JPH0547835A - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
半導体装置の実装構造Info
- Publication number
- JPH0547835A JPH0547835A JP3200718A JP20071891A JPH0547835A JP H0547835 A JPH0547835 A JP H0547835A JP 3200718 A JP3200718 A JP 3200718A JP 20071891 A JP20071891 A JP 20071891A JP H0547835 A JPH0547835 A JP H0547835A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- lead frame
- resin
- semiconductor element
- tab
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢ式半導体装置をリードフレームへ接合
し、樹脂で封止した後の信頼性を向上させる。 【構成】 半導体素子1の電極6へ絶縁フィルムに形成し
たＴＡＢ式半導体装置7とリードフレーム3を接続し樹脂
で封止する。これにより半導体素子1の表面と裏面は直
接樹脂と接触させる。これによりパッケージ後フレーム
外からの不純物の侵入なくし信頼性を向上させる。この
半導体装置の実装構造は台パットを使用しない。
し、樹脂で封止した後の信頼性を向上させる。 【構成】 半導体素子1の電極6へ絶縁フィルムに形成し
たＴＡＢ式半導体装置7とリードフレーム3を接続し樹脂
で封止する。これにより半導体素子1の表面と裏面は直
接樹脂と接触させる。これによりパッケージ後フレーム
外からの不純物の侵入なくし信頼性を向上させる。この
半導体装置の実装構造は台パットを使用しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、さら
に詳しくは、樹脂封止剤と半導体素子の密着性を向上さ
せると共に樹脂封止後の信頼性を高めたさせた半導体装
置の実装構造に関するものである。
に詳しくは、樹脂封止剤と半導体素子の密着性を向上さ
せると共に樹脂封止後の信頼性を高めたさせた半導体装
置の実装構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器に搭載される半導体素子
は大幅に増えるとともに半導体素子によって高機能なも
のも増えてきている。
は大幅に増えるとともに半導体素子によって高機能なも
のも増えてきている。
【０００３】図４(a) は、パッケージの四方にリードが
設けられた従来の半導体装置（以下ＱＦＰという）の一
例を示す平面図、図４(b) は、その断面図である。図に
おいて1は半導体素子、2は絶縁フィルムに形成した回路
パターンである。半導体素子1の電極6と接続する側をイ
ンナーリード2a、その反対側をアウターリード2bという
ことがある。
設けられた従来の半導体装置（以下ＱＦＰという）の一
例を示す平面図、図４(b) は、その断面図である。図に
おいて1は半導体素子、2は絶縁フィルムに形成した回路
パターンである。半導体素子1の電極6と接続する側をイ
ンナーリード2a、その反対側をアウターリード2bという
ことがある。
【０００４】図３(a) は、ＴＡＢ式半導体装置の一例を
示す平面図、図３(b) は、その断面図である。このよう
なＴＡＢ式半導体装置7は半導体装置1の電極6と回路パ
ターンのインナーリド2bを接続した後、図３(b) のよう
にフォーミングさせ、図４(b)のリードフレームの台パ
ット4に固着剤を塗布しＴＡＢ式半導体装置7の半導体素
子1を固定し、回路パターンのアウターリード2bとリー
ドフレームのリード3とをそれぞれ位置合わせし接続し
た後、これらの各素子の劣化を防止するため樹脂5によ
り封止し、リードフレームの各リード3を必要な長さで
切り離す。
示す平面図、図３(b) は、その断面図である。このよう
なＴＡＢ式半導体装置7は半導体装置1の電極6と回路パ
ターンのインナーリド2bを接続した後、図３(b) のよう
にフォーミングさせ、図４(b)のリードフレームの台パ
ット4に固着剤を塗布しＴＡＢ式半導体装置7の半導体素
子1を固定し、回路パターンのアウターリード2bとリー
ドフレームのリード3とをそれぞれ位置合わせし接続し
た後、これらの各素子の劣化を防止するため樹脂5によ
り封止し、リードフレームの各リード3を必要な長さで
切り離す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前途のように、半導体
素子の高機能化が要求され種類も豊富になっておりパッ
ケージ後のリードの本数と外形サイズは同じでもＴＡＢ
式半導体装置の半導体素子の大きさはまちまちでありリ
ードフレームの台パットと半導体素子の大きさが合わな
いと対応できず専用のリードフレームを用意しなければ
ならないので製品のコストアップにつながる。
素子の高機能化が要求され種類も豊富になっておりパッ
ケージ後のリードの本数と外形サイズは同じでもＴＡＢ
式半導体装置の半導体素子の大きさはまちまちでありリ
ードフレームの台パットと半導体素子の大きさが合わな
いと対応できず専用のリードフレームを用意しなければ
ならないので製品のコストアップにつながる。
