JPH05335477A - マイクロ波集積回路パッケージ - Google Patents
マイクロ波集積回路パッケージInfo
- Publication number
- JPH05335477A JPH05335477A JP16668992A JP16668992A JPH05335477A JP H05335477 A JPH05335477 A JP H05335477A JP 16668992 A JP16668992 A JP 16668992A JP 16668992 A JP16668992 A JP 16668992A JP H05335477 A JPH05335477 A JP H05335477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- thin film
- cap
- mic
- resistive thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 10
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1617—Cavity coating
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＩＣパッケージの内部で励振される導波管
伝送モードおよび導波管共振モードによる出力側から入
力側へのアイソレーションの劣化および周波数特性の劣
化を防止する。 【構成】 １はＭＩＣを搭載する金属ヘッダー、２はヘ
ッダー１を覆う金属性のキャップ、３はＭＩＣ出力回
路、４はＭＩＣ入力回路である。そして、キャップ２の
内側天井面に抵抗性薄膜６を形成している。
伝送モードおよび導波管共振モードによる出力側から入
力側へのアイソレーションの劣化および周波数特性の劣
化を防止する。 【構成】 １はＭＩＣを搭載する金属ヘッダー、２はヘ
ッダー１を覆う金属性のキャップ、３はＭＩＣ出力回
路、４はＭＩＣ入力回路である。そして、キャップ２の
内側天井面に抵抗性薄膜６を形成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯以上の高
周波帯で動作するマイクロ波集積回路（以下ＭＩＣと称
する）を封入（シール）するパッケージに関する。
周波帯で動作するマイクロ波集積回路（以下ＭＩＣと称
する）を封入（シール）するパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のＭＩＣパッケージは、
図２に示すように、ＭＩＣを搭載する金属ヘッダー１
と、これを覆う金属性のキャップ２とからなっている。
キャップ２によりＭＩＣをシールしたとき、パッケージ
内にはその内側寸法およびその内部に実装されたＭＩＣ
基板等により遮断周波数の決まる導波管伝送モードが存
在する。また、同様に共振周波数が決定される導波管共
振モードも存在する。パッケージ内におけるＭＩＣ出力
回路３からこれら導波管伝送モードや導波管共振モード
を介して入力回路４に結合する程度、すなわち出力回路
３から入力回路４へのアイソレーション量がＭＩＣの利
得を下回る場合、ＭＩＣは発振を起こし、本来の機能を
果たさなくなる。また、たとえ前記アイソレーション量
がＭＩＣの利得を上回っていてもそれが十分でない場
合、動作周波数体内の周波数利得特性にリップルやディ
ップが生じたりする。
図２に示すように、ＭＩＣを搭載する金属ヘッダー１
と、これを覆う金属性のキャップ２とからなっている。
キャップ２によりＭＩＣをシールしたとき、パッケージ
内にはその内側寸法およびその内部に実装されたＭＩＣ
基板等により遮断周波数の決まる導波管伝送モードが存
在する。また、同様に共振周波数が決定される導波管共
振モードも存在する。パッケージ内におけるＭＩＣ出力
回路３からこれら導波管伝送モードや導波管共振モード
を介して入力回路４に結合する程度、すなわち出力回路
３から入力回路４へのアイソレーション量がＭＩＣの利
得を下回る場合、ＭＩＣは発振を起こし、本来の機能を
果たさなくなる。また、たとえ前記アイソレーション量
がＭＩＣの利得を上回っていてもそれが十分でない場
合、動作周波数体内の周波数利得特性にリップルやディ
ップが生じたりする。
【０００３】したがって、従来では導波管伝送モードに
よる出力側から入力側へのアイソレーション量を動作周
波数範囲で十分な値となるようにパッケージ内側の幅寸
法ａを小さくすることが行われていた。すなわち、導波
管伝送モードの遮断周波数ｆ c は図２に示すキャップ２
の幅ａと実効誘電率εeffにより決定され、ｆcは式
（１）で表される。ただしａ＜ｂ、ａ＜ｈ ここで、ｃは光速である。実効誘電率εeff はパッケー
ジ内に実装されるＭＩＣ基板等により決定される。よっ
て、動作周波数最大値をｆmax とし、周波数ｆにおける
ＭＩＣ回路本来の伝達量（利得あるいは損失）をＧ
（ｆ）、導波管モードを介した出力から入力への伝達量
（損失）をＬ（ｆ）とすると、式（２）の条件を満たす
ようなａを選んでいた。
よる出力側から入力側へのアイソレーション量を動作周
波数範囲で十分な値となるようにパッケージ内側の幅寸
法ａを小さくすることが行われていた。すなわち、導波
管伝送モードの遮断周波数ｆ c は図２に示すキャップ２
の幅ａと実効誘電率εeffにより決定され、ｆcは式
（１）で表される。ただしａ＜ｂ、ａ＜ｈ ここで、ｃは光速である。実効誘電率εeff はパッケー
ジ内に実装されるＭＩＣ基板等により決定される。よっ
て、動作周波数最大値をｆmax とし、周波数ｆにおける
ＭＩＣ回路本来の伝達量（利得あるいは損失）をＧ
（ｆ）、導波管モードを介した出力から入力への伝達量
（損失）をＬ（ｆ）とすると、式（２）の条件を満たす
ようなａを選んでいた。
【０００４】
【数１】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の方法に
よると、動作周波数が高くなるのに相応して、基板上に
構成されるＭＩＣ回路の幅、すなわちパッケージ内側幅
ａを狭くする必要があるが、実装上これを行うにも限度
が生じるという欠点があった。特に、ミリ波帯ＭＩＣ構
成する場合、バイアス供給ピンを含みＭＩＣ回路基板の
幅ａを前述した式（２）の条件を満たすように小さくす
