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JPH0544200B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0544200B2
JPH0544200B2 JP59023847A JP2384784A JPH0544200B2 JP H0544200 B2 JPH0544200 B2 JP H0544200B2 JP 59023847 A JP59023847 A JP 59023847A JP 2384784 A JP2384784 A JP 2384784A JP H0544200 B2 JPH0544200 B2 JP H0544200B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
multilayer circuit
thick film
layer
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59023847A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS60167398A (en
Inventor
Tatsuo Kikuchi
Tooru Ishida
Taiji Kikuchi
Yasuhiko Horio
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59023847A priority Critical patent/JPS60167398A/en
Publication of JPS60167398A publication Critical patent/JPS60167398A/en
Publication of JPH0544200B2 publication Critical patent/JPH0544200B2/ja
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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子機器等の回路の高密度実装基板と
して広く用いることのできる多層回路基板および
その製造法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a multilayer circuit board that can be widely used as a high-density mounting board for circuits in electronic devices, etc., and a method for manufacturing the same.

従来例の構成とその問題点 近年電子機器の小型化および多機能化の要望が
益々強くなつている。この要望に応えるため電子
機器等に使用される回路部品の高密度実装が重要
な技術になつている。回路部品の高密度実装を実
現するためには、回路部品を小型化すると同時に
その回路基板の配線密度を高めることが必要であ
る。上記回路基板の配線密度を高めるには回路基
板を多層構造として配線層即ち導体層を基板内部
に形成するのが最も効果的である。
Conventional configurations and their problems In recent years, there has been a growing demand for electronic devices to be smaller and more multifunctional. In order to meet this demand, high-density packaging of circuit components used in electronic devices and the like has become an important technology. In order to realize high-density mounting of circuit components, it is necessary to reduce the size of the circuit components and at the same time increase the wiring density of the circuit board. In order to increase the wiring density of the circuit board, it is most effective to make the circuit board a multilayer structure and form a wiring layer, that is, a conductor layer inside the board.

従来高密度実装のための多層回路基板として、
アルミナを主成分とする電気絶縁基板上にタング
ステンまたはモリブデン等の高融点金属の導体層
(内部導体層)および電気絶縁層を交互に積層し、
還元性雰囲気中で焼結して製造した多層回路基板
がある。
Conventionally, as a multilayer circuit board for high-density mounting,
A conductor layer (inner conductor layer) of a high-melting point metal such as tungsten or molybdenum and an electric insulating layer are alternately laminated on an electric insulating substrate mainly composed of alumina.
There are multilayer circuit boards manufactured by sintering in a reducing atmosphere.

かかる従来の多層回路基板およびその製造法で
は、かかる多層回路基板の半田による他の部品へ
の接続、半導体IC、トランジスタの金属線また
はアルミニウム線によるワイヤーホンデイングを
行なうとき、上記タングステンまたはモリブデン
は酸化され易いのでその上にニツケル、金等の保
護層をメツキする必要があつた。また上記多層回
路基板の厚膜部品であるグレーズ抵抗の如き抵抗
体の形成は一般に空気中高温例えば800〜900℃で
焼結する必要があるので、タングステンまたはモ
リブデンの如き酸化され易い導体材料で形成され
た多層回路基板へ厚膜部品例えば厚膜抵抗体およ
び厚膜導体を形成させることは困難であつた。
In such conventional multilayer circuit boards and their manufacturing methods, when connecting such multilayer circuit boards to other components by soldering or wire bonding with metal wires or aluminum wires of semiconductor ICs and transistors, the tungsten or molybdenum is oxidized. Because it is easily damaged, it was necessary to plate a protective layer of nickel, gold, etc. on top of it. In addition, forming resistors such as glaze resistors, which are thick film components of the multilayer circuit board, generally requires sintering in air at a high temperature of 800 to 900°C, so they are formed from conductive materials that are easily oxidized, such as tungsten or molybdenum. It has been difficult to form thick film components, such as thick film resistors and thick film conductors, on multilayer circuit boards.

