JPH05335212A - 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体素子を製造する際にレチクルとウエハ
との位置合わせを高精度に行なうことができる位置合わ
せ装置及びそれを用いた投影露光装置を得ること。 【構成】 投影光学系を介して撮像手段面上に結像させ
たウエハマーク信号を利用してウエハと撮像手段との位
置合わせを行う際、ウエハマーク信号に対して処理パラ
メータを変化させることにより得られる該マーク信号の
特徴量の変化に基づいて第１アライメント手段のパラメ
ータを決定すると共に第２アライメント手段でウエハマ
ークを検出し、このとき得られるマーク信号に対して処
理パラメータを変化させることにより得られる該マーク
信号の特徴量の変化より該第２アライメント手段のパラ
メータを決定し、該第１、第２アライメント手段に係る
特徴量に基づいて選択したアライメント手段に係るマー
ク信号の処理パラメータを決定し、該選択したアライメ
ント手段と選択した処理パラメータとを用いて位置合わ
せを行っていること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は所望の位置に物体上の複
数の領域を順にアライメント（位置合わせ）をする位置
合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置に関し、特に
半導体素子の製造装置用のステップアンドリピートタイ
プの投影露光装置において、半導体ウエハ上のショット
領域に関連する位置を計測し各ショットをアライメント
する際に好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体素子製造用のステップア
ンドリピートタイプの投影露光装置、即ちステッパーに
おいて、レチクルを半導体ウエハ上のショット領域に位
置合わせする位置合わせ装置が種々と提案されている。

【０００３】例えば本出願人は特開昭６３−２３２３２
１号公報において、ウエハ上のショット領域に関する位
置を計測するだけで、レチクルに関連する位置にウエハ
上の全てのショット領域を高精度にアライメントするこ
とができる極めて優れた位置合わせ装置を提案してい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般に半導体素子は複
数のプロセスを経て作成される。この為ウエハ下地の物
質、アライメントマーク段差、感光材（レジスト）のカ
バーリングの変化及び膜厚等によって各プロセス毎にア
ライメントマークの光学的作用が種々と変化する。

【０００５】従来の位置合わせ方法では、これに対処す
るために複数のアライメント手段を有し、これらを適宜
選択しアライメントマークの検出における処理パラメー
タを固定、又はマニュアルで入力することにより対応し
ていた。この為アライメント手段の選択やアライメント
パラメータの選択に多大な時間を有するのみならず、必
ずしも最適なアライメント手段や最適のアライメントパ
ラメータを選択していることにはなっていなかった。

【０００６】本発明はアライメント手段及びアライメン
トパラメータ等を適切に設定することにより、種々のプ
ロセスを経てもウエハ面上のアライメントマークを高精
度に、しかも効率良く検出し、レチクルとウエハとの位
置合わせを高精度に行なうことができる、特にステップ
アンドリピート型の投影露光装置に好適な位置合わせ装
置及びそれを用いた投影露光装置の提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の位置合わせ装置
は、物体面上に設けたアライメントマークを投影光学系
を介して撮像手段面上に結像させ、該撮像手段から得ら
れる信号を利用して該物体と該撮像手段との相対的な位
置合わせを行う際、検出手段で該アライメントマークを
検出し、このとき得られるマーク信号に対して処理パラ
メータを変化させることにより得られる該マーク信号の
特徴量の変化に基づいて第１アライメント手段のパラメ
ータを決定すると共に第２アライメント手段で該物体面
上のアライメントマークを検出し、このとき得られるマ
ーク信号に対して処理パラメータを変化させることによ
り得られる該マーク信号の特徴量の変化より該第２アラ
イメント手段のパラメータを決定し、該第１、第２アラ
イメント手段に係る特徴量に基づいて選択したアライメ
ント手段に係るマーク信号の処理パラメータを決定し、
該選択したアライメント手段と選択した処理パラメータ
とを用いて位置合わせを行っていることを特徴としてい
る。

