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JPH05316283A - Image sensor, contact type image sensor, and information processor with built-in contact type image sensor - Google Patents

Image sensor, contact type image sensor, and information processor with built-in contact type image sensor

Info

Publication number
JPH05316283A
JPH05316283A JP4142058A JP14205892A JPH05316283A JP H05316283 A JPH05316283 A JP H05316283A JP 4142058 A JP4142058 A JP 4142058A JP 14205892 A JP14205892 A JP 14205892A JP H05316283 A JPH05316283 A JP H05316283A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
pixel
contact
light
pixels
Prior art date
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Application number
JP4142058A
Other languages
Japanese (ja)
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JP3095195B2 (en
Inventor
Kazuyuki Shigeta
和之 繁田
Akio Mihara
晃生 三原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP04142058A priority Critical patent/JP3095195B2/en
Publication of JPH05316283A publication Critical patent/JPH05316283A/en
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Abstract

PURPOSE:To correct the difference in level of output signals without increasing the production cost. CONSTITUTION:In an image sensor 11, a plurarity of picture elements are arranged to regulate the aperture of the picture elements as a light shielding layer and draw out the electrode wiring being the electrodes of the picture element from edge picture element. The reading width in the sub scanning direction is shortened (the width (a) is taken as a') with reading width (b) in the main scanning direction of edge picture element A2 of the image sensor made the same as the other picture element A1. The aperture area of the edge picture element A2 is made the same as the aperture area of the other edge picture element A2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、イメージセンサ、密着
型イメージセンサ、及び該密着型イメージセンサを搭載
した情報処理装置に係り、特に画素を複数個配列し、遮
光層となって該画素の開口部を規定するとともに該画素
の電極となる電極配線を端部画素から引き出すイメージ
センサ、該イメージセンサを用いた密着型イメージセン
サ、及び該密着型イメージセンサを搭載した情報処理装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image sensor, a contact-type image sensor, and an information processing apparatus equipped with the contact-type image sensor. The present invention relates to an image sensor that defines an opening and draws out an electrode wiring that serves as an electrode of the pixel from an end pixel, a contact image sensor using the image sensor, and an information processing device including the contact image sensor.

【0002】また本発明は、主としてファクシミリや複
写機などの原稿読取用情報処理装置に用いられる密着型
イメージセンサに関するものである。
The present invention also relates to a contact-type image sensor mainly used in a document reading information processing apparatus such as a facsimile or a copying machine.

【0003】[0003]

【従来の技術】まず、本発明の第1の従来技術について
説明する。
2. Description of the Related Art First, a first prior art of the present invention will be described.

【0004】画素を直線状に配列して構成したリニアイ
メージセンサはファクシミリ、スキャナ等における画像
読取装置に多く用いられている。この種のリニアイメー
ジセンサは、シリコンウエハ上に作成されるため、セン
サ長はウエハサイズにより制限を受け、画像読取装置で
読取られる原稿と同一長さのリニアイメージセンサチッ
プを作成することは困難である。このため、従来では原
稿からの反射光を光学系を用いて縮小し、リニアイメー
ジセンサ上に縮小投影を行って画像を読取っていた。し
かしこのような縮小光学系を使用する画像読取装置で
は、光学系の配設空間を大きく取らねばならず、また解
像度も良好でなくなる。そこで、これを解決するため特
開昭60−12760号公報等において、リニアイメー
ジセンサのチップを複数個直線上に配列したマルチチッ
プ型イメージセンサ(密着型イメージセンサ)が提案さ
れている。
A linear image sensor constructed by arranging pixels in a straight line is often used in an image reading apparatus such as a facsimile and a scanner. Since this type of linear image sensor is formed on a silicon wafer, the sensor length is limited by the wafer size, and it is difficult to form a linear image sensor chip having the same length as the original read by the image reading device. is there. For this reason, conventionally, an image is read by reducing the reflected light from the original using an optical system and performing reduction projection on a linear image sensor. However, in an image reading apparatus using such a reduction optical system, a large space for disposing the optical system must be taken, and the resolution is not good. In order to solve this problem, Japanese Patent Laid-Open No. 12760/1985 proposes a multi-chip type image sensor (contact type image sensor) in which a plurality of linear image sensor chips are arranged in a straight line.

