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JPH0547999A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Semiconductor device and manufacture thereof

Info

Publication number
JPH0547999A
JPH0547999A JP3199557A JP19955791A JPH0547999A JP H0547999 A JPH0547999 A JP H0547999A JP 3199557 A JP3199557 A JP 3199557A JP 19955791 A JP19955791 A JP 19955791A JP H0547999 A JPH0547999 A JP H0547999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
semiconductor
leads
semiconductor device
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3199557A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeaki Kubota
恵彬 久保田
Keiichi Tsujimoto
圭一 辻本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui High Tec Inc filed Critical Mitsui High Tec Inc
Priority to JP3199557A priority Critical patent/JPH0547999A/en
Publication of JPH0547999A publication Critical patent/JPH0547999A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce a mounting area, to enhance a mounting density and to improve reliability by laminating two resin-sealed semiconductor devices by opposing the rear surfaces of the devices except the rear surface side of semiconductor chips, and connecting one set of leads extended from the sealing resins. CONSTITUTION:A first vessel 3a containing a first semiconductor memory chip 2a placed on a first lead frame 1a is laminated on a second vessel 3a containing a second semiconductor memory chip 1b placed on a second lead frame through an insulating member 5. First outer leads 4 extended from the vessel 3a are connected to a wiring pattern on a printed board. Inner leads are electrically connected to each other through a solder layer 6. Further, the outer leads of the second lead frame are removed by cutting, and only the inner leads remain. Thus, a memory having a large capacity can be obtained without increasing a mounting area.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造方法に係り、特にその実装に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and its manufacturing method, and more particularly to its mounting.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の分野では、集積化が進
む一方であり、入出力信号や電源電圧を供給するための
パッド数は益々増大してきている。
2. Description of the Related Art In the field of semiconductor integrated circuits, integration is advancing, and the number of pads for supplying input / output signals and power supply voltage is increasing more and more.

【0003】このように集積化が進むにつれ、特にパー
ソナルコンピュータや大型コンピュータなどの情報機器
においては、メモリを構成する半導体集積回路の実装面
積が増大し、これが機器の小形化を阻む原因となってい
る。
As the integration progresses in this way, particularly in information devices such as personal computers and large computers, the mounting area of the semiconductor integrated circuit constituting the memory increases, which becomes a cause of hindering the miniaturization of the devices. There is.

【0004】通常、プリント基板への高密度実装に際し
ては、主に図3に示すような表面実装型半導体装置10
をマトリックス状に多数個配列し、各リードをプリント
基板上の信号配線20に接続することにより行ってい
る。
Usually, in high-density mounting on a printed circuit board, a surface mount type semiconductor device 10 as shown in FIG. 3 is mainly used.
Are arranged in a matrix, and each lead is connected to the signal wiring 20 on the printed circuit board.

【0005】しかしながら特にメモリのような半導体装
置の場合、信号配線との接続数が極めて多く、接続部の
占有面積が大きいという問題があり、このような実装技
術では、実装面積の低減に限界があった。
However, in particular, in the case of a semiconductor device such as a memory, there is a problem that the number of connection with the signal wiring is extremely large and the occupying area of the connecting portion is large. there were.

【0006】そこで、図4に示すように、TABテープ
30上に実装された第1および第2のチップ31を同一
の封止樹脂32内に封止したものも提案されている。
Therefore, as shown in FIG. 4, there has been proposed one in which the first and second chips 31 mounted on the TAB tape 30 are sealed in the same sealing resin 32.

【0007】このような構造では実装面積は低減される
が、チップが露出した状態で、接合を行わねばならない
ため、チップの破損を生じたり、ボンディング部の剥が
れを生じたりするなど、製造歩留まりが悪いという問題
がある。また、実装装置についても、まったく新しいも
のを、用いなければならず、コストの高騰を招くという
問題もある。
With such a structure, the mounting area is reduced, but since the bonding must be performed with the chip exposed, the manufacturing yield such as damage to the chip or peeling of the bonding portion is reduced. There is a problem of being bad. Also, there is a problem in that a completely new mounting device has to be used, which causes a cost increase.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の実
装技術では、実装面積を低減することができ、信頼性の
高い半導体装置を得ることはできないという問題があっ
た。
As described above, the conventional mounting technique has a problem in that the mounting area can be reduced and a highly reliable semiconductor device cannot be obtained.

【0009】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、実装密度を高くし大幅に実装面積を縮減することが
でき、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device capable of increasing the mounting density and significantly reducing the mounting area.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明では、それぞれ半
導体チップの裏面側を残して樹脂封止のなされた2つの
半導体装置の裏面同志を合わせて積層すると共に、各封
止樹脂から導出される少なくとも1組のリードが接続さ
れるようにしている。
According to the present invention, the backsides of two resin-sealed semiconductor devices are laminated together while leaving the backsides of the semiconductor chips, respectively, and are led out from each sealing resin. At least one set of leads is connected.