【０００６】また、ＴＡＢ式半導体装置をリードフレー
ムの台パットに固着する際にＴＡＢ式半導体装置のリー
ドを台パットとリードフレームのリードの高さに合わせ
フォーミングしなければならず、各リードを同じように
フォーミングすることは困難であった。このフォーミン
グの際にリードを曲げすぎるとクラックが入り接合時の
強度低下または、リード断線も起きる。そのうえ、ＴＡ
Ｂ式半導体装置の半導体素子にに固着されている台パッ
トを通じて封止外部にあるフレームとつながっており、
この経路によって半導体装置内に不純物が侵入し、半導
体素子を不良とする欠点がある。
ムの台パットに固着する際にＴＡＢ式半導体装置のリー
ドを台パットとリードフレームのリードの高さに合わせ
フォーミングしなければならず、各リードを同じように
フォーミングすることは困難であった。このフォーミン
グの際にリードを曲げすぎるとクラックが入り接合時の
強度低下または、リード断線も起きる。そのうえ、ＴＡ
Ｂ式半導体装置の半導体素子にに固着されている台パッ
トを通じて封止外部にあるフレームとつながっており、
この経路によって半導体装置内に不純物が侵入し、半導
体素子を不良とする欠点がある。
【０００７】また、リードフレームの台パットに塗布す
る固着剤が樹脂封止剤と熱膨張が異なる場合、台パット
とＴＡＢ式半導体装置の半導体素子に応力が加わり半導
体素子にクラックが発生することもある。
る固着剤が樹脂封止剤と熱膨張が異なる場合、台パット
とＴＡＢ式半導体装置の半導体素子に応力が加わり半導
体素子にクラックが発生することもある。
【０００８】さらに、リードフレームの台パットと封止
樹脂剤とは密着性が悪いのでパッケージ後に樹脂と台パ
ットの間にすきまができ、にふくれが発生するこのため
樹脂封止後に半導体素子を不良にすることがある。
樹脂剤とは密着性が悪いのでパッケージ後に樹脂と台パ
ットの間にすきまができ、にふくれが発生するこのため
樹脂封止後に半導体素子を不良にすることがある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明が係る半導体装置
の実装構造は、半導体素子の電極へ絶縁性フィルムに形
成した回路パターンのインナーリードをそれぞれ接続し
て外形切断したＴＡＢ式半導体装置と、多数のリードを
有するリードフレームとからなり、前記ＴＡＢ式半導体
装置の回路パターンのアウターリードにそれぞれ接続し
て樹脂で封止したもので、前記リードフレームに台パッ
ト部がなく前記ＴＡＢ式半導体装置の表面と裏面に前記
樹脂が直接接触しているものである。
の実装構造は、半導体素子の電極へ絶縁性フィルムに形
成した回路パターンのインナーリードをそれぞれ接続し
て外形切断したＴＡＢ式半導体装置と、多数のリードを
有するリードフレームとからなり、前記ＴＡＢ式半導体
装置の回路パターンのアウターリードにそれぞれ接続し
て樹脂で封止したもので、前記リードフレームに台パッ
ト部がなく前記ＴＡＢ式半導体装置の表面と裏面に前記
樹脂が直接接触しているものである。
【００１０】
【実施例】図１(a) ，図１(b)は本発明実施例の平面図
及び断面図である。図において7はキャリアフィルムに
設けた回路パターンのインナーリード2aに半導体素子1
の電極6を接続した半導体装置（以下ＴＡＢ式半導体装
置という）である。このＴＡＢ式半導体装置7は図２(a)
に示すようにポリイミドフィルム等からなりこれに銅
箔からなる多数の回路パターン2を形成して半導体素子1
と接続して、回路パターン2を一点鎖点8で切断したもの
である。
及び断面図である。図において7はキャリアフィルムに
設けた回路パターンのインナーリード2aに半導体素子1
の電極6を接続した半導体装置（以下ＴＡＢ式半導体装
置という）である。このＴＡＢ式半導体装置7は図２(a)
に示すようにポリイミドフィルム等からなりこれに銅
箔からなる多数の回路パターン2を形成して半導体素子1
と接続して、回路パターン2を一点鎖点8で切断したもの
である。
【００１１】図２(b) は、回路パターン2と半導体素子1
と接続した後切断した断面図である。図３(b) の様なリ
ードのフォーミングはしなくてよい。
と接続した後切断した断面図である。図３(b) の様なリ
ードのフォーミングはしなくてよい。
【００１２】図１の3はリードフレームのリード（以下
単にリードフレームという）である。5は例えばエポキ
シ樹脂で封止したパッケージである。上記のようなＴＡ
Ｂ式半導体装置7のアウターリード2bとリードフレーム
のリード3を整合させ接合する。接合後に半導体素子1、
回路パターン2及びリードフレームのリード3を例えばエ
ポキシ樹脂で封止してパッケージ5し、リード3のリード
を適切な長さで切断してフォーミングすれば半導体装置
の製造は終了する。封止樹脂5は半導体素子1の表面と裏
面に直接接触しており、この半導体装置の実装構造はリ
ードフレームに台パットを使用しない。
単にリードフレームという）である。5は例えばエポキ
シ樹脂で封止したパッケージである。上記のようなＴＡ
Ｂ式半導体装置7のアウターリード2bとリードフレーム
のリード3を整合させ接合する。接合後に半導体素子1、
回路パターン2及びリードフレームのリード3を例えばエ
ポキシ樹脂で封止してパッケージ5し、リード3のリード
を適切な長さで切断してフォーミングすれば半導体装置
の製造は終了する。封止樹脂5は半導体素子1の表面と裏
面に直接接触しており、この半導体装置の実装構造はリ