【0005】図6は、そのようなイメージセンサに用い
られるセンサチップにおける1つの画素を含む部分の断
面図である。同図において、p型の基板1上にn型の埋
込層4およびn型のエピタキシャル層2が形成され、画
素9の周りを囲むようにp型の分離領域5が形成され、
さらにエピタキシャル層2の外周部分の内側に環状のコ
レクタカラー6が形成されている。7は酸化膜である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a portion including one pixel in a sensor chip used in such an image sensor. In the figure, an n-type buried layer 4 and an n-type epitaxial layer 2 are formed on a p-type substrate 1, and a p-type isolation region 5 is formed so as to surround the pixel 9.
Further, an annular collector collar 6 is formed inside the outer peripheral portion of the epitaxial layer 2. 7 is an oxide film.

【0006】3Bは光エネルギを受けることによりキャ
リアを蓄積する制御電極をなすp型のベース領域、3E
はn型のエミッタ領域であり、これらとn型のコレクタ
領域をなすエピタキシャル層2のコレクタカラー6の内
側部分3Cとで光電変換部として機能するバイポーラ型
トランジスタ3が構成される。8はベース領域3Bのリ
フレッシュ(リセット)を行う機能を果たすPMOS型
トランジスタであり、ベース領域3Bに接続したソース
電極領域8Sと、ドレイン電極領域8Dと、ゲート電極
8Gとから成る。そして、このPMOS型トランジスタ
8と先述のバイポーラ型トランジスタ3で1つの画素9
が構成される。
3B is a p-type base region which serves as a control electrode for accumulating carriers by receiving light energy, and 3E.
Is an n-type emitter region, and these and the inner portion 3C of the collector collar 6 of the epitaxial layer 2 forming the n-type collector region form a bipolar transistor 3 functioning as a photoelectric conversion portion. Reference numeral 8 denotes a PMOS type transistor having a function of refreshing (resetting) the base region 3B, which includes a source electrode region 8S connected to the base region 3B, a drain electrode region 8D, and a gate electrode 8G. Then, one pixel 9 is composed of the PMOS type transistor 8 and the bipolar type transistor 3 described above.
Is configured.

【0007】ところで、コレクタカラー6内の画素部9
内には、少なくとも4つの電極が必要となる。こうした
場合、コストの面から、多層AL(アルミニウム)構造
を用いず、遮光層を兼ねたAL層一層のみとし、多結晶
シリコン等の導電体と併せて引きまわす配線方法があ
る。
By the way, the pixel portion 9 in the collector color 6
At least four electrodes are required therein. In such a case, from the viewpoint of cost, there is a wiring method in which a multilayer AL (aluminum) structure is not used and only one AL layer that also serves as a light-shielding layer is used, and it is drawn together with a conductor such as polycrystalline silicon.

【0008】図7は、図6に示した画素の電極に対する
電源及び信号線の引きまわし配線の一例を示す図であ
る。ここでは、電圧VBB及びVCCを一層のALから作製
される電気的に分離した配線LS1 及びLS2 で与え、
多結晶シリコンP1 により、リセットパルスφRES を供
給し、また多結晶シリコンP2 により出力を取り出して
いる。10は層間絶縁膜である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a wiring for supplying power and signal lines to the electrodes of the pixel shown in FIG. Here, the voltages V BB and V CC are given by electrically separated wirings LS 1 and LS 2 formed from one layer of AL,
The polycrystalline silicon P 1, supplies a reset pulse phi RES, also are fetched output by polycrystalline silicon P 2. Reference numeral 10 is an interlayer insulating film.

