JPH0548420A - Output circuit - Google Patents
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- JPH0548420A JPH0548420A JP3199183A JP19918391A JPH0548420A JP H0548420 A JPH0548420 A JP H0548420A JP 3199183 A JP3199183 A JP 3199183A JP 19918391 A JP19918391 A JP 19918391A JP H0548420 A JPH0548420 A JP H0548420A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は出力回路の動作速度の低下を防止しな
がら貫通電流の発生を防止することを目的とする。
【構成】高電位側電源Vccと低電位側電源Gとの間で第
一段から第四段のNチャネルMOSトランジスタTr1〜
Tr4を直列に接続し、第四段と第一段のトランジスタT
r4,Tr1のゲートには相補入力信号IN,バーINを入
力し、第二段のトランジスタTr2のゲートには第一段の
トランジスタTr1と同相の入力信号バーINを遅延させ
て入力し、第三段のトランジスタTr3のゲートには第四
段のトランジスタTr4と同相の入力信号INを遅延させ
て入力し、第二段のトランジスタTr2のソースから出力
信号Dout を出力するように構成する。
(57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to prevent the generation of shoot-through current while preventing a decrease in the operating speed of an output circuit. [Structure] Between the high-potential-side power supply Vcc and the low-potential-side power supply G, the first to fourth stages of N-channel MOS transistors Tr1 to
Tr4 is connected in series, and the fourth and first stage transistors T
The complementary input signals IN and IN are input to the gates of r4 and Tr1, and the input signal IN of the same phase as that of the transistor Tr1 of the first stage is delayed and input to the gate of the transistor Tr2 of the second stage. The input signal IN having the same phase as that of the transistor Tr4 of the fourth stage is delayed and input to the gate of the transistor Tr3 of the stage, and the output signal Dout is output from the source of the transistor Tr2 of the second stage.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路で2値
論理信号を出力するために使用される出力回路に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output circuit used for outputting a binary logic signal in a semiconductor integrated circuit.
【0002】半導体集積回路では2値論理信号を出力す
るための出力回路が使用されているが、近年の半導体集
積回路の高速化及び低消費電力化にともなって出力回路
の消費電力の低減及び動作の高速化が要請されている。Although an output circuit for outputting a binary logic signal is used in a semiconductor integrated circuit, the power consumption and operation of the output circuit are reduced with the recent increase in speed and power consumption of the semiconductor integrated circuit. There is a demand for higher speed.
【0003】[0003]
【従来の技術】従来の出力回路の一例を図4に従って説
明すると、高電位側電源Vccと低電位側電源であるグラ
ンドGとの間には2段のNチャネルMOSトランジスタ
Tr1,Tr2が出力トランジスタとして直列に接続され、
各トランジスタTr1,Tr2のゲートに相補入力信号I
N,バーINを入力してトランジスタTr1,Tr2のいず
れか一方をオンさせることにより両トランジスタTr1,
Tr2間に接続された出力端子Tout からHレベルあるい
はLレベルの出力信号Dout が出力される。2. Description of the Related Art An example of a conventional output circuit will be described with reference to FIG. 4. Two stages of N-channel MOS transistors Tr1 and Tr2 are provided between a high potential side power source Vcc and a low potential side power source ground G. Connected in series as
A complementary input signal I is applied to the gates of the transistors Tr1 and Tr2.
By inputting N and bar IN to turn on one of the transistors Tr1 and Tr2, both transistors Tr1 and Tr2 are turned on.
An output signal Dout of H level or L level is output from the output terminal Tout connected between Tr2.
【0004】このような出力回路においては、入力信号
IN,バーINの切り換わり時に両トランジスタTr1,
Tr2が瞬間的に同時にオン状態となって電源Vccからグ
ランドGに貫通電流が流れることがあり、このような貫
通電流が流れると消費電力が増大するとともに電源ノイ
ズが発生する原因となる。In such an output circuit, when the input signals IN and IN are switched, both transistors Tr1,
Tr2 may momentarily turn on simultaneously and a through current may flow from the power supply Vcc to the ground G. If such a through current flows, power consumption increases and power supply noise occurs.
