JPH05342631A - Optical information recording medium and its manufacture - Google Patents
Optical information recording medium and its manufactureInfo
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- JPH05342631A JPH05342631A JP4154651A JP15465192A JPH05342631A JP H05342631 A JPH05342631 A JP H05342631A JP 4154651 A JP4154651 A JP 4154651A JP 15465192 A JP15465192 A JP 15465192A JP H05342631 A JPH05342631 A JP H05342631A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はレーザービーム等によ
り、情報を高密度、大容量で記録再生及び消去できる光
学式情報記録媒体に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium capable of recording / reproducing and erasing information with high density and large capacity by using a laser beam or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】光ディスクメモリに関しては、TeとT
eO2を主成分とするTeOx(0<x<2.0)薄膜
を用いた追記型のディスクがある。また繰り返し記録・
消去が可能な消去ディスクが実用化されつつある。この
消去ディスクはレーザ光により記録薄膜を加熱し、溶融
し、急冷することにより、非晶質化して情報を記録し、
またこれを加熱し徐冷することにより結晶化して消去す
ることができるものであるが、この記録薄膜の材料とし
てはS.R.Ovshinsky(エス・アール・オブ
シンスキー)氏等のカルコゲン材料Ge15Te81Sb2
S2等が知られている。また、As2S3やAs2Se3あ
るいはSb2Se3等カルコゲン元素と周期律表第V族あ
るいはGe等の第IV族元素等の組み合せからなる薄膜等
が広く知られている。これらの記録薄膜をレーザ光ガイ
ド用の溝を設けた基板に形成し、光ディスクとして用い
ることができる。2. Description of the Related Art Te and T
There is a write-once disc using a TeOx (0 <x <2.0) thin film containing eO 2 as a main component. Repeated recording
Erase discs that can be erased are being put to practical use. This erase disk heats a recording thin film with laser light, melts it, and cools it rapidly to make it amorphous and record information.
Further, it can be crystallized and erased by heating and gradually cooling it. R. Ovshinsky's chalcogen material Ge 15 Te 81 Sb 2
S 2 etc. are known. Further, thin films and the like made of a combination of a chalcogen element such as As 2 S 3 , As 2 Se 3 or Sb 2 Se 3 and a group IV element such as Group V or Ge of the Periodic Table are widely known. These recording thin films can be formed on a substrate provided with a groove for laser light guide and used as an optical disc.
【0003】これらのディスクにレーザ光で情報を記録
し、その情報を消去する方法としては、あらかじめ記録
薄膜を結晶化させておき、これに約1μmに絞ったレー
ザ光を情報に対応させて強度変調を施し、例えば円盤状
の記録ディスクを回転せしめて照射した場合、このピー
クパワーレーザ光照射部位は、記録薄膜の融点以上に昇
温し、かつ急冷し、非晶質化したマークとして情報の記
録がおこなえる。またこの変調バイアスパワーレーザ光
照射部位は、記録薄膜の結晶化温度以上に昇温し、既記
録信号情報を消去する働きがありオーバライトできる。
このように記録薄膜はレーザ光によって融点以上に昇温
し、また結晶化温度以上に昇温されるものである。この
ため記録薄膜の下面および上面に、耐熱性のすぐれた誘
電体層を基板および接着層に対する保護層として設けて
いるのが一般的である。これらの誘電体層の熱伝導特性
により、昇温および急冷、徐冷の特性が変わるものであ
るから、誘電体層の材質あるいは層構成を選ぶことによ
って記録および消去の特性を決めることができるもので
ある。As a method of recording information on these discs with laser light and erasing the information, the recording thin film is crystallized in advance, and the laser light focused to about 1 μm is made to correspond to the information intensity. When modulation is applied and, for example, a disk-shaped recording disk is rotated and irradiated, this peak power laser light irradiation site is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the recording thin film, and rapidly cooled, and information is recorded as an amorphized mark. You can record. Further, this modulated bias power laser light irradiation site has a function of erasing the recorded signal information by raising the temperature above the crystallization temperature of the recording thin film and can be overwritten.