【0009】図8は、この場合に考えられる、センサ端
部におけるAL配線の引きまわしの一つの例を示す構成
図である。なお図中X−X′線の断面は図7に相当す
る。図8において、11は、複数個の画素を主走査方向
に配列したラインセンサチップ、A1 はラインセンサチ
ップ11上の画素、A2 はラインセンサチップ11上の
端部画素、LS1 及びLS2 は同一のAL層を電気的に
分離して2つの電源ラインの役割を果たすとともに遮光
層となる配線である。各画素の受光部の主走査方向の読
み取り幅はbであり、副走査方向の読み取り幅はaであ
る。また、6は図6に示したようなコレクタカラーであ
り、これにより各画素の画素分離が行われている。Sは
配線LS1 及びLS2 によって開口面積が規定される開
口部である。Hは端部画素A2 に生ずる非遮光部であ
る。
FIG. 8 is a block diagram showing an example of the routing of the AL wiring at the end of the sensor, which is conceivable in this case. The cross section taken along the line XX 'in the figure corresponds to FIG. In FIG. 8, 11 is a line sensor chip in which a plurality of pixels are arranged in the main scanning direction, A 1 is a pixel on the line sensor chip 11, A 2 is an end pixel on the line sensor chip 11, LS 1 and LS. Reference numeral 2 is a wiring that electrically separates the same AL layer to serve as two power supply lines and serves as a light shielding layer. The reading width in the main scanning direction of the light receiving portion of each pixel is b, and the reading width in the sub scanning direction is a. Further, 6 is a collector color as shown in FIG. 6, whereby pixel separation of each pixel is performed. S is an opening whose opening area is defined by the wirings LS 1 and LS 2 . H is a non-light-shielding portion generated in the end pixel A 2 .

【0010】次に、本発明の第2の従来技術について説
明する。
Next, the second prior art of the present invention will be described.

【0011】また、従来の短焦点結像素子アレイを用い
る原稿読取用情報処理装置には、密着型マルチチップイ
メージセンサが採用されている。
Further, a contact type multi-chip image sensor is adopted in a conventional document reading information processing apparatus using a short-focus image forming element array.

【0012】以下、図を参照して従来の原稿読取装置を
説明する。
A conventional document reading apparatus will be described below with reference to the drawings.

【0013】図11は従来の密着型イメージセンサ外形
図、図12はその断面図である。
FIG. 11 is an external view of a conventional contact image sensor, and FIG. 12 is a sectional view thereof.

【0014】図11、図12において、函体200の上
面には、原稿面(不図示)に接する透明ガラス板201
が取付けられており、LED光源211からの出射光2
12は上記透明ガラス板201の上面に接する原稿面で
反射され、光学系(短焦点結像素子アレイ)209を通
ってラインセンサ21に結像する。LED光源211
は、所定の角度で透明ガラス201上の原稿面を照射す
るように、基板210上に配列され、上記函体200内
に固定されている。
In FIGS. 11 and 12, a transparent glass plate 201, which is in contact with a document surface (not shown), is provided on the upper surface of the box body 200.
Is attached, and the light emitted from the LED light source 211 is 2
12 is reflected by the original surface in contact with the upper surface of the transparent glass plate 201, passes through the optical system (short-focus image forming element array) 209, and forms an image on the line sensor 21. LED light source 211
Are arranged on the substrate 210 so as to irradiate the original surface on the transparent glass 201 at a predetermined angle, and are fixed in the box 200.

【0015】上記光学系には、例えば、商品名「セルホ
ックレンズアレイ」(日本板硝子株式会社製)で代表さ
れる短焦点結像素子アレイが採用されている。
For the optical system, for example, a short-focus image forming element array represented by the trade name "SELHOC LENS ARRAY" (manufactured by Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) is adopted.

【0016】図13はその内部構造を示す斜視図、図1
4はラインセンサ部の外観斜視図(a)、及びその断面
図(b)である。
FIG. 13 is a perspective view showing the internal structure, FIG.
4 is an external perspective view (a) of the line sensor section and a sectional view (b) thereof.

【0017】上記ラインセンサ21は、上記基板26上
において保護膜206で覆われ、金属細線208により
基板26上の所望の回路に電気的に接続され、また、上
記基板6は函体200に係合した底板205に、ゴム板
207を介して支えられている。なお、上記函体200
の両端には端板203がビス204で装着されている。
また、上記函体200には、例えば、ファクシミリ本体
などの外部における電源、制御信号などの入出力用のコ
ネクター202が設けられている。
The line sensor 21 is covered with a protective film 206 on the substrate 26 and electrically connected to a desired circuit on the substrate 26 by a thin metal wire 208, and the substrate 6 is connected to the box 200. The combined bottom plate 205 is supported via a rubber plate 207. In addition, the box 200
End plates 203 are attached to both ends of the with screws 204.
Further, the box 200 is provided with a connector 202 for inputting and outputting an external power source such as a facsimile main body and control signals.

