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JPH05326638A - 半導体チップ実装方法および実装装置 - Google Patents

半導体チップ実装方法および実装装置

Info

Publication number
JPH05326638A
JPH05326638A JP12375892A JP12375892A JPH05326638A JP H05326638 A JPH05326638 A JP H05326638A JP 12375892 A JP12375892 A JP 12375892A JP 12375892 A JP12375892 A JP 12375892A JP H05326638 A JPH05326638 A JP H05326638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
substrate
mounting
measuring
adjusting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12375892A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunori Nishiguchi
勝規 西口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP12375892A priority Critical patent/JPH05326638A/ja
Priority to TW082103249A priority patent/TW278212B/zh
Priority to AU38208/93A priority patent/AU654775B2/en
Priority to CA002095171A priority patent/CA2095171A1/en
Priority to US08/056,777 priority patent/US5324381A/en
Priority to EP93107357A priority patent/EP0569011A1/en
Priority to KR1019930007722A priority patent/KR930024128A/ko
Publication of JPH05326638A publication Critical patent/JPH05326638A/ja
Priority to US08/205,416 priority patent/US5384000A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、実装歩留まりの高い半導体実装方
法を提供することを目的とする。 【構成】 基板（１２）表面の立体形状を測定し、この
測定結果に基づいて基板（１２）と半導体チップ（１
０）との平行度を調整する。そして、基板装着手段（１
３）と半導体チップ保持手段（１１）とを接近させて、
基板（１２）上に半導体チップ（１０）を実装させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ−ＬＳＩ、ＧａＡ
ｓ−ＬＳＩ、および液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の大
型半導体チップの実装方法および実装装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップの実装方法は、半導体チ
ップに設けられた全てのバンプを基板上のパッドに接続
して行う。このため、半導体チップと基板の平行度を保
つ技術が極めて重要である。このように半導体チップと
基板とを平行に保つための従来の技術としては、例えば
光学プローブを用いる方法がある。この方法は、半導体
チップおよび基板にプローブ光を照射し、その反射光を
測定することによって、両者の平行度を調整するもので
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
半導体チップおよび基板の大型化によって、従来の調整
方法では半導体チップと基板とを平行に保つことが困難
になってきた。その原因として以下の２点が考えられ
る。第１に、従来の方法では平行度のずれを反射光の角
度のずれで検出していたが、この検出方法での誤差が大
きくなってきたためである。つまり、ある測定点での角