ードフレームに台パットを使用しない。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は従来の樹脂封止の半導体素子裏面固定部であるリード
フレームの台パットをなくし、ＴＡＢ式半導体装置の表
面と裏面とを同一の樹脂で覆うようにしたので外部から
の不純物が台パットを通して侵入することをなくした。
また、パッケージの外形サイズとリード本数が同じＴＡ
Ｂ半導体装置ならば機能の違う半導体素子も使用可能と
なる。さらに、台パットへ固着剤を使用することもない
ので樹脂封止剤と固着剤の熱膨張の差による応力で半導
体素子へクラックがはいることもなくなる。また、樹脂
封止剤がリードフレームの台パットへ接触していたもの
から直接半導体素子に密着するようになったので樹脂封
止後の信頼性も向上し実用面でも効果大である。
は従来の樹脂封止の半導体素子裏面固定部であるリード
フレームの台パットをなくし、ＴＡＢ式半導体装置の表
面と裏面とを同一の樹脂で覆うようにしたので外部から
の不純物が台パットを通して侵入することをなくした。
また、パッケージの外形サイズとリード本数が同じＴＡ
Ｂ半導体装置ならば機能の違う半導体素子も使用可能と
なる。さらに、台パットへ固着剤を使用することもない
ので樹脂封止剤と固着剤の熱膨張の差による応力で半導
体素子へクラックがはいることもなくなる。また、樹脂
封止剤がリードフレームの台パットへ接触していたもの
から直接半導体素子に密着するようになったので樹脂封
止後の信頼性も向上し実用面でも効果大である。
【図１】 (a) 本発明の実施例の平面図。 (b) その断面図。
【図２】 (a) ＴＡＢ式半導体装置の一例の平面図。 (b) その断面図。
【図３】 (a) ＴＡＢ式半導体装置の一例の平面図。 (b) はその断面図。
【図４】 (a) 従来の半導体装置の実装構造を示す平面
図。 (b) その断面図。
図。 (b) その断面図。
1 ： 半導体素子 2 ： 回路パターン 3 ： リードフレーム 4 ： 台パット 5 ： パッケージ 6 ： 半導体素子の電極 7 ： ＴＡＢ式半導体装置 8 ： 切断線 9 ： キャリアフイルム
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子の電極へ絶縁性フィルムに形
成した回路パターンのインナーリードをそれぞれ接続し
て外形切断したＴＡＢ式半導体装置と、多数のリードを
有するリードフレームとからなり、前記ＴＡＢ式半導体
装置の回路パターンのアウターリードを前記リードフレ
ームのリードにそれぞれ接続して樹脂で封止した後、リ
ードフレームのフレームが切離されてなる半導体装置に
おいて、前記リードフレームに台パット部がなく、前記
ＴＡＢ式半導体装置の半導体素子の表面と裏面が直接前
記樹脂に接触していることを特徴とする半導体装置の実
装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200718A JPH0547835A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200718A JPH0547835A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547835A true JPH0547835A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16429054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200718A Pending JPH0547835A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547835A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474958A (en) * | 1993-05-04 | 1995-12-12 | Motorola, Inc. | Method for making semiconductor device having no die supporting surface |
| KR100483500B1 (ko) * | 1996-03-06 | 2006-05-04 | 제너랄 세미컨덕터 아일랜드 | 전자소자제조용프레임과,전자소자의제조방법및그전자소자 |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200718A patent/JPH0547835A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474958A (en) * | 1993-05-04 | 1995-12-12 | Motorola, Inc. | Method for making semiconductor device having no die supporting surface |
| KR100483500B1 (ko) * | 1996-03-06 | 2006-05-04 | 제너랄 세미컨덕터 아일랜드 | 전자소자제조용프레임과,전자소자의제조방법및그전자소자 |
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