JPH05335551A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH05335551A JPH05335551A JP13487092A JP13487092A JPH05335551A JP H05335551 A JPH05335551 A JP H05335551A JP 13487092 A JP13487092 A JP 13487092A JP 13487092 A JP13487092 A JP 13487092A JP H05335551 A JPH05335551 A JP H05335551A
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- Japan
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- layer
- quantum well
- well layer
- multiple quantum
- semiconductor device
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザと電界型光変調器との集積化を
容易に行なうことができ、変調器の駆動電圧を低下させ
ることにより高速動作可能とした光半導体装置を提供す
る。 【構成】 半導体基板上にエネルギー準位の異なる２種
類の多重量子井戸を積層し、その半導体レーザとなる領
域では両者の多重量子井戸を存在させ、その光変調器の
領域ではエネルギー準位の小さい方の多重量子井戸を除
去し、歪超格子よりなる多重量子井戸で構成した。
容易に行なうことができ、変調器の駆動電圧を低下させ
ることにより高速動作可能とした光半導体装置を提供す
る。 【構成】 半導体基板上にエネルギー準位の異なる２種
類の多重量子井戸を積層し、その半導体レーザとなる領
域では両者の多重量子井戸を存在させ、その光変調器の
領域ではエネルギー準位の小さい方の多重量子井戸を除
去し、歪超格子よりなる多重量子井戸で構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザと光変調
器との同一基板上での集積化を容易にし、駆動電圧の低
下と応答の高速化を可能にする光半導体装置に関するも
のである。
器との同一基板上での集積化を容易にし、駆動電圧の低
下と応答の高速化を可能にする光半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図１に示すような光半導体装置が
提案されている。
提案されている。
【０００３】すなわち、同一の半導体基板１上に、半導
体レーザ２と、この半導体レーザ２の活性層３よりもバ
ンドギャップエネルギーのより大きな半導体層４を有す
る光変調器５と、を集積した光半導体装置が提案されて
いる（例えば、Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ，ｅｔ ａｌ．，
“Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ｏ
ｆ ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎｐ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
ｆｅｅｄｂａｃｋ ｌａｓｅｒ ａｎｄ ｅｌｅｃｔ
ｒｏ−ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ｂ
ｙ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ，”Ｊ．
Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ．，ｖｏｌ．ＬＴ
−５，ｐｐ．１２７７−１２８５，１９８７）。半導体
レーザ２の上部電極６から電流Ｉを注入することにより
レーザ発振が起こり、レーザ光が半導体層４に沿って出
射される。光変調器５では、上部電極７に逆バイアスの
条件で電圧Ｖを印加することにより半導体層４の光吸収
係数、および屈折率が変化するため、変調器５側から出
射するレーザ光の強度および位相を変調することが可能
になる。また、変調器５における半導体層４を多数の極
薄膜からなる多重量子井戸で構成すると、電圧Ｖを印加
した際に、量子閉じ込めシュタルク効果により、大きな
吸収係数および屈折率の変化が得られることが示されて
いる（Ｋ．Ｗａｋｉｔａ， ｅｔ ａｌ， “Ｈｉｇｈ
−ｓｐｅｅｄａｎｄ ｌｏｗ−ｄｒｉｖｅ−ｖｏｌｔａ
ｇｅ ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕ
ａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ／ＤＦＢ
ｌａｓｅｒ ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｓｅ，” ＩＥＥＥ
Ｐｈｏｔｎｉｃｓ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｌｅｔ
ｔ．， ｖｏｌ． ４， ｐｐ．１６−１８ １９９
２）。
体レーザ２と、この半導体レーザ２の活性層３よりもバ
ンドギャップエネルギーのより大きな半導体層４を有す
る光変調器５と、を集積した光半導体装置が提案されて
いる（例えば、Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ，ｅｔ ａｌ．，
“Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ｏ
ｆ ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎｐ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
ｆｅｅｄｂａｃｋ ｌａｓｅｒ ａｎｄ ｅｌｅｃｔ
ｒｏ−ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ｂ
ｙ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ，”Ｊ．
Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ．，ｖｏｌ．ＬＴ
−５，ｐｐ．１２７７−１２８５，１９８７）。半導体
レーザ２の上部電極６から電流Ｉを注入することにより
レーザ発振が起こり、レーザ光が半導体層４に沿って出
射される。光変調器５では、上部電極７に逆バイアスの
条件で電圧Ｖを印加することにより半導体層４の光吸収
係数、および屈折率が変化するため、変調器５側から出
射するレーザ光の強度および位相を変調することが可能
になる。また、変調器５における半導体層４を多数の極
薄膜からなる多重量子井戸で構成すると、電圧Ｖを印加
した際に、量子閉じ込めシュタルク効果により、大きな
吸収係数および屈折率の変化が得られることが示されて
いる（Ｋ．Ｗａｋｉｔａ， ｅｔ ａｌ， “Ｈｉｇｈ
−ｓｐｅｅｄａｎｄ ｌｏｗ−ｄｒｉｖｅ−ｖｏｌｔａ
ｇｅ ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕ
ａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ／ＤＦＢ
ｌａｓｅｒ ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｓｅ，” ＩＥＥＥ
Ｐｈｏｔｎｉｃｓ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｌｅｔ
ｔ．， ｖｏｌ． ４， ｐｐ．１６−１８ １９９
２）。
【０００４】以上が、従来提案されている光半導体装置
である。
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光半導体装置では、活性層と、この活性層とは組成
の異なる半導体層を同一基板上に形成するために、少な
くとも２回の結晶成長が必要であった。また、組成の異
なる２つの半導体層を横方向になめらかに結合すること
が光の散乱損失を低減する上で重要であるが、これに対
応するには、上記の構造では本質的な困難性を有してい
た。また、変調するための駆動電圧は２〜３Ｖ以上必要
であり、そのため、駆動用の高速電子回路の電圧が制限
され、これにより高速動作が困難であった。
来の光半導体装置では、活性層と、この活性層とは組成
の異なる半導体層を同一基板上に形成するために、少な
くとも２回の結晶成長が必要であった。また、組成の異
なる２つの半導体層を横方向になめらかに結合すること
が光の散乱損失を低減する上で重要であるが、これに対
応するには、上記の構造では本質的な困難性を有してい
た。また、変調するための駆動電圧は２〜３Ｖ以上必要
であり、そのため、駆動用の高速電子回路の電圧が制限
され、これにより高速動作が困難であった。
【０００６】よって、本発明の課題は、半導体レーザと
電界型光変調器との集積化を容易に行なうことができ、
変調器の駆動電圧を低下させることにより高速動作可能
とした光半導体装置を提供することにある。
電界型光変調器との集積化を容易に行なうことができ、
変調器の駆動電圧を低下させることにより高速動作可能
とした光半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、エネルギー準位の異なる２種類の多重量子井戸を積
層し、その半導体レーザとなる領域では両者の多重量子
井戸を存在させ、その光変調器の領域ではエネルギー準
位の小さい方の多重量子井戸が除去されており、光変調
器を構成する多重量子井戸が歪超格子で構成された構造
としたことを特徴とする。
は、エネルギー準位の異なる２種類の多重量子井戸を積
層し、その半導体レーザとなる領域では両者の多重量子
井戸を存在させ、その光変調器の領域ではエネルギー準
位の小さい方の多重量子井戸が除去されており、光変調
器を構成する多重量子井戸が歪超格子で構成された構造
としたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明による光半導体装置では、半導体レーザ
を構成する活性層と、光変調器を構成する多重量子井戸
層と、が連続した一回の結晶成長で作製できる構造とな
っている。
を構成する活性層と、光変調器を構成する多重量子井戸
層と、が連続した一回の結晶成長で作製できる構造とな
っている。
【０００９】その結果、半導体レーザと電界型光変調器
との集積化を容易に行なうことができ、変調器の駆動電
圧を低下させて、高速で動作することが可能となる。
との集積化を容易に行なうことができ、変調器の駆動電
圧を低下させて、高速で動作することが可能となる。
【００１０】また、量子閉じ込めシュタルク効果による
エネルギーシフトは、電子、あるいは正孔の有効質量に
比例することが知られているが〔Ｈ．Ｔｅｍｋｉｎ ｅ