【0005】そこで、各入力信号IN,バーINを図4
に示すように互いに他方の出力信号を入力信号として入
力したNAND回路1a,1bとその前後にそれぞれ接
続したインバータ回路2とを介して各トランジスタTr
1,Tr2に入力すると、各NAND回路1a,1bは一
方の入力信号がLレベルの場合には他方の入力信号に関
わらずHレベルの信号を出力し、一方の入力信号がHレ
ベルの場合には他方の入力信号がHレベルであるかLレ
ベルであるかによって出力信号がHレベルとなるかLレ
ベルとなるかが決定されるため、図4に示す出力回路で
は入力信号IN,バーINの切り換わり時には一方のト
ランジスタがオフされた後に他方のトランジスタがオン
される。従って、電源VccからグランドGに流れる貫通
電流を防止することができる。なお、各インバータ回路
2は入力信号IN,バーINに基づいて各トランジスタ
Tr1,Tr2を安定して駆動するバッファ回路として動作
する。Therefore, the respective input signals IN and IN are shown in FIG.
, Each of the transistors Tr is connected via the NAND circuits 1a and 1b to which the other output signals are input as input signals and the inverter circuits 2 connected before and after the NAND circuits 1a and 1b.
When input to 1 and Tr2, each NAND circuit 1a, 1b outputs an H level signal regardless of the other input signal when one input signal is at L level, and when one input signal is at H level. Determines whether the output signal is H level or L level depending on whether the other input signal is H level or L level. Therefore, in the output circuit shown in FIG. At the time of switching, one transistor is turned off and then the other transistor is turned on. Therefore, it is possible to prevent a through current flowing from the power source Vcc to the ground G. Each inverter circuit 2 operates as a buffer circuit that stably drives each of the transistors Tr1 and Tr2 based on the input signals IN and IN.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な構成の出力回路ではNAND回路1a,1bはその前
後に挿入したインバータ回路2の2段分の動作時間を要
するため、結果として図4に示す出力回路では各入力信
号IN,バーINを各トランジスタTr1,Tr2のゲート
に入力して同トランジスタTr1,Tr2を駆動するために
はインバータ回路2の4段分の動作時間を要するため、
動作速度を低下させる要因となっている。However, in the output circuit having the above configuration, the NAND circuits 1a and 1b require an operation time of two stages of the inverter circuit 2 inserted before and after the NAND circuits 1a and 1b. In the output circuit shown, it takes four operating stages of the inverter circuit 2 to input the input signals IN and IN to the gates of the transistors Tr1 and Tr2 to drive the transistors Tr1 and Tr2.
It is a factor that reduces the operation speed.
【0007】この発明の目的は、動作速度の低下を防止
しながら出力トランジスタの貫通電流を防止し得る出力
回路を提供することにある。An object of the present invention is to provide an output circuit capable of preventing a through current of an output transistor while preventing a decrease in operating speed.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。すなわち、高電位側電源Vccと低電位側電源
Gとの間で第一段から第四段のNチャネルMOSトラン
ジスタTr1〜Tr4を直列に接続し、第四段と第一段のト
ランジスタTr4,Tr1のゲートには相補入力信号IN,
バーINを入力し、第二段のトランジスタTr2のゲート
には第一段のトランジスタTr1と同相の入力信号バーI
Nを遅延させて入力し、第三段のトランジスタTr3のゲ
ートには第四段のトランジスタTr4と同相の入力信号I
Nを遅延させて入力し、第二段のトランジスタTr2のソ
ースから出力信号Dout を出力するようにしている。FIG. 1 illustrates the principle of the present invention. That is, the N-channel MOS transistors Tr1 to Tr4 of the first to fourth stages are connected in series between the high-potential-side power source Vcc and the low-potential-side power source G, and the fourth-stage and first-stage transistors Tr4 and Tr1 are connected. Has a complementary input signal IN,
The input signal bar I having the same phase as the first-stage transistor Tr1 is input to the gate of the second-stage transistor Tr2.
N is delayed and input, and the input signal I of the same phase as the transistor Tr4 of the fourth stage is input to the gate of the transistor Tr3 of the third stage.
