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JPH05340909A - ボンディングパッド - Google Patents

ボンディングパッド

Info

Publication number
JPH05340909A
JPH05340909A JP17740892A JP17740892A JPH05340909A JP H05340909 A JPH05340909 A JP H05340909A JP 17740892 A JP17740892 A JP 17740892A JP 17740892 A JP17740892 A JP 17740892A JP H05340909 A JPH05340909 A JP H05340909A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding pad
platinum
adhesion layer
layer
lead wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17740892A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Maeno
起男 前野
Yoshinori Maeda
義徳 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiheiyo Cement Corp
Original Assignee
Chichibu Cement Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chichibu Cement Co Ltd filed Critical Chichibu Cement Co Ltd
Priority to JP17740892A priority Critical patent/JPH05340909A/ja
Publication of JPH05340909A publication Critical patent/JPH05340909A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 セラミックス基板上に設けられた電極やヒー
タなどの端子部とリード線やリードフレームを強固に接
合できるボンディングパッドを得ること。 【構成】 セラミックス基板上に金属とセラミックスと
からなる密着層を設け、その上部に金属の膜上組成物を
設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は素子とリード線とを強固
に接続するボンディングパッドに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体式ガスセンサとしては、0.1m
mφ程度の白金細線をコイル状にしたものを電極とヒー
ターとを兼用する形で、ガス感応体に埋め込み、感応体
から取り出された線を基台上のリードピンに溶接したも
のや、絶縁管の内側に加熱用のコイルが通り、外周上に
電極とガス感応体が設けられ、その電極と基台上のリー
ドピンとを0.1mmφ程度の白金細線によって接続し
たものなどが実用化されている。これらのガスセンサ素
子は、ガス感応体やガス感応体を塗布した絶縁管がリー
ド線によって保持される構造となっており、リード線と
ガス感応部や絶縁管上の電極との接合強度が弱いため
に、機械的振動や衝撃に弱いという信頼性上の問題点を
抱えている。又、製造工程を自動化しずらく量産性が悪
く、品質が安定しないという欠点も持っている。このよ
うな問題点を解決する手段として、近時、厚膜印刷法に
よって、セラミックス基板上に加熱用ヒーターとガス感
応体を設けた平板状の素子を用いたガスセンサの開発が
進められている。この方法によれば、厚膜印刷法によっ
て形状の揃ったものを同時かつ大量に製造することがで
きるため、量産性に優れ、品質の安定したガスセンサ素
子を供給することが可能となる。又、ガスセンサ素子を
基台上に強固に固定し、振動や衝撃などに対する信頼性
を向上させる手段についてもいくつかの提案がされてい
る。例えば、絶縁基板の電極端子やヒーター端子部に予