このため上述した如き還元性雰囲気中で焼結し
た多層回路基板に、空気中高温で厚膜抵抗体およ
び厚膜導体を形成できるように、、多層回路基板
の最上層の絶縁層の必要個所、即ち厚膜導体およ
び厚膜抵抗体を形成すべき個所に小孔を設け、露
出した内部導体層に白金またはパラジウムの如き
貴金属を充填して焼結形成した多層回路基板があ
る。
For this reason, in order to be able to form thick film resistors and thick film conductors in the air at high temperatures on a multilayer circuit board sintered in a reducing atmosphere as described above, the necessary parts of the uppermost insulating layer of the multilayer circuit board are That is, there is a multilayer circuit board in which small holes are provided at locations where thick film conductors and thick film resistors are to be formed, and the exposed inner conductor layer is filled with a noble metal such as platinum or palladium and sintered.

しかしながら上記の如き貴金属を使用した多層
回路基板に厚膜抵抗体および/または厚膜導体を
形成するに当つては、空気中で800〜900℃という
高温で焼結処理する必要があるのであるが、本発
明者等の確認したところによれば、白金および/
またはパラジウムと絶縁層例えばアルミナ層との
密着性は充分に高いとは言えず、空気中で800〜
900℃で処理した場合、白金および/またはパラ
ジウムとアルミナとの界面から空気が徐々に侵入
し、内部導体層即ちモリブデンまたはタングステ
ン層が酸化されてしまい実用に供し得ないという
問題を有していた。
However, when forming thick film resistors and/or thick film conductors on multilayer circuit boards using precious metals such as those mentioned above, it is necessary to sinter them in air at a high temperature of 800 to 900 degrees Celsius. , as confirmed by the present inventors, platinum and/or
Also, the adhesion between palladium and an insulating layer such as an alumina layer is not sufficiently high, and
When treated at 900°C, air gradually enters the interface between platinum and/or palladium and alumina, oxidizing the internal conductor layer, that is, the molybdenum or tungsten layer, making it unsuitable for practical use. .

このためタングステンまたはモリブデンの内部
導体層を形成し、次いで還元性雰囲気中で焼結し
た多層回路基板に厚膜抵抗体および厚膜導体を形
成する一つの方法として、空気中で500〜600℃の
比較的低温で焼結しうる特殊な低温焼結性の厚膜
導体および厚膜抵抗体用ペーストを用いる方法、
あるいは200℃付近で硬化する樹脂を用いたペー
ストで形成する方法がある。しかしながら、これ
らの低温焼結の厚膜抵抗体および樹脂抵抗体は、
前述した800〜900℃の焼結温度で形成した厚膜抵
抗体に比し、抵抗体の電気的特性および耐環境特
性が劣り、回路としての利用範囲が制限されると
いう問題を有している。このため厚膜抵抗体およ
び厚膜導体の形成には上記高温焼結が好ましい。
For this reason, one method of forming thick film resistors and thick film conductors on a multilayer circuit board is to form an internal conductor layer of tungsten or molybdenum and then sinter it in a reducing atmosphere at 500-600°C in air. A method using a special low-temperature sinterable thick film conductor and thick film resistor paste that can be sintered at a relatively low temperature;
Alternatively, there is a method of forming with a paste using a resin that hardens at around 200°C. However, these low-temperature sintered thick film resistors and resin resistors are
Compared to the thick-film resistor formed at a sintering temperature of 800 to 900°C, the resistor's electrical properties and environmental resistance are inferior, which limits its range of use as a circuit. . For this reason, the above-mentioned high temperature sintering is preferable for forming thick film resistors and thick film conductors.

発明の目的 本発明の目的は、内部導体層の劣化がなく、高
密度実装に用いられる多層回路基板として信頼性
の高い、厚膜抵抗体および厚膜導体を有する多層
回路基板およびその製造法を提供することにあ
る。
OBJECT OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multilayer circuit board having a thick film resistor and a thick film conductor, which does not cause deterioration of internal conductor layers and is highly reliable as a multilayer circuit board used for high-density packaging, and a method for manufacturing the same. It is about providing.