【0018】又、基板26上の214は、基板26上の
所望の回路とコネクター202を電気的に接続する電極
である。
Further, 214 on the substrate 26 is an electrode for electrically connecting a desired circuit on the substrate 26 and the connector 202.

【0019】図15はラインセンサ21の平面模式図で
あり、図16は個々のラインセンサ21の部分拡大図で
ある。
FIG. 15 is a schematic plan view of the line sensor 21, and FIG. 16 is a partially enlarged view of each line sensor 21.

【0020】ラインセンサ21は、図15,16に示す
ように、両端に入出力パッド24,25を備え、それぞ
れ、第1番目からN番目まで一直線状態で基板26上に
配列され、外部からのスタート信号をスタート信号入力
ラインSから第1番目のラインセンサの上記入力パッド
24を介してスタート信号を入力し、出力パッド25を
介してエンド信号を出力することで、その配列順序に従
って順次作動され、光情報を読取るようにしている。
As shown in FIGS. 15 and 16, the line sensor 21 is provided with input / output pads 24 and 25 at both ends, and is arranged on the substrate 26 in a straight line from the first to the N-th, respectively, and is arranged from the outside. The start signal is input from the start signal input line S via the input pad 24 of the first line sensor, and the end signal is output via the output pad 25, whereby the start signals are sequentially operated in the order of arrangement. , Optical information is read.

【0021】この場合、上記出力パッド25を介してエ
ンド信号を出力する際、配線27を通して上記エンド信
号を次のラインセンサのスタート信号として入力パッド
24に入力できるようにしている。個々のラインセンサ
21は図16に示すように、受光窓22を127μm
(200DPIの場合)あるいは63.5μm(400
DPIの場合)のピッチで設けてあり(ここでDPIは
Dot per inchの略である)、これに並ん
で、上記基板21上にはラインセンサの駆動回路、シフ
トレジスタ、電源入力パッド、センサ出力パッドなどが
配置されるエリア23を用意してある。
In this case, when the end signal is output through the output pad 25, the end signal can be input to the input pad 24 as the start signal of the next line sensor through the wiring 27. As shown in FIG. 16, each line sensor 21 has a light receiving window 22 of 127 μm.
(For 200 DPI) or 63.5 μm (400
(In the case of DPI) (herein, DPI is an abbreviation for Dot per inch), and in parallel with this, a drive circuit of the line sensor, a shift register, a power input pad, a sensor output are arranged on the substrate 21. An area 23 in which pads and the like are arranged is prepared.

【0022】また、図17は原稿照射用光源としてのL
ED211とその基板210を示す斜視図である。
FIG. 17 shows L as a light source for illuminating the original.
It is a perspective view showing ED211 and its substrate 210.

【0023】[0023]

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記本発明の第1の従来技術では、VCC及びVBBの異なる
電源電圧を、同じAL層から作製される配線LS1 及び
LS2 を用いて与えるために、各画素は連通する形とな
り、また端部画素A2 においては、本来の画素の開口部
S以外に、スリット状の非遮光部Hが生じてしまう。こ
の非遮光部Hから入射した光は、端部画素内で本来の開
口部Sからの光と同様に、キャリアを発生するため、端
部画素A2 は他の画素A1 よりも見かけ上感度が大きく
なってしまっていた。
However, in the above-mentioned first prior art of the present invention, different power supply voltages of V CC and V BB are applied by using the wirings LS 1 and LS 2 formed from the same AL layer. Therefore, each pixel is in communication with each other, and in the end pixel A 2 , a slit-shaped non-light-shielding portion H is formed in addition to the opening S of the original pixel. The light incident from the non-light-shielding portion H generates carriers as in the original light from the opening S in the end pixel, so that the end pixel A 2 has an apparent sensitivity higher than that of the other pixels A 1. Was getting bigger.