【０００８】又本発明の投影露光装置は、ウエハ面上に
設けたアライメントマークを投影光学系を介してレチク
ルと同期をとった撮像手段面上に結像させ、該撮像手段
から得られる信号を利用して該ウエハと該撮像手段との
相対的な位置合わせを行い、レチクル面上のパターンを
該投影光学系により該ウエハ面上に投影露光する際、検
出手段で該アライメントマークを検出し、このとき得ら
れるマーク信号に対して処理パラメータを変化させるこ
とにより得られる該マーク信号の特徴量の変化に基づい
て第１アライメント手段のパラメータを決定すると共に
第２アライメント手段で該ウエハ面上のアライメントマ
ークを検出し、このとき得られるマーク信号に対して処
理パラメータを変化させることにより得られる該マーク
信号の特徴量の変化より該第２アライメント手段のパラ
メータを決定し、該第１、第２アライメント手段に係る
特徴量に基づいて選択したアライメント手段に係るマー
ク信号の処理パラメータを決定し、該選択したアライメ
ント手段と選択した処理パラメータとを用いて位置合わ
せを行っていることを特徴としている。

【０００９】

【実施例】図１は本発明の位置合わせ装置を用いた半導
体素子製造用の投影露光装置（ステッパー）の要部概略
図である。

【００１０】同図においてＲはレチクルであり、その面
上には電子回路パターンが形成されており、レチクルス
テージＲ１に支持されている。レチクルＲは照明系１０
１により露光光で照明されている。Ｗはウエハ（物体）
であり、その表面の一部には位置検出用のウエハアライ
メントマークＷＭが一辺が位置検出方向と平行となるよ
うに形成されている。

【００１１】１１４はＸＹＺステージ（ステージ）であ
り、ウエハＷを載置しており、ＸＹ方向及びＺ方向に移
動可能となっている。１１は投影光学系であり、レチク
ルＲ面上の回路パターンをウエハＷ面上に縮小投影して
いる。

【００１２】本実施例では照明系１０１から照射された
露光光は、電子回路パターンが形成されたレチクルＲを
照明し、投影光学系１１を介してステージ１１４に載置
されたウエハＷに該電子パターンを投影露光する。

【００１３】本実施例ではこの露光動作に先立ち、レチ
クルＲとウエハＷの相対的な位置合わせを次のようにし
て行っている。

【００１４】図１において、１２はＨｅＮｅレーザによ
る位置合わせ用の照明光源で発振主波長は６３２．８ｎ
ｍ、１３はハロゲン灯による位置合わせ用の照明光源で
発振主波長が６１２ｎｍとなっている。これらの照明光
源１２，１３はウエハマークＷＭの表面状態に応じてシ
ャッター１４，１５を交互に動作させることにより切替
えられるものとなっている。

【００１５】照明光源１２（１３）からの光束はミラー
１１５（１１６）で反射し、ビームスプリッター１６、
ミラー１８、投影光学系１１を介してステージ１１４に
載置されたウエハＷに形成されているウエハアライメン
トマークＷＭを照明する。ウエハアライメントマークＷ
Ｍは図２（Ａ）に示すように複数のバー状のマーク（バ
ーマーク、ＷＭ１〜ＷＭ４）を等間隔で配列したものよ
り成っている。

【００１６】ウエハアライメントマークＷＭで反射した
光束は再び投影光学系１１とミラー１８を介してビーム
スプリッター１６に到達し、ビームスプリッター１６を
透過して結像光学系１７を介して撮像装置１９の撮像面
にウエハアライメントマークＷＭの像を形成する。撮像
装置１９によりウエハアライメントマークＷＭの像を光
電変換し、電気信号を得ている。

【００１７】本実施例では以上の各要素１２（１３），
１４（１５），１１５（１１６），１６，１８，１７，
１９は検出手段の一要素を構成している。

【００１８】１１０はＡ／Ｄ変換装置であり、撮像装置
１９により光電変換されたウエハアライメントマークＷ
Ｍの像を２次元デジタル信号列に変換する。１１１は積
算装置であり、図２（Ｂ）において示したようなウエハ
アライメントマークＷＭの複数の異なる位置に設定した
処理ウインドウＷ_k （ｋ＝１〜１２）の各々でウエハア
ライメントマーク位置を検出する方向（この場合はＸ方
向）に直角な方向（この場合はＹ方向）にＡ／Ｄ変換装
置１１０からの各画素値を積算し、１次元のデジタル信
号列Ｓ_k （ｘ）を得る。画像メモリ上の画素データ値を
Ｐ（Ｘ，Ｙ）としたウインドウＷ_k のＹ方向の範囲をＹ
_k1≦Ｙ≦Ｙ_k2とすればＳ_k （ｘ）は

