JPH05323404A - 光波長変換素子 - Google Patents
光波長変換素子Info
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- JPH05323404A JPH05323404A JP13062992A JP13062992A JPH05323404A JP H05323404 A JPH05323404 A JP H05323404A JP 13062992 A JP13062992 A JP 13062992A JP 13062992 A JP13062992 A JP 13062992A JP H05323404 A JPH05323404 A JP H05323404A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光導波路型の光波長変換素子と、基本波光源
としての単一縦モード半導体レーザーとを有し、基本波
を光導波路端面上で収束させて光導波路に入射させる光
波長変換装置において、半導体レーザーへの戻り光を無
くして、安定した高強度の波長変換波を得る。 【構成】 光導波路22の端面22ａを、基本波であるレー
ザービーム11が斜め入射する向きに形成するとともに、
この端面22ａで反射して半導体レーザー10側に進行する
レーザービーム11Ｒを遮光板15によって遮る。
としての単一縦モード半導体レーザーとを有し、基本波
を光導波路端面上で収束させて光導波路に入射させる光
波長変換装置において、半導体レーザーへの戻り光を無
くして、安定した高強度の波長変換波を得る。 【構成】 光導波路22の端面22ａを、基本波であるレー
ザービーム11が斜め入射する向きに形成するとともに、
この端面22ａで反射して半導体レーザー10側に進行する
レーザービーム11Ｒを遮光板15によって遮る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第２高調波等
に波長変換する光波長変換装置、特に詳細には、基本波
光源としての半導体レーザーと光導波路型の光波長変換
素子とからなる光波長変換装置に関するものである。
に波長変換する光波長変換装置、特に詳細には、基本波
光源としての半導体レーザーと光導波路型の光波長変換
素子とからなる光波長変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、非線形光学材料を利用して、
レーザー光を第２高調波等に波長変換（短波長化）する
試みが種々なされている。このようにして波長変換を行
なう光波長変換素子として具体的には、バルク結晶型の
ものや、光導波路型のもの等が知られている。またこの
種の光波長変換素子は、半導体レーザーと組み合わせて
用いられることが多い。
レーザー光を第２高調波等に波長変換（短波長化）する
試みが種々なされている。このようにして波長変換を行
なう光波長変換素子として具体的には、バルク結晶型の
ものや、光導波路型のもの等が知られている。またこの
種の光波長変換素子は、半導体レーザーと組み合わせて
用いられることが多い。
【０００３】このように半導体レーザーを基本波光源と
し、そこから発せられたレーザービームを光導波路型の
光波長変換素子に入力させるためには、半導体レーザー
から発せられたレーザービームを入射光学系で絞って光
導波路端面上で収束させる、という手法が多く用いられ
ている。
し、そこから発せられたレーザービームを光導波路型の
光波長変換素子に入力させるためには、半導体レーザー
から発せられたレーザービームを入射光学系で絞って光
導波路端面上で収束させる、という手法が多く用いられ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
して基本波であるレーザービームを光導波路型光波長変
換素子に入力する場合は、光導波路端面で反射したレー
ザービームが半導体レーザーに戻り光となって入射する
ために、ノイズが生じるといった問題や、発振波長変動
による波長変換効率低下のために波長変換波出力が大き
く変化するといった問題が認められている。
して基本波であるレーザービームを光導波路型光波長変
換素子に入力する場合は、光導波路端面で反射したレー
ザービームが半導体レーザーに戻り光となって入射する
ために、ノイズが生じるといった問題や、発振波長変動
による波長変換効率低下のために波長変換波出力が大き
く変化するといった問題が認められている。
【０００５】従来より、この戻り光による問題を防止す
るために、半導体レーザーの駆動電流に高周波を重畳し
て、半導体レーザーをマルチモード化することも考えら
れている。このような手法は、基本波と波長変換波との
位相整合を取る上での基本波波長許容幅が比較的大きい
いわゆるチェレンコフ放射型の光波長変換素子にあって
は効果的であるが、導波モードの基本波と同じく導波モ
ードの波長変換波との間で位相整合を取る導波−導波タ
イプの光波長変換素子に対しては適用し難いものとなっ
ている。つまりこの導波−導波タイプの光波長変換素子
においては、上記の基本波波長許容幅が狭いので、半導
体レーザーのマルチモードのうちの１つのモードしか波
長変換に利用できず、そのため見かけ上の波長変換効率
が著しく低くなってしまうのである。
るために、半導体レーザーの駆動電流に高周波を重畳し