発明の構成 本発明はアルミナを主成分とする電気絶縁基板
上に、タングステンまたはモリブデンからなる内
部導体層および電気絶縁層が交互に積層されてお
り、上記絶縁層の最外層上に厚膜導体および厚膜
抵抗体を形成してなる多層回路基板において、上
記最外層絶縁層中に上記内部導体層が露出する小
孔を設け、上記小孔部分にタングステンまたはモ
リブデンによつて還元されない低融点ガラス材料
と貴金属とからなる導体材料を充填して導体層を
形成し、その上に上記厚膜導体および厚膜抵抗体
を設けた多層回路基板にある。
Structure of the Invention The present invention is characterized in that internal conductor layers and electrical insulating layers made of tungsten or molybdenum are alternately laminated on an electrically insulating substrate mainly composed of alumina, and a thick film conductor and In a multilayer circuit board formed with a thick film resistor, a small hole through which the internal conductor layer is exposed is provided in the outermost insulating layer, and a low melting point glass material that is not reduced by tungsten or molybdenum is provided in the small hole portion. The multilayer circuit board is provided with a conductor layer filled with a conductor material consisting of and a noble metal, and on which the thick film conductor and thick film resistor are provided.

また本発明はアルミナを主成分とする生電気絶
縁基板を形成し、上記生電気絶縁基板上にタング
ステンまたはモリブデンからなる内部導体層およ
び電気絶縁層を交互に形成し、このとき上記絶縁
層の最外層に上記内部導体層が露出する小孔を設
け、次いでこれらを還元性雰囲気中で高温で同時
に焼結せしめ、次に上記小孔部分にタングステン
またはモリブデンにより還元されない低融点ガラ
ス材料と貴金属とからなる導体材料を充填して導
体層を形成し、その上に厚膜導体および厚膜抵抗
体を形成し、次に全体を空気中で焼結することか
らなる多層回路基板の製造法にある。
Further, the present invention forms a bioelectrical insulating substrate mainly composed of alumina, and alternately forms internal conductor layers and electrical insulating layers made of tungsten or molybdenum on the bioelectrical insulating substrate, and at this time, the inner conductor layer and the electrically insulating layer made of tungsten or molybdenum are alternately formed. A small hole through which the inner conductor layer is exposed is provided in the outer layer, and then these are simultaneously sintered at high temperature in a reducing atmosphere, and then a low melting point glass material and a noble metal that are not reduced by tungsten or molybdenum are filled in the small hole area. A method of manufacturing a multilayer circuit board includes filling a conductor material to form a conductor layer, forming a thick film conductor and a thick film resistor thereon, and then sintering the whole in air.

実施例の説明 以下に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明による多層回路基板の断面図で
ある。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer circuit board according to the present invention.

第1図において、1はアルミナを主成分とする
電気絶縁基板であり、この電気絶縁基板1はアル
ミナ粉末を主成分とし、これに焼結助剤として酸
化マグネシウム、酸化ケイ素および/または酸化
カルシウム等を加え、更にバインダーとして合成
樹脂例えばポリビニルブチラールおよび可塑剤を
加え、これをドクターブレード法または他の公知
の方法で生の電気絶縁基板を作る。この絶縁基板
はシート、フイルムまたは比較的厚い板状のもの
でよいが、完成品をできる限り薄くするためには
シート状のものが好ましい。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an electrically insulating substrate containing alumina as a main component. and a synthetic resin such as polyvinyl butyral as a binder and a plasticizer, which is then processed by doctor blading or other known methods to form a green electrically insulating substrate. This insulating substrate may be in the form of a sheet, a film, or a relatively thick plate, but is preferably in the form of a sheet in order to make the finished product as thin as possible.