め貫通孔を設け、その貫通孔にリード線を通して結び、
更にリード線と端子部を導体ペーストで電気的に接続さ
せるという方法やリード線の代わりにリードピンを差し
込む方法などが、夫々特願昭62−25884号と特願
昭62−233069号に開示されている。又、特願昭
63−88516号には、リード線の溶接部を補強する
ために、溶接部にガラス,セメント,金属ロウなどを後
から塗布して断線を防止する技術が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
の方法も素子とリード線やリードフレームとの接合強度
が十分でなかったり、又、製造方法にあっては、穴に細
線を通してねじったり、穴にピンを挿入したりと著しく
量産性に乏しい手法に頼っているのが現状である。この
ような量産性に乏しい手法に頼らざるを得ないのは、ひ
とえに、リード線と素子の電極端子部やヒーター端子部
との接合強度が、従来のスポット溶接等では十分得られ
ないことに起因している。本発明は上記事情に鑑みてな
されたものであり、セラミックス基板上に設けられた電
極やヒーターなどの端子部とリード線やリードフレーム
を強固に接合でき、なおかつ従来の方法に比べて著しく
量産性に優れたボンディングパッドを提供することを目
的としている。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、加熱型の
半導体ガスセンサや湿度センサなどの素子の電極や加熱
ヒーター部の端子とリードピンとをリード線やリードフ
レームなどで強固に接合でき、かつ量産性にも優れた技
術に関して鋭意検討してきた。その結果、セラミックス
基板上に、金属とセラミックスとからなる密着層を介し
て、その上部に金,白金,パラジウム,銀のいずれか一
種以上からなる膜状組成物を設け、この膜状組成物を介
してリード線もしくはリードフレームなどと溶接するこ
とによって、量産性に優れ、なおかつ機械的振動や衝撃
などにも十分耐え得る素子の固定化技術を開発するに至
った(以後、この金,白金,パラジウム,銀の一種以上
からなる膜状組成物を溶着層と呼ぶ)。本発明において
は、密着層の上部に設けられた溶着層は、金,白金,パ
ラジウム,銀のいずれか一種以上より選ばれる。通常、
半導体式ガスセンサや加熱型セラミックス湿度センサで
は、素子を300℃〜600℃に加熱して用いられる。
このためこの温度領域において化学的に安定でかつ十分
な接合強度が維持されねばならない。この理由から金,
白金,パラジウム,銀の一種以上からなる組成物が選定
された。この組成物からなる膜厚は、本発明における接
合強度を得る上で重要である。膜厚が15μmより小さ
いと溶接によって接合する際の熱的な影響によって、下
部密着層や基板、及びそれらの界面が損傷を受け十分な
接合強度が得られない。したがって15μm以上の膜厚
が必要である。又、膜厚が150μmを越えると、その
形成が難しくなるだけでなく、ボンディングパッドを作
製した後、ガス感応体や加熱用ヒーターを厚膜印刷法に
よってボンディングパッドに接して精度よく印刷するこ
とが著しく難しくなり、事実上素子の作製が不可能にな
る。したがって、この膜厚は、15μm以上150μm
以下であることが必要であり、より望ましくは、25μ
m以上100μm以下である。
【0005】本発明のボンディングパッドは、セラミッ
クス基板と密着層を介して接合されているが、この密着
層は、ボンディングパッドと基板とをより強固に密着さ
せるために導入されており、この密着層がないとボンデ
ィングパッドとリード線とを溶接しても十分な接合強度
が得られない。ここで密着層は、白金,パラジウムのい
ずれか一種以上を2vol%〜75vol%含み、残部
が酸化鉄よりなる。白金,パラジウムの含有量が2vo
l%より少ないと、密着層とその上に設けた金,白金,
パラジウム,銀よりなる膜状組成物との密着が得られな
い。又、75vol%より多いと、溶着層と密着層との
密着性は得られるものの、この場合、セラミックス基板
と密着層との密着性が劣化してしまう。このため、含有
する白金,パラジウムの量は、2vol%〜75vol
%であることが必要である。この密着層は、基板側から
溶着層側へ傾斜的に組成を変化させてもよい。例えば、
アルミナ基板に白金10vol%と残部酸化鉄からなる
