JPH0572505A - 電界吸収型光変調回路 - Google Patents
電界吸収型光変調回路Info
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- JPH0572505A JPH0572505A JP23265191A JP23265191A JPH0572505A JP H0572505 A JPH0572505 A JP H0572505A JP 23265191 A JP23265191 A JP 23265191A JP 23265191 A JP23265191 A JP 23265191A JP H0572505 A JPH0572505 A JP H0572505A
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 47
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は電界吸収型光変調器から出力される光
信号のオフ状態が完全に消光状態となるように制御する
ことによって、符号誤り率を向上させることができる電
界吸収型光変調回路を提供することを目的とする。 【構成】印加駆動電圧に応じて光透過率の変化する電界
吸収型光変調器に印加される駆動電圧のピーク値を定め
られた値に保持する駆動電圧制御手段を設けることによ
って、電界吸収型光変調器に駆動電圧のピーク値が印加
された際に電界吸収型光変調器が入力光を完全に遮断す
るように構成する。
信号のオフ状態が完全に消光状態となるように制御する
ことによって、符号誤り率を向上させることができる電
界吸収型光変調回路を提供することを目的とする。 【構成】印加駆動電圧に応じて光透過率の変化する電界
吸収型光変調器に印加される駆動電圧のピーク値を定め
られた値に保持する駆動電圧制御手段を設けることによ
って、電界吸収型光変調器に駆動電圧のピーク値が印加
された際に電界吸収型光変調器が入力光を完全に遮断す
るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界吸収型光変調器に駆
動電圧を印加することによって入力光をオン／オフさせ
て出力する電界吸収型光変調回路に関する。
動電圧を印加することによって入力光をオン／オフさせ
て出力する電界吸収型光変調回路に関する。
【０００２】電界吸収型光変調器は、光通信システムの
光送信機への適用が見込まれているものであり、特に幹
線系の大容量のデータを取り扱う通信機への適用が意図
されている。
光送信機への適用が見込まれているものであり、特に幹
線系の大容量のデータを取り扱う通信機への適用が意図
されている。
【０００３】この電界吸収型光変調器は、印加される駆
動電圧の変動によって出力光のオフレベルが零発光とな
るので、このようなことが生じないように駆動電圧を適
正に制御できる電界吸収型光変調回路が求められてい
る。
動電圧の変動によって出力光のオフレベルが零発光とな
るので、このようなことが生じないように駆動電圧を適
正に制御できる電界吸収型光変調回路が求められてい
る。
【０００４】
【従来の技術】現在、電界吸収型光変調器を用いた電界
吸収型光変調回路として、図８に示すような回路が考え
られている。
吸収型光変調回路として、図８に示すような回路が考え
られている。
【０００５】この電界吸収型光変調回路は、電界吸収型
光変調器１と、変調器駆動回路２と、レーザーダイオー
ド３と、フォトダイオード４と、ＡＰＣ(Automatic Pow
er Control) 回路５とを有して構成されている。
光変調器１と、変調器駆動回路２と、レーザーダイオー
ド３と、フォトダイオード４と、ＡＰＣ(Automatic Pow
er Control) 回路５とを有して構成されている。
【０００６】電界吸収型光変調器１は、図９に曲線７で
示すように、印加される駆動電圧Ｖｄが大きくなる程に
光透過率Φが減少する特性を有している。即ち、この電
界吸収型光変調器１は、図８に示す変調器駆動回路２か
ら出力されて印加される駆動電圧Ｖｄが０Ｖの場合はレ
