JPH05326451A - プラズマ処理装置被処理基板固定方法 - Google Patents
プラズマ処理装置被処理基板固定方法Info
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- JPH05326451A JPH05326451A JP13404692A JP13404692A JPH05326451A JP H05326451 A JPH05326451 A JP H05326451A JP 13404692 A JP13404692 A JP 13404692A JP 13404692 A JP13404692 A JP 13404692A JP H05326451 A JPH05326451 A JP H05326451A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，プラズマ処理装置内の被処理基
板の固定方法に関し，プラズマ処理中に，発生したプラ
ズマが被処理基板の背面に回り込まない方法を得ること
を目的とする。 【構成】 基板ホルダ２内に設けた真空排気管３によ
り, 該被処理基板１の背面を, プラズマが発生しない真
空度領域で吸着保持するように，また，真空吸着保持に
加えて, 静電チャック４を併用するように構成する。
板の固定方法に関し，プラズマ処理中に，発生したプラ
ズマが被処理基板の背面に回り込まない方法を得ること
を目的とする。 【構成】 基板ホルダ２内に設けた真空排気管３によ
り, 該被処理基板１の背面を, プラズマが発生しない真
空度領域で吸着保持するように，また，真空吸着保持に
加えて, 静電チャック４を併用するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，プラズマ処理装置内の
被処理基板の固定方法に関する。近年，ＬＳＩの高集積
化，微細化の要求にともない，ドライエッチング技術全
般の向上が必要となってくる。
被処理基板の固定方法に関する。近年，ＬＳＩの高集積
化，微細化の要求にともない，ドライエッチング技術全
般の向上が必要となってくる。
【０００２】そのため，プラズマ処理装置内の被処理基
板の固定方法においても，その基板へのプラズマの影響
を考慮した対策が必要となる。
板の固定方法においても，その基板へのプラズマの影響
を考慮した対策が必要となる。
【０００３】
【従来の技術】従来のプラズマ反応室等，真空中の被処
理基板の固定方法は，当初機械式固定方法が用いられて
いたが，被固定物である被処理基板と，吸着固定面であ
る電極固定面の固定力に不均衡が生じ易く，従って，被
固定物と吸着固定面間に隙間が生じて，プラズマが侵入
し，レジスト膜の焦げ，パターン異常，加工精度の不安
定等の発熱や蓄熱による悪影響がある。
理基板の固定方法は，当初機械式固定方法が用いられて
いたが，被固定物である被処理基板と，吸着固定面であ
る電極固定面の固定力に不均衡が生じ易く，従って，被
固定物と吸着固定面間に隙間が生じて，プラズマが侵入
し，レジスト膜の焦げ，パターン異常，加工精度の不安
定等の発熱や蓄熱による悪影響がある。
【０００４】また，エッチングレートやアッシングレー
ト，或いは膜のエッチング形状に対して，電界効果な
ど，制御分布の不均一を生じ，更に，電気特性にダメー
ジを与える。
ト，或いは膜のエッチング形状に対して，電界効果な
ど，制御分布の不均一を生じ，更に，電気特性にダメー
ジを与える。
【０００５】そのため，静電チャック固定方式が開発さ
れ，更に被処理基板の冷却を行うためのガス冷却方式と
静電チャック方式を併用した固定方法が用いられるよう
になった。
れ，更に被処理基板の冷却を行うためのガス冷却方式と
静電チャック方式を併用した固定方法が用いられるよう
になった。
【０００６】これらの固定方法は，機械式固定方法より
は，被固定物と吸着固定面間の固定力が改善されている
が，固定方式において，静電チャックによる吸着力と，
ガス冷却による離力が働き，相反する力から成り立つ方
式であるため，静電チャックの寿命が短く，被処理基板
の離脱やレジスト膜の焦げ，特性のダメージがしばしば
多発する。
は，被固定物と吸着固定面間の固定力が改善されている
が，固定方式において，静電チャックによる吸着力と，
ガス冷却による離力が働き，相反する力から成り立つ方
式であるため，静電チャックの寿命が短く，被処理基板
の離脱やレジスト膜の焦げ，特性のダメージがしばしば
多発する。
【０００７】また，静電チャックの短命はプラズマのダ
メージによるものである。この為，プラズマの被処理基
板への回り込みは特に近い将来の課題でもある微細パタ
ーンの制御性を重視するプロセス条件の発展への大きな
阻害要因になる。
メージによるものである。この為，プラズマの被処理基
板への回り込みは特に近い将来の課題でもある微細パタ
ーンの制御性を重視するプロセス条件の発展への大きな
阻害要因になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って，プラズマが発
振しない領域での真空吸着で被固定物と吸着固定面間へ
のプラズマの侵入を阻止し，プラズマの物理化学的，或
いは電気的ダメージ等の弊害を取り除く必要がある。
振しない領域での真空吸着で被固定物と吸着固定面間へ
のプラズマの侵入を阻止し，プラズマの物理化学的，或
いは電気的ダメージ等の弊害を取り除く必要がある。
【０００９】また，被処理基板への電界効果の均一性を
得るとともに，静電チャックの併用で吸着効果を補強
し，更に静電チャックの寿命の延命効果を図るため，電
界効果の不均一性，蓄熱，材料自身の変質，低いエッチ
ングレート，温度効果の不均一性，エッチングレートの
不均一性，材料自身への電気的ダメージ防止，静電チャ
ックの短命等の問題を解決する必要がある。
得るとともに，静電チャックの併用で吸着効果を補強
し，更に静電チャックの寿命の延命効果を図るため，電
界効果の不均一性，蓄熱，材料自身の変質，低いエッチ
ングレート，温度効果の不均一性，エッチングレートの
不均一性，材料自身への電気的ダメージ防止，静電チャ
ックの短命等の問題を解決する必要がある。
【００１０】更に，将来的に微細パターンで緻密な製造
物の品質の制御を不可能にする要因の排除も考慮せねば
ならぬ。本発明は，以上の諸問題を解決する適切なる方
式を開発することを目的として提供されるものである。
物の品質の制御を不可能にする要因の排除も考慮せねば
ならぬ。本発明は，以上の諸問題を解決する適切なる方
式を開発することを目的として提供されるものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１は被処理基板，２は基板ホル