【００１９】

【数１】 と表わされる。

【００２０】実際には図２（Ｂ）に示すように１２個の
ウインドウＷ_k を設定し、各々のウインドウＷ_k に関し
て図２（Ｃ）に示すようなデジタル信号列を得ている。

【００２１】一般に撮像した画像においてはウエハアラ
イメントマークＷＭのエッジ信号部分は、他の部分に比
べてコントラストが急激に変化する。この為デジタル信
号列Ｓ_k （Ｘ）は積算方向に直角な方向（Ｘ方向）のコ
ントラストが強調され、Ｓ／Ｎが高められるので該信号
部分には急峻なピークや落ち込みが観測される。

【００２２】本実施例において撮像装置１９に対するウ
エハＷとの位置合わせをデジタル信号Ｓ_k （Ｘ）から各
々のウエハアライメントマークＷＭの位置を検出するこ
とにより行っている。尚、このとき照明光源１２を用い
る系を第１アライメント手段、照明光源１３を用いる系
を第２アライメント手段としている。

【００２３】ウエハアライメントマークＷＭの位置検出
においては図２（Ｂ）の各デジタル信号列Ｓ₁ （Ｘ）か
らＳ₁₂（Ｘ）について同一の処理が行なわれている。以
下の説明では任意のデジタル信号列Ｓ_k （Ｘ）を例にと
っている。検出は各々のバーマーク（ＷＭ１〜ＷＭ４）
についてその位置をテンプレートマッチング法にて計測
し各々の位置の平均位置をウエハアライメントマークＷ
Ｍの計測位置としている。１本のバーマークのデジタル
信号部分を図３（Ａ）に示すＳ（ｘ）とし、テンプレー
トを図３（Ｂ）とすると下式で示すマッチング評価式に
より、任意の点の任意の点ｘにおけるマッチング度Ｅ
（ｘ）が得られる。

【００２４】

【数２】 上式中のパラメータＣ，Ｗはテンプレートの有効範囲を
意味し、Ｃは有効範囲の中心、Ｗは有効範囲の幅を表わ
したものになっている。マッチ度Ｅ（ｘ）が最大値にな
るｘ座標値をＸ_P とし、Ｘ_P を中心としたＸ_P まわりの
数点におけるマッチ度Ｅの重心位置の計算によりウエハ
アライメントマークの位置を計測している。

【００２５】このように各々のバーマークの位置を算出
したのちに全ての位置の平均値を計算し、デジタル信号
列Ｓ_k （Ｘ）におけるウエハアライメントマークＷＭの
位置を検出している。

【００２６】ここでテンプレートとしては本実施例では
該デジタル波形が半導体素子の製造工程あるいはレジス
ト膜厚などの影響で変化するため、数種類用意し各々に
ついて同様にマッチング評価を行ない、その内でもっと
も大きいマッチ度を示すテンプレートを採用している。

【００２７】このようにしてそれぞれのウインドウＷ_k
において検出されたウエハアライメントマークＷＭの位
置をＰＷＭ_k （ｋ＝１〜１２）とする。最終的なウエハ
アライメントマークの位置ＰＷＭは下の式によって計算
している。

【００２８】

【数３】 本実施例ではレチクルＲとウエハＷとの位置合わせの際
には、予め別の手段により、まずレチクルＲと撮像装置
１９との相対位置は計測されている。即ちレチクルＲと
撮像装置１９とは予め同期をとっている。この為ウエハ
Ｗと撮像装置１９との相対的位置合わせを行ない、これ
によりレチクルＲとウエハＷとの位置合わせ（アライメ
ント）を行なっている。

【００２９】次にウエハアライメントマーク計測用のア
ライメント照明光及び計測パラメータの最適化の方法に
ついて説明する。

【００３０】計測のパラメータとしては、例えば各ウイ
ンドウにおける積算幅やテンプレート形状、テンプレー
ト有効範囲（中心Ｃ、幅Ｗ）などがあるが、ここでは精
度に関して主な要因となるテンプレート有効範囲を調整
している。