N is delayed and input, and the output signal Dout is output from the source of the second-stage transistor Tr2.
【0009】また、図2に示すように高電位側電源Vcc
と低電位側電源Gとの間で第一段から第四段のNチャネ
ルMOSトランジスタTr1〜Tr4を直列に接続し、第四
段と第一段のトランジスタTr4,Tr1のゲートには相補
入力信号IN,バーINを入力し、第二段のトランジス
タTr2のゲートには第四段のトランジスタTr4の入力信
号INを奇数段のインバータ回路2a,2b,2cを介
して入力し、第三段のトランジスタTr3のゲートには第
一段のトランジスタTr1の入力信号バーINを奇数段の
インバータ回路2d,2e,2fを介して入力し、第二
段のトランジスタTr2のソースから出力信号Dout を出
力するようにしている。Further, as shown in FIG. 2, the high potential side power source Vcc
And the low-potential-side power supply G, the N-channel MOS transistors Tr1 to Tr4 of the first to fourth stages are connected in series, and complementary input signals are applied to the gates of the transistors Tr4 and Tr1 of the fourth and first stages. IN and bar IN are input, the input signal IN of the transistor Tr4 of the fourth stage is input to the gate of the transistor Tr2 of the second stage through the inverter circuits 2a, 2b, 2c of the odd stages, and the transistor Tr3 of the third stage is input. The input signal bar IN of the first-stage transistor Tr1 is input to the gate of Tr3 via the odd-numbered inverter circuits 2d, 2e, 2f, and the output signal Dout is output from the source of the second-stage transistor Tr2. ing.
【0010】また、図4に示すように高電位側電源Vcc
と低電位側電源Gとの間で第一段のPチャネルMOSト
ランジスタTr1と第二段及び第三段のNチャネルMOS
トランジスタTr2, Tr3と第四段のPチャネルMOSト
ランジスタTr4とを直列に接続し、第一段と第四段のト
ランジスタTr1,Tr4のゲートには相補入力信号IN,
バーINを入力し、第二段のトランジスタTr2のゲート
には第一段のトランジスタTr1と逆相の入力信号バーI
Nを遅延させて入力し、第三段のトランジスタTr3のゲ
ートには第四段のトランジスタTr4と逆相の入力信号I
Nを遅延させて入力し、第二段のトランジスタTr2のソ
ースから出力信号Dout を出力するようにしている。Further, as shown in FIG. 4, the high potential side power source Vcc
And the low-potential-side power source G between the first-stage P-channel MOS transistor Tr1 and the second-stage and third-stage N-channel MOS transistors.
Transistors Tr2, Tr3 and a fourth-stage P-channel MOS transistor Tr4 are connected in series, and complementary input signals IN, IN are supplied to the gates of the first-stage and fourth-stage transistors Tr1, Tr4.
The input signal bar I having a phase opposite to that of the first-stage transistor Tr1 is input to the gate of the second-stage transistor Tr2.
N is delayed and input, and the input signal I having a phase opposite to that of the transistor Tr4 of the fourth stage is input to the gate of the transistor Tr3 of the third stage.
N is delayed and input, and the output signal Dout is output from the source of the second-stage transistor Tr2.
【0011】[0011]
【作用】入力信号IN,バーINが切り換わる時には、
第一段のトランジスタTr1がオフされた後に第三段及び
第四段のトランジスタTr3,Tr4がともにオンされる状
態となり、あるいは第四段のトランジスタTr4がオフさ
れた後に第一段及び第二段のトランジスタTr1,Tr2が
ともにオンされる状態となる。When the input signal IN and the bar IN are switched,
After the transistor Tr1 of the first stage is turned off, the transistors Tr3 and Tr4 of the third and fourth stages are both turned on, or after the transistor Tr4 of the fourth stage is turned off, the first and second stages are turned on. Both transistors Tr1 and Tr2 are turned on.
【0012】[0012]
【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図2
及び図3に従って説明する。なお、前記従来例と同一構
成部分は同一番号を付してその説明を省略する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment embodying the present invention will now be described with reference to FIG.
