JPH0533003Y2 - - Google Patents
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- JPH0533003Y2 JPH0533003Y2 JP3474389U JP3474389U JPH0533003Y2 JP H0533003 Y2 JPH0533003 Y2 JP H0533003Y2 JP 3474389 U JP3474389 U JP 3474389U JP 3474389 U JP3474389 U JP 3474389U JP H0533003 Y2 JPH0533003 Y2 JP H0533003Y2
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- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
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- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、特定形状の陽極を備えてなる半導体
ウエハー露光用シヨートアーク水銀ランプに関す
る。
ウエハー露光用シヨートアーク水銀ランプに関す
る。
半導体デバイスの製造において、露光用光源と
してシヨートアーク水銀ランプが有利に用いられ
ている。
してシヨートアーク水銀ランプが有利に用いられ
ている。
斯かる用途に用いられるシヨートアーク水銀ラ
ンプにおいては、解像度の向上を図るために
436nmの紫外線(以下「g線」という。)もしく
は365nmの紫外線(以下「i線」という。)を中
心とする発光分布幅を狭帯化することが要求され
る。
ンプにおいては、解像度の向上を図るために
436nmの紫外線(以下「g線」という。)もしく
は365nmの紫外線(以下「i線」という。)を中
心とする発光分布幅を狭帯化することが要求され
る。
斯かるg線もしくはi線の周辺の水銀発光を抑
制し、g線もしくはi線を中心とする発光分布幅
を狭くするためには、シヨートアーク水銀ランプ
の発光管内に封入する水銀の圧力を下げることが
有効である。すなわち、水銀の圧力が高い場合に
は、遷移種が増加しg線およびi線の周辺発光も
増加する。水銀の圧力が低いとg線もしくはi線
の発光も減少するが周辺発光を抑制できるのでg
線もしくはi線の狭帯化が可能となる。
制し、g線もしくはi線を中心とする発光分布幅
を狭くするためには、シヨートアーク水銀ランプ
の発光管内に封入する水銀の圧力を下げることが
有効である。すなわち、水銀の圧力が高い場合に
は、遷移種が増加しg線およびi線の周辺発光も
増加する。水銀の圧力が低いとg線もしくはi線
の発光も減少するが周辺発光を抑制できるのでg
線もしくはi線の狭帯化が可能となる。
しかし、発光管内の水銀の圧力を下げると、電
極間の電気抵抗が減少するため点灯時のランプ電
圧が低くなり、その結果出力が同一の場合にラン
プ電流が増加することとなる。
極間の電気抵抗が減少するため点灯時のランプ電
圧が低くなり、その結果出力が同一の場合にラン
プ電流が増加することとなる。
このようにランプ電流が増加すると、陽極は、
増加した電子流の衝突によつて従来より昇温し、
しかも発光管内の水銀の圧力が低いため当該水銀
による陽極の蒸発抑制効果が低く、これらの結果
陽極が早期に蒸発して発光管の内壁が黒化し、使
用寿命が短縮する問題がある。
増加した電子流の衝突によつて従来より昇温し、
しかも発光管内の水銀の圧力が低いため当該水銀
による陽極の蒸発抑制効果が低く、これらの結果
陽極が早期に蒸発して発光管の内壁が黒化し、使
用寿命が短縮する問題がある。
本考案は以上の如き事情に基づいてなされたも
のであつて、その目的は、陽極の早期蒸発を抑制
して長期間にわたり安定に使用できる半導体ウエ
ハー露光用シヨートアーク水銀ランプを提供する
ことにある。
のであつて、その目的は、陽極の早期蒸発を抑制
して長期間にわたり安定に使用できる半導体ウエ
ハー露光用シヨートアーク水銀ランプを提供する
ことにある。
上記目的を達成するため、本考案は、発光管内
に陽極と陰極とが対向配置されて、当該発光管内
に1.15乃至11.5mg/c.c.の水銀が封入されてなり、
前記陽極は、円柱状の胴部と、この胴部に続く先
端部とを有し、当該先端部の先端面は平坦であ
り、前記胴部から当該平坦な先端面に続く周面
は、当該胴部および当該先端面に滑らかに連続し
て膨出する曲面状であることを特徴とする。
に陽極と陰極とが対向配置されて、当該発光管内