【0024】ここで、信号処理回路で端部画素の信号の
ゲインを小さくすることで、感度補正することもできる
が、端部画素とその他の画素とで信号処理回路を変える
必要があるため、回路が複雑化する。
Here, sensitivity can be corrected by reducing the gain of the signal of the end pixel in the signal processing circuit, but it is necessary to change the signal processing circuit between the end pixel and other pixels. The circuit becomes complicated.

【0025】また、上記本発明の第2の従来技術では以
下の問題があった。
The second prior art of the present invention has the following problems.

【0026】本来、密着型イメージセンサの目的は、そ
の密着型イメージセンサを組み込むファクシミリや複写
機などの情報処理装置の小型化にある。
Originally, the purpose of the contact image sensor is to reduce the size of an information processing apparatus such as a facsimile or a copying machine incorporating the contact image sensor.

【0027】例えば、図12に示す光学系(短焦点結像
素子アレイ)209を、商品名「セルホックレンズアレ
イ」(日本板硝子株式会社)のSLA−9シリーズTC
40(同社カタログ Cat.SLA Vol3 19
87年10月印刷)を使用したと仮定すると、図12に
示した原稿面に接するガラス201、及びラインセンサ
21を覆う樹脂206の屈折率を考えて、L0 は図12
に示すように約40.0mm、密着型イメージセンサの
厚みL1 は、約43.0mmとなる。
For example, an optical system (short-focus image forming element array) 209 shown in FIG. 12 is used as an SLA-9 series TC under the trade name of "SELHOC lens array" (Nippon Sheet Glass Co., Ltd.).
40 (Company catalog Cat.SLA Vol3 19
Assuming using 87 October printing), consider the refractive index of the resin 206 covering the glass 201 and the line sensor 21, in contact with the original surface shown in FIG. 12, L 0 is 12
As shown in, the contact type image sensor has a thickness L 1 of about 43.0 mm.

【0028】つまり、縮小光学系を使用するイメージセ
ンサよりは小型化されるものの、短焦点結像素子アレイ
(セルホックレンズアレイ)209のもつ大きさ、焦点
距離の長さ以下に小型化するのは難しい。
In other words, although the size of the image sensor is smaller than that of the image sensor using the reduction optical system, the size of the short-focus image forming element array (selfoc lens array) 209 is smaller than the size and focal length thereof. Is difficult

【0029】すなわち、密着型イメージセンサを組み込
む情報処理装置の小型化設計に対して障害となってい
る。特に、密着型イメージセンサの厚さ方向の大きさ
(すなわち図12のL1 )は情報処理装置の薄型化には
障害となっている。
That is, this is an obstacle to the miniaturization design of the information processing apparatus incorporating the contact image sensor. In particular, the size of the contact image sensor in the thickness direction (that is, L 1 in FIG. 12) is an obstacle to making the information processing apparatus thinner.

【0030】本発明の目的は、密着型イメージセンサを
薄型化し、それにより密着型イメージセンサを組み込ん
だ情報処理装置の薄型化を実現することにある。
An object of the present invention is to reduce the thickness of a contact image sensor, thereby realizing a thinner information processing device incorporating the contact image sensor.

【0031】[0031]

【課題を解決するための手段】本発明のイメージセンサ
は、画素を複数個配列し、遮光層となって該画素の開口
部を規定するとともに該画素の電極となる電極配線を端
部画素から引き出すイメージセンサにおいて、前記端部
画素の主走査方向の読み取り幅を他の画素と等しくした
まま、副走査方向の読み取り幅を短かくして、前記端部
画素の開口面積を他の画素の開口面積と同一にしたこと
を特徴とする。
In the image sensor of the present invention, a plurality of pixels are arranged to form a light-shielding layer to define an opening portion of the pixel and an electrode wiring to be an electrode of the pixel is formed from an end pixel. In the extraction image sensor, the reading width in the sub-scanning direction is shortened while keeping the reading width in the main scanning direction of the end pixel equal to that of the other pixels, and the opening area of the end pixel is set to the opening area of the other pixel. The feature is that they are the same.