て、半導体レーザーをマルチモード化することも考えら
れている。このような手法は、基本波と波長変換波との
位相整合を取る上での基本波波長許容幅が比較的大きい
いわゆるチェレンコフ放射型の光波長変換素子にあって
は効果的であるが、導波モードの基本波と同じく導波モ
ードの波長変換波との間で位相整合を取る導波−導波タ
イプの光波長変換素子に対しては適用し難いものとなっ
ている。つまりこの導波−導波タイプの光波長変換素子
においては、上記の基本波波長許容幅が狭いので、半導
体レーザーのマルチモードのうちの１つのモードしか波
長変換に利用できず、そのため見かけ上の波長変換効率
が著しく低くなってしまうのである。
【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、基本波光源として単一縦モードの半導体レーザ
ーを、そして光波長変換素子として光導波路型のものを
用いた上で、半導体レーザーへの戻り光を抑えて、出力
が安定した高強度の波長変換波を得ることができる光波
長変換素子を提供することを目的とするものである。
であり、基本波光源として単一縦モードの半導体レーザ
ーを、そして光波長変換素子として光導波路型のものを
用いた上で、半導体レーザーへの戻り光を抑えて、出力
が安定した高強度の波長変換波を得ることができる光波
長変換素子を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による光波長変換
装置は、前述したように非線形光学材料からなる光導波
路を有し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する
光波長変換素子と、基本波としてのレーザービームを発
する単一縦モードの半導体レーザーと、上記レーザービ
ームを光導波路端面上で収束させて該光導波路に入射さ
せる光学系とからなる光波長変換装置において、光導波
路の端面が、基本波としてのレーザービームが斜め入射
する向きに形成されるとともに、この光導波路の端面で
反射して半導体レーザー側に進行するレーザービームを
遮る遮光板が設けられたことを特徴とするものである。
装置は、前述したように非線形光学材料からなる光導波
路を有し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する
光波長変換素子と、基本波としてのレーザービームを発
する単一縦モードの半導体レーザーと、上記レーザービ
ームを光導波路端面上で収束させて該光導波路に入射さ
せる光学系とからなる光波長変換装置において、光導波
路の端面が、基本波としてのレーザービームが斜め入射
する向きに形成されるとともに、この光導波路の端面で
反射して半導体レーザー側に進行するレーザービームを
遮る遮光板が設けられたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用および発明の効果】上述のように光導波路の端面
を、基本波としてのレーザービームが斜め入射する向き
に形成しておくと、この端面で反射したレーザービーム
は半導体レーザーから光波長変換素子に向かうレーザー
ビームとは異なる光路を辿るようになる。そこで上述の
ような遮光板を、半導体レーザーから光波長変換素子に
向かうレーザービームは全くあるいはほとんど遮らない
位置に配して、半導体レーザー側に戻るレーザービーム
を一部あるいは全部遮ることが可能となる。
を、基本波としてのレーザービームが斜め入射する向き
に形成しておくと、この端面で反射したレーザービーム
は半導体レーザーから光波長変換素子に向かうレーザー
ビームとは異なる光路を辿るようになる。そこで上述の
ような遮光板を、半導体レーザーから光波長変換素子に
向かうレーザービームは全くあるいはほとんど遮らない
位置に配して、半導体レーザー側に戻るレーザービーム
を一部あるいは全部遮ることが可能となる。
【０００９】このようにして半導体レーザーへの戻り光
を無くし、あるいは低減できれば、基本波光源として単
一縦モードの半導体レーザーを用いていても、戻り光に
よるノイズあるいは発振波長変動を抑制可能となる。そ
れにより本装置においては、高い波長変換効率の下に安
定した出力の波長変換波を得ることができる。また本発
明の装置は、半導体レーザーをマルチ縦モード化するも
のではないから、光波長変換素子として導波−導波タイ
プのものが用いられる場合でも、レーザービームの利用
効率が高く保たれ、その点からも波長変換効率の向上が
実現される。
を無くし、あるいは低減できれば、基本波光源として単
一縦モードの半導体レーザーを用いていても、戻り光に
よるノイズあるいは発振波長変動を抑制可能となる。そ
れにより本装置においては、高い波長変換効率の下に安
定した出力の波長変換波を得ることができる。また本発
明の装置は、半導体レーザーをマルチ縦モード化するも
のではないから、光波長変換素子として導波−導波タイ
プのものが用いられる場合でも、レーザービームの利用
効率が高く保たれ、その点からも波長変換効率の向上が
実現される。
【００１０】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１と図２はそれぞれ、本発明の第１
実施例による光波長変換装置の平面形状、側面形状を示
すものであり、また図３はその斜視図である。図示され