And FIG. 3 will be described. The same components as those of the conventional example are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【0013】図2に示すように、出力トランジスタは4
段のNチャネルMOSトランジスタTr1〜Tr4が電源V
ccとグランドGとの間で直列に接続され、第二段のトラ
ンジスタTr2と第三段のトランジスタTr3の間に接続さ
れた出力端子Tout から出力信号Dout が出力される。As shown in FIG. 2, the number of output transistors is four.
N-channel MOS transistors Tr1 to Tr4 of the stage are the power source V
An output signal Dout is output from an output terminal Tout connected in series between cc and the ground G and connected between the second-stage transistor Tr2 and the third-stage transistor Tr3.
【0014】入力信号INは第四段のトランジスタTr4
のゲートに直接入力され、第二段のトランジスタTr2の
ゲートに三段のインバータ回路2a,2b,2cを介し
て入力されている。入力信号バーINは第一段のトラン
ジスタTr1のゲートに直接入力されるとともに、第三段
のトランジスタTr3のゲートに三段のインバータ回路2
d,2e,2fを介して入力されている。The input signal IN is the transistor Tr4 of the fourth stage.
Is directly input to the gate of the transistor Tr2 of the second stage and is input to the gate of the transistor Tr2 of the second stage via the three-stage inverter circuits 2a, 2b and 2c. The input signal bar IN is directly input to the gate of the transistor Tr1 of the first stage, and the inverter circuit 2 of the three stages is connected to the gate of the transistor Tr3 of the third stage.
It is input via d, 2e, and 2f.
【0015】さて、このように構成された出力回路では
例えば入力信号INがLレベル、入力信号バーINがH
レベルであると、第一段及び第二段のトランジスタTr
1,Tr2がオンされるとともに第三段及び第四段のトラ
ンジスタTr3,Tr4がオフされて出力信号Dout はHレ
ベルとなる。In the output circuit thus constructed, for example, the input signal IN is at the L level and the input signal bar IN is at the H level.
At the level, the transistors Tr of the first and second stages are
When 1 and Tr2 are turned on, the transistors Tr3 and Tr4 in the third and fourth stages are turned off and the output signal Dout becomes H level.
【0016】この状態から図3に示すように入力信号I
NがHレベルに立ち上がり、入力信号バーINがLレベ
ルに立ち下がると、まずトランジスタTr1がオフされる
とともにトランジスタTr4がオンされ、次いで三段のイ
ンバータ回路の動作時間だけ遅れてトランジスタTr2が
オフされるとともにトランジスタTr3がオンされる。従
って、出力信号Dout はトランジスタTr1がオフされた
時点ではトランジスタTr3もオフされているのでHレベ
ルからやや下がってハイインピーダンス状態となり、ト
ランジスタTr3のオン動作にともなってLレベルに引き
下げられる。そして、トランジスタTr3のオン動作に先
立ってトランジスタTr1がオフされているので、電源V
ccからグランドGへの貫通電流の発生は確実に防止され
る。From this state, as shown in FIG. 3, the input signal I
When N rises to the H level and the input signal bar IN falls to the L level, the transistor Tr1 is turned off and the transistor Tr4 is turned on first, and then the transistor Tr2 is turned off after a delay of the operation time of the three-stage inverter circuit. At the same time, the transistor Tr3 is turned on. Therefore, since the transistor Tr3 is also turned off when the transistor Tr1 is turned off, the output signal Dout falls slightly from the H level to the high impedance state, and is lowered to the L level when the transistor Tr3 is turned on. Since the transistor Tr1 is turned off prior to the on operation of the transistor Tr3, the power source V
Generation of a through current from cc to ground G is reliably prevented.
【0017】一方、入力信号INがHレベルからLレベ
ルに立ち下がり、入力信号バーINがLレベルからHレ
ベルに立ち上がる場合には前記とは逆に動作して第四段
のトランジスタTr4がオフされた後に第一段及び第二段
のトランジスタTr1,Tr2がともにオン状態となるた
め、貫通電流の発生が防止される。On the other hand, when the input signal IN falls from the H level to the L level and the input signal bar IN rises from the L level to the H level, the reverse operation is performed and the fourth stage transistor Tr4 is turned off. After that, the transistors Tr1 and Tr2 of the first and second stages are both turned on, so that the generation of a through current is prevented.
