JPH0535983B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0535983B2 JPH0535983B2 JP61178986A JP17898686A JPH0535983B2 JP H0535983 B2 JPH0535983 B2 JP H0535983B2 JP 61178986 A JP61178986 A JP 61178986A JP 17898686 A JP17898686 A JP 17898686A JP H0535983 B2 JPH0535983 B2 JP H0535983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- defect detection
- detection method
- semiconductor material
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/265—Contactless testing
- G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/1717—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/1717—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
- G01N2021/1719—Carrier modulation in semiconductors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体ウエハの品質を検査する方法
に関する。
に関する。
発明の背景
半導体装置を製造する場合、この装置を作る半
導体材料の表面は物理的欠陥および結晶欠陥がほ
とんどないものでなければならない。良好な電気
的性質を持つ信頼性の高い装置を得るには結晶の
完全度を十分に大きくしなければならない。この
ような半導体装置の性質を制御するには半導体装
置を作るために用いられる半導体材料の品質を決
定できなければならない。
導体材料の表面は物理的欠陥および結晶欠陥がほ
とんどないものでなければならない。良好な電気
的性質を持つ信頼性の高い装置を得るには結晶の
完全度を十分に大きくしなければならない。この
ような半導体装置の性質を制御するには半導体装
置を作るために用いられる半導体材料の品質を決
定できなければならない。
半導体材料（例えば、シリコン、InP、
InGaAsPなど）の欠陥には転位やスタツキング
欠陥、酸素の沈着、および重金属の沈着などがあ
る。この様な欠陥は大きさが１〜２ミクロン程度
で、エツチピツト分析法やＸ線トポグラフイ法、
電子ビーム誘起電流法などを含む多くの方法によ
り検出されている。
InGaAsPなど）の欠陥には転位やスタツキング
欠陥、酸素の沈着、および重金属の沈着などがあ
る。この様な欠陥は大きさが１〜２ミクロン程度
で、エツチピツト分析法やＸ線トポグラフイ法、
電子ビーム誘起電流法などを含む多くの方法によ
り検出されている。
エツチピツト分析法はシリコンウエハをエツチ
ングし、次に干渉顕微鏡により欠陥領域で生成し
たピツトを観測している。個々のスタツキング欠
陥や転位、ソーサー状ピツトは、エツチング後、
各欠陥が成長を惹起するピツトの形状により識別
可能である。１方、Ｘ線トポグラフイー法はＸ線
ビームやウエハ、フイルムをセツトし、ブラツグ
反射した光線をとらえることにより欠陥を検出し
ている。上記の３つの要素の相対的な角度位置
は、Ｘ線ビームが欠陥のない材料に当つた時はブ
ラツグの反射則が満足されるが、欠陥に遭遇する
と満足されないように設定する。この場合、フイ
ルムとサンプルは移動させて、ウエハ上の全ての
点における反射ビーム強度がフイルム上にマツプ
（mapped）されるように配置する。３〜20時間
露出を続けると空間分解能は約１〜10ミクロンに
なる。
ングし、次に干渉顕微鏡により欠陥領域で生成し
たピツトを観測している。個々のスタツキング欠
陥や転位、ソーサー状ピツトは、エツチング後、
各欠陥が成長を惹起するピツトの形状により識別
可能である。１方、Ｘ線トポグラフイー法はＸ線
ビームやウエハ、フイルムをセツトし、ブラツグ
反射した光線をとらえることにより欠陥を検出し
ている。上記の３つの要素の相対的な角度位置
は、Ｘ線ビームが欠陥のない材料に当つた時はブ
ラツグの反射則が満足されるが、欠陥に遭遇する
と満足されないように設定する。この場合、フイ
ルムとサンプルは移動させて、ウエハ上の全ての
点における反射ビーム強度がフイルム上にマツプ
（mapped）されるように配置する。３〜20時間
露出を続けると空間分解能は約１〜10ミクロンに
なる。
電子ビーム誘起電流（EBIC）法は走査は走査
形電子顕微鏡（SEM）内で行われる。即ち、
SEMビームによりサンプル内にキヤリアを誘起
し、これ等のキヤリアを電場により分離してい
る。この電場はサンプル内のpn接合やサンプル
の表面のシヨツトキー接合により、或いは外部電
場内にサンプルを配置することにより得られる。
サンプルに対する接触は銀ペースト或いはばねを
負荷した細線を用いるのが一般的である。SEM
ビームはｘ−ｙ面内でラスター走査されるので、
集められたキヤリアはｘ−ｙ表示の強度変調を与
える。欠陥部分でキヤリアが再結合すると、これ
等の欠陥は表示スクリーン上に暗くなつて現わ
れ、空間分解能は0.5ミクロンに低下する。これ
等の方法は半導体材料の欠陥を高分解能で表示す
るが、破壊的で、時間がかかり、真空が必要であ
る。
形電子顕微鏡（SEM）内で行われる。即ち、
SEMビームによりサンプル内にキヤリアを誘起
し、これ等のキヤリアを電場により分離してい
る。この電場はサンプル内のpn接合やサンプル
の表面のシヨツトキー接合により、或いは外部電
場内にサンプルを配置することにより得られる。
サンプルに対する接触は銀ペースト或いはばねを
負荷した細線を用いるのが一般的である。SEM
ビームはｘ−ｙ面内でラスター走査されるので、
集められたキヤリアはｘ−ｙ表示の強度変調を与
える。欠陥部分でキヤリアが再結合すると、これ
等の欠陥は表示スクリーン上に暗くなつて現わ
れ、空間分解能は0.5ミクロンに低下する。これ
等の方法は半導体材料の欠陥を高分解能で表示す
るが、破壊的で、時間がかかり、真空が必要であ
る。
半導体ウエハの電気的な不均一性を決定する非
破壊光学法の１つが1980年７月８日発行のクライ
ンクネヒト（Kleinknecht）に対する米国特許第
4211488号に記載されている。この特許による方
法は、半導体ウエハの結晶欠陥やドーピング成長
縞の発生により光励起中のキヤリアの寿命およ
び／または移動度が低下したり、従つて材料の赤
外線反射率が変化することを利用するものであ
る。電気的な不均一や欠陥領域は半導体ウエハ材
料のバンドギヤツプ以上のエネルギーの単色光ビ
ームで半導体ウエハの領域を照射して検出され
る。これは高密度の電子と正孔を光励起し（即
ち、光ポンプし）、従つてポンプされた領域の赤
外線反射率が変化することによる。ウエハの同じ
表面領域が半導体材料のバンドギヤツプ以下のエ
ネルギーの第２単色光ビームで同時に照射され、
これによりこのビームの１部が表面から反射され
る。
破壊光学法の１つが1980年７月８日発行のクライ
ンクネヒト（Kleinknecht）に対する米国特許第
4211488号に記載されている。この特許による方
法は、半導体ウエハの結晶欠陥やドーピング成長
縞の発生により光励起中のキヤリアの寿命およ