度のずれがわずかな場合でも、半導体チップおよび基板
の大型化に伴い、測定点から離れた部分での角度のずれ
が非常に大きくなるからである。第２に、基板がセラミ
ックの場合には、焼き物の特性として反りやうねりが存
在するが、基板の大型化に伴い、これらの反りやうねり
が無視できなくなってきたためである。
【０００４】本発明は、半導体チップおよび基板の大型
化によっても、半導体チップと基板とを十分に平行に保
ち、高い実装歩留りを確保することができる半導体チッ
プの実装方法および実装装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体チップ実装方法は、基板表面の立体
形状を測定する第１のステップと、測定結果を基に基板
と半導体チップとの平行度を調整する第２のステップ
と、基板装着手段と半導体チップ保持手段とを接近させ
て基板上に半導体チップを実装する第３のステップとを
備える。
【０００６】また、本発明の半導体チップ実装装置は、
基板表面の立体形状を測定する測定手段と、測定手段で
の測定結果を基に基板と半導体チップとの平行度を調整
する調整手段とを備える。
【０００７】
【作用】本発明の半導体チップ実装方法によれば、基板
表面の立体形状を測定し、この測定結果に基づいて基板
と半導体チップとの平行度を調整する。そして、基板装
着手段と半導体チップ保持手段とを接近させて、基板上
に半導体チップを実装させる。
【０００８】また、本発明の半導体チップ実装装置によ
れば、測定手段によって基板表面の立体形状を測定す
る。この測定手段での測定結果に基づいて、調整手段で
基板と半導体チップとの平行度を調整する。そして、基
板装着手段と半導体チップ保持手段とを接近させて、基
板上に半導体チップを実装させる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、添付図面
を参照しつつ説明する。図１は本実施例の半導体チップ
実装装置の構成を示す外観図である。
【００１０】本実施例の半導体チップ実装装置は、半導
体チップ１０が真空吸着により下面に装着された半導体
チップ装着部１１と、基板１２が真空吸着により上面に
装着された基板装着部１３とを備え、半導体チップ装着
部１１は枠体１００の上部に、基板装着部１３は枠体１
００の下部に固定されている。半導体チップ装着部１１
と基板装着部１３の間には、基板１２表面の立体形状を
測定する距離センサ装置１４と、半導体チップ１０と基
板１２の平行度を測定する平行度測定装置１５とが備え
られている。
【００１１】距離センサ装置１４は、基板１２表面との
距離を測定するセンサ部１４ａと、センサ部１４ａを水
平な２次元方向に移動させるアーム部１４ｂとを備えて
いる。平行度測定装置１５は、半導体チップ１０および
基盤１２にプローブ光を照射する光学プローブ１５ａ
と、半導体チップ１０および基盤１２で反射したプロー
ブ光の反射角度を測定する測定部１５ｂと、光学プロー
ブ１５ａおよび測定部１５ｂを支持する支持台１５ｃと
を備えている。
【００１２】半導体チップ装着部１１は半導体チップ１
０を吸着する吸着ブロック１１１と、この吸着ブロック
１１１が固定され揺動自在の揺動ステージ１１２と、こ
の揺動ステージ１１２が固定され水平な２次元方向に可
動な水平移動ステージ１１３とを有している。この水平
移動ステージ１１３の側面部の直交する２つの面には、
半導体チップ１０の上面と平行な方向の調整を行うアク
チュエータ１１ａ、１１ｂが設けられ、揺動ステージ１
１２の側面部の直交する２つの面には、半導体チップ１
０の傾きの調整を行うアクチュエータ１１ｃ、１１ｄが
設けられている。
【００１３】基板装着部１３は基板１２を吸着する吸着
ブロック１３１と、この吸着ブロック１３１が固定され
てこれを上下動するボンディング機構部１３２と、この
ボンディング機構部１３２が固定され揺動自在の揺動ス
テージ１３３と、この揺動ステージ１３３が固定され水
平な２次元方向に可動な水平移動ステージ１３４とを有
している。水平移動ステージ１３４の側面部の直交する
２つの面には、基板１２の上面と平行な方向の調整を行
うアクチュエータ１３ａ、１３ｂが設けられ、揺動ステ
ージ１３３の側面部の直交する２つの面には、基板１２
の傾きの調整を行うアクチュエータ１３ｃ、１３ｄが設
けられている。
【００１４】さらに、半導体チップ実装装置には、半導
体チップ１０と基板１２の平行度を調整するコントロー
ラ１６が備えられている。コントローラ１６は距離セン