ザーダイオード３から出力される光Ｏ１を１００％透過
する。また、図９に示すピーク値Ｖ１の駆動電圧Ｖｄが
印加されると光Ｏ１を完全に遮断する。
示すように、印加される駆動電圧Ｖｄが大きくなる程に
光透過率Φが減少する特性を有している。即ち、この電
界吸収型光変調器１は、図８に示す変調器駆動回路２か
ら出力されて印加される駆動電圧Ｖｄが０Ｖの場合はレ
ザーダイオード３から出力される光Ｏ１を１００％透過
する。また、図９に示すピーク値Ｖ１の駆動電圧Ｖｄが
印加されると光Ｏ１を完全に遮断する。
【０００７】図９に符号１０で示すように、ピーク値が
Ｖ１の矩形波形の駆動電圧Ｖｄを電界吸収型光変調器１
に印加すれば、符号１１で示す符号１０の波形を反転し
た波形の光が電界吸収型光変調器１から出力される。
Ｖ１の矩形波形の駆動電圧Ｖｄを電界吸収型光変調器１
に印加すれば、符号１１で示す符号１０の波形を反転し
た波形の光が電界吸収型光変調器１から出力される。
【０００８】つまり、図８に示す入力端子８に矩形波の
電圧によるデータＤを供給して変調器駆動回路２に入力
することによって、電界吸収型光変調器１からオン／オ
フする光Ｏ２が出力されることになる。
電圧によるデータＤを供給して変調器駆動回路２に入力
することによって、電界吸収型光変調器１からオン／オ
フする光Ｏ２が出力されることになる。
【０００９】また、図８においてレザーダイオード３
は、光Ｏ１と同様な光Ｏ１′をフォトダイオード４へ出
力し、フォトダイオード４は光Ｏ１′を電流Ｉに変換し
てＡＰＣ回路５へ出力する。ＡＰＣ回路５はその電流Ｉ
に基づいて、レザーダイオード３の出力光Ｏ１及びＯ
１′が一定の光強度となるようなバイアス電流Ｉｂを出
力するようになっている。
は、光Ｏ１と同様な光Ｏ１′をフォトダイオード４へ出
力し、フォトダイオード４は光Ｏ１′を電流Ｉに変換し
てＡＰＣ回路５へ出力する。ＡＰＣ回路５はその電流Ｉ
に基づいて、レザーダイオード３の出力光Ｏ１及びＯ
１′が一定の光強度となるようなバイアス電流Ｉｂを出
力するようになっている。
【００１０】変調器駆動回路２は、図１０の破線枠で示
すような回路構成となっている。抵抗Ｒ２の一端に接続
された端子１２及び、電界効果トランジスタＴｒのソー
ス端に接続された端子１３には定電圧が印加されてお
り、端子８に供給されたデータＤがトランジスタＴｒの
ゲートに印加されると電界吸収型光変調器１に駆動電圧
Ｖｄが印加されるようになっている。
すような回路構成となっている。抵抗Ｒ２の一端に接続
された端子１２及び、電界効果トランジスタＴｒのソー
ス端に接続された端子１３には定電圧が印加されてお
り、端子８に供給されたデータＤがトランジスタＴｒの
ゲートに印加されると電界吸収型光変調器１に駆動電圧
Ｖｄが印加されるようになっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した電
界吸収型光変調回路において、図９に符号１０で示す駆
動電圧Ｖｄのピーク値Ｖ１が、温度変化等によって破線
で示すようにＶ２に下がった場合、符号１１で示す出力
光Ｏ２のオフレベルＯＦＦがΔＰだけ上がることにな
る。つまり、出力光Ｏ２のオフレベルＯＦＦ′が完全な
消光状態でなく僅かに発光することになる。
界吸収型光変調回路において、図９に符号１０で示す駆
動電圧Ｖｄのピーク値Ｖ１が、温度変化等によって破線
で示すようにＶ２に下がった場合、符号１１で示す出力
光Ｏ２のオフレベルＯＦＦがΔＰだけ上がることにな
る。つまり、出力光Ｏ２のオフレベルＯＦＦ′が完全な
消光状態でなく僅かに発光することになる。
【００１２】このような零発光レベルがオフレベルＯＦ
Ｆ′の光Ｏ２を信号として送った場合、信号がオフであ
るにも係わらず光受信機が僅かな光を検出してオンとし
て認識することがあり、これによって符号誤り率が低下
するといった問題が生じる。
Ｆ′の光Ｏ２を信号として送った場合、信号がオフであ
るにも係わらず光受信機が僅かな光を検出してオンとし
て認識することがあり、これによって符号誤り率が低下
するといった問題が生じる。