び／または移動度が低下したり、従つて材料の赤
外線反射率が変化することを利用するものであ
る。電気的な不均一や欠陥領域は半導体ウエハ材
料のバンドギヤツプ以上のエネルギーの単色光ビ
ームで半導体ウエハの領域を照射して検出され
る。これは高密度の電子と正孔を光励起し（即
ち、光ポンプし）、従つてポンプされた領域の赤
外線反射率が変化することによる。ウエハの同じ
表面領域が半導体材料のバンドギヤツプ以下のエ
ネルギーの第２単色光ビームで同時に照射され、
これによりこのビームの１部が表面から反射され
る。
もしモニタしている領域が低い欠陥密度および
高いキヤリヤ移動度を持つ場合は、表面の反射率
は光励起中変化し、従つて反射した第２ビームの
強度も変化する。しかしながら、上記モニタ領域
内の欠陥密度が高い時は、表面の反射率は光励起
中も変化せず、従つて反射第２ビームの強度も変
化しない。このような反射ビーム強度が検出され
ると、その大きさはキヤリアの移動度と再結合時
間の尺度となり、この尺度は半導体材料の表面ま
たはその近傍の欠陥密度に関係している。クライ
ンクネヒトの特許では光ビームは約0.25平方mmの
領域を同時に照射している。
高いキヤリヤ移動度を持つ場合は、表面の反射率
は光励起中変化し、従つて反射した第２ビームの
強度も変化する。しかしながら、上記モニタ領域
内の欠陥密度が高い時は、表面の反射率は光励起
中も変化せず、従つて反射第２ビームの強度も変
化しない。このような反射ビーム強度が検出され
ると、その大きさはキヤリアの移動度と再結合時
間の尺度となり、この尺度は半導体材料の表面ま
たはその近傍の欠陥密度に関係している。クライ
ンクネヒトの特許では光ビームは約0.25平方mmの
領域を同時に照射している。
このような方法は0.25平方mmの面積にわたる。
キヤリアの平均寿命と移動度に関する情報は与え
るが、１〜２ミクロンの大きさの個別の欠陥を分
析することはできない。これに対しては２つの基
本的な理由が考えられる。１つは、バンドギヤツ
プ以下のエネルギーで発振するレーザはスペクト
ルの赤外部分のうち長波長の光を与える。基本的
な回折理論によると、得られる最小のスポツトサ
イズは波長のｆ数倍に比例するので欠陥検出に用
いられる波長の赤外光は10〜20ミクロン程度のス
ポツトを与えることになる。第２に、クラインク
ネヒトの特許によるプローブビームはウエハ表面
の法線に対する入射角が大きい。従つてプロブビ
ームのスポツトは更に大きくなる。従つて、基本
的な光学理論によれば、かかる方法はミクロンサ
イズの個々の欠陥を分析できる程十分小さなスポ
ツトに赤外線ビームを集光することはできない。
しかしながら、ミクロンサイズの特徴を持つ
VLSIに対する欠陥の影響を知ることは重要であ
り、従つてミクロンサイズの欠陥を分解すること
には多くの関心が集まつている。
キヤリアの平均寿命と移動度に関する情報は与え
るが、１〜２ミクロンの大きさの個別の欠陥を分
析することはできない。これに対しては２つの基
本的な理由が考えられる。１つは、バンドギヤツ
プ以下のエネルギーで発振するレーザはスペクト
ルの赤外部分のうち長波長の光を与える。基本的
な回折理論によると、得られる最小のスポツトサ
イズは波長のｆ数倍に比例するので欠陥検出に用
いられる波長の赤外光は10〜20ミクロン程度のス
ポツトを与えることになる。第２に、クラインク
ネヒトの特許によるプローブビームはウエハ表面
の法線に対する入射角が大きい。従つてプロブビ
ームのスポツトは更に大きくなる。従つて、基本
的な光学理論によれば、かかる方法はミクロンサ
イズの個々の欠陥を分析できる程十分小さなスポ
ツトに赤外線ビームを集光することはできない。
しかしながら、ミクロンサイズの特徴を持つ
VLSIに対する欠陥の影響を知ることは重要であ
り、従つてミクロンサイズの欠陥を分解すること
には多くの関心が集まつている。
以上に記載したように、１〜２ミクロンの大き
さの個々の欠陥を分析できる非破壊欠陥検出シス
テムが必要である。
さの個々の欠陥を分析できる非破壊欠陥検出シス
テムが必要である。
発明の要約
以上の目的を達成するため、本発明による半導
体表面の、或いはその近傍の個別欠陥を検出する
方法は、半導体材料のバンドギヤツプエネルギー
以下のエネルギーレベルを持つ単色赤外光ビーム
を半導体表面の第１領域に向けて照射すること
と、上記半導体材料のバンドギヤツプエネルギー
以上の時間変調単色光ビームを半導体表面に同時
に向けて照射することと、この時間変調光ビーム
を上記第１領域よりかなり小さく、且つその領域
内にある第２領域に集光し、この光ビームのエネ
ルギーは前記表面によりかなり吸収されてこの表
面内の、或いは近傍の電子と正孔を励起すること
と、上記半導体表面から反射された赤外光ビーム
の強度を検出することと、更に時間変調光ビーム
の周波数で変調した検出赤外線ビーム強度の部分
だけを処理して半導体表面内の、或いはその近傍
の個別欠陥を位置づけることとから構成される。
体表面の、或いはその近傍の個別欠陥を検出する
方法は、半導体材料のバンドギヤツプエネルギー
以下のエネルギーレベルを持つ単色赤外光ビーム
を半導体表面の第１領域に向けて照射すること
と、上記半導体材料のバンドギヤツプエネルギー
以上の時間変調単色光ビームを半導体表面に同時
に向けて照射することと、この時間変調光ビーム
を上記第１領域よりかなり小さく、且つその領域
内にある第２領域に集光し、この光ビームのエネ
ルギーは前記表面によりかなり吸収されてこの表
面内の、或いは近傍の電子と正孔を励起すること
と、上記半導体表面から反射された赤外光ビーム
の強度を検出することと、更に時間変調光ビーム
の周波数で変調した検出赤外線ビーム強度の部分
だけを処理して半導体表面内の、或いはその近傍
の個別欠陥を位置づけることとから構成される。
実施例
第１図は上記クラインクネヒトに記載された公
知の方法を概略図示したものである。10Hzで変調
したレーザ１２とプローブレーザ、すなわちレー
ザ１４からの光ビームが共に半導体基板１６に照
射される。レーザ１２は、基板１６の材料のバン
ドギヤツプ以上のエネルギーを与えるポンプビー
ムを放射し、１方レーザ１４は同基板材料のバン
ドギヤツプ以下のエネルギーを与えるビームを放
射する。これ等のレーザビームの基板１６への入
射は約0.25平方mmの領域１７で一致させている。
基板１６の表面内、或いはその近傍に低欠陥密度
がある場合、表面の赤外反射が変化し、従つてレ
ーザ１４からのビームの反射光量が変化する。し
かし、同表面内或いはその近傍の欠陥密度が大き
い場合はその反射率は光励起中ほとんど変化せ
ず、従つて反射ビーム１４の強度もほぼ一定であ
る。
知の方法を概略図示したものである。10Hzで変調
したレーザ１２とプローブレーザ、すなわちレー
ザ１４からの光ビームが共に半導体基板１６に照
射される。レーザ１２は、基板１６の材料のバン
ドギヤツプ以上のエネルギーを与えるポンプビー
ムを放射し、１方レーザ１４は同基板材料のバン
ドギヤツプ以下のエネルギーを与えるビームを放
射する。これ等のレーザビームの基板１６への入
射は約0.25平方mmの領域１７で一致させている。
基板１６の表面内、或いはその近傍に低欠陥密度
がある場合、表面の赤外反射が変化し、従つてレ
ーザ１４からのビームの反射光量が変化する。し
かし、同表面内或いはその近傍の欠陥密度が大き
い場合はその反射率は光励起中ほとんど変化せ
ず、従つて反射ビーム１４の強度もほぼ一定であ
る。
次に、レーザ１４からの光ビームは基板１６の
表面から反射され、検出器１８に入射し、その強
度が測定される。この強度情報の全てが電気信号