密着層をまず設け、その上に白金30vol%と残部酸
化鉄からなる密着層を設けた後、溶着層を形成すること
で溶着層と基板との接合性はより改善される。又、ここ
で白金,パラジウムと混合するセラミックスとして酸化
鉄を用いるのは、密着層を焼成する際、アルミナ基板に
そり等が生じる温度以下でも比較的よく焼結し、アルミ
ナ基板と適度に反応して密着するからである。しかし、
本発明においては、白金,パラジウムと混合するセラミ
ックスを酸化鉄に限定するものではなく、SiO2 ,B
2 3 などの硝子成分、又はTiO2 ,CuO,Cd
O等の酸化物を用いてもよい。密着層とボンディングパ
ッド部を作製するに際して、それらの位置関係も重要で
ある。つまり図1(a)のように密着層の内側にボンデ
ィングパッド部を設けることが重要であり、これにより
ボンディングパッドにリード線やリードフレームを溶接
した際の大きな接合強度を得ることができる。ここで、
図1(b)のようにボンディングパッドが密着層の外側
に形成された場合、リード線の引っ張り強度に著しい低
下を生じる。これは密着層を介さない部分では、基板と
ボンディングパッド部とで十分な接合強度が得られない
ため、その部分から剥離し易くなるためと考えられる。
【0006】次に、本発明品の製造方法について述べ
る。本発明品は、厚膜印刷法によって作製されることが
望ましく、これによって極めて量産性に富み品質の安定
したガスセンサ素子を作製することが可能となる。本発
明において、密着層の焼成条件は1250℃から155
0℃で行なわれ、ボンディングパッド部は、この予め焼
成された密着層の上に溶着層を設け、700℃〜155
0℃の範囲で焼成して作製される。又、ここで密着層を
印刷した後、引き続き溶着層を印刷し、これらを同時に
1250℃〜1550℃で焼成してもよい。ここで本条
件を決定した理由は、密着層の焼成条件が1250℃よ
り低いとセラミックス基板との密着強度が得られず、
又、1550℃を越えると密着層と基板との反応により
基板にそりが発生し易くなるためである。溶着層の焼成
条件では、700℃より低いと溶着層の焼結性が不十分
で、リード線を溶接した際に十分な強度が得られず、1
550℃を越えると、前述したように密着層と基板との
反応により基板にそりが生じてしまうからである。この
ようにして作製されたガスセンサ素子は、単に製造する
上で量産性がよく、品質が安定しているだけではなく、
リード線と素子との接合強度に優れ、落下や振動などの
機械的衝撃に対する信頼性が著しく高いことを確認し、
本発明を完成するに至った。本発明に用いられるセラミ
ックス基板は、特に限定しないが、アルミナ(Al2
3 ),ジルコニア(ZrO2 ),マグネシア(Mg
O),フォルステライト(2MgO・SiO)などが用
いられる。又、溶着層を構成する金,白金,パラジウ
ム,銀や、密着層を構成する白金,パラジウムには、焼
結性や耐熱性,化学的安定性を阻害しない範囲で夫々
W,Rhや金などの他の金属を添加することも可能であ
る。又、本発明において、ボンディングパッドにリード
線やリードフレームを接合する方法については特に限定
はしないが、パラレルギャップ方式の抵抗加熱の溶接手
法を用いるのが望ましい。レーザーを用いた溶接法によ
っても接合することは可能であるが、抵抗加熱方式に比
べて密着層や基板が損傷を受け易い。
【0007】
【実施例】以下に実施例を説明する。 実施例1 平均粒径0.5〜0.6μmの白金粉末30vol%と
残部酸化鉄からなる粉末とビークルとを混合して厚膜ペ
ーストを作製し、厚膜印刷法によって0.8×0.9m
m角の密着層をアルミナ基板状に形成した。これを13
00度60分で焼成した後、密着層の上に0.6×0.
8mm角の溶着層を設けた。この溶着層は、金50vo
l%,パラジウム40vol%,白金10vol%とか
らなり、上記の密着層と同様に厚膜印刷法で印刷した
後、1330度30分で焼き付け、ボンディングパッド
とした。一方、市販の金電極ペースト,白金電極ペース
ト,金−白金−パラジウムの混合ペーストの3種につい
ても、同様に厚膜印刷法によって0.6×0.8mm角
のボンディングパッドを形成し、夫々のペーストの最適
焼成条件によって基板に焼き付けた。これらの素子に感
ガス部を形成した後、80Pt−20Pdからなる0.