るようにこの光波長変換装置は、基本波光源としての半
導体レーザー10と、コリメーターレンズ12、λ／２板13
および集光レンズ14からなる入射光学系と、光導波路型
の光波長変換素子20とを有している。
詳細に説明する。図１と図２はそれぞれ、本発明の第１
実施例による光波長変換装置の平面形状、側面形状を示
すものであり、また図３はその斜視図である。図示され
るようにこの光波長変換装置は、基本波光源としての半
導体レーザー10と、コリメーターレンズ12、λ／２板13
および集光レンズ14からなる入射光学系と、光導波路型
の光波長変換素子20とを有している。
【００１１】光波長変換素子20は、ガラスやプラスチッ
クからなる基板21内に、非線形光学材料からなる３次元
光導波路22が埋め込まれてなる。本例では上記非線形光
学材料として、特開昭６２−２１０４３２号公報に示さ
れる３，５ージメチルー１ー（４ーニトロフェニル）ピ
ラゾール（以下、ＤＭＮＰと称する）が用いられてい
る。一方半導体レーザー10としては、基本波長が８７０
ｎｍのレーザービーム11を発するものが用いられてい
る。これらの光波長変換素子20と半導体レーザー10と
は、半導体レーザー10のビーム出射軸と同方向に光導波
路22が延びる状態にして、図示しない共通のマウントに
固定されている。
クからなる基板21内に、非線形光学材料からなる３次元
光導波路22が埋め込まれてなる。本例では上記非線形光
学材料として、特開昭６２−２１０４３２号公報に示さ
れる３，５ージメチルー１ー（４ーニトロフェニル）ピ
ラゾール（以下、ＤＭＮＰと称する）が用いられてい
る。一方半導体レーザー10としては、基本波長が８７０
ｎｍのレーザービーム11を発するものが用いられてい
る。これらの光波長変換素子20と半導体レーザー10と
は、半導体レーザー10のビーム出射軸と同方向に光導波
路22が延びる状態にして、図示しない共通のマウントに
固定されている。
【００１２】光波長変換素子20の光導波路端面22ｂを含
む前方端面20ｂには、波長８７０ｎｍの基本波としての
レーザービーム11と、後述する波長４３５ｎｍの第２高
調波16とをほぼ100 ％透過させるコーティングが施され
ている。また光波長変換素子20の後方端面20ａには、レ
ーザービーム11をほぼ100 ％透過させるコーティングが
施されている。
む前方端面20ｂには、波長８７０ｎｍの基本波としての
レーザービーム11と、後述する波長４３５ｎｍの第２高
調波16とをほぼ100 ％透過させるコーティングが施され
ている。また光波長変換素子20の後方端面20ａには、レ
ーザービーム11をほぼ100 ％透過させるコーティングが
施されている。
【００１３】半導体レーザー10から出射したレーザービ
ーム11は、コリメーターレンズ12で平行光化され、その
収束スポット形状および偏光方向を光導波路22の形状に
合わせるためのλ／２板13を通過した後、集光レンズ14
により集光されて、光導波路22の端面22ａ上で収束す
る。それによりレーザービーム11はこの端面22ａから光
導波路22内に入射し、そこを導波モードで図中右方向に
進行する。光導波路22を導波するレーザービーム11は、
光導波路22を構成するＤＭＮＰにより、波長が１／２
（＝４３５ｎｍ）の第２高調波16に変換される。この第
２高調波16は光導波路22を導波モードで伝搬する。位相
整合は一例として、レーザービーム11の光導波路22での
導波モードと、第２高調波16の導波モードとの間で取ら
れる（いわゆる導波−導波タイプの場合）。光波長変換
素子20の前方端面20ｂからは、上記レーザービーム11と
第２高調波16とが混合したビームが出射する。この出射
ビームは図示しないフィルターに通され、第２高調波16
のみが取り出されて利用される。
ーム11は、コリメーターレンズ12で平行光化され、その
収束スポット形状および偏光方向を光導波路22の形状に
合わせるためのλ／２板13を通過した後、集光レンズ14
により集光されて、光導波路22の端面22ａ上で収束す
る。それによりレーザービーム11はこの端面22ａから光
導波路22内に入射し、そこを導波モードで図中右方向に
進行する。光導波路22を導波するレーザービーム11は、
光導波路22を構成するＤＭＮＰにより、波長が１／２
（＝４３５ｎｍ）の第２高調波16に変換される。この第
２高調波16は光導波路22を導波モードで伝搬する。位相
整合は一例として、レーザービーム11の光導波路22での
導波モードと、第２高調波16の導波モードとの間で取ら
れる（いわゆる導波−導波タイプの場合）。光波長変換
素子20の前方端面20ｂからは、上記レーザービーム11と
第２高調波16とが混合したビームが出射する。この出射
ビームは図示しないフィルターに通され、第２高調波16
のみが取り出されて利用される。
【００１４】次に、半導体レーザー10への戻り光を無く
すための構成について説明する。コリメーターレンズ12
とλ／２板13との間には、光波長変換素子20に向かうレ
ーザービーム11の光路から外れた位置において、遮光板
15が配設されている。この遮光板15は、レーザービーム
11を遮らない範囲でできるだけ該レーザービーム11に近
接するように配置されている。そして光波長変換素子20
の後方端面20ａは、光導波路端面22ａも含んで全体的に