に変換され、オシロスコープに（図略）送られ、
電気信号の強度がボルトで表示される。既に記載
したように、この方法は0.25平方mmにわたる平均
キヤリア寿命と移動度に関する情報は与えるが、
１〜２ミクロンの個々の欠陥を分析するものでは
ない。
表面から反射され、検出器１８に入射し、その強
度が測定される。この強度情報の全てが電気信号
に変換され、オシロスコープに（図略）送られ、
電気信号の強度がボルトで表示される。既に記載
したように、この方法は0.25平方mmにわたる平均
キヤリア寿命と移動度に関する情報は与えるが、
１〜２ミクロンの個々の欠陥を分析するものでは
ない。
第２図に概略図示した本発明による方法は上記
の問題点を克服するものである。バンドギヤツプ
以下のプローブレーザ、すなわちレーザ３２から
の単色赤外（10.6μm）プローブ光ビーム３４が
シリコン基板１６に、ブリユースタ角
（Brewster angle）で入射される。このプローブ
ビーム３４はレンズ３６を通つて基板１６に集光
される。プローブビーム３４が基板１６に垂直な
面に79゜の角度で入射すると、基板には約0.126平
方mmのプローブスポツト３８が形成される。
の問題点を克服するものである。バンドギヤツプ
以下のプローブレーザ、すなわちレーザ３２から
の単色赤外（10.6μm）プローブ光ビーム３４が
シリコン基板１６に、ブリユースタ角
（Brewster angle）で入射される。このプローブ
ビーム３４はレンズ３６を通つて基板１６に集光
される。プローブビーム３４が基板１６に垂直な
面に79゜の角度で入射すると、基板には約0.126平
方mmのプローブスポツト３８が形成される。
これと同時に、バンドギヤツプ以上のポンプレ
ーザ、すなわちレーザ４２からのポンプビーム４
４が基板１６に照射される。レンズ４６によりビ
ーム４４が集光され、基板１６に直径が約2μmの
小さなポンプスポツト４８が形成される。この集
光ポンプビーム４４は既に記載したように、半導
体材料の赤外反射率を変化させる。上記の小さな
ポンプスポツト４８はこれよりはるかに大きなプ
ローブスポツト３８内に形成される。ポンプスポ
ツト４８とプローブスポツト３８の相対的な大き
さは説明上実際とは異なつて示してある。更に、
上記ポンプビーム４４は音響セル（図略）を通
り、例えば30KHzで変調される。
ーザ、すなわちレーザ４２からのポンプビーム４
４が基板１６に照射される。レンズ４６によりビ
ーム４４が集光され、基板１６に直径が約2μmの
小さなポンプスポツト４８が形成される。この集
光ポンプビーム４４は既に記載したように、半導
体材料の赤外反射率を変化させる。上記の小さな
ポンプスポツト４８はこれよりはるかに大きなプ
ローブスポツト３８内に形成される。ポンプスポ
ツト４８とプローブスポツト３８の相対的な大き
さは説明上実際とは異なつて示してある。更に、
上記ポンプビーム４４は音響セル（図略）を通
り、例えば30KHzで変調される。
プローブビーム３４が基板１６の表面から反射
され、レンズ５２を介して検出器５４に入射し、
そこで反射光強度が電気信号に変換される。上記
検出器５４とそれに関連する電子回路は、ポンプ
ビーム４４の30KHz周波数で変調されたプローブ
ビーム３４からの反射光から得られた信号だけを
処理するように構成される。既に説明したよう
に、ポンプビーム４４は欠陥がない場合は基板１
６の表面の赤外反射率を変化させるが、ポンプス
ポツトが欠陥を照射した場合は殆んど変化しな
い。従つて、ポンプスポツト４８に入射したプロ
ーブビーム３４の部分はポンプビーム４４の30K
Hz周波数で変調され、これは表面反射率をその周
波数で変化させる。
され、レンズ５２を介して検出器５４に入射し、
そこで反射光強度が電気信号に変換される。上記
検出器５４とそれに関連する電子回路は、ポンプ
ビーム４４の30KHz周波数で変調されたプローブ
ビーム３４からの反射光から得られた信号だけを
処理するように構成される。既に説明したよう
に、ポンプビーム４４は欠陥がない場合は基板１
６の表面の赤外反射率を変化させるが、ポンプス
ポツトが欠陥を照射した場合は殆んど変化しな
い。従つて、ポンプスポツト４８に入射したプロ
ーブビーム３４の部分はポンプビーム４４の30K
Hz周波数で変調され、これは表面反射率をその周
波数で変化させる。
更に、上記変調ポンプビーム４４は公知の方法
でポンプビームおよび／または基板１６を選択的
に移動させることによりプローブビーム３４の
0.126平方mmスポツト内でラスタ走査される。こ
のようにプローブスポツト３８をポンプスポツト
４８により完全に走査したら、ウエハ１６上の他
の位置に移動させ、ポンプビームスポツト４８が
再び走査される。このプロセスは、ウエハ１６の
全表面が走査され、反射が検出されるまで反復さ
れ、結果はビデオ装置（図略）に送出され可視表
示される。
でポンプビームおよび／または基板１６を選択的
に移動させることによりプローブビーム３４の
0.126平方mmスポツト内でラスタ走査される。こ
のようにプローブスポツト３８をポンプスポツト
４８により完全に走査したら、ウエハ１６上の他
の位置に移動させ、ポンプビームスポツト４８が
再び走査される。このプロセスは、ウエハ１６の
全表面が走査され、反射が検出されるまで反復さ
れ、結果はビデオ装置（図略）に送出され可視表
示される。
第３図は、本発明による欠陥検出システムの光
学系と電子回路の実施例を示すブロツク図であ
る。波長0.488μmの300mW水冷アルゴンポンピ
ング用レーザ５２がビームスプリツタ５４、ビー
ム４４を30KHzで時間変調する音響光学（AO）
変調器５６、ガルバノメータミラー５８、および
集光光学系６２を介してシリコン基板１６に照射
される。アルゴンポンピング用レーザ５２から約
30mWの光パワーがウエハ１６の表面に入射し、
わずかに表面を損傷させるような強度密度を与え
る。１方、５ワツト空冷式のCO2プローブ用レー
ザ６４から約1.5ワツトのレーザ光が固定ミラー
６６により反射されてビーム３４になり集光レン
ズ３６を通して基板に垂直な面に対して79゜の入
射角で基板１６の上記ポンピングビームと同じ位
置に入射される。このプローブビーム３４はウエ
ハ１６の表面から反射され、更に固定ミラー６８
で反射されて、ロツクインインプ７４の入力に出
力を結合したHgCdTe検出器７２に入射する。こ
れ等の検出器７２とロツクインアンプ７４は30K
Hzの周波数で変調された反射プローブビーム３４
の強さの一部だけを処理する。このような方法に
よると、ポンプビーム４４の可視放射に典型的な
スポツトサイズがプローブビーム３４のより長波
長の赤外放射に変換され、都合が良い。
学系と電子回路の実施例を示すブロツク図であ
る。波長0.488μmの300mW水冷アルゴンポンピ
ング用レーザ５２がビームスプリツタ５４、ビー
ム４４を30KHzで時間変調する音響光学（AO）
変調器５６、ガルバノメータミラー５８、および
集光光学系６２を介してシリコン基板１６に照射
される。アルゴンポンピング用レーザ５２から約
30mWの光パワーがウエハ１６の表面に入射し、
わずかに表面を損傷させるような強度密度を与え
る。１方、５ワツト空冷式のCO2プローブ用レー
ザ６４から約1.5ワツトのレーザ光が固定ミラー
６６により反射されてビーム３４になり集光レン
ズ３６を通して基板に垂直な面に対して79゜の入
射角で基板１６の上記ポンピングビームと同じ位
置に入射される。このプローブビーム３４はウエ
ハ１６の表面から反射され、更に固定ミラー６８
で反射されて、ロツクインインプ７４の入力に出