【００１３】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、電界吸収型光変調器から出力される光信号
のオフ状態が完全に消光状態となるように制御すること
によって、符号誤り率を向上させることができる電界吸
収型光変調回路を提供することを目的としている。
ものであり、電界吸収型光変調器から出力される光信号
のオフ状態が完全に消光状態となるように制御すること
によって、符号誤り率を向上させることができる電界吸
収型光変調回路を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】図１に本発明の電界吸収
型光変調回路の第１原理図を示す。図中、１は電界吸収
型光変調器である。この電界吸収型光変調器１は、印加
される駆動電圧Ｖｄに応じて光透過率が変化するもので
あり、発光手段３からの入力光Ｏ１を、その光透過率の
変化に応じ、オン／オフ制御して出力する。
型光変調回路の第１原理図を示す。図中、１は電界吸収
型光変調器である。この電界吸収型光変調器１は、印加
される駆動電圧Ｖｄに応じて光透過率が変化するもので
あり、発光手段３からの入力光Ｏ１を、その光透過率の
変化に応じ、オン／オフ制御して出力する。
【００１５】２０は駆動電圧制御手段であり、電界吸収
型光変調器１に印加される駆動電圧Ｖｄのピーク値を定
められた値に保持するものである。駆動電圧制御手段２
０は、入力電圧に応じた駆動電圧Ｖｄを電界吸収型光変
調器１に印加する変調器駆動手段と、駆動電圧Ｖｄのピ
ーク値を検出して検出電圧を出力するピーク検出手段
と、検出電圧に応じて駆動電圧Ｖｄのピーク値を一定値
に保持する制御電圧を変調器駆動手段へ出力する駆動制
御手段とを具備して構成するのが好ましい。
型光変調器１に印加される駆動電圧Ｖｄのピーク値を定
められた値に保持するものである。駆動電圧制御手段２
０は、入力電圧に応じた駆動電圧Ｖｄを電界吸収型光変
調器１に印加する変調器駆動手段と、駆動電圧Ｖｄのピ
ーク値を検出して検出電圧を出力するピーク検出手段
と、検出電圧に応じて駆動電圧Ｖｄのピーク値を一定値
に保持する制御電圧を変調器駆動手段へ出力する駆動制
御手段とを具備して構成するのが好ましい。
【００１６】図２に本発明の電界吸収型光変調器の第２
原理図を示す。図中、電界吸収型光変調器１及び発光手
段３は図１と同様なものである。３０はバイアス手段で
あり、電界吸収型光変調器１に印加される駆動電圧Ｖｄ
にバイアス電圧Ｖｂを重畳することによってバイアスを
かけるものである。
原理図を示す。図中、電界吸収型光変調器１及び発光手
段３は図１と同様なものである。３０はバイアス手段で
あり、電界吸収型光変調器１に印加される駆動電圧Ｖｄ
にバイアス電圧Ｖｂを重畳することによってバイアスを
かけるものである。
【００１７】バイアス手段３０は、入力電圧に応じた駆
動電圧Ｖｄを電界吸収型光変調器１に印加する変調器駆
動手段と、駆動電圧Ｖｄのピーク値を検出して検出電圧
を出力するピーク検出手段と、検出電圧に応じたバイア
ス電圧Ｖｂをチョークコイルを介して駆動電圧Ｖｄに重
畳させるバイアス制御手段とを具備して構成するのが好
ましい。
動電圧Ｖｄを電界吸収型光変調器１に印加する変調器駆
動手段と、駆動電圧Ｖｄのピーク値を検出して検出電圧
を出力するピーク検出手段と、検出電圧に応じたバイア
ス電圧Ｖｂをチョークコイルを介して駆動電圧Ｖｄに重
畳させるバイアス制御手段とを具備して構成するのが好
ましい。
【００１８】
【作用】上述した本発明の第１原理によれば、駆動電圧
制御手段２０によって、電界吸収型光変調器１に印加さ
れる駆動電圧Ｖｄのピーク値を常時一定に保持すること
ができる。従って、駆動電圧Ｖｄのピーク値を電界吸収
型光変調器１が入力光を完全に遮断するレベルに設定し
ておけば、変調器１から光が完全に遮断されたオフレベ
ルの光信号を常時出力させることができるので、従来の
ようにオフレベルが零発光のレベルとなるために受信側
でオフレベルを検出した際に誤ってオンレベルと検知
し、符号誤り率が低下すると言った事がなくなる。
制御手段２０によって、電界吸収型光変調器１に印加さ