As described above, the recording thin film is heated to the melting point or higher and the crystallization temperature or higher by the laser beam. For this reason, a dielectric layer having excellent heat resistance is generally provided on the lower surface and the upper surface of the recording thin film as a protective layer for the substrate and the adhesive layer. Since the characteristics of temperature rise, rapid cooling, and gradual cooling change depending on the heat conduction characteristics of these dielectric layers, the recording and erasing characteristics can be determined by selecting the material or layer structure of the dielectric layer. Is.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】記録薄膜を加熱昇温
し、溶融急冷非晶質化および加熱昇温結晶化の手段を用
いる情報記録および消去可能なオーバライト記録媒体に
おける課題は、加熱サイクルに対応して信号品質が変動
することである。この変動要因としては、記録スポット
光による400℃以上の急速な加熱、冷却の繰り返し刺
激によるディスク基板あるいは誘電体層の熱的、機械的
な損傷がある。ディスク基板あるいは誘電体層が熱的な
損傷を受けた場合、記録再生、消去のサイクルにおいて
ノイズの増大を生じ、サイクル特性の劣化が発生すると
いう課題があった。The problem in the information recording and erasable overwrite recording medium using the means of heating and raising the temperature of the recording thin film, melt quenching and amorphization and heating and temperature rising crystallization is a problem in the heating cycle. Corresponding variation in signal quality. Factors of this variation include thermal and mechanical damage to the disk substrate or the dielectric layer due to repeated stimulus of rapid heating and cooling of 400 ° C. or more by the recording spot light. When the disk substrate or the dielectric layer is thermally damaged, there is a problem that noise is increased in the recording / reproducing and erasing cycles and the cycle characteristics are deteriorated.
【0005】もう一つは前述したように相変化を利用し
た消去ディスクは熱記録であるため、記録あるいは消去
をおこなったときの冷却速度が特性を左右するものであ
る。すなわち誘電体層の材質あるいは誘電体層の膜厚等
のディスク構成によっては冷却速度が左右され、この冷
却速度を早くするため誘電体材質として酸化タンタル、
窒化タンタル、タンタル窒酸化物を使用し、記録消去の
繰り返しによる熱衝撃を小さくでき、サイクル特性が大
幅に改善された。また、酸化タンタル、窒化タンタル、
タンタル窒酸化物は記録層との付着力が弱いため記録層
と接する界面に硫化亜鉛を主成分とする薄い中間層を設
けることによりこの付着力が改善された。しかし、酸化
タンタル、窒化タンタル、タンタル窒酸化物は反射層と
の付着力が弱いため記録時及び環境変化による剥離等が
発生するという課題があった。The other is that the erasing disk utilizing the phase change is thermal recording as described above, and therefore the cooling rate at the time of recording or erasing influences the characteristics. That is, the cooling rate depends on the disk structure such as the material of the dielectric layer or the film thickness of the dielectric layer. To increase the cooling rate, tantalum oxide is used as the dielectric material,
By using tantalum nitride and tantalum oxynitride, the thermal shock due to repeated recording and erasing can be reduced, and the cycle characteristics are greatly improved. Also, tantalum oxide, tantalum nitride,
Since tantalum oxynitride has a weak adhesion to the recording layer, the adhesion was improved by providing a thin intermediate layer containing zinc sulfide as a main component at the interface in contact with the recording layer. However, since tantalum oxide, tantalum nitride, and tantalum oxynitride have weak adhesion to the reflective layer, there is a problem that peeling or the like occurs during recording and due to environmental changes.
【0006】本発明の目的は記録消去特性に優れ、記録
時および環境変化による熱衝撃に耐えられる光ディスク
を提供することである。An object of the present invention is to provide an optical disk which has excellent recording / erasing characteristics and can withstand thermal shock due to recording and environmental changes.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は透明基板の一方
の面に酸化タンタル、または窒化タンタル、またはタン
タル窒酸化物からなる第1の誘電体層と、硫化亜鉛を主
成分とする第1の中間層とレーザ光の照射により、その
エネルギーを吸収して昇温、溶融し、急冷して非晶質化
する性質と非晶質の状態を昇温することにより結晶化す
る性質を有する記録層と、硫化亜鉛を主成分とする第2
の中間層と前記第1の誘電体層と同一材料からなる第2
の誘電体層と、硫化亜鉛を主成分とする第3の中間層と
反射層とを順次形成したことを特徴とするものである。According to the present invention, a first dielectric layer made of tantalum oxide, tantalum nitride, or tantalum oxynitride is formed on one surface of a transparent substrate, and a first layer containing zinc sulfide as a main component. The recording layer has the property of absorbing the energy of the intermediate layer and irradiating it with laser light to heat up, melt, and rapidly cool to become amorphous, and the property of crystallizing by heating the amorphous state. Layer and a second layer based on zinc sulfide
Second intermediate layer and second dielectric layer made of the same material as the first dielectric layer
The dielectric layer, the third intermediate layer containing zinc sulfide as a main component, and the reflective layer are sequentially formed.