1mmφのリード線を用いてボンディングパッドとリー
ドピンとの間をスポット溶接で接合し、ガスセンサ素子
を作製した。その結果、本発明品においては、溶着層と
ワイヤーとの接合強度が十分あり、良好なセンサ素子を
作製できた。しかし、市販の電極ペーストを用いたボン
ディングパッドでは、リード線とボンディングパッドと
を接合することができなかった。図2には本発明品をリ
ード線とスポット溶接した様子を図示した。なお、図2
において、1は溶接部、2はリード線、3は溶着層、4
は密着層、5はセラミックス基板である。又、本発明品
と従来のガスセンサ素子のワイヤーと素子との接合強度
を比較するために、落下試験を行なった結果を図3に示
す。ここで、落下試験は、ガスセンサをコンクリートの
上に1mの高さより落下させ、リード線の断線や素子の
脱落を調べた。発明品は40回の落下を経ても何ら損傷
を受けなかったが、従来品は数回から15回以下の落下
でリード線の断線や素子の脱落が見られた。このように
本発明品は、平板状の素子に効率的にリード線を溶接で
きるだけでなく、従来のガスセンサ素子に比べても、著
しく機械的強度が高く、信頼性に優れている。なお、本
発明品の概要を図4に示す。図4において、2はリード
線、3は溶着層、4は密着層、5はセラミックス基板、
6は電極、7は感ガス層、8は厚膜ヒータ、9はスルー
ホール、10はリードピン、11はセンサ素子である。
【0008】実施例2 平均粒径0.5〜0.6μmの白金粉末10vol%と
酸化鉄からなる厚膜ペーストを作製し、これをアルミナ
基板上に約10μmの厚みで印刷後、1300度30分
で焼成した。このようにして作製した密着層の上に金6
0vol%とパラジウム40vol%とからなる厚膜ペ
ーストを膜厚を変えて印刷し、しかる後1350度30
分の焼成を行ない、溶着層を作製した。この溶着層に
0.1mmφの白金線をスポット溶接し、溶接面に垂直
に白金線を引っ張り、白金線と溶着層との接合強度を調
べた。溶着層の厚みは、焼成後の厚みで5μm〜200
μmの範囲で行なった。図5はその結果を表わしたもの
で、横軸に溶着層の厚み、縦軸は引っ張りの強度(g)
を表わしている。ここで溶着層の膜厚が5,10μmで
は接合強度は得られず、有効な接合強度を得るには15
μm以上の膜厚が必要であった。一方、ガスセンサや湿
度センサの機械的信頼性上、ボンディングパッドとリー
ド線との接合の強度としては、少なくとも40g以上が
必要である。このことから、溶着層の膜厚としては25
μm以上がより望ましい。又、膜厚が150μmを越え
て形成された溶着層では、リード線と溶着層との接合の
強度は得られるものの、パッドの厚みが大きくなり過
ぎ、厚膜印刷法でガスセンサの感ガス部や湿度センサの
感湿部を印刷することが著しく困難になった。これは、
印刷時にパッド上面にスクリーンが接触し、基板上に良
好な素子の印刷ができなくなるためである。したがっ
て、溶着層の膜厚としては15μm〜150μmが望ま
しい。
【0009】実施例3 MgO基板及びZrO基板に白金10vol%含有分散
させた酸化鉄からなる密着層を厚膜印刷法で約10μm
の膜厚に印刷し、更にその上部に白金30vol%含有
分散させた酸化鉄からなる密着層を約10μm積層し、
1350度で60分の焼成を行なった。この後、Au8
0vol%,Pd10vol%,Ag10vol%から
なる0.6×0.8mm角の溶着層を厚膜印刷法で印刷
し、800度30分焼成して、ボンディングパッドを作
製した。この後、酸化鉄を主成分とする感ガス部をやは
り厚膜印刷で形成し、700度60分焼成した。これら
の素子のボンディングパッド部に0.1mmφのPtワ
イヤーをスポット溶接法で接合し、更にワイヤーの他端
をリードピンに溶接してガスセンサ素子を作製した。こ
れらの素子は、落下試験,振動試験等の信頼性試験にお
いても問題なく、十分な機械的強度を有していた。
【0010】実施例4 アルミナ基板上に、白金粉末及びパラジウム粉末を1〜
90vol%含有分散せしめた酸化鉄を密着層として厚
膜印刷法で形成した後、1250度60分で焼き付け
た。更にその上部に0.6×0.8mm角の金が60v
ol%,パラジウムが40vol%からなる溶着層を厚
膜印刷により形成し、1320度30分で焼き付けた。
この時の溶着層の厚みは、焼成後約80μmとした。こ
のようにして作製したボンディングパッド上に、スポッ
ト溶接によって線径が0.1mmφの白金線を溶接しそ
の接合強度を調べた。接合の強度は溶接面に垂直に白金