れる駆動電圧Ｖｄのピーク値を常時一定に保持すること
ができる。従って、駆動電圧Ｖｄのピーク値を電界吸収
型光変調器１が入力光を完全に遮断するレベルに設定し
ておけば、変調器１から光が完全に遮断されたオフレベ
ルの光信号を常時出力させることができるので、従来の
ようにオフレベルが零発光のレベルとなるために受信側
でオフレベルを検出した際に誤ってオンレベルと検知
し、符号誤り率が低下すると言った事がなくなる。
【００１９】第２原理によれば、バイアス手段３０によ
り、駆動電圧Ｖｄにバイアス電圧Ｖｂを重畳してバイア
スをかけて駆動電圧Ｖｄのレベルを上方にシフトさせ、
駆動電圧Ｖｄのピーク値を一定値に制御することができ
る。
り、駆動電圧Ｖｄにバイアス電圧Ｖｂを重畳してバイア
スをかけて駆動電圧Ｖｄのレベルを上方にシフトさせ、
駆動電圧Ｖｄのピーク値を一定値に制御することができ
る。
【００２０】従って、第１原理と同じ様に、変調器１か
ら光が完全に遮断されたオフレベルの光信号を常時出力
させることができる。
ら光が完全に遮断されたオフレベルの光信号を常時出力
させることができる。
【００２１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図３は本発明の第１実施例による電界吸収
型光変調回路の構成を示す図である。この図において図
８に示す従来例の各部に対応する部分には同一符号を付
し、その説明を省略する。
て説明する。図３は本発明の第１実施例による電界吸収
型光変調回路の構成を示す図である。この図において図
８に示す従来例の各部に対応する部分には同一符号を付
し、その説明を省略する。
【００２２】図３において、２０は駆動電圧制御手段で
ある。この駆動電圧制御手段２０は、電界吸収型光変調
器１に印加される駆動電圧Ｖｄのピーク値を一定値に保
持するものであり、変調器駆動回路２と、ピーク検出回
路２１と、駆動制御回路２２とから構成されている。
ある。この駆動電圧制御手段２０は、電界吸収型光変調
器１に印加される駆動電圧Ｖｄのピーク値を一定値に保
持するものであり、変調器駆動回路２と、ピーク検出回
路２１と、駆動制御回路２２とから構成されている。
【００２３】ピーク検出回路２１は、変調器駆動回路２
から出力される駆動電圧Ｖｄのピーク値Ｖｐを検出し
て、検出電圧Ｖｔを駆動制御回路２２へ出力するもので
ある。但し、ピーク値Ｖｐの検出は、ピーク検出回路２
１の入力端が、図１０に示す端子１３に接続され、トラ
ンジスタＴｒのソース電流がモニタリングされることに
よって行われる。
から出力される駆動電圧Ｖｄのピーク値Ｖｐを検出し
て、検出電圧Ｖｔを駆動制御回路２２へ出力するもので
ある。但し、ピーク値Ｖｐの検出は、ピーク検出回路２
１の入力端が、図１０に示す端子１３に接続され、トラ
ンジスタＴｒのソース電流がモニタリングされることに
よって行われる。
【００２４】駆動制御回路２２は、入力される検出電圧
Ｖｔに応じて、駆動電圧Ｖｄのピーク値Ｖｐを一定値に
保持する制御電圧Ｖｃを変調器駆動回路２へ出力するも
のである。この場合、変調器駆動回路２に出力される制
御電圧Ｖｃは図１０に示す端子１２へ印加される。つま
り、従来例において端子１２へ印加されていた定電圧の
代わりに制御電圧Ｖｃが印加されることになる。
Ｖｔに応じて、駆動電圧Ｖｄのピーク値Ｖｐを一定値に
保持する制御電圧Ｖｃを変調器駆動回路２へ出力するも
のである。この場合、変調器駆動回路２に出力される制
御電圧Ｖｃは図１０に示す端子１２へ印加される。つま
り、従来例において端子１２へ印加されていた定電圧の
代わりに制御電圧Ｖｃが印加されることになる。
【００２５】このような電界吸収型光変調回路において
は、電界吸収型光変調器１に印加される駆動電圧Ｖｄの
ピーク値Ｖｐを、図９に示すＶ１に保持することができ
る。即ち、従来のように温度変化等により駆動電圧Ｖｄ
のピーク値Ｖ１がＶ２に下がるようなことがなくなり、
電界吸収型光変調器１から出力される光Ｏ２による信号
のオフレベルを完全に光が遮断されるレベルＯＦＦとす
ることができる。