【0011】また本発明の方法では、第1および第2の
リードフレームのダイパッドに、それぞれ第1および第
2の半導体チップを搭載し、ボンディングを行うととも
に、ダイパッドの裏面側を残して樹脂封止を行い、この
後ダイパッドの裏面同志を絶縁性部材を介して固着する
とともに、接続すべきインナーリード同志を導電性接着
剤によって固着するようにしている。
Further, in the method of the present invention, the first and second semiconductor chips are mounted on the die pads of the first and second lead frames, respectively, and bonding is performed, and resin sealing is performed while leaving the back surface side of the die pad. After that, the rear surfaces of the die pad are fixed to each other via an insulating member, and the inner leads to be connected are fixed to each other by a conductive adhesive.

【0012】[0012]

【作用】上記構成によれば、積層構造であるため、実装
面積を半分程度に低減することができ、実装面積を増大
することなく大容量のメモリを得ることができる。
According to the above structure, since it has a laminated structure, the mounting area can be reduced to about half, and a large-capacity memory can be obtained without increasing the mounting area.

【0013】また、互いに電気的に接続するような端子
は半導体チップを積層するだけで接続されるようにする
ことができ、信号供給線との接続数を低減することがで
きる。 さらにまた、本発明の方法によれば、リードフ
レームのチップ搭載面側を樹脂封止した後に両者を固着
しているため、取扱いが極めて容易で、衝撃に対しても
強固な接続状態を維持することができる。
Further, the terminals which are electrically connected to each other can be connected only by stacking the semiconductor chips, and the number of connections with the signal supply line can be reduced. Furthermore, according to the method of the present invention, since the chip mounting surface side of the lead frame is resin-sealed and then the two are fixed to each other, handling is extremely easy, and a strong connection state is maintained even against impact. be able to.

【0014】また、従来の製造設備を用いて容易に形成
可能である。
Further, it can be easily formed by using conventional manufacturing equipment.

【0015】[0015]

【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0016】実施例1図1は、本発明実施例の半導体装
置の断面図である。
Embodiment 1 FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【0017】この半導体装置は、2個の半導体装置を積
層したものであり、図1に示すように、第1のリードフ
レーム1a上に搭載された第1の半導体メモリチップ2
aを収容する第1の容器3aが第2のリードフレーム1
b上に搭載された第2の半導体メモリチップ2bを収容
する第2の容器3b上に積層されると共に、第1の容器
3aから導出される第1のアウターリード4が、プリン
ト基板上の配線パターンに接続されていることを特徴と
する。
This semiconductor device is a stack of two semiconductor devices, and as shown in FIG. 1, a first semiconductor memory chip 2 mounted on a first lead frame 1a.
The first container 3a accommodating a is the second lead frame 1
The first outer lead 4 that is stacked on the second container 3b that houses the second semiconductor memory chip 2b mounted on the substrate b and that is led out from the first container 3a has the wiring on the printed circuit board. It is characterized by being connected to a pattern.

【0018】これらリードフレームのダイパッドは、ポ
リイミドフィルムなどの絶縁性部材5を介して接合さ
れ、一方インナーリード同志は半田層6を介して電気的
に接続されている。
The die pads of these lead frames are joined together via an insulating member 5 such as a polyimide film, while the inner leads are electrically connected together via a solder layer 6.

【0019】そして第2のリードフレームはインナーリ
ードのみであり、アウターリードは切除されている。
The second lead frame has only inner leads and the outer leads are cut off.

【0020】次に、本発明の半導体装置の製造方法につ
いて説明する。
Next, a method of manufacturing the semiconductor device of the present invention will be described.

【0021】まず、図2(a) に示すように、ダイパッド
11のまわりにインナーリード12が配列されさらに、
このインナーリード12にアウターリード13が連設さ
れてなる第1および第2のリードフレーム1a,1bを
用意する。なお、これらリードフレームのインナーリー
ド表面には貴金属めっきがなされているが、裏面にも印
刷法などによって半田層6(図1参照)を形成してお
く。
First, as shown in FIG. 2A, inner leads 12 are arranged around the die pad 11, and
First and second lead frames 1a and 1b in which outer leads 13 are connected to the inner leads 12 are prepared. Although the inner lead surfaces of these lead frames are plated with a noble metal, the solder layer 6 (see FIG. 1) is also formed on the back surfaces by a printing method or the like.

【0022】次いで、各リードフレームのダイパッド1
1上にそれぞれ第1および第2の半導体メモリチップを
搭載するとともに、所望の各チップの対応するボンディ
ングパッドとインナーリード12との間をワイヤ7を介
してワイヤボンディングしたのち、第2のリードフレー
ム1bのみタイバー14とともにアウターリード13を
切除する。
Next, the die pad 1 of each lead frame
The first and second semiconductor memory chips are mounted on the first chip 1 and wire bonding is performed between the corresponding bonding pad of each desired chip and the inner lead 12 via the wire 7, and then the second lead frame. Only 1b is cut off the outer lead 13 together with the tie bar 14.