次に上述した如くして作つた生電気絶縁基板1
上にタングステン粉末またはモリブデン粉末と有
機バインダー例えばポリビニルブチラールおよび
溶剤からなる導体ペーストを所望の形状に印刷し
て内部導体層2を形成し、次に上記電気絶縁基板
形成に使用した材料と同じ材料を用いて電気絶縁
層3を印刷形成する。次に上述した内部導体層2
と同様にして内部導体層2と連通して第二の内部
導体層2′を形成し、更に電気絶縁層3′を上述し
た電気絶縁層3と同様にして作る。第1図におい
ては上記積層を2回行なつた例を示してあるが、
これは所望により更に多数即ち多層に構成できる
ことは判るであろう。また第1図では電気絶縁基
板1の一側にのみ内部導体層2,2′,……、お
よび電気絶縁層3,3′,……を形成した場合を
示したが、所望により、電気絶縁基板1の反対側
にも同様に導体層および電気絶縁層を形成しても
よい。
Next, the bioelectrical insulating substrate 1 made as described above
A conductor paste consisting of tungsten powder or molybdenum powder, an organic binder such as polyvinyl butyral, and a solvent is printed on top in a desired shape to form the inner conductor layer 2, and then the same material as that used for forming the electrically insulating substrate is applied. The electrical insulating layer 3 is formed by printing. Next, the internal conductor layer 2 described above
A second inner conductor layer 2' is formed in communication with the inner conductor layer 2 in the same manner as above, and an electrically insulating layer 3' is formed in the same manner as the electrically insulating layer 3 described above. In Fig. 1, an example is shown in which the above lamination is carried out twice.
It will be appreciated that this can be constructed in many more layers or layers if desired. Although FIG. 1 shows the case where the internal conductor layers 2, 2', . . . and the electrical insulating layers 3, 3', . A conductive layer and an electrically insulating layer may be similarly formed on the opposite side of the substrate 1.

上述した如くして作つた電気絶縁層の最上層
(図では3′)中に小孔aを設け、その下にある内
部導体層(図では2′)を露出させる。
A small hole a is provided in the uppermost layer (3' in the figure) of the electrically insulating layer produced as described above to expose the underlying internal conductor layer (2' in the figure).

次に生電気絶縁基板1、内部導体層2,2′,
……、および電気絶縁層3,3′,……を同時に
公知の還元性雰囲気中で1400〜1600℃例えば1580
℃で焼成し、全体を焼結させる。
Next, the bioelectrical insulating substrate 1, the internal conductor layers 2, 2',
. . . and the electrical insulating layers 3, 3', .
℃ to sinter the whole.

上述した如く還元性雰囲気で焼結した多層回路
基板の電気絶縁層3′に設けた小孔部分aに、タ
ングステンまたはモリブデンによつて還元されな
い低融点ガラス材料と貴金属とからなる導体材料
を充填して導体層4を形成する。ここで使用する
導体層4は、上述した内部導体層2′と電気的導
通性を有すると共に、後にこの上に形成する厚膜
導体および厚膜抵抗体を形成するに当つて使用さ
れる空気中高温での処理時に酸化されず、しかも
内部導体層2′のタングステンまたはモリブデン
が酸化されないように保護し、従つてタングステ
ンまたはモリブデンによつて還元されない性質を
有する必要がある。
As described above, the small holes a formed in the electrically insulating layer 3' of the multilayer circuit board sintered in a reducing atmosphere are filled with a conductive material made of a low melting point glass material and a noble metal that cannot be reduced by tungsten or molybdenum. Then, a conductor layer 4 is formed. The conductor layer 4 used here has electrical conductivity with the internal conductor layer 2' described above, and is used in the air to be used for forming the thick film conductor and thick film resistor that will be formed later on. It is necessary to have the property that it will not be oxidized during processing at high temperatures, and that it will protect the tungsten or molybdenum of the inner conductor layer 2' from being oxidized, and therefore will not be reduced by the tungsten or molybdenum.