斜めにカットされている。この光導波路端面22ａの斜め
カットの向きは、そこで反射したレーザービーム11Ｒの
光路が光波長変換素子20に向かうレーザービーム11から
完全に分離して遮光板15側にずれる向きとされている。
すための構成について説明する。コリメーターレンズ12
とλ／２板13との間には、光波長変換素子20に向かうレ
ーザービーム11の光路から外れた位置において、遮光板
15が配設されている。この遮光板15は、レーザービーム
11を遮らない範囲でできるだけ該レーザービーム11に近
接するように配置されている。そして光波長変換素子20
の後方端面20ａは、光導波路端面22ａも含んで全体的に
斜めにカットされている。この光導波路端面22ａの斜め
カットの向きは、そこで反射したレーザービーム11Ｒの
光路が光波長変換素子20に向かうレーザービーム11から
完全に分離して遮光板15側にずれる向きとされている。
【００１５】したがって、光導波路端面22ａで反射した
レーザービーム11Ｒは遮光板15で遮られ、半導体レーザ
ー10まで戻ることがない。そうであれば、戻り光のため
に半導体レーザー10がノイズを生じたり、あるいは発振
波長が変動して位相整合条件の変化により波長変換効率
が低下することもなくなる。そこで本装置においては、
常に高い波長変換効率の下に、高強度の第２高調波16を
安定して得ることが可能となる。
レーザービーム11Ｒは遮光板15で遮られ、半導体レーザ
ー10まで戻ることがない。そうであれば、戻り光のため
に半導体レーザー10がノイズを生じたり、あるいは発振
波長が変動して位相整合条件の変化により波長変換効率
が低下することもなくなる。そこで本装置においては、
常に高い波長変換効率の下に、高強度の第２高調波16を
安定して得ることが可能となる。
【００１６】また半導体レーザー10は単一縦モード発振
するものであるから、半導体レーザーを高周波重畳駆動
する場合のようにレーザービーム11のうち特定波長の光
以外は波長変換され得ないということがなくなり、この
点から、実質的な波長変換効率が向上するようになる。
するものであるから、半導体レーザーを高周波重畳駆動
する場合のようにレーザービーム11のうち特定波長の光
以外は波長変換され得ないということがなくなり、この
点から、実質的な波長変換効率が向上するようになる。
【００１７】また本実施例において、半導体レーザー10
は水平面内でレーザービーム11の拡がり角が最小となる
ように配されており、光導波路端面22ａはこの水平面内
でレーザービーム入射方向に対して斜めとなるようにカ
ットされている。それに対応して遮光板15も、光波長変
換素子20に向かうレーザービーム11の光路に対して水平
方向にずれるように配されている。
は水平面内でレーザービーム11の拡がり角が最小となる
ように配されており、光導波路端面22ａはこの水平面内
でレーザービーム入射方向に対して斜めとなるようにカ
ットされている。それに対応して遮光板15も、光波長変
換素子20に向かうレーザービーム11の光路に対して水平
方向にずれるように配されている。
【００１８】このようにしておくと、互いに光路をずら
すべきレーザービーム11とレーザービーム11Ｒ（反射
光）とは、光路をずらす面内でのビーム径が最小とな
る。そこで、光導波路端面22ａの斜めカット角度を比較
的小さくしても、レーザービーム11の遮光板15によるケ
ラレを防止した上でレーザービーム11Ｒを確実に遮光す
ることができる。図４はこのことを分かりやすく示すも
のである。レーザービーム11と11Ｒとが実線で示すビー
ム径となっていれば、図示の位置に配した遮光板15でレ
ーザービーム11Ｒを遮ることができるが、もしそれらの
ビーム径が破線表示のように大きければ、光波長変換素
子20に向かうレーザービーム11の一部がケラレる一方、
レーザービーム11Ｒの一部が遮られなくなる。上記ビー
ム径が大きくても、光導波路端面22ａの斜めカット角度
を大きく取れば、上述の不具合を無くすことができる
が、そのようにすると装置の大型化が避けられない。
すべきレーザービーム11とレーザービーム11Ｒ（反射
光）とは、光路をずらす面内でのビーム径が最小とな
る。そこで、光導波路端面22ａの斜めカット角度を比較
的小さくしても、レーザービーム11の遮光板15によるケ
ラレを防止した上でレーザービーム11Ｒを確実に遮光す
ることができる。図４はこのことを分かりやすく示すも
のである。レーザービーム11と11Ｒとが実線で示すビー
ム径となっていれば、図示の位置に配した遮光板15でレ
ーザービーム11Ｒを遮ることができるが、もしそれらの
ビーム径が破線表示のように大きければ、光波長変換素
子20に向かうレーザービーム11の一部がケラレる一方、
レーザービーム11Ｒの一部が遮られなくなる。上記ビー
ム径が大きくても、光導波路端面22ａの斜めカット角度
を大きく取れば、上述の不具合を無くすことができる
が、そのようにすると装置の大型化が避けられない。
【００１９】なお、上記のような遮光板15を設けず、レ
ーザービーム11Ｒの光路をレーザービーム11の光路から
大きくずらすだけで戻り光を無くすことも考えられる。
しかし、レーザービーム11を光導波路端面22ａ上で収束
させて光導波路22に入射させる場合は、このレーザービ
ーム11を極めて小さなスポットに収束させる必要があ