は、電界吸収型光変調器１に印加される駆動電圧Ｖｄの
ピーク値Ｖｐを、図９に示すＶ１に保持することができ
る。即ち、従来のように温度変化等により駆動電圧Ｖｄ
のピーク値Ｖ１がＶ２に下がるようなことがなくなり、
電界吸収型光変調器１から出力される光Ｏ２による信号
のオフレベルを完全に光が遮断されるレベルＯＦＦとす
ることができる。
【００２６】従って、このような光Ｏ２による信号を光
受信機で受けた場合、オン／オフを間違いなく認識する
ことができるので符号誤り率を向上させることができ
る。次に、本発明の第２実施例を図４を参照して説明す
る。この図において図３に示す第１実施例の各部に対応
する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
受信機で受けた場合、オン／オフを間違いなく認識する
ことができるので符号誤り率を向上させることができ
る。次に、本発明の第２実施例を図４を参照して説明す
る。この図において図３に示す第１実施例の各部に対応
する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２７】図４において、３０はバイアス手段であ
る。このバイアス手段は、電界吸収型光変調器１に印加
される駆動電圧ＶｄにＤＣバイアスをかけ、駆動電圧Ｖ
ｄのピーク値を上方にシフトさせるものであり、変調器
駆動回路２と、ピーク検出回路２１と、バイアス制御回
路３１と、チョークコイル３２から構成されている。
る。このバイアス手段は、電界吸収型光変調器１に印加
される駆動電圧ＶｄにＤＣバイアスをかけ、駆動電圧Ｖ
ｄのピーク値を上方にシフトさせるものであり、変調器
駆動回路２と、ピーク検出回路２１と、バイアス制御回
路３１と、チョークコイル３２から構成されている。
【００２８】バイアス制御回路３１は、ピーク検出回路
２１から出力される検出電圧Ｖｔに応じたバイアス電圧
Ｖｂ′を出力すものであり、チョークコイル３２は、バ
イアス電圧Ｖｂ′の高周波成分をカットすることにより
低周波成分のバイアス電圧Ｖｂを通過させるものであ
る。
２１から出力される検出電圧Ｖｔに応じたバイアス電圧
Ｖｂ′を出力すものであり、チョークコイル３２は、バ
イアス電圧Ｖｂ′の高周波成分をカットすることにより
低周波成分のバイアス電圧Ｖｂを通過させるものであ
る。
【００２９】つまり、チョークコイル３２から出力され
るバイアス電圧Ｖｂが、駆動電圧Ｖｄに重畳されること
により駆動電圧ＶｄにＤＣバイアスがかけられることに
なる。
るバイアス電圧Ｖｂが、駆動電圧Ｖｄに重畳されること
により駆動電圧ＶｄにＤＣバイアスがかけられることに
なる。
【００３０】例えば、図５に示すように、最低値がＶ
３′でピーク値がＶ３の矩形波の駆動電圧Ｖｄに、ＤＣ
バイアスをかけることによって、最低値がＶ４′でピー
ク値がＶ４にシフトした矩形波の駆動電圧Ｖｄを得るこ
とができる。即ち、前者の場合に零発光が生じるオフレ
ベルＯＦＦ′の光信号が、後者の場合には光が完全に遮
断されるオフレベルＯＦＦの光信号となる。
３′でピーク値がＶ３の矩形波の駆動電圧Ｖｄに、ＤＣ
バイアスをかけることによって、最低値がＶ４′でピー
ク値がＶ４にシフトした矩形波の駆動電圧Ｖｄを得るこ
とができる。即ち、前者の場合に零発光が生じるオフレ
ベルＯＦＦ′の光信号が、後者の場合には光が完全に遮
断されるオフレベルＯＦＦの光信号となる。
【００３１】また、駆動電圧Ｖｄに重畳されるバイアス
電圧Ｖｂは、駆動電圧Ｖｄのピーク値の変動量に応じた
ものとなるので、駆動電圧Ｖｄのピーク値Ｖｐは一定値
に制御されることになる。即ち、ＤＣバイアスをかける
ことによって、電界吸収型光変調器１が入力光を完全に
遮断するようなピーク値Ｖｐの駆動電圧Ｖｄが変調器１
に印加されるようにしておけば、光が完全に遮断される
オフレベルＯＦＦの光信号を得ることができる。
電圧Ｖｂは、駆動電圧Ｖｄのピーク値の変動量に応じた
ものとなるので、駆動電圧Ｖｄのピーク値Ｖｐは一定値
に制御されることになる。即ち、ＤＣバイアスをかける
ことによって、電界吸収型光変調器１が入力光を完全に
遮断するようなピーク値Ｖｐの駆動電圧Ｖｄが変調器１