【００３１】半導体素子製造の各プロセスで変化するア
ライメントに関する要因の一つにアライメントマークの
線幅変動がある。例えば図４（Ａ）はウエハアライメン
トマーク部分４１をエッチングし、アルミニウム（Ａ
ｌ）４２をスパッタリングにより蒸着した場合のウエハ
アライメントマークの断面である。同図より明らかなよ
うにレチクルより転写された線幅よりも内側にエッジ４
２ａが現われ、ウエハアライメントマークのエッジ位置
が狭くなっている。

【００３２】一方、図４（Ｂ）はウエハアライメントマ
ーク以外の部分をエッチングし、アルミニウム（Ａｌ）
４２を蒸着した場合を示しているが、この場合にはレチ
クルにより転写された線幅よりも広い位置にウエハアラ
イメントマークのエッジ４２ａが現われることがわか
る。

【００３３】このような線幅の変化は、そのウエハアラ
イメントマークの形成されたプロセスによっては大きく
ことなる場合がある。その場合、ウエハアライメントマ
ークのエッジ信号の出現する位置が変動し、固定したテ
ンプレート有効幅からエッジ信号部分が外れることによ
りＳ／Ｎの低下が発生する。いい替えればＳ／Ｎ的に最
適なパラメータはエッジ信号部分を過不足なく捉えるこ
とである。

【００３４】上記Ｓ／Ｎの観点から最適なパラメータを
設定する場合の評価尺度としては、定常ランダムなノイ
ズの影響を強く受ける。ウエハアライメントマークの異
なった部分を計測した際の計測ばらつきを採用すること
が可能である。つまり、一般には定常ランダムなノイズ
の影響が大きくなるほどこれらの計測のばらつき、即ち
分散は大きくなる傾向があるからである。

【００３５】図５は図１のパラメータの最適化部分を説
明する図である。図５の撮像装置１９、Ａ／Ｄ変換装置
１１０、積算装置１１１、パラメータ発生装置５１、位
置検出装置１１２はウエハアライメントマーク検出部分
と同様である。

【００３６】図５においてパラメータセット発生装置５
１は、テンプレート有効範囲を意味ある範囲で変化させ
たパラメータの組を発生させて位置検出装置１１２に渡
している。１１３は特徴量抽出装置であり、ここで各ウ
インドウＷ_k ごとのウエハアライメントマークＷＭの位
置ＰＷ_k の分散を

【００３７】

【数４】 で求めパラメータの組と各々の組に対応するウインドウ
間の計測位置の分散値を保持する。

【００３８】次にパラメータ発生装置５１が新しいパラ
メータの組を発生させ、位置検出をした後、特徴量抽出
装置１１３が新しいパラメータの組と上記分散値を保持
する。このループをパラメータ発生装置５１が新しいパ
ラメータを発生し終るまで繰り返し、最終的にはこれら
のパラメータの組の内でもっとも分散の小さい組を最適
なパラメータとして出力する。

【００３９】ここで、σの代わりにサーボフィードバッ
クさせ安定した状態にあるウエハＷ上のウエハアライメ
ントマークＷＭを複数回計測し、その計測ばらつきを採
用してもよい。パラメータ発生装置５１は、網羅的にパ
ラメータの組を発生させても良いし、評価値である分散
値をフィードバックすることにより、所謂山登り探索的
な手法でパラメータを発生させ極小値を求めてもほぼ同
様な効果が得られる。

【００４０】図６（Ａ）はウエハプロセスにおけるウエ
ハアライメントマークの積算後のデジタル信号列の例を
示している。図６（Ｂ）は横軸にテンプレートの有効範
囲の中心Ｃをとり、縦軸にテンプレート有効範囲の幅Ｗ
を取った際のウインドウ間の計測値の分散値の変化を示
す等高線グラフである。

【００４１】図６（Ｂ）の６１は分散が最小を示す位置
であり、その位置のパラメータの組がＳ／Ｎ的には最適
であることを示している。又図７（Ａ）は別の線幅の異
なるパターンの積算後のデジタル信号列の例を示してい
る。

