed, and negative noise due to reflected waves, ground noise, crosstalk noise, etc. is increasing, which causes the above-mentioned increase in delay time. Therefore, the reliability of the device is deteriorated, and the device design is also difficult.

【0011】[0011]

【発明の目的】本発明の目的は、出力のディレータイム
をなくして高速動作可能なTTL回路を提供することで
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a TTL circuit which can operate at high speed without an output delay time.

【0012】[0012]

【発明の構成】本発明によるTTL回路は、出力電位を
プルアップするプルアップ用トランジスタと、前記出力
電位をプルダウンするショットキーダイオード付のプル
ダウン用トランジスタと、前記プルアップ及びプルダウ
ン用のトランジスタを一対の相補駆動信号により相補的
に駆動する駆動手段と、前記出力電位が論理ローレベル
電位以下に低下したときに動作して前記出力電位を略前
記論理ローレベル電位にクランプするクランプ手段とを
含むことを特徴とする。
The TTL circuit according to the present invention comprises a pull-up transistor for pulling up the output potential, a pull-down transistor with a Schottky diode for pulling down the output potential, and a pair of the pull-up and pull-down transistors. Driving means for complementary driving with the complementary driving signal, and clamping means for operating when the output potential drops below the logical low level potential to clamp the output potential to the logical low level potential. Is characterized by.

【0013】[0013]

【実施例】以下に、本発明の実施例を図面を参照して説
明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明の実施例の回路図であり、図
2と同等部分は同一符号により示しており、本例でも1
入力インバータ回路を示すが、これに限定されない。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG.
An input inverter circuit is shown, but is not limited to this.

【0015】入力段最初のエミッタフォロワトランジス
タ(ショットキートランジスタ)7のコレクタにベース
が接続され、コレクタが抵抗9を介して正電源24にプ
ルアップされたショットキートランジスタ10が設けら
れている。
There is provided a Schottky transistor 10 whose base is connected to the collector of the first emitter follower transistor (Schottky transistor) 7 in the input stage and whose collector is pulled up to the positive power source 24 via the resistor 9.

【0016】このトランジスタ10のエミッタと回路出
力25との間に、ショットキーダイオード16,17が
2段直列接続されており、その接続極性は出力25側が
カソードであり、トランジスタ10のエミッタ側がアノ
ードとなるような極性となっている。
Two stages of Schottky diodes 16 and 17 are connected in series between the emitter of the transistor 10 and the circuit output 25. The polarity of the connection is such that the output 25 side is the cathode and the emitter side of the transistor 10 is the anode. The polarity is as follows.

【0017】このトランジスタ10とダイオード16,
17とにより0クランプ回路を構成しており、他の構成
は図2のそれと同一であるので、その説明は省略する。
This transistor 10 and diode 16,
A zero clamp circuit is constituted by 17 and the other constitution is the same as that of FIG. 2, and therefore its explanation is omitted.

【0018】出力25の論理レベルがハイの場合、トラ
ンジスタ7,11は共にオフであり、よって、トランジ
スタ10のベース電圧と出力25の電圧との間には、ト
ランジスタ10,ショットキーダイオード16,17を
オンするに充分な電位差を生じないので、0クランプ回
路は何等機能しない。
When the logic level of the output 25 is high, the transistors 7 and 11 are both off, so that between the base voltage of the transistor 10 and the voltage of the output 25, the transistor 10 and the Schottky diodes 16 and 17 are provided. The 0 clamp circuit does not function at all because it does not generate a sufficient potential difference to turn on.

【0019】また、出力25の論理レベルがローの場
合、トランジスタ7,11は共にオンとなる。このと
き、トランジスタ10のベース電位は、トランジスタ1
1,21のベース・エミッタ間電圧2段分(0.8×2
=1.6v)とトランジスタ7のコレクタ・エミッタ間
電圧(略0.2v)との和である1.8vとなってい
る。
When the logic level of the output 25 is low, both the transistors 7 and 11 are turned on. At this time, the base potential of the transistor 10 is equal to that of the transistor 1
Two stages of base-emitter voltage of 1, 21 (0.8 x 2
= 1.6v) and the collector-emitter voltage of the transistor 7 (approximately 0.2v), which is 1.8v.

【0020】そして、このときの出力25の電位はロー
レベルで約0.2vであるので、トランジスタ10のベ
ース電位と出力電位との差は約1.6vとなる。0クラ
ンプ回路がオンするためには、トランジスタ10のベー
ス・エミッタ間電圧(0.8v)とショットキーダイオ
ード16,17の順方向電圧2段分(0.5×2=1.
0v)との和である1.8v以上の電位差が、トランジ
スタ10のベースと出力25との間に必要である。
At this time, the potential of the output 25 is about 0.2v at the low level, so that the difference between the base potential of the transistor 10 and the output potential is about 1.6v. In order for the 0 clamp circuit to turn on, the base-emitter voltage of the transistor 10 (0.8 v) and the forward voltage of the Schottky diodes 16 and 17 for two stages (0.5 × 2 = 1.
A potential difference of 1.8v or more, which is the sum of 0v), is required between the base of the transistor 10 and the output 25.