に印加されるようにしておけば、光が完全に遮断される
オフレベルＯＦＦの光信号を得ることができる。
【００３２】次に、第３実施例を図６を参照して説明す
る。この図６に示す電界吸収型光変調回路は、図４に示
した第２実施例のＤＣバイアスをかける要素の他に、電
界吸収型光変調器１から出力される光Ｏ２の強度を上げ
るための光強度制御手段４０を具備して構成したもので
ある。
る。この図６に示す電界吸収型光変調回路は、図４に示
した第２実施例のＤＣバイアスをかける要素の他に、電
界吸収型光変調器１から出力される光Ｏ２の強度を上げ
るための光強度制御手段４０を具備して構成したもので
ある。
【００３３】光強度制御手段４０は、光カプラ４１と、
フォトダイオード４と、ＡＰＣ回路５とから構成されて
いる。電界吸収型光変調器１から出力された光Ｏ２が、
光カプラ４１により分岐されてフォトダイオード４へ出
力され、この入力光Ｏ２′に応じた電流Ｉがフォトダイ
オード４から出力される。そして、レーザーダイオード
３から出力される光Ｏ１の強度を制御するバイアス電流
Ｉｂ′がダイオード４からの電流に応じてＡＰＣ回路５
からレーザーダイオード３へ出力されるようになってい
る。
フォトダイオード４と、ＡＰＣ回路５とから構成されて
いる。電界吸収型光変調器１から出力された光Ｏ２が、
光カプラ４１により分岐されてフォトダイオード４へ出
力され、この入力光Ｏ２′に応じた電流Ｉがフォトダイ
オード４から出力される。そして、レーザーダイオード
３から出力される光Ｏ１の強度を制御するバイアス電流
Ｉｂ′がダイオード４からの電流に応じてＡＰＣ回路５
からレーザーダイオード３へ出力されるようになってい
る。
【００３４】つまり、このような回路構成によれば、電
界吸収型光変調器１から出力される光の強度を任意に制
御することができるので、バイアス手段３０によりＤＣ
バイアスをかけた際に出力光Ｏ２のオンレベルが下がり
光強度が低下しても、それを高めることができる。
界吸収型光変調器１から出力される光の強度を任意に制
御することができるので、バイアス手段３０によりＤＣ
バイアスをかけた際に出力光Ｏ２のオンレベルが下がり
光強度が低下しても、それを高めることができる。
【００３５】即ち、消光比を向上させることができるの
で、符号誤り率も向上することになる。次に、第４実施
例を図７を参照して説明する。
で、符号誤り率も向上することになる。次に、第４実施
例を図７を参照して説明する。
【００３６】この図７の第４実施例は、図６に示す第３
実施例における出力光Ｏ２の強度を制御して高める要素
と、図３に示す第１実施例における駆動電圧Ｖｄのピー
ク値を一定に制御する要素をミックスさせたものであ
り、光強度制御手段４０と、駆動電圧制御手段２０とを
具備して構成したものである。
実施例における出力光Ｏ２の強度を制御して高める要素
と、図３に示す第１実施例における駆動電圧Ｖｄのピー
ク値を一定に制御する要素をミックスさせたものであ
り、光強度制御手段４０と、駆動電圧制御手段２０とを
具備して構成したものである。
【００３７】即ち、出力光Ｏ２のオフレベルを光が完全
に遮断されたレベルにすることができると共に、出力光
Ｏ２の強度を高めて消光比を向上させることができる。
に遮断されたレベルにすることができると共に、出力光
Ｏ２の強度を高めて消光比を向上させることができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電界吸収型光変調器から出力される光信号のオフ状態が
完全に消光状態となるように制御することができるの
で、受信側でその光信号のオフ状態を確実に検出するこ
とができ、これによって、符号誤り率を向上させること
ができる効果がある。
電界吸収型光変調器から出力される光信号のオフ状態が
完全に消光状態となるように制御することができるの
で、受信側でその光信号のオフ状態を確実に検出するこ
とができ、これによって、符号誤り率を向上させること
ができる効果がある。
【００３９】また、光信号の光強度を高めることによっ
て消光比を向上させることができるので、更に符号誤り