【0023】この後、図2(b) に示すように、ダイパッ
ドおよびインナーリード裏面を露出するように樹脂封止
を行う。3a,3bは樹脂封止によってチップを保護す
るように形成された容器である。
Thereafter, as shown in FIG. 2 (b), resin sealing is performed so as to expose the back surfaces of the die pad and the inner leads. 3a and 3b are containers formed by resin sealing so as to protect the chip.

【0024】この後これら第1および第2のリードフレ
ームのダイパッドをポリイミドフィルム5を介して接合
すると共に第1のリードフレームのインナーリード12
と第2のリードフレームのインナーリード12とを半田
層6を介して接続する。このときインナーリード12間
の接続はあらかじめ互いに接続されるリード部分に半田
層を印刷しておき積層後に熱を加えて接続するようにす
る。このとき熱を加える場合は第1のリードフレームの
対応するアウターリード部を加熱することにより対応す
るリード全てが加熱され半田が溶け一括接続を行うこと
が可能となる。一方、共通化することのできない端子の
接続については、その一方をワイヤボンディングを行わ
ず、どのパッドとも接続されずに浮いた状態にしてお
く。
Thereafter, the die pads of the first and second lead frames are joined together via the polyimide film 5, and the inner leads 12 of the first lead frame are joined together.
And the inner lead 12 of the second lead frame are connected via the solder layer 6. At this time, the inner leads 12 are connected to each other by printing a solder layer on the lead portions to be connected to each other in advance and applying heat after stacking them. At this time, when heat is applied, by heating the corresponding outer lead portion of the first lead frame, all the corresponding leads are heated and the solder is melted, so that it is possible to perform collective connection. On the other hand, regarding the connection of the terminals that cannot be shared, one of them is not wire-bonded, and is left in a floating state without being connected to any pad.

【0025】そして最後に、第1のリードフレームのサ
イドバーの切除およびタイバーの切除と共に、アウター
リード13の成形を行うことによって図1に示した半導
体装置が完成する。
Finally, by cutting the side bar and the tie bar of the first lead frame and molding the outer lead 13, the semiconductor device shown in FIG. 1 is completed.

【0026】このようにして形成された半導体装置は、
積層構造であるため、実装面積を半分程度に低減するこ
とができ、実装面積を増大することなくメモリ容量をほ
ぼ2倍にすることができる。
The semiconductor device thus formed is
Since it has a laminated structure, the mounting area can be reduced to about half, and the memory capacity can be almost doubled without increasing the mounting area.

【0027】また、互いに電気的に接続する端子は半導
体チップを積層するだけで接続されるようにすることが
でき、信号供給線との接続数を低減することができ、実
装が極めて容易となる。
Further, the terminals electrically connected to each other can be connected only by stacking the semiconductor chips, the number of connections with the signal supply line can be reduced, and the mounting becomes extremely easy. .

【0028】さらにまた、本発明の方法によれば、リー
ドフレームのチップ搭載面側を樹脂封止した後に両者を
固着しているため、加圧もパッケージを介して容易に行
うことができ取扱いが極めて容易である。
Furthermore, according to the method of the present invention, since the chip mounting surface side of the lead frame is sealed with resin and then the two are fixed together, pressurization can be easily performed through the package and handling is easy. It's extremely easy.

【0029】また、何等製造設備を変更することなく、
従来の製造設備を用いて容易に形成可能である。
Further, without changing any manufacturing equipment,
It can be easily formed using conventional manufacturing equipment.

【0030】さらにワイヤボンディングを用いてインナ
ーリードとチップのボンディングパッドとの接続を行う
ようにしているため、チップデザインを何等変更するこ
となく、対応するインナーリード同志が接合されるよう
に接続することができ、チップデザインにフレキシビリ
テイを持たせることができる。
Further, since the inner leads are connected to the bonding pads of the chip by wire bonding, it is possible to connect the inner leads to each other without changing the chip design. This allows the chip design to have flexibility.

【0031】なお、前記実施例では、ワイヤボンディン
グ法を用いた実装方法について説明したがダイレクトボ
ンディングを用いても良いことはいうまでもない。この
場合は一方のチップ上で絶縁層を介して多層配線を行
い、他方のチップの対応する位置に対応するボンディン
グパッドがくるようにすればよい。
In the above embodiment, the mounting method using the wire bonding method has been described, but it goes without saying that direct bonding may be used. In this case, multi-layer wiring may be performed on one chip via the insulating layer so that the bonding pad corresponding to the corresponding position on the other chip comes.