【0008】[0008]
【作用】本発明によれば、酸化タンタル、窒化タンタ
ル、タンタル窒酸化物は、反射層との付着力が弱いが、
反射層と接する界面に硫化亜鉛を主成分とする薄い中間
層を設けることにより、付着力が改善され記録時及び環
境変化による熱衝撃に耐えられるものとなる。According to the present invention, tantalum oxide, tantalum nitride, and tantalum oxynitride have weak adhesion to the reflective layer,
By providing a thin intermediate layer containing zinc sulfide as a main component at the interface in contact with the reflective layer, the adhesive force is improved and it is possible to withstand thermal shock due to recording and environmental changes.
【0009】[0009]
【実施例】図1は、本発明の一実施例の光学式情報記録
媒体の断面図を示し、図1において、1はディスク基板
でポリカーボネイト等の樹脂基板からなっている。この
ディスク基板1はあらかじめレーザ光案内用の溝を形成
した樹脂基板あるいは2p法で溝を形成したガラス板、
ガラス板に直接溝を形成した基板であってもよい。2は
第1の誘電体層で酸化タンタルTa2O5からなってお
り、膜厚は約150nmである。3,5,7は中間層で
硫化亜鉛に、酸化物としてSiO2を20%含有させた
もので、膜厚は30nmである。6は記録層でTe−G
e−Sbからなり膜厚は約30nmである。8はAL合
金からなる反射層で膜厚は約100nmである。10は
保護板で接着剤9によって反射層8に貼り合わせてい
る。これらの誘電体層2,6、中間層3,5,7,記録
層4、反射層8の形成方法としては、一般的には真空蒸
着あるいはスパッタ法が用いられる。FIG. 1 is a sectional view of an optical information recording medium according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 is a disk substrate made of a resin substrate such as polycarbonate. The disk substrate 1 is a resin substrate in which a groove for guiding laser light is formed in advance, or a glass plate in which a groove is formed by the 2p method,
It may be a substrate in which grooves are directly formed on a glass plate. A first dielectric layer 2 is made of tantalum oxide Ta 2 O 5 and has a thickness of about 150 nm. Intermediate layers 3, 5 and 7 are zinc sulfide containing 20% of SiO 2 as an oxide and have a film thickness of 30 nm. 6 is a recording layer, Te-G
It is made of e-Sb and has a film thickness of about 30 nm. Reference numeral 8 is a reflective layer made of AL alloy and has a film thickness of about 100 nm. A protective plate 10 is attached to the reflective layer 8 with an adhesive 9. As a method of forming the dielectric layers 2 and 6, the intermediate layers 3, 5 and 7, the recording layer 4 and the reflective layer 8, generally, vacuum deposition or sputtering is used.
【0010】本実施例では、誘電体層として酸化タンタ
ルの形成方法について説明する。酸化タンタルターゲッ
トをアルゴンガスと酸素の混合ガスを用いたスパッタ法
を用いている。この時のスパッタ圧力を5×10-4To
rr〜5×10-3Torrとし、この時、酸素分圧が特
性あるいは膜質を決定する上で重要である。そこで誘電
体膜の場合スパッタ時の酸素分圧は、5×10-5Tor
r〜6×10-2Torrの範囲が適当である。この分圧
より少なくすると膜が着色してしまうため、信号の記
録、再生時にレーザ光の吸収がおこる。また多くすると
膜が着色するという問題はないが、ディスク基板1との
密着性が低下し、環境変化における剥離やクラック等を
生じる問題がある。In this embodiment, a method of forming tantalum oxide as a dielectric layer will be described. The tantalum oxide target is formed by a sputtering method using a mixed gas of argon gas and oxygen. The sputtering pressure at this time is 5 × 10 −4 To
rr to 5 × 10 −3 Torr, and the oxygen partial pressure at this time is important in determining the characteristics or film quality. Therefore, in the case of a dielectric film, the oxygen partial pressure during sputtering is 5 × 10 −5 Tor.
A range of r to 6 × 10 -2 Torr is suitable. If the pressure is less than this partial pressure, the film will be colored, and laser light will be absorbed during signal recording and reproduction. Further, if the number is large, there is no problem that the film is colored, but there is a problem that the adhesiveness with the disk substrate 1 is deteriorated and peeling or cracks occur due to environmental changes.