率を向上させることができる。
て消光比を向上させることができるので、更に符号誤り
率を向上させることができる。
【図１】本発明の電界吸収型光変調回路の第１原理図で
ある。
ある。
【図２】本発明の電界吸収型光変調回路の第２原理図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１実施例による電界吸収型光変調回
路のブロック構成図である。
路のブロック構成図である。
【図４】本発明の第２実施例による電界吸収型光変調回
路のブロック構成図である。
路のブロック構成図である。
【図５】本発明の第２実施例による電界吸収型光変調回
路の動作説明図である。
路の動作説明図である。
【図６】本発明の第３実施例による電界吸収型光変調回
路のブロック構成図である。
路のブロック構成図である。
【図７】本発明の第４実施例による電界吸収型光変調回
路のブロック構成図である。
路のブロック構成図である。
【図８】従来の電界吸収型光変調回路のブロック構成図
である。
である。
【図９】従来の電界吸収型光変調回路の動作説明並び
に、電界吸収型光変調回路に用いられている電界吸収型
光変調器の光透過率特性の説明図である。
に、電界吸収型光変調回路に用いられている電界吸収型
光変調器の光透過率特性の説明図である。
【図１０】変調器駆動回路の回路構成説明図である。
【符号の説明】 １ 電界吸収型光変調器 ３ 発光手段 ２０ 駆動電圧制御手段 ３０ バイアス手段 Ｏ１ 入力光 Ｏ２ 出力光 Ｖｄ 駆動電圧 Ｖｂ バイアス電圧
Claims (6)
- 【請求項１】 印加される駆動電圧(Vd)に応じて光透過
率の変化する電界吸収型光変調器(1) が、発光手段(3)
からの入力光をオン／オフ制御して出力する電界吸収型
光変調回路において、 前記電界吸収型光変調器(1) に印加される前記駆動電圧
(Vd)のピーク値を定められた値に保持して出力する駆動
電圧制御手段(20)を具備したことを特徴とする電界吸収
型光変調回路。 - 【請求項２】 前記駆動電圧制御手段(20)を、 入力電圧に応じた前記駆動電圧(Vd)を該電界吸収型光変
調器(1) に印加する変調器駆動手段と、 該駆動電圧(Vd)のピーク値を検出して検出電圧を出力す
るピーク検出手段と、 該検出電圧に応じて前記ピーク値を一定値に保持する制
御電圧を該変調器駆動手段へ出力する駆動制御手段から
構成したことを特徴とする請求項１記載の電界吸収型光
変調回路。 - 【請求項３】 印加される駆動電圧(Vd)に応じて光透過
率の変化する電界吸収型光変調器(1) が、発光手段(3)
からの入力光をオン／オフ制御して出力する電界吸収型
光変調回路において、 前記電界吸収型光変調器(1) に印加される駆動電圧(Vd)
にバイアスをかけて出力するバイアス手段を具備したこ
とを特徴とする電界吸収型光変調回路。 - 【請求項４】 前記バイアス手段を、 入力電圧に応じた前記駆動電圧(Vd)を前記電界吸収型光
変調器(1)に印加する変調器駆動手段と、 該駆動電圧(Vd)のピーク値を検出して検出電圧を出力す
るピーク検出手段と、 該検出電圧に応じたバイアス電圧をチョークコイルを介
して該駆動電圧(Vd)に重畳させるバイアス制御手段から
構成したことを特徴とする請求項３記載の電界吸収型光
変調回路。 - 【請求項５】 前記電界吸収型光変調器(19)から出力さ
れる光に応じて、前記発光手段(3) から出力される光の
強度を制御する光強度制御手段を設けたことを特徴とす
る請求項１又は３記載の電界吸収型光変調回路。 - 【請求項６】 前記光強度制御手段を、 前記電界吸収型光変調器(1) から出力される光を他の経
路に分岐する光カプラと、 該光カプラによって分岐された光を電流に変換するフォ
トダイオードと、 該電流に応じて前記発光手段(3) から出力される光の強
度を制御するバイアス電流を該発光手段(3) へ出力する
制御手段から構成したことを特徴とする請求項５記載の
電界吸収型光変調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23265191A JPH0572505A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 電界吸収型光変調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23265191A JPH0572505A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 電界吸収型光変調回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572505A true JPH0572505A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16942642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23265191A Pending JPH0572505A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 電界吸収型光変調回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572505A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5706117A (en) * | 1995-05-18 | 1998-01-06 | Fujitsu Limited | Drive circuit for electro-absorption optical modulator and optical transmitter including the optical modulator |
| JP2014160176A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 駆動回路 |
| JP2019109342A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 日本オクラロ株式会社 | 光送信サブアセンブリ及び光モジュール |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598033A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS6113222A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Nec Corp | 集積化導波型光素子 |
| JPH02240627A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Fujitsu Ltd | 光変調制御方式 |
| JPH02245808A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体回路用電圧制御装置 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23265191A patent/JPH0572505A/ja active Pending
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| US11451302B2 (en) | 2017-12-18 | 2022-09-20 | Lumentum Japan, Inc. | Transmitter optical subassembly and optical module |
| JP2022160649A (ja) * | 2017-12-18 | 2022-10-19 | 日本ルメンタム株式会社 | 光送信サブアセンブリ及び光モジュール |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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