一般に使用される鉛系ガラス材料を導体層4の
材料として使用すると、この材料は高温空気中で
内部導体層2′のタングステンまたはモリブデン
の酸化反応を生じ、同時に主成分の酸化鉛の還元
反応を生じ、内部導体層2′の酸化を防止できず、
電気的導通性を損うことが判つた。このため本発
明では導体層4を形成するためのガラス材料とし
てアルカリ土類金属酸化物例えば酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化バリウムと、周期表第
族の金属酸化物例えば酸化硼素、酸化アルミニ
ウムからなる材料を使用するとよいことが判つ
た。これらはそれぞれ単独で使用してもよく、そ
れぞれを混合物の形で使用してもよい。かかるガ
ラス材料はタングステンまたはモリブデンを酸化
せず、換言すればタングステンまたはモリブデン
によつて還元されない性質を有する。本発明では
上記導体層4の電気的導通性を得るため上述した
ガラス材料に貴金属例えば銀、白金、金および/
またはパラジウムの粉末を混入分散させる。かく
することにより貴金属粒子間の接触により電気的
導通性が得られると共に内部導体層2′の酸化が
生ぜず、安定した電気的導通性が得られることが
判つた。導体層4を形成するに当つては上述した
ガラス材料、貴金属粉末に焼結助剤としての
SiO2、バインダー、溶剤からなる導体ペースト
を作り、これを印刷により小孔aを充填して形成
した。次いで乾燥後、極大温度850℃のベルト炉
に通し空気中焼成し、導体層4を形成した。この
状態で導体層4は上記小孔aに強固に固着し、内
部導体層2′との電気的導通性が達成される。
When a commonly used lead-based glass material is used as the material for the conductor layer 4, this material causes an oxidation reaction of tungsten or molybdenum in the inner conductor layer 2' in high-temperature air, and at the same time a reduction reaction of the main component lead oxide. oxidation of the internal conductor layer 2' cannot be prevented.
It was found that electrical conductivity was impaired. Therefore, in the present invention, the glass material for forming the conductor layer 4 is made of an alkaline earth metal oxide, such as magnesium oxide, calcium oxide, or barium oxide, and a metal oxide of group 3 of the periodic table, such as boron oxide or aluminum oxide. It was found that it is better to use . Each of these may be used alone or in the form of a mixture. Such a glass material has the property of not oxidizing tungsten or molybdenum, in other words, not being reduced by tungsten or molybdenum. In the present invention, in order to obtain electrical conductivity of the conductor layer 4, the above-mentioned glass material is coated with noble metals such as silver, platinum, gold and/or
Or mix and disperse palladium powder. It has been found that by doing so, electrical conductivity can be obtained through contact between the noble metal particles, and stable electrical conductivity can be obtained without oxidation of the internal conductor layer 2'. When forming the conductor layer 4, the above-mentioned glass material and noble metal powder are added as a sintering aid.
A conductive paste consisting of SiO 2 , a binder, and a solvent was prepared, and small holes a were filled with this by printing. After drying, it was passed through a belt furnace at a maximum temperature of 850°C and fired in air to form a conductor layer 4. In this state, the conductor layer 4 is firmly fixed to the small hole a, and electrical continuity with the inner conductor layer 2' is achieved.

次に本発明によれば、上述した如く形成した導
体層4上に厚膜導体5を形成する。この厚膜導体
5は厚膜抵抗体、IC、トランジスタ、コンデン
サー、その他の電気部品の接続部および配線部を
構成し、この材料としては公知の銀−パラジウム
系の導体ペースト、例えばAg56重量%、Pb14重
量%、ガラスその他30重量%のペーストを印刷す
ることによつて形成する。次いで乾燥後、極大温
度850℃のベルト炉に通し空気中で焼結すること
により形成する。
Next, according to the present invention, a thick film conductor 5 is formed on the conductor layer 4 formed as described above. This thick film conductor 5 constitutes the connection and wiring parts of thick film resistors, ICs, transistors, capacitors, and other electrical components, and is made of a known silver-palladium conductor paste, such as Ag56% by weight, Formed by printing a paste containing 14% by weight of Pb and 30% by weight of glass and other materials. After drying, it is passed through a belt furnace at a maximum temperature of 850°C and sintered in air.

次に厚膜導体5上に厚膜抵抗体6を形成する。
厚膜抵抗体6は高信頼性で小型高密度の多層回路
基板を得るために抵抗部品を薄膜化したもので、
材料としては公知の酸化ルテニウム系のペースト
を印刷し、乾燥し、極大温度850℃のベルト炉に
通して空気中焼結して形成する。
Next, a thick film resistor 6 is formed on the thick film conductor 5.
The thick film resistor 6 is a resistor component made into a thin film in order to obtain a highly reliable, compact, and high-density multilayer circuit board.
The material is a well-known ruthenium oxide paste that is printed, dried, and sintered in the air through a belt furnace with a maximum temperature of 850°C.

以上の如くして本発明による多層回路基板が作
られる。
As described above, a multilayer circuit board according to the present invention is manufactured.

なお上述した如くして作製した多層回路基板に
はガラスまたは樹脂の保護被覆を設けてもよい。
Note that the multilayer circuit board produced as described above may be provided with a protective coating of glass or resin.