り、集光レンズ14としてＮＡ（開口数）がかなり大きい
レンズが用いられることになる。そうであると、集光レ
ンズ14と光導波路端面22ａとの間の距離は極めて短くな
るから、上述のような構成で戻り光を無くすことは非常
に難しくなる。
ーザービーム11Ｒの光路をレーザービーム11の光路から
大きくずらすだけで戻り光を無くすことも考えられる。
しかし、レーザービーム11を光導波路端面22ａ上で収束
させて光導波路22に入射させる場合は、このレーザービ
ーム11を極めて小さなスポットに収束させる必要があ
り、集光レンズ14としてＮＡ（開口数）がかなり大きい
レンズが用いられることになる。そうであると、集光レ
ンズ14と光導波路端面22ａとの間の距離は極めて短くな
るから、上述のような構成で戻り光を無くすことは非常
に難しくなる。
【００２０】また本実施例では、前述の通り光波長変換
素子20の後方端面20ａに、レーザービーム11をほぼ100
％透過させるコーティングが施されているから、レーザ
ービーム11の反射が少なく抑えられ、この点からも戻り
光低減の効果が得られる。
素子20の後方端面20ａに、レーザービーム11をほぼ100
％透過させるコーティングが施されているから、レーザ
ービーム11の反射が少なく抑えられ、この点からも戻り
光低減の効果が得られる。
【００２１】次に、図５を参照して本発明の第２実施例
について説明する。なおこの図５において、図１中の要
素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する。
について説明する。なおこの図５において、図１中の要
素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する。
【００２２】この第２実施例の光導波路型光波長変換素
子30は、ＬｉＴａＯ3 基板31に反転ドメインの周期構造
を有するプロトン交換光導波路32が形成されてなるもの
である。そしてこの光波長変換素子30は、その光導波路
32の延びる方向Ｎが半導体レーザー10のビーム出射軸Ｍ
に対して、スネルの法則を満たすように傾いた状態で配
置されている。すなわち光導波路32の屈折率をｎw とす
ると、図５において、 sin θ1 ＝ｎw sin θ2 である。
子30は、ＬｉＴａＯ3 基板31に反転ドメインの周期構造
を有するプロトン交換光導波路32が形成されてなるもの
である。そしてこの光波長変換素子30は、その光導波路
32の延びる方向Ｎが半導体レーザー10のビーム出射軸Ｍ
に対して、スネルの法則を満たすように傾いた状態で配
置されている。すなわち光導波路32の屈折率をｎw とす
ると、図５において、 sin θ1 ＝ｎw sin θ2 である。
【００２３】この実施例においても、第１実施例におけ
るのと同様の遮光板15が設けられ、そして光波長変換素
子30の後方端面（光導波路端面32ａも含む）30ａは、光
導波路端面32ａで反射したレーザービーム11Ｒの光路が
光波長変換素子30に向かうレーザービーム11から完全に
分離して遮光板15側にずれる向きとされている。したが
ってこの場合も、第１実施例におけるのと同様に戻り光
防止の効果が得られることになる。
るのと同様の遮光板15が設けられ、そして光波長変換素
子30の後方端面（光導波路端面32ａも含む）30ａは、光
導波路端面32ａで反射したレーザービーム11Ｒの光路が
光波長変換素子30に向かうレーザービーム11から完全に
分離して遮光板15側にずれる向きとされている。したが
ってこの場合も、第１実施例におけるのと同様に戻り光
防止の効果が得られることになる。
【００２４】なお、以上説明した実施例における光導波
路22および32は３次元光導波路であるが、本発明は、薄
膜光導波路からなる光波長変換素子を用いる場合にも適
用可能である。さらに本発明は、第２高調波以外の例え
ば和周波や第３高調波等を得る光波長変換装置にも適用
可能である。
路22および32は３次元光導波路であるが、本発明は、薄
膜光導波路からなる光波長変換素子を用いる場合にも適
用可能である。さらに本発明は、第２高調波以外の例え
ば和周波や第３高調波等を得る光波長変換装置にも適用
可能である。
【図１】本発明の第１実施例による光波長変換装置を示
す平面図
す平面図
【図２】上記光波長変換装置を示す側面図
【図３】上記光波長変換装置の斜視図
【図４】光導波路端面の斜めカットの向きによる作用の
違いを説明する概略図
違いを説明する概略図
【図５】本発明の第２実施例による光波長変換装置を示
す平面図
す平面図
10 半導体レーザー 11 レーザービーム（基本波） 12 コリメーターレンズ 13 λ／２板 14 集光レンズ 15 遮光板 16 第２高調波 20、30 光波長変換素子 22、32 光導波路 22ａ、22ｂ、32ａ 光導波路の端面
Claims (2)
- 【請求項１】 非線形光学材料からなる光導波路を有
し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する光波長
変換素子と、 基本波としてのレーザービームを発する単一縦モードの
半導体レーザーと、 前記レーザービームを前記光導波路の端面上で収束させ
て該光導波路に入射させる光学系とからなる光波長変換
装置において、 前記光導波路の端面が、前記レーザービームが斜め入射