ダ，３は真空排気管，４は静電チャックである。
図である。図において，１は被処理基板，２は基板ホル
ダ，３は真空排気管，４は静電チャックである。
【００１２】本発明では，ガス冷却を行う場合に，被処
理基板１の基板ホルダ２への真空吸着固定に際して，プ
ラズマが発生しない様に，吸着固定の真空度をプラズマ
発生が起こらない10-4〜10-5Torr付近以上で吸着固定す
る。つまりプラズマ発生可能領域外の高真空度域を使用
する。
理基板１の基板ホルダ２への真空吸着固定に際して，プ
ラズマが発生しない様に，吸着固定の真空度をプラズマ
発生が起こらない10-4〜10-5Torr付近以上で吸着固定す
る。つまりプラズマ発生可能領域外の高真空度域を使用
する。
【００１３】そして，静電チャック４との併用吸着固定
を行えば，更に確実な安定性を持たせることが可能とな
る。この時，吸着固定材料である被処理基板１が加熱し
ない状態，または温度コントロールをするため，被処理
基板１と接する基板ホルダ２の吸着面に温度制御が可能
な機能をもたせる。
を行えば，更に確実な安定性を持たせることが可能とな
る。この時，吸着固定材料である被処理基板１が加熱し
ない状態，または温度コントロールをするため，被処理
基板１と接する基板ホルダ２の吸着面に温度制御が可能
な機能をもたせる。
【００１４】即ち，本発明の目的は，プラズマ処理装置
内の被処理基板１の固定方法であって，図１に示すよう
に，基板ホルダ２内に設けた真空排気管３により, 該被
処理基板１の背面を, プラズマが発生しない真空度領域
で吸着保持することにより，また，前記被処理基板１の
真空吸着保持に加えて, 静電チャック４を併用すること
により達成される。
内の被処理基板１の固定方法であって，図１に示すよう
に，基板ホルダ２内に設けた真空排気管３により, 該被
処理基板１の背面を, プラズマが発生しない真空度領域
で吸着保持することにより，また，前記被処理基板１の
真空吸着保持に加えて, 静電チャック４を併用すること
により達成される。
【００１５】
【作用】本発明では, プラズマが吸着固定面，及び被処
理基板の背面へ回り込むことを阻止することが，エッチ
ングへの有効性，効率化のかぎとなる。
理基板の背面へ回り込むことを阻止することが，エッチ
ングへの有効性，効率化のかぎとなる。
【００１６】そのため，真空による吸着固定の真空度を
プラズマ発生域外の高真空度10-4〜10-5Torrの領域, ま
たはそれ以上の真空度で吸着固定すると, 被処理基板と
基板ホルダ間へプラズマが回り込まない。更に, 静電チ
ャックを併用して使用すると, 電界効果の均一性が得ら
れる。
プラズマ発生域外の高真空度10-4〜10-5Torrの領域, ま
たはそれ以上の真空度で吸着固定すると, 被処理基板と
基板ホルダ間へプラズマが回り込まない。更に, 静電チ
ャックを併用して使用すると, 電界効果の均一性が得ら
れる。
【００１７】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図である。図
において，１は被処理基板，２は基板ホルダ，３は真空
排気管，４は静電チャック，５はチャンバ，６は蓋，７
はＯリング，８はガスシャワ，９は石英リング，10はプ
ラズマ, 11は対向電極（ガス導入盤) ，12は電極基板ホ
ルダである。
において，１は被処理基板，２は基板ホルダ，３は真空
排気管，４は静電チャック，５はチャンバ，６は蓋，７
はＯリング，８はガスシャワ，９は石英リング，10はプ
ラズマ, 11は対向電極（ガス導入盤) ，12は電極基板ホ
ルダである。
【００１８】図２により本発明の一実施例について説明
する。被処理基板１としてシリコンウエハを用い，ウエ
ハ上のアルミニウム(Al)膜をプラズマエッチングする。
する。被処理基板１としてシリコンウエハを用い，ウエ
ハ上のアルミニウム(Al)膜をプラズマエッチングする。
【００１９】エッチングガスとして塩素(Cl2)60sccm,三
塩化硼素(BCl3)100sccm をチャンバ５内にガスシャワ８
を介して導入する。プラズマエッチングの条件として，
チャンバ８内の真空度0.06Torr, 周波数13.56MHz, 出力
250〜300 ＷでAl膜のエッチングを行った。
塩化硼素(BCl3)100sccm をチャンバ５内にガスシャワ８
を介して導入する。プラズマエッチングの条件として，
チャンバ８内の真空度0.06Torr, 周波数13.56MHz, 出力
250〜300 ＷでAl膜のエッチングを行った。
【００２０】エッチングのためには，10-2〜10-3Torrの
真空度でないとプラズマが生じない。吸着固定用の真空
ポンプはロータリーポンプまたはドライポンプ, 及び,
ターボポンプを用いて行う。そして, 被処理基板１の吸
着固定中の真空度はプラズマ発生が起こらない10-4〜10
-5Torr付近の高真空度, 或いはそれ以上の高真空度で吸
着固定をしている。また, 静電チャック４との併用で,
より吸着固定力の分布を均一化し, 放熱をスムーズにし
ている。
真空度でないとプラズマが生じない。吸着固定用の真空
ポンプはロータリーポンプまたはドライポンプ, 及び,
ターボポンプを用いて行う。そして, 被処理基板１の吸
着固定中の真空度はプラズマ発生が起こらない10-4〜10
-5Torr付近の高真空度, 或いはそれ以上の高真空度で吸
着固定をしている。また, 静電チャック４との併用で,
より吸着固定力の分布を均一化し, 放熱をスムーズにし
ている。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように, 本発明によれば,
エッチング分布の改善, エッチングの高速化によるスル
ープットの改善，製造障害の減少効果が著しく，また使
用ガス量の減少によるコストダウン，静電チャックの長
寿命化が図られ，半導体素子の品質向上，歩留り確保に
寄与するところが大きい。
エッチング分布の改善, エッチングの高速化によるスル
ープットの改善，製造障害の減少効果が著しく，また使
用ガス量の減少によるコストダウン，静電チャックの長
寿命化が図られ，半導体素子の品質向上，歩留り確保に
寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
１ 被処理基板 ２ 基板ホルダ ３ 真空排気管 ４ 静電チャック ５ チャンバ ６ 蓋 ７ Ｏリング ８ ガスシャワ ９ 石英リング 10 プラズマ 11 対向電極（ガス導入盤) 12 電極基板ホルダ
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ処理装置内の被処理基板(1) の