【００４２】図７（Ｂ）は図６（Ｂ）と同様に分散の変
化を表わした等高線グラフであるが、この場合７１に示
すように分散値の最小値を示す位置が図６（Ｂ）の場合
と異なっており、最適なパラメータの組が変化したこと
を示している。

【００４３】本発明において、このような原則は最適な
ウエハアライメントマークの照明光の選択にも適用する
ことができる。単一の波長の光束でウエハアライメント
マークＷＭを照明した場合、図８に示すようにレジスト
８１の表面からの反射光と下地８２からの反射光の干渉
により厚さａ，ｂが下記の式 ａ＝ｋλ／４ ‥‥‥‥（８） ｂ＝ｌλ／４ ‥‥‥‥（９） （ｋ，ｌは任意の自然数）を満足する場合には著しくウ
エハアライメントマークのコントラストが損なわれる場
合がある。尚、図８において８３はウエハアライメント
マークである。

【００４４】この場合にはウエハアライメントマーク８
３の照明光の波長を変化させることにより上記条件から
外れることによりウエハアライメントマークのコントラ
ストが向上しＳ／Ｎが改善される。

【００４５】一般にコントラストの向上は上記分散値を
小さくする効果がある。そこで、アライメント照明光の
波長を変化させ各アライメント光においてウエハアライ
メントマークを観察し最適パラメータを算出し、全ての
アライメント光において各々の最適パラメータを算出し
た後に、その内でもっとも低い分散値を持ったアライメ
ント光とパラメータの組を選択することにより、最適な
アライメント光源とパラメータの組を決定している。

【００４６】次にこのような本実施例の位置合わせの手
順を説明する。まず、ウエハＷを搬送ハンド機構（不図
示）によってウエハステージ１１４上に送り込み、真空
吸着によりウエハステージ１１４上に固定する。

【００４７】次にウエハＷの観察しようとするショット
のウエハアライメントマークＷＭを投影光学系１１の光
軸下の位置にウエハステージ１１４により送り込み撮像
装置１９にて観察可能な位置に保持する。

【００４８】次に照明光源１２のＨｅＮｅレーザからの
光によりウエハアライメントマークＷＭを照明し、計測
パラメータの最適化を行ない第１アライメント手段とし
ての最適パラメータの組を保持する。次に照明光源１３
のハロゲン光による照明に切替え再び第２アライメント
手段としての計測パラメータの最適化を行なう。

【００４９】このようにして得られた２組のパラメータ
の組とその分散値を比較し、分散値の小さい照明光とパ
ラメータの組を選択し不図示の制御コンピュータの記憶
装置に記憶させ、次にアライメント動作に入る際にこの
照明光と、計測パラメータの組を使用する。

【００５０】このように、一つのショットで照明光の選
択とパラメータの選択を行なってもよいが、より最適化
の精度を上げるためにはウエハＷ内の複数のショットで
パラメータの最適化を行ない、そのパラメータの平均値
と分散の平均値を出力し、各々の照明光における分散値
の平均を比較し、もっとも小さい値を示す照明光源とパ
ラメータを選択し、このときの処理パラメータを制御コ
ンピュータに記憶させアライメント動作時に選択された
照明光とパラメータを使用してもよい。

【００５１】次に制御コンピュータに記憶されたアライ
メント照明光とパラメータを使用し、ウエハＷのアライ
メントを行ないアライメントした位置に従って不図示の
ステージ制御装置によりウエハステージ１１４を駆動さ
せ、ステップアンドリピートで露光している。

【００５２】更に計測したウエハＷと同じプロセス条件
のウエハをアライメントする際には、前記制御コンピュ
ータ内の記憶装置に記憶された最適な照明光と最適なパ
ラメータを参照することによりアライメントを行なって
いる。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば以上のようにアライメン
ト手段及びアライメントパラメータ等を適切に設定する
ことにより、種々のプロセスを経てもウエハ面上のアラ
イメントマークを高精度に、しかも効率良く検出し、レ
チクルとウエハとの位置合わせを高精度に行なうことが
できる、特にステップアンドリピート型の投影露光装置
に好適な位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置
を達成することができる。