力を結合したHgCdTe検出器７２に入射する。こ
れ等の検出器７２とロツクインアンプ７４は30K
Hzの周波数で変調された反射プローブビーム３４
の強さの一部だけを処理する。このような方法に
よると、ポンプビーム４４の可視放射に典型的な
スポツトサイズがプローブビーム３４のより長波
長の赤外放射に変換され、都合が良い。
光検出器７６は、ビームスプリツタ５４からの
反射光を検出し、その情報をロツクインアンプ７
４の入力に送出することによりポンプレーザビー
ム４４の位置をモニタする。ロツクインアンプ７
４の駆動用端子からの信号は音響光学変調器５６
に送られ、ロツクインアンプ７４の入力が受信の
ために調整された周波数と同じ周波数でポンプビ
ーム４４を変調する。このロツクインアンプ７４
の出力は走査制御装置７８およびビデオ表示装置
８２への出力を有するコンピユータ７７に送出さ
れる。この走査制御装置７８の出力は可動テーブ
ル８０とガルバノメータ制御ミラー５８に結合さ
れ、これ等のテーブルとミラー５８の相対位置を
制御する。
反射光を検出し、その情報をロツクインアンプ７
４の入力に送出することによりポンプレーザビー
ム４４の位置をモニタする。ロツクインアンプ７
４の駆動用端子からの信号は音響光学変調器５６
に送られ、ロツクインアンプ７４の入力が受信の
ために調整された周波数と同じ周波数でポンプビ
ーム４４を変調する。このロツクインアンプ７４
の出力は走査制御装置７８およびビデオ表示装置
８２への出力を有するコンピユータ７７に送出さ
れる。この走査制御装置７８の出力は可動テーブ
ル８０とガルバノメータ制御ミラー５８に結合さ
れ、これ等のテーブルとミラー５８の相対位置を
制御する。
ここで基板１６は、ｘ、ｙ、ｚおよびＱ方向に
移動自在の上記可動テーブル８０に支承された石
英製真空チヤツク（図略）に装着される。Ｚステ
ージにより基板１６を集光スポツト内に配置す
る。Ｚ方向の集光位置は使用レンズの焦点深度に
応じて一つの走査位置から他の走査位置へと変化
する。ウエハ１６の表面上の種々の箇所へのアク
セスはＹおよびＱステージを用いて行われる。上
記Ｘステージと回転自在ガルバノメータミラー５
８を用い、公知の方法により約30秒のフレーム速
度でラスタ走査が行われる。上記の４個のステー
ジおよびガルバノメータ５８の全てはコンピユー
タ７７の制御下で動作する。
移動自在の上記可動テーブル８０に支承された石
英製真空チヤツク（図略）に装着される。Ｚステ
ージにより基板１６を集光スポツト内に配置す
る。Ｚ方向の集光位置は使用レンズの焦点深度に
応じて一つの走査位置から他の走査位置へと変化
する。ウエハ１６の表面上の種々の箇所へのアク
セスはＹおよびＱステージを用いて行われる。上
記Ｘステージと回転自在ガルバノメータミラー５
８を用い、公知の方法により約30秒のフレーム速
度でラスタ走査が行われる。上記の４個のステー
ジおよびガルバノメータ５８の全てはコンピユー
タ７７の制御下で動作する。
第１図は、公知の欠陥検出システムの概略図で
あり、第２図は、本発明による欠陥検出システム
の概略図であり、第３図は、本発明による欠陥検
出システムのブロツク図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １２，４２…ポン
プレーザ、１４，３２…プローブレーザ、１６…
基板、１８，５４，７２，７６…検出器、３６，
４６，５２，６２…レンズ、５６…音響光学変調
器、５８…ガルバノメータミラー、７４…ロツク
インアンプ、７７…コンピユータ、７８…走査制
御装置、８０…ｘ−ｙ−ｚステージ、８２…ビデ
オスクリーン。
あり、第２図は、本発明による欠陥検出システム
の概略図であり、第３図は、本発明による欠陥検
出システムのブロツク図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １２，４２…ポン
プレーザ、１４，３２…プローブレーザ、１６…
基板、１８，５４，７２，７６…検出器、３６，
４６，５２，６２…レンズ、５６…音響光学変調
器、５８…ガルバノメータミラー、７４…ロツク
インアンプ、７７…コンピユータ、７８…走査制
御装置、８０…ｘ−ｙ−ｚステージ、８２…ビデ
オスクリーン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体材料の表面の或いはその近傍の個々の
欠陥の検出法であつて、 半導体材料のバンドギヤツプエネルギー以下の
エネルギーレベルを有する単色赤外ビームを半導
体表面の第１領域に向けて照射することと； 半導体材料のバンドギヤツプエネルギー以上の
エネルギーレベルを有する単色光の時間変調ビー
ムを前記半導体表面に向けて照射することと； 第１領域よりかなり小さく、且つその領域内の
第２領域に前記時間変調光ビームを集光し、該光
ビームのエネルギーが前記半導体表面によりほぼ
吸収されて該材料表面内の、或いは該表面近傍の
電子と正孔を励起し、前記表面の反射率を変化さ
せなることと； 前記半導体表面から反射された赤外光ビームの
強度を検出することと、更に、 前記時間変調光ビームの周波数で変調された前
記検出赤外線ビーム強度のその部分のみを処理し
て前記半導体表面内に、或いは該表面近傍に欠陥
を位置づけることとから構成された半導体材料の
表面内の、或いは該表面近傍の個々の欠陥の検出
法。 ２ 前記バンドギヤツプ以上の光ビームをラスタ
走査して前記第２領域内で前記第１領域を移動さ
せることと、 前記変調周波数で表面から反射された前記バン
ドギヤツプ以下の光ビームのみからの光の強度を
検出することとからなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の欠陥検出法。 ３ 前記第１領域がほぼ0.126平方mmであり、 前記第２領域の直径が約１〜２ミクロンのスポ
ツトであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の欠陥検出法。 ４ 前記半導体材料はシリコンであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の欠陥検出
法。 ５ 前記半導体材料はInPであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の欠陥検出法。 ６ 前記半導体材料はInGaAsPであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の欠陥検出
法。 ７ 前記プローブビームは前記表面に垂直な面に
対し79゜の半導体表面に対する入射角を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の欠
陥検出法。 ８ 前記時間変調ビームはアルゴンレーザにより
発生され、且つ、 前記赤外線ビームはCO2レーザにより発生され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の欠陥検出法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/762,086 US4652757A (en) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | Method and apparatus for optically determining defects in a semiconductor material |
| US762086 | 1985-08-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258143A JPS6258143A (ja) | 1987-03-13 |