【0011】本実施例のディスク構成で、外径130m
m、1800rpm回転、線速度8m/secでf1=
3.43MHzの信号、f2=1.0MHzの信号のオーバ
ーライト特性を測定した。オーバーライトは、1個のサ
ークルスポットで約1μmのレーザ光により、高いパワ
ーレベル16mW、低いパワーレベル8mWの間の変調
で、高いパワーレベルで非晶質化マークを形成し、低い
パワーレベルで非晶質化マークを結晶化して消去する同
時消録の方法で行った。The disk configuration of this embodiment has an outer diameter of 130 m.
m, 1800 rpm rotation, linear velocity 8 m / sec, f1 =
The overwrite characteristics of the signal of 3.43 MHz and the signal of f2 = 1.0 MHz were measured. Overwrite is modulation between a high power level of 16 mW and a low power level of 8 mW by a laser beam of about 1 μm with one circle spot, forms an amorphized mark at a high power level, and a non-amorphous mark at a low power level The simultaneous erasure method was used to crystallize and erase the crystallized marks.
【0012】この結果、記録信号のC/N比としては、
55dB以上が得られ、消去特性として、オーバーライ
ト消去率30dB以上が得られた。オーバライトのサイ
クル特性については、特にビットエラーレイトの特性を
測定した結果、100万サイクル以上劣化が見られなか
った。As a result, as the C / N ratio of the recording signal,
55 dB or more was obtained, and an overwrite erasing rate of 30 dB or more was obtained as the erasing property. As for the overwrite cycle characteristics, in particular, the bit error rate characteristics were measured, and as a result, no deterioration was observed for more than 1 million cycles.
【0013】また、この光学式情報記録媒体を室温環境
から90℃に保たれた恒温槽中への投入及び取りだしを
行っても、各層間での剥離やクラックの発生などの損傷
は生じなかった。Further, even when the optical information recording medium was put into and taken out from a room temperature environment in a constant temperature bath kept at 90 ° C., no damage such as peeling or cracking between layers occurred. ..
【0014】本実施例では、第1,第2誘電体材料を酸
化タンタルからなる誘電体層としたが窒化タンタル、タ
ンタル窒酸化物でもよい。また、各層の膜厚歯、光学的
な干渉効果による再生信号の大きさと、熱の拡散速度を
して決定されるものであり、第1の誘電体層の膜厚は、
150〜200nmの範囲が良い。第2の誘電体層の膜
厚は、20〜50nmの範囲が良い。第1,第2,第3
の中間層の膜厚は1〜5nmの範囲が良い。In the present embodiment, the first and second dielectric materials are tantalum oxide dielectric layers, but they may be tantalum nitride or tantalum oxynitride. Further, it is determined by the thickness teeth of each layer, the magnitude of the reproduction signal due to the optical interference effect, and the heat diffusion speed, and the thickness of the first dielectric layer is
The range of 150 to 200 nm is preferable. The thickness of the second dielectric layer is preferably in the range of 20 to 50 nm. 1st, 2nd, 3rd
The thickness of the intermediate layer is preferably in the range of 1 to 5 nm.
【0015】また、上記光学式情報記録媒体の誘電体層
の形成方法としては、前述した酸化タンタルのターゲッ
トをアルゴンと酸素の混合ガスを用いたスパッタ法であ
るが、この他、窒化タンタル、タンタル窒酸化物のター
ゲットをアルゴンと窒素の混合ガス、アルゴンと酸素と
窒素の混合ガスを用いてもよい。Further, as a method of forming the dielectric layer of the optical information recording medium, there is a sputtering method using a mixed gas of argon and oxygen for the above-mentioned tantalum oxide target. As the target of nitric oxide, a mixed gas of argon and nitrogen or a mixed gas of argon, oxygen and nitrogen may be used.
【0016】この時のスパッタ圧力、窒素分圧、酸素分
圧は上述した値でよく、スパッタ圧力は5×10-4To
rr〜5×10-3Torr、窒素分圧と酸素分圧は5×
10 -5Torr〜6×10-2Torrで誘電体層を形成
する。At this time, sputtering pressure, nitrogen partial pressure, oxygen content
The pressure may be the above-mentioned value, and the sputtering pressure may be 5 × 10.-FourTo
rr ~ 5 x 10-3Torr, nitrogen partial pressure and oxygen partial pressure are 5 ×
10 -FiveTorr ~ 6 x 10-2Forming a dielectric layer with Torr
To do.