に1.15乃至11.5mg/c.c.の水銀が封入されてなり、
前記陽極は、円柱状の胴部と、この胴部に続く先
端部とを有し、当該先端部の先端面は平坦であ
り、前記胴部から当該平坦な先端面に続く周面
は、当該胴部および当該先端面に滑らかに連続し
て膨出する曲面状であることを特徴とする。
陽極の先端部において、先端面は平坦であり、
しかも胴部から先端面に続く周面が、当該胴部お
よび先端面に滑らかに連続して膨出する曲面状で
あるので、点灯時においては、アークの揺らぎが
生ぜず安定するうえ、陽極の熱容量および表面積
の増加により温度の上昇が抑制されて当該陽極の
早期蒸発を十分に防止することができる。
しかも胴部から先端面に続く周面が、当該胴部お
よび先端面に滑らかに連続して膨出する曲面状で
あるので、点灯時においては、アークの揺らぎが
生ぜず安定するうえ、陽極の熱容量および表面積
の増加により温度の上昇が抑制されて当該陽極の
早期蒸発を十分に防止することができる。
従つて、g線もしくはi線の発光分布幅を狭く
するために、水銀の圧力を低下させてランプ電流
を増加させた場合にも、使用寿命の短縮を招くこ
とがない。
するために、水銀の圧力を低下させてランプ電流
を増加させた場合にも、使用寿命の短縮を招くこ
とがない。
なお、陽極の先端部の全体が曲面状であると、
アークが不安定となるため輝度ムラが発生し、半
導体デバイスの製造において解像度の高い露光を
達成することが困難となる。
アークが不安定となるため輝度ムラが発生し、半
導体デバイスの製造において解像度の高い露光を
達成することが困難となる。
以下、本考案を実施例に基づいて具体的に説明
する。
する。
本実施例においては、第1図に示すように、ガ
ラス製の発光管10内に、特定の形態を有する陽
極20と陰極30とを対向配置し、詳細は後述す
る特定割合の水銀を封入して半導体ウエハー露光
用シヨートアーク水銀ランプを構成する。11は
発光空間を形成するほぼ楕円球状の膨出部、40
は口金である。陽極20と陰極30との間の電極
間距離Lは、例えば2乃至8mm程度である。
ラス製の発光管10内に、特定の形態を有する陽
極20と陰極30とを対向配置し、詳細は後述す
る特定割合の水銀を封入して半導体ウエハー露光
用シヨートアーク水銀ランプを構成する。11は
発光空間を形成するほぼ楕円球状の膨出部、40
は口金である。陽極20と陰極30との間の電極
間距離Lは、例えば2乃至8mm程度である。
陽極20は、円柱状の胴部21と、この胴部2
1に続く先端部22とを有し、この先端部22の
先端面23は平坦であり、胴部21か当該先端面
23に続く周面24は当該胴部21および当該先
端面23に滑らかに連続して外方に膨出する曲面
状である。ここで「滑らか」とは、実質的に角ば
つた部分がないという程度の意味である。
1に続く先端部22とを有し、この先端部22の
先端面23は平坦であり、胴部21か当該先端面
23に続く周面24は当該胴部21および当該先
端面23に滑らかに連続して外方に膨出する曲面
状である。ここで「滑らか」とは、実質的に角ば
つた部分がないという程度の意味である。
周面24は曲面状であれば特に限定されない
が、例えば第2図に示すように、陽極20の中心
軸Pを含む平面で切断した断面形状において表れ
る両側の周縁24Aを半径Rの1/4円により構成
することができる。従つて、周面24の全体は球
面の一部により構成されることとなる。そして、
胴部21の外周縁21Aは当該周縁24Aの接線
方向に沿つて滑らかに連続しており、また、先端
面23も当該周縁24Aの接線方向に沿つて滑ら
かに連続している。
が、例えば第2図に示すように、陽極20の中心
軸Pを含む平面で切断した断面形状において表れ
る両側の周縁24Aを半径Rの1/4円により構成
することができる。従つて、周面24の全体は球
面の一部により構成されることとなる。そして、
胴部21の外周縁21Aは当該周縁24Aの接線
方向に沿つて滑らかに連続しており、また、先端
面23も当該周縁24Aの接線方向に沿つて滑ら
かに連続している。
平坦な先端面23は、アークの揺らぎを防止し
てアークの安定化に大きく寄与し、膨出する曲面
状の周面24に囲まれた部分は、陽極20の熱容
量および表面積を増大させて温度上昇の抑制に大
きく寄与する。
てアークの安定化に大きく寄与し、膨出する曲面
状の周面24に囲まれた部分は、陽極20の熱容
量および表面積を増大させて温度上昇の抑制に大
きく寄与する。
発光管10の内部には、水銀のほかに、必要に
応じてアルゴン、クリプトン、キセノン等が封入
され、g線もしくはi線の発光分布幅を狭くする
ために、発光管10への水銀の封入量は1.15乃至