ることは困難となり、このため不要発振、不要共振が生
じ易いという問題があった。
よると、動作周波数が高くなるのに相応して、基板上に
構成されるＭＩＣ回路の幅、すなわちパッケージ内側幅
ａを狭くする必要があるが、実装上これを行うにも限度
が生じるという欠点があった。特に、ミリ波帯ＭＩＣ構
成する場合、バイアス供給ピンを含みＭＩＣ回路基板の
幅ａを前述した式（２）の条件を満たすように小さくす
ることは困難となり、このため不要発振、不要共振が生
じ易いという問題があった。
【０００６】したがって、本発明は、上述した従来の欠
点あるいは問題に鑑みてなされたものであり、その目的
とするところは、ＭＩＣパッケージの内部で励振される
導波管伝送モードおよび導波管共振モードによる出力側
から入力側へのアイソレーションの劣化および周波数特
性の劣化を防止したマイクロ波集積回路パッケージを提
供することにある。
点あるいは問題に鑑みてなされたものであり、その目的
とするところは、ＭＩＣパッケージの内部で励振される
導波管伝送モードおよび導波管共振モードによる出力側
から入力側へのアイソレーションの劣化および周波数特
性の劣化を防止したマイクロ波集積回路パッケージを提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るマイクロ波集積回路パッケージは、マ
イクロ波集積回路を搭載するヘッダーと、このヘッダー
に溶接あるいは接着される金属性のキャップとから構成
されるマイクロ波集積回路パッケージであって、前記キ
ャップの内側表面に抵抗性薄膜を配設したものである。
に、本発明に係るマイクロ波集積回路パッケージは、マ
イクロ波集積回路を搭載するヘッダーと、このヘッダー
に溶接あるいは接着される金属性のキャップとから構成
されるマイクロ波集積回路パッケージであって、前記キ
ャップの内側表面に抵抗性薄膜を配設したものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、パッケージ内部の導波管伝送
モードおよび導波管共振モードの電磁波は減衰を受け
る。
モードおよび導波管共振モードの電磁波は減衰を受け
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明
する。図１は本発明に係るＭＩＣ用パッケージを示し、
（Ａ）は側断面図、（Ｂ）はキャップを下から視た図で
ある。同図において、従来技術と同一の構成について
は、同一の符号を付し詳細な説明は省略する。本発明の
特徴とするところは、キャップ５の内側天井面の全面
に、Ｔａ（タンタル）の抵抗性薄膜６をスパッタリング
によって形成した点にある。
する。図１は本発明に係るＭＩＣ用パッケージを示し、
（Ａ）は側断面図、（Ｂ）はキャップを下から視た図で
ある。同図において、従来技術と同一の構成について
は、同一の符号を付し詳細な説明は省略する。本発明の
特徴とするところは、キャップ５の内側天井面の全面
に、Ｔａ（タンタル）の抵抗性薄膜６をスパッタリング
によって形成した点にある。
【００１０】このような構成とすることにより、キャッ
プ５とヘッダー１とから構成されるパッケージの場合、
パッケージ内部空間の導波管伝送モードあるいは導波管
共振モードの電磁波は抵抗性薄膜６により減衰を受け
る。このため、パッケージの内側幅ａが前述した式
（２）の条件を満たしていない場合でも、抵抗性薄膜６
があるためにパッケージ内部での出力回路側から入力回
路側へのアイソレーションは十分確保することができ
る。
プ５とヘッダー１とから構成されるパッケージの場合、
パッケージ内部空間の導波管伝送モードあるいは導波管
共振モードの電磁波は抵抗性薄膜６により減衰を受け
る。このため、パッケージの内側幅ａが前述した式
（２）の条件を満たしていない場合でも、抵抗性薄膜６
があるためにパッケージ内部での出力回路側から入力回
路側へのアイソレーションは十分確保することができ
る。
【００１１】アイソレーション量は抵抗性薄膜６の面
積、厚みにより決定され、温度の変化にも安定である。
なお、本実施例では抵抗性薄膜６をキャップ５の内側天
井面の全面に形成したが、これに限定されず、所要のア
イソレーション量が確保できれば、天井面の一部でもよ
いことは勿論である。また、抵抗性薄膜の組成をタンタ
ルとしたが、これに限定されず、導波管モードの電磁波
に減衰を与えるならば他の組成でも構わないことはいう
までのないことである。
積、厚みにより決定され、温度の変化にも安定である。
なお、本実施例では抵抗性薄膜６をキャップ５の内側天
井面の全面に形成したが、これに限定されず、所要のア
イソレーション量が確保できれば、天井面の一部でもよ
いことは勿論である。また、抵抗性薄膜の組成をタンタ
ルとしたが、これに限定されず、導波管モードの電磁波
に減衰を与えるならば他の組成でも構わないことはいう
までのないことである。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ッケージのキャップの内側表面に抵抗性薄膜を形成した
ので、パッケージ内部の導波管伝送モードおよび導波管
共振モードに減衰を与え、パッケージ内部の導波管モー
ド遮断周波数が動作周波数に対して十分高くない場合あ
るいは逆に低い場合においても出力側から入力側へのア
イソレーション量を改善して回路動作に悪影響を与えな
いようにすることが可能となる。
ッケージのキャップの内側表面に抵抗性薄膜を形成した
ので、パッケージ内部の導波管伝送モードおよび導波管
共振モードに減衰を与え、パッケージ内部の導波管モー
ド遮断周波数が動作周波数に対して十分高くない場合あ
るいは逆に低い場合においても出力側から入力側へのア
イソレーション量を改善して回路動作に悪影響を与えな
いようにすることが可能となる。
【図１】本発明に係るマイクロ波集積回路パッケージを
示し、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）はキャップを下から視
た図である。
示し、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）はキャップを下から視
た図である。
【図２】従来のマイクロ波集積回路パッケージを示し、
（Ａ）は側断面図、（Ｂ）はキャップを下から視た図で