| JPH0535983B2 true JPH0535983B2 (ja) | 1993-05-27 |
Family
ID=25064075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61178986A Granted JPS6258143A (ja) | 1985-08-02 | 1986-07-31 | 半導体材料の欠陥の光学的検出方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4652757A (ja) |
| EP (1) | EP0211590B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6258143A (ja) |
| KR (1) | KR950010389B1 (ja) |
| CA (1) | CA1243418A (ja) |
| DE (1) | DE3679250D1 (ja) |
Families Citing this family (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4952063A (en) * | 1985-03-01 | 1990-08-28 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for evaluating surface and subsurface features in a semiconductor |
| US4795260A (en) * | 1987-05-15 | 1989-01-03 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for locating and testing areas of interest on a workpiece |
| US4823368A (en) * | 1987-06-30 | 1989-04-18 | Rikagaku Kenkyujyo | Open counter for low energy electron detection with suppressed background noise |
| US4963500A (en) * | 1988-02-02 | 1990-10-16 | Sera Solar Corporation | Method of monitoring semiconductor manufacturing processes and test sample therefor |
| US4953983A (en) * | 1988-03-25 | 1990-09-04 | Nicholas Bottka | Non-destructively measuring local carrier concentration and gap energy in a semiconductor |
| US4908112A (en) * | 1988-06-16 | 1990-03-13 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Silicon semiconductor wafer for analyzing micronic biological samples |
| EP0348738A3 (de) * | 1988-07-01 | 1991-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur zerstörungsfreien Bestimmung elektronischer Inhomogenitäten in Halbleiterschichten |
| DE3905798A1 (de) * | 1989-02-24 | 1990-08-30 | Siemens Ag | Verfahren zur messung von schaedigungen in mindestens einem bereich einer halbleiterscheibe waehrend der bearbeitung der halbleiterscheibe |
| US4968144A (en) * | 1989-03-09 | 1990-11-06 | Wayne State University | Single beam AC interferometer |
| US5769540A (en) * | 1990-04-10 | 1998-06-23 | Luxtron Corporation | Non-contact optical techniques for measuring surface conditions |
| US5287167A (en) * | 1990-07-31 | 1994-02-15 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Method for measuring interstitial oxygen concentration |
| HUT63497A (en) * | 1990-12-17 | 1993-08-30 | Semilab Felvezetoe Fiz Lab Rt | Method and apparatus for measuring minority charge carrier in semiconductor material |
| US5583643A (en) * | 1991-04-12 | 1996-12-10 | British Technology Group Ltd. | Methods of and apparatus for measurement using acousto-optic devices |
| JPH07105424B2 (ja) * | 1991-07-23 | 1995-11-13 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの表面の結合状態及び不純物の評価方法 |
| US5270546A (en) * | 1992-04-29 | 1993-12-14 | Mpb Technologies Inc. | Method and apparatus for non-contact, rapid and continuous moisture measurements |
| US5812261A (en) * | 1992-07-08 | 1998-09-22 | Active Impulse Systems, Inc. | Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films |
| US5406085A (en) * | 1993-07-07 | 1995-04-11 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for rapid and nondestructive determination of lattice defects in semiconductor materials |
| JPH08139146A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体表面のライフタイム評価方法 |