する向きに形成されるとともに、 前記光導波路の端面で反射して半導体レーザー側に進行
するレーザービームを遮る遮光板が設けられたことを特
徴とする光波長変換装置。 - 【請求項２】 前記光導波路の端面が、半導体レーザー
から発せられたレーザービームの拡がり角が最小となる
面内で、該レーザービームの入射方向に対して斜めとな
る向きに配置されていることを特徴とする請求項１記載
の光波長変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13062992A JPH05323404A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13062992A JPH05323404A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光波長変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323404A true JPH05323404A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=15038820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13062992A Withdrawn JPH05323404A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光波長変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05323404A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6317546B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device, and light source device and optical apparatus including the optical waveguide device |
| US6785457B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device and coherent light source and optical apparatus using the same |
| US6829080B2 (en) | 2001-04-17 | 2004-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device and light source and optical apparatus using the same |
| JP2006153985A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 波長変換レーザ装置 |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP13062992A patent/JPH05323404A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6317546B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device, and light source device and optical apparatus including the optical waveguide device |
| US6441970B2 (en) | 1998-09-28 | 2002-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device, and light source device and optical apparatus including the optical waveguide device |
| US6829080B2 (en) | 2001-04-17 | 2004-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device and light source and optical apparatus using the same |
| US6785457B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide device and coherent light source and optical apparatus using the same |
| JP2006153985A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 波長変換レーザ装置 |
| JP4574340B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2010-11-04 | 三菱電機株式会社 | 波長変換レーザ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |