JPH0542098B2 - - Google Patents
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- JPH0542098B2 JPH0542098B2 JP59234925A JP23492584A JPH0542098B2 JP H0542098 B2 JPH0542098 B2 JP H0542098B2 JP 59234925 A JP59234925 A JP 59234925A JP 23492584 A JP23492584 A JP 23492584A JP H0542098 B2 JPH0542098 B2 JP H0542098B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/52—Generating plasma using exploding wires or spark gaps
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、同軸電極を用いた放電管のパルス放
電によつて高温高密度のプラズマを形成し、軟X
線を発生するプラズマX線源に係わり、なかでも
サブミクロンの集積回路を製造するX線露光装置
などに用いるのに好適なX線源に関するものであ
る。
電によつて高温高密度のプラズマを形成し、軟X
線を発生するプラズマX線源に係わり、なかでも
サブミクロンの集積回路を製造するX線露光装置
などに用いるのに好適なX線源に関するものであ
る。
同軸電極を用いた放電管の代表的な例として、
プラズマフオーカスが知られている。プラズマフ
オーカスは、円筒電極を同軸状に配置した放電管
に、重水素などの気体を充填し、コンデンサから
パルス電圧を印加して気体をプラズマ化し、プラ
ズマを電極にはさまれた空間で加速して電極の先
端にフオーカスし、高温・高密度のプラズマを形
成するもので、従来中性子を発生する線源として
研究が行われてきた。しかし、プラズマフオーカ
スで発生する高温・高密度のプラズマからは、強
い軟X線が放射されるので、近年はX線源として
も注目されている。
プラズマフオーカスが知られている。プラズマフ
オーカスは、円筒電極を同軸状に配置した放電管
に、重水素などの気体を充填し、コンデンサから
パルス電圧を印加して気体をプラズマ化し、プラ
ズマを電極にはさまれた空間で加速して電極の先
端にフオーカスし、高温・高密度のプラズマを形
成するもので、従来中性子を発生する線源として
研究が行われてきた。しかし、プラズマフオーカ
スで発生する高温・高密度のプラズマからは、強
い軟X線が放射されるので、近年はX線源として
も注目されている。
プラズマフオーカスは、構造および動作が単純
で、線源の輝度が高いために、すぐれたX線源と
なる可能性を秘めているが、軟X線を放射するス
ポツトの位置が放電ごとに変動するという問題が
存在している。プラズマフオーカスのスポツトは
円筒電極の軸上に形成されることが期待される
が、実際には軸からはずれることがしばしばあ
り、軸上に発生しても軸上での位置が変動する。
この様子は、たとえば、W.H.Bostick,V.Nardi
and W.Prior:X−ray fine structure of
denseplasmain a coaxial accelerator,J.
Plasma Physics,vol8,pt1,pp7(1972)を見れ
ば明らかである。このような変動ももたらす原因
として、従来、プラズマ自身の不安定性が知られ
ているが、それ以外の原因については、明らかに
なつてはいない。
で、線源の輝度が高いために、すぐれたX線源と
なる可能性を秘めているが、軟X線を放射するス
ポツトの位置が放電ごとに変動するという問題が
存在している。プラズマフオーカスのスポツトは
円筒電極の軸上に形成されることが期待される
が、実際には軸からはずれることがしばしばあ
り、軸上に発生しても軸上での位置が変動する。
この様子は、たとえば、W.H.Bostick,V.Nardi
and W.Prior:X−ray fine structure of
denseplasmain a coaxial accelerator,J.