【００５４】この他本発明によればアライメントマーク
の形状の変化及び光学的反射条件の変化に対して、予め
アライメントマークを複数のアライメント手段で観察
し、各々のアライメント手段において処理パラメータを
変化させた時の計測精度に関連する特徴量としてアライ
メントマークの異なるいくつかの部分でのアライメント
マークの位置の計測ばらつきの程度を採用し、ばらつき
の精度がもっとも小さくなるような処理パラメータを、
アライメントマークをもっとも精度良く検出するような
処理パラメータと決定することにより、アライメントし
ウエハを焼付けて誤差検定用のバーニアマークを計測す
ることなくアライメント手段と処理パラメータを自動で
フィッティングすることが可能となり、アライメント精
度を向上させることが可能となる。

【００５５】更に本発明によればアライメント手段と処
理パラメータを変化させてアライメントマークを観察す
る際にアライメントマークを複数回計測し、その計測ば
らつきをアライメント手段と処理パラメータを変化させ
たときの計測精度に関連する特徴量とすることにより、
アライメントしウエハを焼付けて誤差検定用のバーニア
マークを計測することなくアライメント手段と処理パラ
メータを自動でフィッティングすることが可能となり、
アライメント精度を向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の投影露光装置の実施例１の要部概略
図

【図２】 本発明に係るアライメントマークの説明図

【図３】 本発明に係るテンプレートの説明図

【図４】 ウエハ面上のアライメントマークの説明図

【図５】 図１の一部分の説明図

【図６】 本発明に係るアライメントマークの信号処理
の説明図

【図７】 本発明に係るアライメントマークの信号処理
の説明図

【図８】 ウエハ面上のレジストからの反射光の説明図

【符号の説明】

１１ 投影光学系 １２，１３ 照明光源 １４，１５ シャッター １６ ビームスプリッター １７ 結像光学系 １８ ミラー １９ 撮像装置 Ｒ レチクル Ｗ ウエハ ＷＭ ウエハアライメントマーク １０１ 照明系 １１４ ＸＹＺステージ １１５ ミラー １１６ ハーフミラー

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 物体面上に設けたアライメントマークを
   投影光学系を介して撮像手段面上に結像させ、該撮像手
   段から得られる信号を利用して該物体と該撮像手段との
   相対的な位置合わせを行う際、検出手段で該アライメン
   トマークを検出し、このとき得られるマーク信号に対し
   て処理パラメータを変化させることにより得られる該マ
   ーク信号の特徴量の変化に基づいて第１アライメント手
   段のパラメータを決定すると共に第２アライメント手段
   で該物体面上のアライメントマークを検出し、このとき
   得られるマーク信号に対して処理パラメータを変化させ
   ることにより得られる該マーク信号の特徴量の変化より
   該第２アライメント手段のパラメータを決定し、該第
   １、第２アライメント手段に係る特徴量に基づいて選択
   したアライメント手段に係るマーク信号の処理パラメー
   タを決定し、該選択したアライメント手段と選択した処
   理パラメータとを用いて位置合わせを行っていることを
   特徴とする位置合わせ装置。
2. 【請求項２】 ウエハ面上に設けたアライメントマーク
   を投影光学系を介してレチクルと同期をとった撮像手段
   面上に結像させ、該撮像手段から得られる信号を利用し
   て該ウエハと該撮像手段との相対的な位置合わせを行
   い、レチクル面上のパターンを該投影光学系により該ウ
   エハ面上に投影露光する際、検出手段で該アライメント
   マークを検出し、このとき得られるマーク信号に対して
   処理パラメータを変化させることにより得られる該マー
   ク信号の特徴量の変化に基づいて第１アライメント手段
   のパラメータを決定すると共に第２アライメント手段で
   該ウエハ面上のアライメントマークを検出し、このとき
   得られるマーク信号に対して処理パラメータを変化させ
   ることにより得られる該マーク信号の特徴量の変化より
   該第２アライメント手段のパラメータを決定し、該第
   １、第２アライメント手段に係る特徴量に基づいて選択
   したアライメント手段に係るマーク信号の処理パラメー
   タを決定し、該選択したアライメント手段と選択した処
   理パラメータとを用いて位置合わせを行っていることを
   特徴とする投影露光装置。