サ装置１４および光学プローブ１５ａからの測定結果の
データを入力し、このデータに基づいて、アクチュエー
タ１１ａ〜１１ｄおよびアクチュエータ１３ａ〜１３ｄ
に対し必要な指令を出力している。
【００１５】距離センサ装置１４は三角測量の原理を用
いて測定している。距離センサ装置１４の測定原理を図
２に示す。距離センサ装置１４は、半導体レーザ２１の
スポット光を基板１２表面上に照射して、その反射光を
半導体位置検出器２２の観測面２２ａに結像させてい
る。観測面２２ａに結像したスポット像の位置は、半導
体レーザ２１と基板１２表面との距離に比例する。つま
り、半導体レーザ２１と基板１２表面との距離がΔｙだ
け変動すると、観測面２２ａのスポット像の位置がΔμ
だけ変化するのである。したがって、基板１２表面を距
離センサ装置１４からのスポット光で走査して、基板１
２表面の凹凸によって生じるスポット像の位置変化を半
導体位置検出器２２で測定することによって、基板１２
表面の立体形状を求めることができる。
【００１６】次に、図３を用いて、光学プローブ１５ａ
の測定原理を説明する。同図より、光源から平行に入射
した入射光Ａ1 、Ｂ1 はライトガイド１５１を通過して
反射鏡１５２、１５３で反射し、半導体チップ１０の下
面と基板１２の上面に照射する。そして、これらの照射
光Ａ2 、Ｂ2 が半導体チップ１０の下面と基板１２の上
面で反射して、反射鏡１５２、１５３を介して出射す
る。これらの出射光Ａ3、Ｂ3 の出射位置を、測定部１
５ｂで測定することによって、半導体チップ１０の下面
と基板１２の上面の角度のずれが判定できる。測定部１
５ｂには、例えば半導体位置検出器が備えられている。
【００１７】次に、この半導体チップ実装装置を用いた
実装方法について、図４の斜視図を用いて説明する。ま
ず半導体チップ１０を半導体チップ装着部１１の吸着ブ
ロック１１１に吸引装着させ、基板１２を基板装着部１
３の吸着ブロック１３１に吸引装着させる。そして、距
離センサ装置１４を用いて、基板１２表面を走査するこ
とにより、基板１２表面の立体形状が測定できる。この
測定によって、基板１２表面が平坦であるかの確認がで
きる。このような平坦性の確認が実装前に必要なのは、
第１に半導体チップ１０と基板１２の大型化によって表
面全体の平行度確保が困難となったため、第２に基板に
セラミックを用いた場合にその特質として反りやうねり
を有するためである。特に、図５（ａ）、（ｂ）に示す
ように、ＰＩ（ポリイミド）／Ｃｕなどの多層薄膜３１
が表面に堆積されたＡｌ2 Ｏ3 やＡｌＮなどのセラミッ
ク基板３２の場合には、反りやうねりが顕著となる。
【００１８】基板１２表面の立体形状の測定には、この
距離センサ装置１４を用いた方法以外に次の方法があ
る。まずモアレ縞を用いる方法である。この方法は図６
に示すように、点光源４１の照射光を格子フィルタ４２
を通して、基板１２の表面に投影する。基板１２表面に
は、格子フィルタ４２によって格子の影が投影される
が、基板１２表面には凹凸があるので、部分的に曲がっ
た格子模様となる。この格子模様を、格子フィルタ４２
を通してＣＣＤカメラ４３で観察すると、格子フィルタ
４２でさらに格子模様の曲がりが拡大したモアレ縞が現
れる。このモアレ縞の格子幅から基板１２の立体形状が
測定できる。
【００１９】また、機械的に接触させる方法がある。こ
の方法は図７に示す座標測定機５１を用いて、先端のフ
ィーラ（触針）５２で基板１２表面を走査することによ
り、基板１２の立体形状を測定するものである。この場
合は、実装面にダメージを与えないために、基板１２の
裏面を用いて測定を行う。
【００２０】さらに、傾き量を測定して、その値を積分
する方法がある。この方法は図８に示すように、上述し
た平行度測定装置１５を用いて基板１２表面を走査する
ことにより、基板１２表面全体の傾きを測定するもので
ある。具体的には、測定部１５ｂに備えられた光源６１
の照射光をハーフミラー６２で反射させて、光学プロー
ブ１５ａに与える。この照射光を光学プローブ１５ａか
らプローブ光として基板１２に照射し、基板１２からの
反射光を測定部１５ｂに備えられた半導体位置検出器６
３で検出する。基板１２の測定点が傾いている場合に
は、ずれた位置で反射光が検出される。この検出値は基
板１２の傾き量なので、この検出値を積分することによ
り基板１２の立体形状が算出できる。
【００２１】上記測定方法で測定した結果は、コントロ
ーラ１６に与えられ、半導体チップ１０と基板１２との