ｔａｌ．，“ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ｑｕａｎｔｕｍ
ｗｅｌｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ
ｇａｓ ｓｏｕｒｃｅ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａ
ｍ ｅｐｉｔａｘｙ，” Ａｐｐ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅ
ｔｔ．， ５０（２５） ｐｐ．１７７６−１７７８
１９８７〕、光変調器の多重量子井戸に歪を導入する
と、正孔の有効質量を増大させることができるため
〔Ｅ．Ｙａｂｌｏｎｏｖｉｔｃｈ ａｎｄ Ｅ．Ｏ．
Ｋａｎｅ， “Ｂａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｅｎｇ
ｉｎｅｅｒｉｎｇ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ｌａｓｅｒｓ” Ｊ． Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ．， ６（８） ｐｐ．１２９２−１２９９
１９８８〕、量子閉じ込めシュタルク効果を高めること
ができる。
エネルギーシフトは、電子、あるいは正孔の有効質量に
比例することが知られているが〔Ｈ．Ｔｅｍｋｉｎ ｅ
ｔａｌ．，“ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ｑｕａｎｔｕｍ
ｗｅｌｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ
ｇａｓ ｓｏｕｒｃｅ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａ
ｍ ｅｐｉｔａｘｙ，” Ａｐｐ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅ
ｔｔ．， ５０（２５） ｐｐ．１７７６−１７７８
１９８７〕、光変調器の多重量子井戸に歪を導入する
と、正孔の有効質量を増大させることができるため
〔Ｅ．Ｙａｂｌｏｎｏｖｉｔｃｈ ａｎｄ Ｅ．Ｏ．
Ｋａｎｅ， “Ｂａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｅｎｇ
ｉｎｅｅｒｉｎｇ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ｌａｓｅｒｓ” Ｊ． Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ．， ６（８） ｐｐ．１２９２−１２９９
１９８８〕、量子閉じ込めシュタルク効果を高めること
ができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１２】（実施例１）本実施例の光半導体装置で
は、まず、図２、部分的に回折格子（ピッチ：２４０ｎ
ｍ）１０が形成されたｎ形ＩｎＰ基板１の上に、波長組
成１. １μｍのｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層１１を厚
み０. ３μｍ成長させ、光変調器層となるドーピングな
しの第１の多重量子井戸層１２を成長させる。この第１
の多重量子井戸層１２は、厚さ９ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ
よりなる井戸層と、この井戸層と組成の異なる厚さ６ｎ
ｍのＩｎＧａＡｓＰよりなるバリア層とを６周期積層し
たものであり、エネルギー準位の波長は１. ４８μｍで
ある。この第１の多重量子井戸層１２の上に、１０ｎｍ
の厚さのＩｎＰ層１３を介して、第２の多重量子井戸層
１４を約１００ｎｍ成長させる。この第２の多重量子井
戸層１４は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰが４周期で
積層させたもので、エネルギーギャップの波長は１. ５
５μｍである。
は、まず、図２、部分的に回折格子（ピッチ：２４０ｎ
ｍ）１０が形成されたｎ形ＩｎＰ基板１の上に、波長組
成１. １μｍのｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層１１を厚
み０. ３μｍ成長させ、光変調器層となるドーピングな
しの第１の多重量子井戸層１２を成長させる。この第１
の多重量子井戸層１２は、厚さ９ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ
よりなる井戸層と、この井戸層と組成の異なる厚さ６ｎ
ｍのＩｎＧａＡｓＰよりなるバリア層とを６周期積層し
たものであり、エネルギー準位の波長は１. ４８μｍで
ある。この第１の多重量子井戸層１２の上に、１０ｎｍ
の厚さのＩｎＰ層１３を介して、第２の多重量子井戸層
１４を約１００ｎｍ成長させる。この第２の多重量子井
戸層１４は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰが４周期で
積層させたもので、エネルギーギャップの波長は１. ５
５μｍである。
【００１３】前記第１の多重量子井戸層１２の井戸層の
格子定数は、ＩｎＰ基板１の格子定数と異なり、約１％
の圧縮歪が導入されるように組成を決めた。
格子定数は、ＩｎＰ基板１の格子定数と異なり、約１％
の圧縮歪が導入されるように組成を決めた。