| US6849470B1 (en) | 1996-11-08 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| EP0841692A3 (en) | 1996-11-08 | 1998-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for optical evaluation of a semiconductor device |
| US5978074A (en) * | 1997-07-03 | 1999-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for evaluating metalized layers on semiconductors |
| US5888838A (en) * | 1998-06-04 | 1999-03-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for preventing chip breakage during semiconductor manufacturing using wafer grinding striation information |
| US6535628B2 (en) | 1998-10-15 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus |
| US6323951B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-11-27 | Boxer Cross Incorporated | Apparatus and method for determining the active dopant profile in a semiconductor wafer |
| KR100301067B1 (ko) * | 1999-08-23 | 2001-11-01 | 윤종용 | 마이크로 스크래치 검사방법 및 이를 적용한 장치 |
| US6429968B1 (en) | 2000-03-09 | 2002-08-06 | Agere Systems Guardian Corp | Apparatus for photoluminescence microscopy and spectroscopy |
| US6532076B1 (en) * | 2000-04-04 | 2003-03-11 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for multidomain data analysis |
| JP2001311877A (ja) | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 撮像装置 |
| US6381019B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-04-30 | Brown University Research Foundation | Ultrasonic generator and detector using an optical mask having a grating for launching a plurality of spatially distributed, time varying strain pulses in a sample |
| DE10056768B4 (de) * | 2000-11-14 | 2004-08-26 | Stephan la Barré | Verfahren und Vorrichtung zur Messung von Eigenschaften einer Probe mit Meßsignal-Modulation |
| AU2002220701A1 (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-27 | Stephan Ia Barre | Method and device for measuring properties of a sample |
| US6812717B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-11-02 | Boxer Cross, Inc | Use of a coefficient of a power curve to evaluate a semiconductor wafer |
| US7079975B1 (en) * | 2001-04-30 | 2006-07-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Scatterometry and acoustic based active control of thin film deposition process |
| US6940592B2 (en) * | 2001-10-09 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Calibration as well as measurement on the same workpiece during fabrication |
| US6917039B2 (en) * | 2002-02-13 | 2005-07-12 | Therma-Wave, Inc. | Method and system for combined photothermal modulated reflectance and photothermal IR radiometric system |
| US7027142B2 (en) * | 2002-05-06 | 2006-04-11 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Optical technique for detecting buried defects in opaque films |
| US6963393B2 (en) * | 2002-09-23 | 2005-11-08 | Applied Materials, Inc. | Measurement of lateral diffusion of diffused layers |
| US6878559B2 (en) * | 2002-09-23 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Measurement of lateral diffusion of diffused layers |
| US6888632B2 (en) * | 2003-02-28 | 2005-05-03 | Therma-Wave, Inc. | Modulated scatterometry |
| US6952261B2 (en) * | 2003-03-31 | 2005-10-04 | Therma-Wave, Inc. | System for performing ellipsometry using an auxiliary pump beam to reduce effective measurement spot size |
| JP2004311580A (ja) * | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Toshiba Corp | 半導体評価装置及び半導体評価方法 |