平行度が検討される。コントローラ１６による検討処理
の結果、半導体チップ１０の角度調整が必要であると判
断した場合には、コントローラ１６から半導体チップ装
着部１１のアクチュエータ１１ｃ、１１ｄに指令が送ら
れ、必要な角度調整が行われる。一方、基板１２の角度
調整が必要であるとコントローラ１６が判断した場合に
は、基板装着部１３のアクチュレータ１３ｃ、１３ｄに
指令が送られ、必要な角度調整が行われる。また、コン
トローラ１６による検討処理の結果、基板１２の立体形
状の測定値が平坦度の許容値よりも悪いと判断された場
合は、半導体チップ１０の実装が中止となる。さらに、
基板１２の測定値の内、半導体チップ１０が搭載される
領域の測定値が上記許容値よりも悪いと判断された場合
にも、半導体チップ１０の実装が中止となる。ここでの
平坦度の許容値は、複数の基板のそり量や凹凸部の変化
量の平均値に基づいて予め設定されている。
【００２２】以上の調整によって、半導体チップ１０と
基板１２とを平行にすることができるが、より厳密な角
度調整が必要な場合には、次のいずれかの角度調整処理
を行えばよい。まず、第１の角度調整処理を図９
（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。第１の角度調整処理
は、平行度測定装置１５を用いて、半導体チップ１０を
実装する基板上の領域１２ａと半導体チップ１０との相
対角度を領域１２ａ内の所定の測定点で測定する。測定
値はコントローラ１６に与えられ、半導体チップ１０と
基板１２との平行度が検討される。この検討の結果、半
導体チップ１０または基板１２の角度調整が必要である
とコントローラ１６が判断した場合には、アクチュエー
タ１１ｃ、１１ｄに指令が送られ、必要な角度調整が行
われる。さらに、基板１２の角度調整が必要であるとコ
ントローラ１６が判定した場合には、基板装着部１３の
アクチュエータ１３ｃ、１３ｄに指令が送られ、必要な
角度調整が行われる。
【００２３】次に、第２の角度調整処理を図１０（ａ）
を用いて説明する。第２の角度調整処理は、平行度測定
装置１５からの照射光Ｂ2 の光軸と基板１２の表面とが
垂直になるように、平行度測定装置１５の傾きを調整す
る。そして、平行度測定装置１５からの照射光Ａ2 の光
軸と半導体チップ１０の表面との角度θ1 を、出射光Ａ
3 の出射位置のずれを用いて測定する。測定結果はコン
トローラ１６に与えられ、半導体チップ１０と照射光Ａ
2 の光軸との垂直度が検討される。この検討の結果、半
導体チップ１０の角度調整が必要であるとコントローラ
１６が判断した場合には、アクチュエータ１１ｃ、１１
ｄに指令が送られ、必要な角度調整が行われる。
【００２４】さらに、第３の角度調整処理を図１０
（ｂ）を用いて説明する。第３の角度調整処理は、平行
度測定装置１５からの照射光Ａ2 の光軸と半導体チップ
１０の表面とが垂直になるように、平行度測定装置１５
の傾きを調整する。そして、平行度測定装置１５からの
照射光Ｂ2 の光軸と基板１２の表面との角度θ2 を、出
射光Ｂ3 の出射位置のずれを用いて測定する。測定結果
はコントローラ１６に与えられ、基板１２と照射光Ｂ2
の光軸との垂直度が検討される。この検討の結果、基板
１２の角度調整が必要であるとコントローラ１６が判断
した場合には、アクチュエータ１３ｃ、１３ｄに指令が
送られ、必要な角度調整が行われる。
【００２５】以上の２段階の調整によって、半導体チッ
プ１０と基板１２とを平行にした後にボンディング処理
を行い、半導体チップ１０を基板１２に実装する。この
処理は、基板装着部１３のボンディング機構部１３２を
上昇させることにより、吸着ブロック１３１に吸着され
た基板１２をせり上げて、半導体チップ装着部１１の吸
着ブロック１１１に吸着された半導体チップ１０と基板
１２とを接触させる。半導体チップ１０と基板１２との
平行度は十分に保たれているので、半導体チップ１０上
に設けられた全てのバンプと、これらのバンプと相対す
る基板１２上に設けられたパッドとが接触することにな
る。この状態で接触部分に熱を加えて、半導体チップ１
０上の全てのバンプを溶解し、相対する基板１２上のパ
ッドと接合させる。この接合によって半導体チップ１０
は基板１２に確実に実装される。
【００２６】
【発明の効果】本発明の半導体チップ実装方法であれ
ば、基板表面の立体形状を測定し、この測定結果に基づ
いて基板と半導体チップとの平行度を調整する。そし
て、基板装着手段と半導体チップ保持手段とを接近させ