【0021】従って、出力25がローレベルの場合にも
0クランプ回路はオンとならず何等機能しないことにな
る。
Therefore, even when the output 25 is at the low level, the 0 clamp circuit does not turn on and does not function at all.

【0022】ここで、ロー出力状態時に、クロストーク
ノイズ等により負のノイズが出力25に加わる場合を考
える。0クランプ回路のトランジスタ10のベース電位
は前述の如くロー出力時には約1.8vであり、出力2
5の電位が負のノイズによりローレベルより低い負電位
になると、0クランプ回路の閾値(トランジスタ10の
ベースと出力25との間の電位差=1.8v)以上とな
って、0クランプ回路が始めてオンすることになる。
Consider a case where negative noise is added to the output 25 due to crosstalk noise or the like in the low output state. The base potential of the transistor 10 of the 0 clamp circuit is about 1.8 V at the time of low output as described above, and the output 2
When the potential of 5 becomes a negative potential lower than the low level due to negative noise, it becomes equal to or higher than the threshold value of the 0 clamp circuit (potential difference between the base of the transistor 10 and the output 25 = 1.8v), and the 0 clamp circuit starts. It will be turned on.

【0023】従って、出力25の電位はこの0クランプ
回路のオン動作により、略0v(論理信号のローレベル
と略等しいとみなせる)にクランプされるのである。こ
れにより、出力25は負電位になることはなく、よって
負ノイズによるディレータイムの増加は防止される。
Therefore, the potential of the output 25 is clamped to about 0 v (which can be regarded as substantially equal to the low level of the logic signal) by the ON operation of the 0 clamp circuit. As a result, the output 25 does not have a negative potential, and thus an increase in delay time due to negative noise is prevented.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、出力
電位がノイズ等により論理ローレベルよりも低くなった
とき、これを検出して動作して出力を略ローレベルにク
ランプするようのしたので、ノイズ等により出力が負レ
ベルにならず、よって出力がローからハイへのディレー
タイムがなくなって高速動作が可能となるという効果が
ある。
As described above, according to the present invention, when the output potential becomes lower than the logic low level due to noise or the like, it is detected to operate and the output is clamped to the substantially low level. Therefore, there is an effect that the output does not become a negative level due to noise or the like, and thus the delay time from the low to the high of the output is eliminated and the high speed operation becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】従来のTTL回路の例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a conventional TTL circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力 7 エミッタフォロワトランジスタ 10 0クランプ回路 11 駆動トランジスタ 16,17 ショットキーダイオード 18,19 プルアップ用トランジスタ 21 プルダウン用トランジスタ 25 出力 1 Input 7 Emitter Follower Transistor 100 Clamp Circuit 11 Drive Transistor 16,17 Schottky Diode 18,19 Pull-up Transistor 21 Pull-down Transistor 25 Output

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 出力電位をプルアップするプルアップ用
トランジスタと、前記出力電位をプルダウンするショッ
トキーダイオード付のプルダウン用トランジスタと、前
記プルアップ及びプルダウン用のトランジスタを一対の
相補駆動信号により相補的に駆動する駆動手段と、前記
出力電位が論理ローレベル電位以下に低下したときに動
作して前記出力電位を略前記論理ローレベル電位にクラ
ンプするクランプ手段とを含むことを特徴とするTTL
回路。
1. A pull-up transistor that pulls up an output potential, a pull-down transistor with a Schottky diode that pulls down the output potential, and the pull-up and pull-down transistors are complemented by a pair of complementary drive signals. Driving means for driving the output potential and clamping means for operating when the output potential drops below a logical low level potential to clamp the output potential at the logical low level potential.
circuit.
【請求項2】 前記駆動手段は、回路論理入力信号をベ
ース入力とするエミッタフォロワトランジスタと、前記
エミッタフォロワトランジスタのエミッタフォロワ出力
をベース入力として前記一対の相補駆動信号を発生する
駆動トランジスタとを有し、前記クランプ手段は、前記
エミッタフォロワトランジスタのコレクタにベースが接
続されコレクタがプルアップされたクランプ用トランジ
スタと、前記クランプ用トランジスタのエミッタと前記
出力電位点との間に直列接続された2個のショットキー
ダイオードとを有することを特徴とする請求項1記載の
TTL回路。
2. The driving means includes an emitter follower transistor having a circuit logic input signal as a base input, and a driving transistor having an emitter follower output of the emitter follower transistor as a base input and generating the pair of complementary driving signals. The clamp means includes two clamp transistors, the base of which is connected to the collector of the emitter follower transistor and the collector of which is pulled up, and two clamp transistors which are connected in series between the emitter of the clamp transistor and the output potential point. 3. The TTL circuit according to claim 1, further comprising:
JP25971691A 1991-09-11 1991-09-11 Ttl circuit Pending JPH0575439A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1128539A2 (en) * 2000-02-28 2001-08-29 Hitachi, Ltd. Surge voltage suppressed power inverter using a voltage driven switching circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1128539A2 (en) * 2000-02-28 2001-08-29 Hitachi, Ltd. Surge voltage suppressed power inverter using a voltage driven switching circuit
EP1128539A3 (en) * 2000-02-28 2003-07-23 Hitachi, Ltd. Surge voltage suppressed power inverter using a voltage driven switching circuit

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