【0032】本発明の第1の密着型イメージセンサは、
上記イメージセンサを複数個配列したことを特徴とす
る。
The first contact type image sensor of the present invention is
A plurality of the image sensors are arranged.

【0033】本発明の第1の情報処理装置は、上記第1
の密着型イメージセンサを搭載することを特徴とする。
The first information processing apparatus of the present invention is the first information processing apparatus described above.
It is characterized by mounting the contact image sensor of.

【0034】また本発明の第2の密着型イメージセンサ
は、短焦点結像素子アレイを光学系とする密着型イメー
ジセンサにおいて、前記短焦点結像素子アレイを、その
光軸が、読み取るべき原稿面と実質的に平行となるよう
に配置し、かつ前記原稿面からの反射光の向きを変えて
前記短焦点結像素子アレイの光軸に沿って入射させる光
反射板を設けたことを特徴とする。
The second contact type image sensor of the present invention is a contact type image sensor using a short focus image forming element array as an optical system, wherein the optical axis of the short focus image forming element array is to be read. And a light reflection plate disposed so as to be substantially parallel to the surface and changing the direction of reflected light from the document surface to make it incident along the optical axis of the short focus image forming element array. And

【0035】また、本発明の第3の密着型イメージセン
サは、上記第2の密着型イメージセンサにおいて、前記
短焦点結像素子アレイの光軸をセンサに向ける光反射板
を配置したことを特徴とする。
A third contact type image sensor of the present invention is characterized in that, in the second contact type image sensor, a light reflection plate for arranging the optical axis of the short focus image forming element array toward the sensor is arranged. And

【0036】また、本発明の第4の密着型イメージセン
サは、上記第2の密着型イメージセンサにおいて、前記
原稿面からの反射光の向きを90°変えるように前記光
反射板を配置したことを特徴とする。
Further, in a fourth contact image sensor of the present invention, in the second contact image sensor, the light reflection plate is arranged so as to change the direction of reflected light from the original surface by 90 °. Is characterized by.

【0037】また、本発明の第2の情報処理装置は、上
記第2又は第3の密着型イメージセンサと、原稿を該イ
メージセンサの原稿読取位置に支持する手段とを具備し
たことを特徴とする。
A second information processing apparatus of the present invention is characterized by comprising the above-mentioned second or third contact type image sensor, and means for supporting a document at a document reading position of the image sensor. To do.

【0038】[0038]

【作用】本発明のイメージセンサは、遮光層となるとと
もに該画素の電極となる電極配線を端部画素から引き出
す構成により生ずる端部画素の非遮光部(例えば、図8
のH)の面積分、端部画素の副走査方向の読み取り幅を
短かくして、前記イメージセンサの端部画素の開口面積
を他の画素の開口面積と同一にし、等価的に全ての画素
の感度を等しくなるように補正するものである。本発明
においては、端部画素の信号のゲイン調整が不要なの
で、回路が複雑化することもない。
According to the image sensor of the present invention, the non-light-shielding portion of the end pixel (for example, FIG. 8) is formed by the structure in which the electrode wiring serving as the light-shielding layer and serving as the pixel electrode is drawn out from the end pixel.
H), the reading width of the end pixels in the sub-scanning direction is shortened to make the opening areas of the end pixels of the image sensor the same as the opening areas of the other pixels, and equivalently the sensitivity of all the pixels. Are corrected to be equal. In the present invention, since the gain adjustment of the signal of the end pixel is unnecessary, the circuit does not become complicated.

【0039】本発明の第1の密着型イメージセンサは、
上記イメージセンサを用いることで全ての画素の感度を
等しくするものである。なお、画素の全てを同じピッチ
にて配列すれば、画像情報の欠落を防止することができ
る。
The first contact image sensor of the present invention is
By using the above image sensor, the sensitivity of all pixels is made equal. If all of the pixels are arranged at the same pitch, it is possible to prevent the loss of image information.

【0040】本発明の第1の情報処理装置は、上記の密
着型イメージセンサを搭載することで、画質を改善する
ものである。
The first information processing apparatus of the present invention is to improve the image quality by mounting the above contact type image sensor.