線を引っ張って測定した。この結果を図6,図7に示
す。このように白金,パラジウムが1vol%以下の密
着層を用いた場合には、実用レベルの接合強度は得られ
なかった。又、90vol%以上では溶接時にボンディ
ングパッドが剥離してしまい、これも良好な接合が得ら
れなかった。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればセ
ラミックス基板上に金属とセラミックスとからなる密着
層を設け、その上部に金属の膜上組成物を設ける構成と
したので、電極やヒーターの端子部とリード線とが強固
に接合されて、衝撃,振動などに対する耐久性に優れ、
信頼性の高いガスセンサや湿度センサが得られると共
に、製造工程の簡略化が可能であるため、量産性に優
れ、品質の安定をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ボンディングパッド部の密着層と溶着層の位置
関係を示す図。
【図2】本発明品をリード線とスポット溶接した様子を
示す図。
【図3】本発明品と従来のガスセンサ素子のワイヤーと
素子との接合強度を比較した図。
【図4】本発明品の概要図。
【図5】溶着層の厚みと引っ張り強度との関係図。
【図6】密着層に白金を含有した場合の、白金線との接
続強度を示す図。
【図7】密着層にパラジウムを含有した場合の、白金線
の接続強度を示す図。
【符号の説明】
1 溶接部 2 リード線 3 溶着層 4 密着層 5 セラミックス基板 6 電極 7 感ガス部 8 厚膜ヒータ 9 スルーホール 10 リードピン 11 センサ素子

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミックス基板上に金属とセラミック
    スとからなる密着層を設け、その上部に金属の膜上組成
    物を設けたことを特徴とするボンディグパッド。
  2. 【請求項2】 膜状組成物が、金,白金,パラジウム,
    銀の一種以上とからなることを特徴とする請求項1記載
    のボンディングパッド。
  3. 【請求項3】 膜状組成物の厚みが15μm以上150
    μm以下であることを特徴とする請求項1記載のボンデ
    ィングパッド。
  4. 【請求項4】 密着層が白金,パラジウムの一種以上を
    2vol%〜75vol%含み、残部が酸化鉄からなる
    ことを特徴とする請求項1記載のボンディングパッド。
  5. 【請求項5】 膜状組成物が密着層の内側に設けられて
    いることを特徴とする請求項1記載のボンディングパッ
    ド。
  6. 【請求項6】 膜状組成物が厚膜印刷法によって形成さ
    れることを特徴とする請求項1記載のボンディングパッ
    ド。
  7. 【請求項7】 請求項1記載のボンディングパッドを設
    けたことを特徴とするガスセンサ素子。
JP17740892A 1992-06-11 1992-06-11 ボンディングパッド Pending JPH05340909A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006105880A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Uchiya Thermostat Kk ガスセンサ及びガスセンサの製造方法
WO2019187853A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 日本特殊陶業株式会社 センサ
JP2019191148A (ja) * 2018-03-27 2019-10-31 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子、ヒータ、及びガスセンサ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006105880A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Uchiya Thermostat Kk ガスセンサ及びガスセンサの製造方法
JP2019191148A (ja) * 2018-03-27 2019-10-31 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子、ヒータ、及びガスセンサ
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