11.5mg/c.c.とされる。
応じてアルゴン、クリプトン、キセノン等が封入
され、g線もしくはi線の発光分布幅を狭くする
ために、発光管10への水銀の封入量は1.15乃至
11.5mg/c.c.とされる。
具体的設計例を挙げると、出力が700乃至
1500W、点灯時のランプ電圧が20乃至40V、ラン
プ電流が20乃至70A、発光管への水銀の封入量が
1.15乃至11.5mg/c.c.の半導体ウエハー露光用シヨ
ートアーク水銀ランプにおいて、胴部21の外径
D21が6乃至20mm、先端部22の長さL22が2乃至
80mm、先端面23の直径D22が2乃至10mm、周面
24を構成する周縁24Aの半径Rが2乃至10
mm、電極間距離Lが2乃至10mmである。
1500W、点灯時のランプ電圧が20乃至40V、ラン
プ電流が20乃至70A、発光管への水銀の封入量が
1.15乃至11.5mg/c.c.の半導体ウエハー露光用シヨ
ートアーク水銀ランプにおいて、胴部21の外径
D21が6乃至20mm、先端部22の長さL22が2乃至
80mm、先端面23の直径D22が2乃至10mm、周面
24を構成する周縁24Aの半径Rが2乃至10
mm、電極間距離Lが2乃至10mmである。
本実施例の半導体ウエハー露光用シヨートアー
ク水銀ランプによれば、陽極20の先端部22に
おいて、先端面23が平坦であり、胴部21から
先端面23に続く周面24が当該胴部21および
当該先端面23に滑らかに連続して膨出する曲面
状であるので、点灯時においては、アークの揺ら
ぎが生ぜず安定するうえ、陽極20の熱容量およ
び表面積の増加により温度の上昇が抑制されて当
該陽極20の早期蒸発を十分に防止することがで
きる。
ク水銀ランプによれば、陽極20の先端部22に
おいて、先端面23が平坦であり、胴部21から
先端面23に続く周面24が当該胴部21および
当該先端面23に滑らかに連続して膨出する曲面
状であるので、点灯時においては、アークの揺ら
ぎが生ぜず安定するうえ、陽極20の熱容量およ
び表面積の増加により温度の上昇が抑制されて当
該陽極20の早期蒸発を十分に防止することがで
きる。
従つて、g線もしくはi線の発光分布幅を狭く
するために水銀の圧力を低下させてランプ電流を
増加させた場合にも、使用寿命の短縮を招くこと
がない。
するために水銀の圧力を低下させてランプ電流を
増加させた場合にも、使用寿命の短縮を招くこと
がない。
次に、本考案の効果を実証するために行つた実
験例について説明する。
験例について説明する。
上記実施例の構成に基づいて、入力が1400W、
点灯時のランプ電圧が25V、ランプ電流が56A、
発光管10への水銀の封入量が2.3mg/c.c.、胴部
21の外径D21が12mm、先端部22の長さL22が4
mm、先端面23の直径D22が4mm、周面24を構
成する周縁24Aの半径Rが4mm、電極間距離L
が4.5mmのシヨートアーク水銀ランプを製造し、
実際に点灯して使用寿命を調べる実験を行つたと
ころ、点灯時間が1100時間を超えても黒化現象に
よる光量の減衰が30%以下と小さかつた。
点灯時のランプ電圧が25V、ランプ電流が56A、
発光管10への水銀の封入量が2.3mg/c.c.、胴部
21の外径D21が12mm、先端部22の長さL22が4
mm、先端面23の直径D22が4mm、周面24を構
成する周縁24Aの半径Rが4mm、電極間距離L
が4.5mmのシヨートアーク水銀ランプを製造し、
実際に点灯して使用寿命を調べる実験を行つたと
ころ、点灯時間が1100時間を超えても黒化現象に
よる光量の減衰が30%以下と小さかつた。
また、比較のため、第3図に示すように、周面
24を構成する周縁24Aを、胴部21から先端
面23に直線的に伸びる形状としたほかは、同様
にして比較用のシヨートアーク水銀ランプを製造
し、同様の実験を行つたところ、点灯時間が800
時間で黒化現象による光量の減衰が30%以上とな
つた。
24を構成する周縁24Aを、胴部21から先端
面23に直線的に伸びる形状としたほかは、同様
にして比較用のシヨートアーク水銀ランプを製造
し、同様の実験を行つたところ、点灯時間が800
時間で黒化現象による光量の減衰が30%以上とな
つた。
以上、本考案を一実施例に基づいて説明した
が、本考案の半導体ウエハー露光用シヨートアー
ク水銀ランプは、g線もしくはi線の発光分布幅
を狭くすることができるうえ、アームの揺らぎが
なく安定していて、しかも使用寿命が長いという
特長を有しているので、半導体デバイスの露光用
光源としてきわめて有用である。
が、本考案の半導体ウエハー露光用シヨートアー