て、基板上に半導体チップを実装させる。
【００２７】また、本発明の半導体チップ実装装置であ
れば、測定手段によって基板表面の立体形状を測定す
る。この測定手段での測定結果に基づいて、調整手段で
基板と半導体チップとの平行度を調整する。そして、基
板装着手段と半導体チップ保持手段とを接近させて、基
板上に半導体チップを実装させる。
【００２８】このように、本発明の半導体チップ実装方
法および実装装置は、基板表面の立体形状を測定し、こ
の測定結果に基づいて基板と半導体チップとの平行度を
調整しているので、半導体チップに設けられたの全ての
バンプと、これらのバンプに相対する基板に設けられた
パッドとを接合することができる。このため、パンブと
パッド間の接触不良を防止でき、実装時の歩留りを向上
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の半導体チップ実装装置の構成を示す
外観図である。
【図２】距離センサ装置の測定原理を示す斜視図であ
る。
【図３】平行度測定装置の測定原理を示す斜視図であ
る。
【図４】半導体チップ実装装置を用いた実装方法を示す
斜視図である。
【図５】反りやうねりを有するセラミック基板を示す断
面図である。
【図６】立体形状の測定方法を示す平面図である。
【図７】立体形状の測定方法を示す平面図である。
【図８】立体形状の測定方法を示す平面図である。
【図９】第１の角度調整処理を示す平面図である。
【図１０】第２および第３の角度調整処理を示す平面図
である。
【符号の説明】
１０…半導体チップ、１１…半導体チップ装着部、１２
…基板、１３…基板装着部、１４…距離センサ装置、１
５…平行度測定装置、１６…コントローラ。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板装着手段に固定された基板上に、半
    導体チップ保持手段により前記基板の上部に保持された
    半導体チップを実装する半導体チップ実装方法におい
    て、 前記基板表面の立体形状を測定する第１のステップと、 測定結果を基に前記基板と前記半導体チップとの平行度
    を調整する第２のステップと、 前記基板装着手段と前記半導体チップ保持手段とを接近
    させて、前記基板上に前記半導体チップを実装する第３
    のステップとを備えることを特徴とする半導体チップ実
    装方法。
  2. 【請求項２】 基板装着手段に固定された基板上に、半
    導体チップ保持手段により前記基板の上部に保持された
    半導体チップを実装する半導体チップ実装方法におい
    て、 前記基板表面の立体形状を測定する第１のステップと、 測定結果を基に前記基板と前記半導体チップとの平行度
    を調整する第２のステップと、 前記半導体チップとこの半導体チップを実装する前記基
    板上の領域との相対角度を領域内の所定の測定点で測定
    する第３のステップと、 測定した相対角度から前記基板と前記半導体チップとの
    平行度を調整する第４のステップと、 前記基板装着手段と前記半導体チップ保持手段とを接近
    させて、前記基板上に前記半導体チップを実装する第５
    のステップとを備えることを特徴とする半導体チップ実
    装方法。
  3. 【請求項３】 基板装着手段に固定された基板上に、半
    導体チップ保持手段により前記基板の上部に保持された
    半導体チップを実装する半導体チップ実装方法におい
    て、 前記基板表面の立体形状を測定する第１のステップと、 測定結果を基に前記基板と前記半導体チップとの平行度
    を調整する第２のステップと、 前記半導体チップを実装する前記基板上の領域内の所定
    の測定点の法線と、この法線と交わる前記半導体チップ
    実装面との角度を測定する第３のステップと、測定した
    角度から前記法線に対する前記半導体チップの直角度を
    調整する第４のステップと、 前記基板装着手段と前記半導体チップ保持手段とを接近
    させて、前記基板上に前記半導体チップを実装する第５
    のステップとを備えることを特徴とする半導体チップ実
    装方法。
  4. 【請求項４】 基板装着手段に固定された基板上に、半
    導体チップ保持手段により前記基板の上部に保持された
    半導体チップを実装する半導体チップ実装方法におい
    て、 前記基板表面の立体形状を測定する第１のステップと、 測定結果を基に前記基板と前記半導体チップとの平行度