上記厚膜導体5に使用する材料としては、銀−
パラジウム系の外に銀、銀−白金、金等公知の他
の材料も使用できる。導体層4、厚膜導体5、厚
膜抵抗体6の焼結に当つて極大温度850℃を例示
したが、それぞれの導体ペースト材料、抵抗体ペ
ースト材料によつて極大温度600〜900℃で適宜選
択し、空気中で焼結することができ、完成品多層
回路基板の特性に何ら悪影響はなかつた。
The material used for the thick film conductor 5 is silver-
In addition to palladium, other known materials such as silver, silver-platinum, and gold can also be used. When sintering the conductor layer 4, thick film conductor 5, and thick film resistor 6, the maximum temperature of 850°C is shown as an example, but the maximum temperature of 600 to 900°C may be used as appropriate depending on the respective conductor paste materials and resistor paste materials. It could be selected and sintered in air without any negative effect on the properties of the finished multilayer circuit board.

発明の効果 以上説明した如く本発明はタングステンまたは
モリブデンからなる内部導体層の必要部分が露出
するように設けた絶縁層中の小孔部分にタングス
テンまたはモリブデンにより還元されない低融点
ガラスと貴金属からなる導体材料を充填している
ため、厚膜導体および厚膜抵抗体を形成するとき
の空気中高温での焼結時に内部導体層のタングス
テンまたはモリブデンが酸化されることなく、極
めて一般的で、特性および工程管理の安定した厚
膜導体および厚膜抵抗体を通常の如く形成できる
すぐれた効果が得られる。
Effects of the Invention As explained above, the present invention provides a conductor made of a low-melting glass and a noble metal that is not reduced by tungsten or molybdenum in a small hole in an insulating layer provided so that a necessary part of an internal conductor layer made of tungsten or molybdenum is exposed. Filled with materials, the tungsten or molybdenum in the inner conductor layer is not oxidized during high temperature sintering in air when forming thick film conductors and thick film resistors, making it extremely common, An excellent effect can be obtained in which thick film conductors and thick film resistors can be formed in a conventional manner with stable process control.

また本発明による多層回路基板は、配線が内部
導体層により多層化しているので配線密度を極め
て大きくすることができ、また抵抗部品を厚膜抵
抗体により膜化形成しているので、小型で高密度
の回路基板であり、電子機器の小型高密度化に寄
与する効果は大である。
Furthermore, in the multilayer circuit board according to the present invention, since the wiring is multilayered with internal conductor layers, the wiring density can be extremely increased, and the resistance components are formed as a film using thick film resistors, so it is small and has high performance. It is a high-density circuit board, and has a large effect in contributing to the miniaturization and high density of electronic devices.