【００１４】ここでは、成長法として、ＭＯＶＰＥ（Ｍ
ｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた。
ｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いた。
【００１５】その後、図３では、ホトリソグラフィと化
学的な選択エッチングにより、第２の多重量子井戸層１
４をそのレーザの活性層となる部分を残して除去する。
学的な選択エッチングにより、第２の多重量子井戸層１
４をそのレーザの活性層となる部分を残して除去する。
【００１６】図４では、図３の上部にｐ形ＩｎＰクラッ
ド層１５を１μｍ成長させるとともに、ｐ形ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層１６を０. ３μｍ成長させる。その後、
半導体レーザ２上と光変調器５上に分離された二つのｐ
電極６、７を形成する。
ド層１５を１μｍ成長させるとともに、ｐ形ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層１６を０. ３μｍ成長させる。その後、
半導体レーザ２上と光変調器５上に分離された二つのｐ
電極６、７を形成する。
【００１７】半導体レーザ２の領域ではｐ−ｎ接合に順
方向に電流Ｉを注入することでレーザ発振が得られ、ま
た、回折格子１０の存在により単一縦モード発振が可能
となる。一方、光変調器５の領域では、多重量子井戸の
エネルギー準位が大きいため吸収されず、レーザ光は透
過することができる。光変調器５のｐ−ｎ接合に逆バイ
アス電圧Ｖを印加することで、多重量子井戸の吸収係数
と屈折率が変化し、レーザ光の強度、および位相が変調
される。
方向に電流Ｉを注入することでレーザ発振が得られ、ま
た、回折格子１０の存在により単一縦モード発振が可能
となる。一方、光変調器５の領域では、多重量子井戸の
エネルギー準位が大きいため吸収されず、レーザ光は透
過することができる。光変調器５のｐ−ｎ接合に逆バイ
アス電圧Ｖを印加することで、多重量子井戸の吸収係数
と屈折率が変化し、レーザ光の強度、および位相が変調
される。
【００１８】これらの構造は、他の結晶系、例えば、Ｇ
ａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ系またはＧａＡｓＳｂ−ＧａＡｓ
ＡｌＳｂ系、ＩｎＡｌＧａＡｓ系などにも適用が可能で
あり、ｐとｎを逆にした構造や、図５に示す実施例２の
光半導体装置でも、効果は同じである。
ａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ系またはＧａＡｓＳｂ−ＧａＡｓ
ＡｌＳｂ系、ＩｎＡｌＧａＡｓ系などにも適用が可能で
あり、ｐとｎを逆にした構造や、図５に示す実施例２の
光半導体装置でも、効果は同じである。
【００１９】（実施例２）この実施例２の光半導体装置
では、図５に示すように、まず、基板１の上に第１の多
重量子井戸層１２’を成長させ、その上にＩｎＰ層１
３’を介して、第２の多重量子井戸層１４’を形成させ
る。そして、前記第２の多重量子井戸層１４’の上に回
折格子１０’を形成し、これら第２の多重量子井戸層１
４’と回折格子１０’とを、レーザの活性層となる部分
を除いて、除去する。続いて、上部にｐ形ＩｎＰクラッ
ド層１５を１μｍ成長させるとともに、ｐ形ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層１６を０. ３μｍ成長させる。その後、
半導体レーザ２上と光変調器５上に分離された二つのｐ
電極６、７を形成する。
では、図５に示すように、まず、基板１の上に第１の多
重量子井戸層１２’を成長させ、その上にＩｎＰ層１
３’を介して、第２の多重量子井戸層１４’を形成させ
る。そして、前記第２の多重量子井戸層１４’の上に回
折格子１０’を形成し、これら第２の多重量子井戸層１
４’と回折格子１０’とを、レーザの活性層となる部分
を除いて、除去する。続いて、上部にｐ形ＩｎＰクラッ
ド層１５を１μｍ成長させるとともに、ｐ形ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層１６を０. ３μｍ成長させる。その後、
半導体レーザ２上と光変調器５上に分離された二つのｐ
電極６、７を形成する。
【００２０】このように、活性領域のＩｎＧａＡｓＰ層
１１’上に回折格子１０’を形成した構造でも、実施例
１の光半導体装置と同じ効果を得ることができる。
１１’上に回折格子１０’を形成した構造でも、実施例
１の光半導体装置と同じ効果を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光半
導体装置では、半導体レーザを構成する活性層と、光変
調器を構成する多重量子井戸層と、が連続した一回の結
晶成長で作製できる構造となっている。また、光変調器
を構成する多重量子井戸に歪超格子を用いており、高い
量子閉じ込めシュタルク効果が得られる構造となってい
る。したがって、本発明によれば、半導体レーザと電界
型光変調器との集積化を容易に行なうことができ、変調
器の駆動電圧を低下させて、高速で動作することが可能
となる。
導体装置では、半導体レーザを構成する活性層と、光変
調器を構成する多重量子井戸層と、が連続した一回の結
晶成長で作製できる構造となっている。また、光変調器
を構成する多重量子井戸に歪超格子を用いており、高い
量子閉じ込めシュタルク効果が得られる構造となってい
る。したがって、本発明によれば、半導体レーザと電界
型光変調器との集積化を容易に行なうことができ、変調
器の駆動電圧を低下させて、高速で動作することが可能
となる。
【図１】半導体レーザと光変調器とが集積された従来提
案の半導体装置の断面構成図である。
案の半導体装置の断面構成図である。
【図２】本発明の第１の実施例の光半導体装置の作製工
程中の断面構成図である。
程中の断面構成図である。
【図３】本発明の第１の実施例の光半導体装置の作製工
程中の断面構成図である。
程中の断面構成図である。
【図４】本発明の第１の実施例の光半導体装置の断面構
成図である。
成図である。
【図５】本発明の他の実施例の光半導体装置の断面構成
図である。
図である。
１ ｎ形ＩｎＰ基板（半導体基板） ２ 半導体レーザ ５ 光変調器 ６ 半導体レーザの上部電極 ７ 光変調器の上部電極 １０ 回折格子 １０’ 回折格子 １１ ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層（波長組成１. １
μｍ） １１’ ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層（波長組成１.
１μｍ） １２ 第１の歪超格子よりなる多重量子井戸層 １２’ 第１の歪超格子よりなる多重量子井戸層 １３ ＩｎＰ層 １３’ ＩｎＰ層 １４ 第２の多重量子井戸層 １４’ 第２の多重量子井戸層 １５ ｐ形ＩｎＰクラッド層 １６ ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
μｍ） １１’ ｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層（波長組成１.
１μｍ） １２ 第１の歪超格子よりなる多重量子井戸層 １２’ 第１の歪超格子よりなる多重量子井戸層 １３ ＩｎＰ層 １３’ ＩｎＰ層 １４ 第２の多重量子井戸層 １４’ 第２の多重量子井戸層 １５ ｐ形ＩｎＰクラッド層 １６ ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に、それぞれ組成の異なる
多数の半導体薄膜が積層されてなる第１の多重量子井戸
層と、第２の多重量子井戸層とが形成されてなり、 前記第２の多重量子井戸層がその下に位置する前記第１
の多重量子井戸層のエネルギー準位よりも小さいエネル
ギー順位を有するとともに、前記第２の多重量子井戸層
を構成する半導体積層体が、半導体薄膜の面方向に沿っ
て光が進行する方向に部分的にしか存在していないこと
を特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 上記第１の多重量子井戸と第２の多重量
子井戸との両者が存在する領域において、多重量子井戸
の下あるいは上の半導体層に光が進行する方向に回折格
子が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
光半導体装置。 - 【請求項３】 上記第１の多重量子井戸層の量子井戸を
構成する井戸層が、上記半導体基板の格子定数と異なる
格子定数を持つ組成の半導体薄膜から構成されて、歪超
格子を構成していることを特徴とする請求項１または２
に記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13487092A JPH05335551A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13487092A JPH05335551A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335551A true JPH05335551A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15138405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13487092A Pending JPH05335551A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335551A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6100543A (en) * | 1996-05-29 | 2000-08-08 | Nec Corporation | Electro-absorption type semiconductor optical modulator having a quantum well structure |
| US8279519B2 (en) | 2001-03-13 | 2012-10-02 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device |
| WO2021078657A1 (en) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | SMART Photonics Holding B.V. | Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP13487092A patent/JPH05335551A/ja active Pending
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