ある。
（Ａ）は側断面図、（Ｂ）はキャップを下から視た図で
ある。
１ ヘッダー ３ ＭＩＣ出力回路 ４ ＭＩＣ入力回路 ５ キャップ ６ 抵抗性薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波集積回路を搭載するヘッダー
と、このヘッダーに溶接あるいは接着される金属性のキ
ャップとから構成されるマイクロ波集積回路パッケージ
において、前記キャップの内側表面に抵抗性薄膜を配設
したことを特徴とするマイクロ波集積回路パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16668992A JPH05335477A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | マイクロ波集積回路パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16668992A JPH05335477A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | マイクロ波集積回路パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335477A true JPH05335477A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15835916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16668992A Pending JPH05335477A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | マイクロ波集積回路パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335477A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308478A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 半導体モジュール |
| JP2011029346A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Nec Toshiba Space Systems Ltd | マイクロ波用ハイブリッド集積回路 |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP16668992A patent/JPH05335477A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308478A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 半導体モジュール |
| JP2011029346A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Nec Toshiba Space Systems Ltd | マイクロ波用ハイブリッド集積回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6362706B1 (en) | Cavity resonator for reducing phase noise of voltage controlled oscillator | |
| US20020172476A1 (en) | Optical module, optical transmitter and optical receiver | |
| US4992763A (en) | Microwave resonator for operation in the whispering-gallery mode | |
| JP2005150345A (ja) | 高周波パッケージ | |
| JPH0223035Y2 (ja) | ||
| US4270106A (en) | Broadband mode suppressor for microwave integrated circuits | |
| JPH05335477A (ja) | マイクロ波集積回路パッケージ | |
| JPS58168306A (ja) | マイクロ波発振装置 | |
| JP3208607B2 (ja) | 導波管・平面線路変換器 | |
| JP3086717B2 (ja) | 回路基板装置 | |
| JP2674417B2 (ja) | 超高周波用パッケージ | |
| KR100496405B1 (ko) | 압전 진동자와 그것을 이용한 필터 | |
| US5451905A (en) | Microwave semiconductor device comprising stabilizing means | |
| JP2003008309A (ja) | マイクロ波帯干渉防止パッケージ | |
| US20070046402A1 (en) | Planar dielectric line, high-frequency active circuit, and transmitter-receiver | |
| JP3329235B2 (ja) | フィルタ | |
| JPH06216633A (ja) | 高調波抑圧アンテナ | |
| JPH1168503A (ja) | 多重モード水晶振動子 | |
| EP0887877A2 (en) | Surface mounting type isolator and surface mounting type circulator | |
| JP3277299B2 (ja) | 高周波用ｈｉｃモジュール | |
| JPH09266394A (ja) | 高周波用半導体装置 | |
| JP2842058B2 (ja) | 進行波管 | |
| JP3013845B1 (ja) | 高周波集積回路パッケージ | |
| JPS63110756A (ja) | トランジスタの容器 | |
| JPH05110310A (ja) | マイクロ波回路 |