また本発明の多層回路基板は、従来の還元焼成
多層回路基板と異なり、部品の半田接続および半
導体ICのワイヤーボンデイングのためのメツキ
処理が不要である。また従来の厚膜多層回路基板
の如きガラス材料で形成した絶縁層の上に厚膜抵
抗体を形成した場合と異なり、抵抗体形成が容易
でかつ安定であり、抵抗体のレーザートリミング
による絶縁層の損傷がなく、極めて工程条件管理
が容易で生産性効果も大である。
Furthermore, unlike conventional reduction-fired multilayer circuit boards, the multilayer circuit board of the present invention does not require plating for solder connection of components and wire bonding of semiconductor ICs. In addition, unlike the case where a thick film resistor is formed on an insulating layer made of a glass material such as in a conventional thick film multilayer circuit board, the resistor can be formed easily and stably, and the insulating layer can be formed by laser trimming the resistor. There is no damage to the process, process conditions are extremely easy to control, and productivity is greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による多層回路基板の断面図で
ある。 1は電気絶縁基板、2,2′,……は内部導体
層、3,3′,……は電気絶縁層、aは小孔、4
は導体層、5は厚膜導体、6は厚膜抵抗体。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer circuit board according to the present invention. 1 is an electrically insulating substrate, 2, 2', ... are internal conductor layers, 3, 3', ... are electrically insulating layers, a is a small hole, 4
5 is a conductor layer, 5 is a thick film conductor, and 6 is a thick film resistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 アルミナを主成分とする電気絶縁基板上に、
タングステンまたはモリブデンからなる内部導体
層および電気絶縁層が交互に積層されており、上
記絶縁層の最外層上に厚膜導体および厚膜抵抗体
を形成してなる多層回路基板において、上記最外
層絶縁層中に上記内部導体層が露出する小孔を設
け、上記小孔部分にタングステンまたはモリブデ
ンによつて還元されない低融点ガラス材料と貴金
属とからなる導体材料を充填した導体層を形成
し、その上に上記厚膜導体および厚膜抵抗体を設
けたことを特徴とする多層回路基板。 2 低融点ガラスがアルカリ土類金属酸化物およ
び周期表第族金属酸化物からなる特許請求の範
囲第1項記載の多層回路基板。 3 周期表第族金属酸化物が酸化硼素および/
または酸化アルミニウムである特許請求の範囲第
2項記載の多層回路基板。 4 貴金属が銀、白金、金および/またはパラジ
ウムである特許請求の範囲第1項記載の多層回路
基板。 5 アルミナを主成分とする生電気絶縁基板を形
成し、上記生電気絶縁基板上にタングステンまた
はモリブデンからなる内部導体層および電気絶縁
層を交互に形成し、このとき上記絶縁層の最外層
に上記内部導体層が露出する小孔を設け、次いで
これらを還元性雰囲気中で高温で同時に焼結せし
め、次に上記小孔部分にタングステンまたはモリ
ブデンにより還元されない低融点ガラス材料と貴
金属とからなる導体材料を充填して導体層を形成
し、その上に厚膜導体および厚膜抵抗体を形成
し、次に全体を空気中で焼結することを特徴とす
る多層回路基板の製造法。 6 空気中焼結を600〜900℃で行なう特許請求の
範囲第5項記載の多層回路基板の製造法。 7 低融点ガラスがアルカリ土類金属酸化物およ
び周期表第族金属酸化物からなる特許請求の範
囲第5項または第6項記載の多層回路基板の製造
法。 8 周期表第族金属酸化物が酸化硼素および/
または酸化アルミニウムである特許請求の範囲第
7項記載の多層回路基板の製造法。
[Claims] 1. On an electrically insulating substrate mainly composed of alumina,
In a multilayer circuit board in which internal conductor layers and electrical insulating layers made of tungsten or molybdenum are alternately laminated, and a thick film conductor and a thick film resistor are formed on the outermost layer of the insulating layer, the outermost layer insulating layer is A small hole through which the internal conductor layer is exposed is provided in the layer, a conductor layer filled with a conductor material made of a low-melting glass material and a noble metal that is not reduced by tungsten or molybdenum is formed in the small hole portion, and a conductor layer is formed on the layer. A multilayer circuit board, characterized in that the above-mentioned thick film conductor and thick film resistor are provided. 2. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the low melting point glass is composed of an alkaline earth metal oxide and a Group Group metal oxide of the periodic table. 3 Group metal oxide of the periodic table is boron oxide and/or
The multilayer circuit board according to claim 2, which is aluminum oxide. 4. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the noble metal is silver, platinum, gold and/or palladium. 5 A bioelectrical insulating substrate containing alumina as a main component is formed, and internal conductor layers and electrical insulating layers made of tungsten or molybdenum are alternately formed on the bioelectrical insulating substrate, and at this time, the outermost layer of the insulating layer is A small hole is provided through which the inner conductor layer is exposed, and then these are simultaneously sintered at high temperature in a reducing atmosphere, and then a conductor material made of a low-melting glass material and a noble metal that cannot be reduced by tungsten or molybdenum is placed in the small hole area. 1. A method for manufacturing a multilayer circuit board, comprising: filling the conductor layer with a conductor layer, forming a thick film conductor and a thick film resistor thereon, and then sintering the entire body in air. 6. The method for manufacturing a multilayer circuit board according to claim 5, wherein the in-air sintering is performed at 600 to 900°C. 7. The method for manufacturing a multilayer circuit board according to claim 5 or 6, wherein the low melting point glass is comprised of an alkaline earth metal oxide and a periodic table group metal oxide. 8 The periodic table group metal oxide is boron oxide and/or
or aluminum oxide, the method for manufacturing a multilayer circuit board according to claim 7.
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