【0032】また、ダイパッド同志あるいは半導体チッ
プ裏面同志を封止樹脂から露呈させた状態で、接合を行
うようにしたが、インナーリードのみが封止樹脂から露
呈するように樹脂封止を行っておき、インナーリード同
志を接合するようにしてもよい。この場合は封止樹脂の
裏面同志が接着剤を介して接合させるようにしてもよ
い。
Further, although the bonding is carried out in a state where the die pads or the back surface of the semiconductor chip are exposed from the sealing resin, the resin is sealed so that only the inner leads are exposed from the sealing resin. The inner leads may be joined together. In this case, the back surfaces of the sealing resin may be joined together via an adhesive.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体チップの裏面側を残して樹脂封止のなされた
2つの半導体装置の裏面同志を合わせて積層すると共
に、各封止樹脂から導出される少なくとも1組のリード
が接続されるようにしているため、、実装面積を増大す
ることなく大容量のメモリを得ることができる上、互い
に電気的に接続するような端子は半導体チップを積層す
るだけで接続されるようにすることができ、信号供給線
との接続数を低減することができる。
As described above, according to the present invention, the back surfaces of two semiconductor devices, which are resin-sealed while the back surface side of the semiconductor chip is left, are laminated together and the respective sealing resins are formed. Since at least one set of leads derived from is connected, a large-capacity memory can be obtained without increasing the mounting area, and terminals that are electrically connected to each other are semiconductor chips. Can be connected by simply stacking, and the number of connections with the signal supply line can be reduced.

【0034】さらにまた、実装も容易である。Furthermore, the mounting is easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明実施例の半導体装置を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明実施例の半導体装置の製造工程を示す
図。
FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図3】従来例の半導体装置を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a conventional semiconductor device.

【図4】従来例の半導体装置を示す図。FIG. 4 illustrates a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a 第1のチップ 1b 第1のチップ 2a 第1のリードフレーム 2b 第2のリードフレーム 3a 第1の容器 3b 第2の容器 4 外部リード 5 ポリイミドフィルム 6 半田層 7 ボンディングワイヤ 10 半導体装置 11 ダイパッド 12 インナーリード 13 アウターリード 20 配線層 30 TAB基板 31 半導体チップ 32 封止樹脂 1a 1st chip 1b 1st chip 2a 1st lead frame 2b 2nd lead frame 3a 1st container 3b 2nd container 4 External lead 5 Polyimide film 6 Solder layer 7 Bonding wire 10 Semiconductor device 11 Die pad 12 Inner lead 13 Outer lead 20 Wiring layer 30 TAB substrate 31 Semiconductor chip 32 Encapsulating resin

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のリードフレームに実装された第1
の半導体チップを、前記第1のリードフレームまたは半
導体チップの裏面側を露呈するように収容する第1の容
器と、前記容器から導出された第1の外部リードとを具
備した第1の半導体装置と、 第2のリードフレームに実装された第2の半導体チップ
を、前記第2のリードフレームまたは半導体チップの裏
面側を露呈するように収容する第2の容器とを具備した
第2の半導体装置とを具備し、 前記リードフレームまたは半導体チップの裏面同志を合
わせて積層すると共に、各封止樹脂から導出される少な
くとも1組のリードが接続されるように構成したことを
を特徴とする半導体装置。
1. A first mounted on a first lead frame
Semiconductor device having a first container for accommodating the semiconductor chip of 1) so as to expose the back surface side of the first lead frame or the semiconductor chip, and a first external lead led out from the container. And a second container that houses the second semiconductor chip mounted on the second lead frame so as to expose the back surface side of the second lead frame or the semiconductor chip. And a back surface of the lead frame or the semiconductor chip are laminated together, and at least one set of leads led out from each sealing resin is connected. .
【請求項2】 第1および第2のリードフレームに、そ
れぞれ第1および第2の半導体チップを搭載し、ボンデ
ィングを行うとともに、ダイパッドの裏面側を残して樹
脂封止を行う実装工程と、 この後ダイパッドの裏面同志を絶縁性部材を介して固着
するとともに、接続すべきインナーリード同志を導電性
接着剤によって固着する接合工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
2. A mounting process in which first and second semiconductor chips are mounted on the first and second lead frames, respectively, and bonding is performed, and resin sealing is performed while leaving the back side of the die pad. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of fixing the back surfaces of the rear die pad via an insulating member and fixing the inner leads to be connected by a conductive adhesive.
JP3199557A 1991-08-08 1991-08-08 Semiconductor device and manufacture thereof Pending JPH0547999A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0680086A3 (en) * 1994-04-15 1997-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and method of producing said semiconductor device.
US6677181B2 (en) * 1998-05-15 2004-01-13 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method for fabricating stacked chip package device

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US5640044A (en) * 1994-04-15 1997-06-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of producing said semiconductor device
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