固定方法であって，基板ホルダ(2) 内に設けた真空排気
管(3) により, 該被処理基板(1) の背面を,プラズマが
発生しない真空度領域で吸着保持することを特徴とする
プラズマ処理装置基板固定方法。 - 【請求項２】 前記被処理基板(1) の真空吸着保持に加
えて, 静電チャック(4) を併用することを特徴とする請
求項１記載のプラズマ処理装置被処理基板固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13404692A JP3180438B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | プラズマ処理装置被処理基板固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13404692A JP3180438B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | プラズマ処理装置被処理基板固定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326451A true JPH05326451A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3180438B2 JP3180438B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=15119103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13404692A Expired - Fee Related JP3180438B2 (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | プラズマ処理装置被処理基板固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3180438B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101505A (ja) * | 2003-03-13 | 2005-04-14 | Ventec-Ges Fuer Venturekapital & Unternehmensberatung Mbh | 可動可搬型静電式基板保持器 |
| US7096911B2 (en) | 2000-11-30 | 2006-08-29 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| JP2008028021A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
| JP2013211554A (ja) * | 2013-04-12 | 2013-10-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板固定装置 |
| JP2013219070A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置および基板保持方法 |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP13404692A patent/JP3180438B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7096911B2 (en) | 2000-11-30 | 2006-08-29 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7300532B2 (en) | 2000-11-30 | 2007-11-27 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing bonded substrate |
| US7513966B2 (en) | 2000-11-30 | 2009-04-07 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7621310B2 (en) | 2000-11-30 | 2009-11-24 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7681522B2 (en) | 2000-11-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7703494B2 (en) | 2000-11-30 | 2010-04-27 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7819165B2 (en) | 2000-11-30 | 2010-10-26 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US8128768B2 (en) | 2000-11-30 | 2012-03-06 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| JP2005101505A (ja) * | 2003-03-13 | 2005-04-14 | Ventec-Ges Fuer Venturekapital & Unternehmensberatung Mbh | 可動可搬型静電式基板保持器 |
| JP2008028021A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
| JP2013219070A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置および基板保持方法 |
| JP2013211554A (ja) * | 2013-04-12 | 2013-10-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板固定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3180438B2 (ja) | 2001-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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