| US7239392B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-07-03 | Xitronix Corporation | Polarization modulation photoreflectance characterization of semiconductor electronic interfaces |
| US20040253751A1 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-16 | Alex Salnik | Photothermal ultra-shallow junction monitoring system with UV pump |
| US6989105B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-01-24 | International Business Machines Corporation | Detection of hardmask removal using a selective etch |
| US7212288B2 (en) * | 2003-08-14 | 2007-05-01 | Therma-Wave, Inc. | Position modulated optical reflectance measurement system for semiconductor metrology |
| DE102004038282B4 (de) * | 2004-08-03 | 2006-09-14 | Salzgitter Flachstahl Gmbh | Verfahren zur Untersuchung auf einem Metallsubstrat aufgebrachter, mit Partikeln durchsetzter Beschichtungen |
| US7319518B2 (en) * | 2005-08-24 | 2008-01-15 | Cree, Inc. | Double side polished wafer scratch inspection tool |
| TR201802704T4 (tr) | 2005-10-11 | 2018-03-21 | Bt Imaging Pty Ltd | Dolaylı bant aralığı yarı iletken yapısının denetlenmesi için metot ve sistem. |
| JP2007288135A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-11-01 | Kobe Steel Ltd | シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び方法 |
| JP5301770B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-09-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜半導体の結晶性測定装置及びその方法 |
| US20080074668A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Alex Salnik | Modulated optical reflectance measurement system with enhanced sensitivity |
| JP5283889B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2013-09-04 | 株式会社神戸製鋼所 | シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置 |
| JP2011180039A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Sigma Koki Kk | 被検体損傷分析装置 |
| US9696264B2 (en) * | 2013-04-03 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for determining defect depths in vertical stack memory |
| US9651610B2 (en) * | 2013-06-29 | 2017-05-16 | Intel Corporation | Visible laser probing for circuit debug and defect analysis |
| WO2015099227A1 (ko) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 주식회사 포스코 | 백색도 및 부착량 동시측정장치 |
| WO2015161136A1 (en) | 2014-04-17 | 2015-10-22 | Femtometrix, Inc. | Wafer metrology technologies |
| US10088418B2 (en) | 2014-09-02 | 2018-10-02 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd. | Method and system for microscopy |
| US10446728B2 (en) * | 2014-10-31 | 2019-10-15 | eLux, Inc. | Pick-and remove system and method for emissive display repair |
| EP3218924B1 (en) | 2014-11-12 | 2020-02-12 | Femtometrix, Inc. | Systems for parsing material properties from within shg signals |
| US9709437B2 (en) * | 2015-02-18 | 2017-07-18 | City University Of Hong Kong | System and method for detecting a defect in a structure member |
| US10274310B2 (en) * | 2016-12-22 | 2019-04-30 | The Boeing Company | Surface sensing systems and methods for imaging a scanned surface of a sample via sum-frequency vibrational spectroscopy |
| GB2587940B (en) * | 2018-04-02 | 2023-06-14 | Applied Materials Inc | Inline chamber metrology |
| JP7447016B2 (ja) | 2018-04-27 | 2024-03-11 | フェムトメトリクス， インク． | 半導体装置の特性決定のためのシステムおよび方法 |
| KR20210021308A (ko) | 2018-05-15 | 2021-02-25 | 펨토매트릭스, 인코포레이티드. | 제2고조파 발생(ｓｈｇ) 광학 검사 시스템 설계 |