ク水銀ランプは、g線もしくはi線の発光分布幅
を狭くすることができるうえ、アームの揺らぎが
なく安定していて、しかも使用寿命が長いという
特長を有しているので、半導体デバイスの露光用
光源としてきわめて有用である。
以上詳細に説明したように、本考案に係る半導
体ウエハー露光用シヨートアーク水銀ランプによ
れば、陽極の先端部において、先端面は平坦であ
り、胴部から先端面に続く周面は、当該胴部およ
び先端面に滑らかに連続して膨出する曲面状であ
るので、アークの揺らぎがなくアークが安定する
うえ、陽極の熱容量および表面積の増加により点
灯時の温度上昇が抑制されるため、g線もしくは
i線の発光分布幅を狭くするために水銀の圧力を
低下させてランプ電流を増加させた場合にも、陽
極の早期蒸発が防止され、使用寿命の短縮を招く
ことがない。
体ウエハー露光用シヨートアーク水銀ランプによ
れば、陽極の先端部において、先端面は平坦であ
り、胴部から先端面に続く周面は、当該胴部およ
び先端面に滑らかに連続して膨出する曲面状であ
るので、アークの揺らぎがなくアークが安定する
うえ、陽極の熱容量および表面積の増加により点
灯時の温度上昇が抑制されるため、g線もしくは
i線の発光分布幅を狭くするために水銀の圧力を
低下させてランプ電流を増加させた場合にも、陽
極の早期蒸発が防止され、使用寿命の短縮を招く
ことがない。
第1図は本考案の一実施例を示す説明図、第2
図は陽極の断面形状を示す説明図、第3図は比較
用のシヨートアーク水銀ランプにおける陽極の外
観形状を示す説明図である。 10……発光管、11……膨出部、20……陽
極、21……胴部、22……先端部、23……先
端面、24……周面、24A……周縁、30……
陰極、40……口金。
図は陽極の断面形状を示す説明図、第3図は比較
用のシヨートアーク水銀ランプにおける陽極の外
観形状を示す説明図である。 10……発光管、11……膨出部、20……陽
極、21……胴部、22……先端部、23……先
端面、24……周面、24A……周縁、30……
陰極、40……口金。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 発光管内に陽極と陰極とが対向配置されて、当
該発光管内に1.15乃至11.5mg/c.c.の水銀が封入さ
れてなり、 前記陽極は、円柱状の胴部と、この胴部に続く
先端部とを有し、当該先端部の先端面は平坦であ
り、前記胴部から当該平坦な先端面に続く周面
は、当該胴部および当該先端面に滑らかに連続し
て膨出する曲面状であることを特徴とする半導体
ウエハー露光用シヨートアーク水銀ランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3474389U JPH0533003Y2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3474389U JPH0533003Y2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02127025U JPH02127025U (ja) | 1990-10-19 |
JPH0533003Y2 true JPH0533003Y2 (ja) | 1993-08-23 |
Family
ID=31539481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3474389U Expired - Lifetime JPH0533003Y2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0533003Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2863047B2 (ja) * | 1992-09-09 | 1999-03-03 | ウシオ電機株式会社 | 半導体露光装置 |
JP4042605B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-02-06 | ウシオ電機株式会社 | キセノンランプ |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP3474389U patent/JPH0533003Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02127025U (ja) | 1990-10-19 |
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