【0017】[0017]
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば反
射層と接する界面に硫化亜鉛を主成分とする薄い中間層
を設けることにより記録、消去サイクル特性の安定な光
学式情報記録媒体が得られるとともに、多回数の書換え
や環境変化に耐えられる光学式情報記録媒体を実現でき
るものである。As described above, according to the present invention, an optical information recording medium having stable recording / erasing cycle characteristics can be obtained by providing a thin intermediate layer containing zinc sulfide as a main component at the interface in contact with the reflecting layer. It is possible to realize an optical information recording medium that can be obtained and can withstand many rewritings and environmental changes.
【図1】本発明の実施例を示す光記録媒体の断面図FIG. 1 is a sectional view of an optical recording medium showing an embodiment of the present invention.
1 ディスク基板 2 第1の誘電体層 3 第1の中間層 4 記録層 5 第2の中間層 6 第2の誘電体層 7 第3の中間層 8 反射層 9 接着剤 10 保護板 1 Disk Substrate 2 First Dielectric Layer 3 First Intermediate Layer 4 Recording Layer 5 Second Intermediate Layer 6 Second Dielectric Layer 7 Third Intermediate Layer 8 Reflective Layer 9 Adhesive 10 Protective Plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 威夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Takeo Ota 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (2)
なる第1の誘電体層と、硫化亜鉛を主成分とする第1の
中間層と、レーザ光の照射によりそのエネルギーを吸収
して昇温、溶融し、急冷して非晶質化する性質と非晶質
の状態を昇温することにより結晶化する性質を有する記
録層と、硫化亜鉛を主成分とする第2の中間層と、前記
第1の誘電体層と同一材料からなる第2の誘電体層と、
硫化亜鉛を主成分とする第3の中間層と反射層とを順次
形成したことを特徴とする光学式情報記録媒体。1. A first dielectric layer made of a tantalum compound, a first intermediate layer containing zinc sulfide as a main component, and its energy absorbed by a laser beam to rise on one surface of a transparent substrate. A recording layer having a property of being heated, melted, and rapidly cooled to be amorphous, and having a property of being crystallized by raising a temperature of the amorphous state; a second intermediate layer containing zinc sulfide as a main component; A second dielectric layer made of the same material as the first dielectric layer;
An optical information recording medium, wherein a third intermediate layer containing zinc sulfide as a main component and a reflecting layer are sequentially formed.
なる第1の誘電体層と、硫化亜鉛を主成分とする第1の
中間層と、レーザ光の照射によりそのエネルギーを吸収
して昇温、溶融し、急冷して非晶質化する性質と非晶質
の状態を昇温することにより結晶化する性質を有する記
録層と、硫化亜鉛を主成分とする第2の中間層と、前記
第1の誘電体層と同一材料からなる第2の誘電体層と、
硫化亜鉛を主成分とする第3の中間層と反射層とを順次
形成した光学式情報記録媒体の製造法であって、第1、
第2の誘電体層をスパッタ法を用い、スパッタ圧力を5
×10-4Torr〜5×10-3Torrとし、酸素分圧
を5×10-5Torr〜1×10-4Torrで形成する
ことを特徴とする光学式情報記録媒体の製造方法。2. A first dielectric layer made of a tantalum compound, a first intermediate layer containing zinc sulfide as a main component, and its energy absorbed by a laser beam to rise on one surface of a transparent substrate. A recording layer having a property of being heated, melted, and rapidly cooled to be amorphous, and having a property of being crystallized by raising a temperature of the amorphous state; a second intermediate layer containing zinc sulfide as a main component; A second dielectric layer made of the same material as the first dielectric layer;
A method for manufacturing an optical information recording medium in which a third intermediate layer containing zinc sulfide as a main component and a reflective layer are sequentially formed,
The second dielectric layer is sputtered at a sputter pressure of 5
× 10 -4 Torr~5 × and 10 -3 Torr, the manufacturing method of the optical information recording medium and forming an oxygen partial pressure 5 × 10 -5 Torr~1 × 10 -4 Torr.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4154651A JPH05342631A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Optical information recording medium and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4154651A JPH05342631A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Optical information recording medium and its manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05342631A true JPH05342631A (en) | 1993-12-24 |
Family
ID=15588898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4154651A Pending JPH05342631A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Optical information recording medium and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05342631A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0874361A3 (en) * | 1997-04-25 | 1999-04-07 | Teijin Limited | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
US7276274B2 (en) | 2002-07-04 | 2007-10-02 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for recording and reproducing data |
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-
1992
- 1992-06-15 JP JP4154651A patent/JPH05342631A/en active Pending
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