Plasma Physics,vol8,pt1,pp7(1972)を見れ
ば明らかである。このような変動ももたらす原因
として、従来、プラズマ自身の不安定性が知られ
ているが、それ以外の原因については、明らかに
なつてはいない。
したがつて本発明の目的は、同軸電極を用いた
プラズマX線源、たとえばプラズマフオーカスに
よるX線源において、線源の位置、すなわちプラ
ズマがピンチして高温高密度となり、X線を放射
するスポツトの位置の変動を少なくし、線源の軸
対称性を増しプラズマの密度を高め、輝度を増加
することのできるプラズマX線発生装置を提供す
ることにある。
プラズマX線源、たとえばプラズマフオーカスに
よるX線源において、線源の位置、すなわちプラ
ズマがピンチして高温高密度となり、X線を放射
するスポツトの位置の変動を少なくし、線源の軸
対称性を増しプラズマの密度を高め、輝度を増加
することのできるプラズマX線発生装置を提供す
ることにある。
上記の目的を達するために本発明では、同軸電
極の開放端より先の空間における、プラズマのピ
ンチを乱しあるいは妨げる電界および磁界の乱れ
や歪みを取除くようにしたものである。このため
に、内面が球あるいは球に近い形状の電気伝導性
の良い遮蔽体を設けて、同軸電極の端を含む空間
を覆い、かつ遮蔽体の電位を、外側円筒電極と等
しいかあるいはこれに近い一定の電位に保つよう
に構成したものである。
極の開放端より先の空間における、プラズマのピ
ンチを乱しあるいは妨げる電界および磁界の乱れ
や歪みを取除くようにしたものである。このため
に、内面が球あるいは球に近い形状の電気伝導性
の良い遮蔽体を設けて、同軸電極の端を含む空間
を覆い、かつ遮蔽体の電位を、外側円筒電極と等
しいかあるいはこれに近い一定の電位に保つよう
に構成したものである。
つまり、本発明は、同軸電極を用いたプラズマ
X線源における線源の位置や、輝度の変動の原因
の一つが、プラズマがピンチする空間における電
界および磁界の乱れ、歪みにあるという考えにも
とづいて生まれたものである。
X線源における線源の位置や、輝度の変動の原因
の一つが、プラズマがピンチする空間における電
界および磁界の乱れ、歪みにあるという考えにも
とづいて生まれたものである。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。第1
図は、本発明によるプラズマフオーカス放電管の
断面図である。この放電管には、陽極である内側
円筒電極1と、陰極である外側円筒電極2とが同
軸状に配置され、両電極は、ガラス絶縁物3によ
つて絶縁されている。これらは、放電容器4に収
められ、内部にネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノンなどの気体が0.1〜1トル充填される。
両電極には、充電されたコンデンサ5が放電スイ
ツチ6を介して接続されている。放電スイツチが
作動すると、高電圧パルスが電極間に加わり、ガ
ラス絶縁物3の沿面で絶縁破壊が生じ、プラズマ
が発生する。プラズマは、電極間の電界と磁界か
ら力を受けて、電極に沿つて運動し、電極の端を
過ぎると磁界の圧力を受けてフオーカスし、内側
円筒電極1の先端の軸の近傍にプラズマのホツト
スポツトを形成して軟X線を放射する。
図は、本発明によるプラズマフオーカス放電管の
断面図である。この放電管には、陽極である内側
円筒電極1と、陰極である外側円筒電極2とが同
軸状に配置され、両電極は、ガラス絶縁物3によ
つて絶縁されている。これらは、放電容器4に収
められ、内部にネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノンなどの気体が0.1〜1トル充填される。
両電極には、充電されたコンデンサ5が放電スイ
ツチ6を介して接続されている。放電スイツチが
作動すると、高電圧パルスが電極間に加わり、ガ
ラス絶縁物3の沿面で絶縁破壊が生じ、プラズマ
が発生する。プラズマは、電極間の電界と磁界か
ら力を受けて、電極に沿つて運動し、電極の端を
過ぎると磁界の圧力を受けてフオーカスし、内側
円筒電極1の先端の軸の近傍にプラズマのホツト
スポツトを形成して軟X線を放射する。
本実施例では、球形の金属で構成された遮蔽体
7を設け、球の中心を内側円筒電極1の先端の軸
上に一致させて、同軸電極の一部分を覆い、プラ
ズマがピンチする空間8をとり囲み、遮蔽体7を
外側円筒電極2と同電位に保つて、空間8におけ
る電界の分布を球対称に近づけ、外部から変化す
る磁界の侵入を妨げ、電界、磁界の乱れを除い
て、プラズマの軸対称のピンチを助けている。同
図において、9はX線を取出すために遮蔽体に設
けた開孔、10は、外部へX線を取出すためのベ
リリウムの窓である。
7を設け、球の中心を内側円筒電極1の先端の軸
上に一致させて、同軸電極の一部分を覆い、プラ
ズマがピンチする空間8をとり囲み、遮蔽体7を
外側円筒電極2と同電位に保つて、空間8におけ
る電界の分布を球対称に近づけ、外部から変化す
る磁界の侵入を妨げ、電界、磁界の乱れを除い
て、プラズマの軸対称のピンチを助けている。同
図において、9はX線を取出すために遮蔽体に設
けた開孔、10は、外部へX線を取出すためのベ
リリウムの窓である。
本実施例における放電管の諸元は、内側円筒電
極の外径が25mm、外側円筒電極の内径が60mm、長
さが150mm、遮蔽体の直径が150mmとなつている。
極の外径が25mm、外側円筒電極の内径が60mm、長
さが150mm、遮蔽体の直径が150mmとなつている。
以上のべたごとく、本発明によれば、同軸電極
を有するプラズマX線源において、球あるいは球
に近い形状の電気伝導性の良い遮蔽体を設けて同
軸電極の一部分とプラズマがピンチする空間を覆
い、遮蔽体を外側円筒電極と同じ電位に保つこと
によつてプラズマがピンチする空間における電界
の分布を球対称に近づけ、磁界の乱れと歪みを除
き、プラズマの軸対称なピンチを可能にして軸上
に高温、高密度のプラズマのスポツトを形成し、
線源の位置の変動をへらし、対称性を高め、線源
を直径を減らして輝度を高め放電ごとの再現性を
改善することができる。
を有するプラズマX線源において、球あるいは球
に近い形状の電気伝導性の良い遮蔽体を設けて同
軸電極の一部分とプラズマがピンチする空間を覆
い、遮蔽体を外側円筒電極と同じ電位に保つこと
によつてプラズマがピンチする空間における電界
の分布を球対称に近づけ、磁界の乱れと歪みを除
き、プラズマの軸対称なピンチを可能にして軸上
に高温、高密度のプラズマのスポツトを形成し、
線源の位置の変動をへらし、対称性を高め、線源
を直径を減らして輝度を高め放電ごとの再現性を
改善することができる。
なお、本発明の実施に当つては、たとえば、放
電容器そのものを球形に作るなどその主旨を変更
することなく幾多の変形が可能である。
電容器そのものを球形に作るなどその主旨を変更
することなく幾多の変形が可能である。
第1図は、本発明の実施例を示すプラズマフオ
ーカス放電管の断面図である。 1……陽極である内側円筒電極、2……陰極で
ある外側円筒電極、3……ガラス絶縁物、4……
放電容器、5……コンデンサ、6……放電スイツ
チ、7……本発明にかかわる遮蔽体、9……X線
を取出す開孔、10……ベリリウムのX線取出
窓。
ーカス放電管の断面図である。 1……陽極である内側円筒電極、2……陰極で
ある外側円筒電極、3……ガラス絶縁物、4……
放電容器、5……コンデンサ、6……放電スイツ
チ、7……本発明にかかわる遮蔽体、9……X線
を取出す開孔、10……ベリリウムのX線取出
窓。
Claims (1)
- 1 放電容器内において互いに同軸円筒状に配置
された内側電極と外側電極との間にパルス電圧を
印加することにより、上記放電容器内の気体をプ
ラズマ化し、該プラズマ中からX線を放射させる
ように構成されたプラズマX線発生装置におい
て、上記内外両電極のX線を放射する側の端部を
囲むようにして、内面が球面状または球面に近い
面状に形成されてなる電気伝導性の良い材料から
なる遮蔽体を設け、該遮蔽体を上記の外側電極と
同電位に保持してなることを特徴とするプラズマ
X線発生装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59234925A JPS61114448A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | プラズマx線発生装置 |
US06/795,776 US4715054A (en) | 1984-11-09 | 1985-11-07 | Plasma x-ray source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59234925A JPS61114448A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | プラズマx線発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61114448A JPS61114448A (ja) | 1986-06-02 |
JPH0542098B2 true JPH0542098B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=16978427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59234925A Granted JPS61114448A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | プラズマx線発生装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4715054A (ja) |
JP (1) | JPS61114448A (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0687408B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | プラズマx線発生装置 |
US4912731A (en) * | 1987-04-13 | 1990-03-27 | Vittorio Nardi | Plasma focus apparatus with field distortion elements |
GB8821673D0 (en) * | 1988-09-02 | 1988-10-19 | Emi Plc Thorn | Discharge tube arrangement |
GB8821671D0 (en) * | 1988-09-02 | 1988-10-19 | Emi Plc Thorn | Discharge tube arrangement |
GB8821672D0 (en) * | 1988-09-02 | 1988-10-19 | Emi Plc Thorn | Discharge tube arrangement |
DE3908480C1 (ja) * | 1989-03-15 | 1990-08-09 | Karl Suess Kg, Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft Und Industrie Gmbh & Co, 8046 Garching, De | |
US5014291A (en) * | 1989-04-13 | 1991-05-07 | Nicola Castellano | Device for amplification of x-rays |
US5006706A (en) * | 1989-05-31 | 1991-04-09 | Clemson University | Analytical method and apparatus |
US5243638A (en) * | 1992-03-10 | 1993-09-07 | Hui Wang | Apparatus and method for generating a plasma x-ray source |
US6799075B1 (en) | 1995-08-24 | 2004-09-28 | Medtronic Ave, Inc. | X-ray catheter |
US6377846B1 (en) | 1997-02-21 | 2002-04-23 | Medtronic Ave, Inc. | Device for delivering localized x-ray radiation and method of manufacture |
DE69823406T2 (de) * | 1997-02-21 | 2005-01-13 | Medtronic AVE, Inc., Santa Rosa | Röntgenvorrichtung versehen mit einer Dehnungsstruktur zur lokalen Bestrahlung des Inneren eines Körpers |
US5763930A (en) * | 1997-05-12 | 1998-06-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source |
US5854822A (en) * | 1997-07-25 | 1998-12-29 | Xrt Corp. | Miniature x-ray device having cold cathode |
US6108402A (en) * | 1998-01-16 | 2000-08-22 | Medtronic Ave, Inc. | Diamond vacuum housing for miniature x-ray device |
US6069938A (en) * | 1998-03-06 | 2000-05-30 | Chornenky; Victor Ivan | Method and x-ray device using pulse high voltage source |
US6353658B1 (en) | 1999-09-08 | 2002-03-05 | The Regents Of The University Of California | Miniature x-ray source |
US6408052B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-06-18 | Mcgeoch Malcolm W. | Z-pinch plasma X-ray source using surface discharge preionization |
US7140771B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-11-28 | Leek Paul H | X-ray producing device with reduced shielding |
US7501642B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
US7482607B2 (en) * | 2006-02-28 | 2009-01-27 | Lawrenceville Plasma Physics, Inc. | Method and apparatus for producing x-rays, ion beams and nuclear fusion energy |
US7696492B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
CN104735892B (zh) * | 2013-03-15 | 2017-03-01 | 中冶天工集团有限公司 | 具有锁紧手轮的x射线机焦点定位的方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3324333A (en) * | 1965-06-18 | 1967-06-06 | Curtiss Wright Corp | Arc plasma device having a thimble-shaped electrode of pyrolytic graphite |
DE3303677C2 (de) * | 1982-03-06 | 1985-01-17 | Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5300 Bonn | Plasmakanone |
DE3332711A1 (de) * | 1983-09-10 | 1985-03-28 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Vorrichtung zur erzeugung einer plasmaquelle mit hoher strahlungsintensitaet im roentgenbereich |
JP3871735B2 (ja) * | 1996-06-26 | 2007-01-24 | 日本ケミコン株式会社 | 金属箔基材への膜形成装置 |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP59234925A patent/JPS61114448A/ja active Granted
-
1985
- 1985-11-07 US US06/795,776 patent/US4715054A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61114448A (ja) | 1986-06-02 |
US4715054A (en) | 1987-12-22 |
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