| US20240151770A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-09 | Kla Corporation | Methods And Systems For Measurement Of Semiconductor Structures Based On Derivative Measurement Signals |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3355980A (en) * | 1962-02-23 | 1967-12-05 | Owens Illinois Inc | Apparatus for inspecting the rim of a bottle or the like which employs polarized light at brewster's angle |
| US4211488A (en) * | 1978-10-03 | 1980-07-08 | Rca Corporation | Optical testing of a semiconductor |
| US4352016A (en) * | 1980-09-22 | 1982-09-28 | Rca Corporation | Method and apparatus for determining the quality of a semiconductor surface |
| US4352017A (en) * | 1980-09-22 | 1982-09-28 | Rca Corporation | Apparatus for determining the quality of a semiconductor surface |
| US4636088A (en) * | 1984-05-21 | 1987-01-13 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for evaluating surface conditions of a sample |
-
1985
- 1985-08-02 US US06/762,086 patent/US4652757A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-07-28 EP EP86305777A patent/EP0211590B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-28 DE DE8686305777T patent/DE3679250D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-30 CA CA000514983A patent/CA1243418A/en not_active Expired
- 1986-07-31 JP JP61178986A patent/JPS6258143A/ja active Granted
- 1986-08-01 KR KR1019860006366A patent/KR950010389B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4652757A (en) | 1987-03-24 |
| EP0211590A2 (en) | 1987-02-25 |
| DE3679250D1 (de) | 1991-06-20 |
| KR950010389B1 (ko) | 1995-09-16 |
| JPS6258143A (ja) | 1987-03-13 |
| EP0211590A3 (en) | 1988-04-20 |
| EP0211590B1 (en) | 1991-05-15 |
| CA1243418A (en) | 1988-10-18 |
| KR870002644A (ko) | 1987-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0535983B2 (ja) | ||
| JP4248249B2 (ja) | 半導体のマイクロ欠陥の検出と分類 | |
| JP4001862B2 (ja) | 多重角度および多重波長照射を用いるウェハ検査システムのためのシステムおよび方法 | |
| EP0291276B1 (en) | Locating and testing areas of interest on a workpiece | |
| US5228776A (en) | Apparatus for evaluating thermal and electrical characteristics in a sample | |
| US6320666B1 (en) | Apparatus for evaluating metalized layers on semiconductors | |
| US5530550A (en) | Optical wafer positioning system | |
| KR20000035954A (ko) | 반도체의 미소 결함을 검출하는 장치 및 방법 | |
| WO2000073770A1 (en) | Method and apparatus to detect a flaw in a surface of an article | |
| JPS63124942A (ja) | 特に半導体スライスの表面性状を測定するための方法と装置 | |
| US7212288B2 (en) | Position modulated optical reflectance measurement system for semiconductor metrology | |
| JP5009506B2 (ja) | 試料の１つ又は複数の特性を決定するための方法とシステム | |
| WO2005022180A1 (ja) | 半導体デバイスの電界分布測定方法と装置 | |
| EP0274508B1 (en) | Microscopes | |
| JPH0228803B2 (ja) | ||
| US6466040B1 (en) | Three dimensional optical beam induced current (3-D-OBIC) | |
| US4238686A (en) | Method of analyzing localized nonuniformities in luminescing materials | |
| JPS62276441A (ja) | 検査方法および装置 | |
| JP2001196431A (ja) | 回路基板の製造方法およびその装置 | |
| KR20040107950A (ko) | 웨이퍼 휨 측정 방법 | |
| JP2002340537A (ja) | 表面評価方法 | |
| JP3338118B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20050112853A1 (en) | System and method for non-destructive implantation characterization of quiescent material | |
| JPH0478191B2 (ja) | ||
| JPS59149029A (ja) | 化合物半導体結晶基板の評価装置 |