    を調整する第２のステップと、 前記半導体チップ実装面の所定の測定点の法線と、この
    法線と交わる前記基板表面との角度を測定する第３のス
    テップと、 測定した角度から前記法線に対する前記基板の直角度を
    調整する第４のステップと、 前記基板装着手段と前記半導体チップ保持手段とを接近
    させて、前記基板上に前記半導体チップを実装する第５
    のステップとを備えることを特徴とする半導体チップ実
    装方法。
  5. 【請求項５】 前記第１のステップで測定した立体形状
    の平坦度が所定の許容値より悪い場合に、実装処理を中
    止するステップを備えることを特徴とする請求項１から
    請求項４までのいずれかに記載の半導体チップ実装方
    法。
  6. 【請求項６】 前記第１のステップでの測定結果に基づ
    いて、前記半導体チップを実装する前記基板上の領域の
    立体形状の平坦度が所定の許容値より悪い場合に、実装
    処理を中止するステップを備えることを特徴とする請求
    項１から請求項４までのいずれかに記載の半導体チップ
    実装方法。
  7. 【請求項７】 基板装着手段に固定された基板上に、半
    導体チップ保持手段により前記基板の上部に保持された
    半導体チップを実装する半導体チップ実装装置におい
    て、 前記基板表面の立体形状を測定する測定手段と、 前記測定手段での測定結果を基に前記基板と前記半導体
    チップとの平行度を調整する調整手段とを備えることを
    特徴とする半導体チップ実装装置。
  8. 【請求項８】 基板装着手段に固定された基板上に、半
    導体チップ保持手段により前記基板の上部に保持された
    半導体チップを実装する半導体チップ実装装置におい
    て、 前記基板表面の立体形状を測定し、かつ前記半導体チッ
    プとこの半導体チップを実装する前記基板上の領域との
    相対角度を当該領域内の所定の測定点で測定する測定手
    段と、 前記測定手段での測定結果を基に前記基板と前記半導体
    チップとの平行度を調整する調整手段とを備えることを
    特徴とする半導体チップ実装装置。
  9. 【請求項９】 基板装着手段に固定された基板上に、半
    導体チップ保持手段により前記基板の上部に保持された
    半導体チップを実装する半導体チップ実装装置におい
    て、 前記基板表面の立体形状を測定し、かつ前記半導体チッ
    プを実装する前記基板上の領域内の所定の測定点の法線
    と、この法線と交わる前記半導体チップ表面との角度を
    測定する測定手段と、 前記測定手段で測定した立体形状データを基に前記基板
    と前記半導体チップとの平行度を調整し、かつ前記測定
    手段で測定した角度データから前記法線に対する前記基
    板の直角度を調整する調整手段とを備えることを特徴と
    する半導体チップ実装装置。
  10. 【請求項１０】 基板装着手段に固定された基板上に、
    半導体チップ保持手段により前記基板の上部に保持され
    た半導体チップを実装する半導体チップ実装装置におい
    て、 前記基板表面の立体形状を測定し、かつ前記半導体チッ
    プの実装面の所定の測定点の法線と、この法線と交わる
    前記基板表面の角度を測定する測定手段と、前記測定手
    段で測定した立体形状データを基に前記基板と前記半導
    体チップとの平行度を調整し、かつ前記測定手段で測定
    した角度データから前記法線に対する前記基板の直角度
    を調整する調整手段とを備えることを特徴とする半導体
    チップ実装装置。
  11. 【請求項１１】 前記測定手段で測定した立体形状の平
    坦度が所定の許容値より悪い場合に、実装処理を中止す
    る実装中止手段を備えることを特徴とする請求項７から
    請求項１０までのいずれかに記載の半導体チップ実装装
    置。
  12. 【請求項１２】 前記測定手段での測定結果に基づい
    て、前記半導体チップを実装する前記基板上の領域の立
    体形状の平坦度が所定の許容値より悪い場合に、実装処
    理を中止する実装中止手段を備えることを特徴とする請
    求項７から請求項１０までのいずれかに記載の半導体チ
    ップ実装装置。
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