【0018】以上のようにこの出力回路では、トランジ
スタTr1,Tr2のオン動作に先立ってトランジスタTr4
がオフされ、トランジスタTr3,Tr4のオン動作に先立
ってトランジスタTr1がオフされる。従って、電源Vcc
からグランドGへの貫通電流は確実に防止され、入力信
号IN,バーINで各トランジスタTr1〜Tr4を駆動す
るにはインバータ回路3段分の動作時間を要するだけで
あるので、前記従来例に比して動作速度を向上させるこ
とができる。As described above, in this output circuit, the transistor Tr4 is turned on before the transistors Tr1 and Tr2 are turned on.
Is turned off, and the transistor Tr1 is turned off prior to the on operation of the transistors Tr3 and Tr4. Therefore, the power supply Vcc
The through current from the ground to the ground G is surely prevented, and driving the transistors Tr1 to Tr4 with the input signals IN and IN requires only the operation time of three stages of the inverter circuit. The operating speed can be improved.
【0019】また、前記実施例ではトランジスタTr2,
Tr3のオン動作をトランジスタTr1,Tr4のオフ動作に
比して確実に遅延させるために、入力信号IN,バーI
Nを3段のインバータ回路を介してトランジスタTr2,
Tr3に入力したが、図2に破線で示すように入力信号I
N,バーINを1段のインバータ回路を介してトランジ
スタTr2,Tr3に入力してもよい。In the above embodiment, the transistors Tr2,
In order to reliably delay the ON operation of Tr3 as compared with the OFF operation of the transistors Tr1 and Tr4, the input signals IN and I
N is a transistor Tr2 through a three-stage inverter circuit,
Although input to Tr3, as shown by the broken line in FIG.
N and bar IN may be input to the transistors Tr2 and Tr3 via a one-stage inverter circuit.
【0020】また、図4に示すようにトランジスタTr
1,Tr4をPチャネルMOSトランジスタで構成し、ト
ランジスタTr1のゲートには入力信号INを入力し、ト
ランジスタTr4のゲートには入力信号バーINを入力す
るように構成しても前記実施例と同様な効果をLレベル
ことができる。Further, as shown in FIG.
1 and Tr4 are P-channel MOS transistors, the input signal IN is input to the gate of the transistor Tr1 and the input signal bar IN is input to the gate of the transistor Tr4. The effect can be L level.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上詳述したように、この発明は出力回
路の動作速度の低下を防止しながら貫通電流の発生を防
止することができる優れた効果を発揮する。As described in detail above, the present invention exerts an excellent effect of preventing the generation of the through current while preventing the decrease of the operating speed of the output circuit.
【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
【図2】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【図3】一実施例の動作を示す波形図である。FIG. 3 is a waveform diagram showing the operation of the embodiment.
【図4】別の実施例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment.
【図5】従来例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional example.
Tr1 第一段のトランジスタ Tr2 第二段のトランジスタ Tr3 第三段のトランジスタ Tr4 第四段のトランジスタ Vcc 高電位側電源 G 低電位側電源 IN,バーIN 入力信号 Dout 出力信号 Tr1 1st stage transistor Tr2 2nd stage transistor Tr3 3rd stage transistor Tr4 4th stage transistor Vcc High potential side power supply G Low potential side power supply IN, bar IN Input signal Dout Output signal
Claims (3)
(G)との間で第一段から第四段のNチャネルMOSト
ランジスタ(Tr1〜Tr4)を直列に接続し、第四段と第
一段のトランジスタ(Tr4,Tr1)のゲートには相補入
力信号(IN,バーIN)を入力し、第二段のトランジ
スタ(Tr2)のゲートには第一段のトランジスタ(Tr
1)と同相の入力信号(バーIN)を遅延させて入力
し、第三段のトランジスタ(Tr3)のゲートには第四段
のトランジスタ(Tr4)と同相の入力信号(IN)を遅
延させて入力し、第二段のトランジスタ(Tr2)のソー
スから出力信号(Dout )を出力することを特徴とする
出力回路。1. N-channel MOS transistors (Tr1 to Tr4) of the first to fourth stages are connected in series between a high potential side power source (Vcc) and a low potential side power source (G) to form a fourth stage. And complementary input signals (IN, IN) are input to the gates of the first-stage transistors (Tr4, Tr1), and the first-stage transistors (Tr) are input to the gates of the second-stage transistors (Tr2).
1) Input the same phase input signal (bar IN) with delay, and input the same phase input signal (IN) as the fourth stage transistor (Tr4) to the gate of the third stage transistor (Tr3). An output circuit which receives and outputs an output signal (Dout) from the source of the transistor (Tr2) of the second stage.
(G)との間で第一段から第四段のNチャネルMOSト
ランジスタ(Tr1〜Tr4)を直列に接続し、第四段と第
一段のトランジスタ(Tr4,Tr1)のゲートには相補入
力信号(IN,バーIN)を入力し、第二段のトランジ
スタ(Tr2)のゲートには第四段のトランジスタ(Tr
4)の入力信号(IN)を奇数段のインバータ回路(2
a,2b,2c)を介して入力し、第三段のトランジス
タ(Tr3)のゲートには第一段のトランジスタ(Tr1)
の入力信号(バーIN)を奇数段のインバータ回路(2
d,2e,2f)を介して入力し、第二段のトランジス
タ(Tr2)のソースから出力信号(Dout)を出力する
ことを特徴とする出力回路。2. N-channel MOS transistors (Tr1 to Tr4) of the first to fourth stages are connected in series between the high potential side power source (Vcc) and the low potential side power source (G) to form a fourth stage. And complementary input signals (IN, IN) are input to the gates of the first-stage transistors (Tr4, Tr1), and the fourth-stage transistors (Tr) are input to the gates of the second-stage transistors (Tr2).
Input the input signal (IN) of 4) to the odd number of inverter circuits (2
a, 2b, 2c), and the first stage transistor (Tr1) is connected to the gate of the third stage transistor (Tr3).
Input signal (bar IN) of the inverter circuit (2
d, 2e, 2f) and outputs an output signal (Dout) from the source of the transistor (Tr2) of the second stage.
(G)との間で第一段のPチャネルMOSトランジスタ
(Tr1)と第二段及び第三段のNチャネルMOSトラン
ジスタ(Tr2, Tr3)と第四段のPチャネルMOSトラ
ンジスタ(Tr4)とを直列に接続し、第一段と第四段の
トランジスタ(Tr1,Tr4)のゲートには相補入力信号
(IN,バーIN)を入力し、第二段のトランジスタ
(Tr2)のゲートには第一段のトランジスタ(Tr1)と
逆相の入力信号(バーIN)を遅延させて入力し、第三
段のトランジスタ(Tr3)のゲートには第四段のトラン
ジスタ(Tr4)と逆相の入力信号(IN)を遅延させて
入力し、第二段のトランジスタ(Tr2)のソースから出
力信号(Dout )を出力することを特徴とする出力回
路。3. A P-channel MOS transistor of the first stage (Tr1) and N-channel MOS transistors of the second and third stages (Tr2) between a high potential side power source (Vcc) and a low potential side power source (G). , Tr3) and the fourth-stage P-channel MOS transistor (Tr4) are connected in series, and complementary input signals (IN, IN) are input to the gates of the first-stage and fourth-stage transistors (Tr1, Tr4). , The gate of the second-stage transistor (Tr2) is delayed by the input signal (bar IN) having a phase opposite to that of the first-stage transistor (Tr1), and is input to the gate of the third-stage transistor (Tr3). An output circuit characterized in that an input signal (IN) having a phase opposite to that of the fourth-stage transistor (Tr4) is delayed and inputted, and an output signal (Dout) is outputted from the source of the second-stage transistor (Tr2). ..
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3199183A JPH0548420A (en) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | Output circuit |
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JP (1) | JPH0548420A (en) |
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