【0041】なお、端部画素の開口面積を調整すること
は、実開平3−24761号公報に示されている。しか
し同公報は、端部画素のリーク、ダイシングの際の欠け
やクラックを防止するために、端部画素の面積を他の画
素の面積よりも小さくし、面積が小さくなることにより
生ずる信号レベルの低下を、端部画素に対するゲインを
他の画素のゲインに比べ大きくすることで補正し、感度
を均一にするものである。従って、配線の引き出しによ
って生ずる端部画素の非遮光部による端部画素の感度増
大を、副走査方向の読取り幅を小さくすることで、端部
画素の開口面積を他の画素の開口面積と同一にする本発
明とはその目的、構成が異なるものである。
The adjustment of the opening area of the end pixel is disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 3-247661. However, in the publication, in order to prevent leakage of edge pixels and chipping or cracking during dicing, the area of an edge pixel is made smaller than the area of other pixels, and The decrease is corrected by making the gain for the end pixel larger than the gains of the other pixels to make the sensitivity uniform. Therefore, the increase in the sensitivity of the end pixel due to the non-light-shielding portion of the end pixel caused by the lead-out of the wiring reduces the reading width in the sub-scanning direction to make the opening area of the end pixel equal to the opening area of other pixels. The present invention is different from the present invention in its purpose and configuration.

【0042】ここで、本発明において、イメージセンサ
の端部画素の主走査方向の読み取り幅を他の画素と等し
くしたまま、副走査方向の読み取り幅を短かくしたの
は、主走査方向のMTFが端部画素のみ異なることによ
り、モアレが生じることを防ぐためである。
Here, in the present invention, the reason why the reading width in the sub-scanning direction is shortened while keeping the reading width in the main scanning direction of the end pixel of the image sensor equal to that of the other pixels is that the MTF in the main scanning direction is set. Is to prevent moire from occurring due to the difference in only the end pixels.

【0043】本発明の第2の密着型イメージセンサは、
読み取るべき原稿面に対して短焦点結像素子アレイを、
その光軸が、実質的に、平行になるように配置し、原稿
面からの反射光を、鏡等の光反射板により向きを変え、
短焦点結像素子アレイの光軸に沿って入射するようにす
ることにより、従来の密着型イメージセンサのように、
読み取るべき原稿面に対して短焦点結像素子アレイを、
その光軸が垂直となるように配置した構造に比較して、
薄型化、小型化することができる。
The second contact image sensor of the present invention is
A short-focus imaging element array for the original surface to be read,
Arrange them so that their optical axes are substantially parallel, and change the direction of the reflected light from the document surface by a light reflecting plate such as a mirror.
By making the light incident along the optical axis of the short-focus imaging element array, as in the conventional contact-type image sensor,
A short-focus imaging element array for the original surface to be read,
Compared to the structure in which the optical axis is vertical,
It can be made thinner and smaller.

【0044】[0044]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0045】まず、本発明のイメージセンサを用いた本
発明第1の密着型イメージセンサについて説明する。
First, the first contact type image sensor of the present invention using the image sensor of the present invention will be described.

【0046】図1は本発明の第1実施例である密着型イ
メージセンサの一部を拡大した模式的平面図である。図
2は本発明の第1実施例の密着型イメージセンサの全体
の模式的平面図である。なお、図8と同一構成部材につ
いては同一符号を付する。
FIG. 1 is an enlarged schematic plan view of a part of the contact image sensor according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view of the entire contact image sensor according to the first embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 8 are designated by the same reference numerals.

【0047】図1において、11は複数個の画素を主走
査方向に配列したラインセンサチップ(イメージセン
サ)、A1 は端部以外のラインセンサチップ11上の画
素、A2 は端部の画素を示す。LS1 及びLS2 は電気
的に分離されている遮光層となる配線である。また、6
はコレクタカラーであり、各画素を分離している。ここ
では、2つのラインセンサチップのみを示しているが、
全体の構成は図2に示されているように主走査方向に5
つのラインセンサチップ11が直線状に並べられてい
る。12はラインセンサチップ11を配置するためのセ
ラミック等で形成されたモジュール基板である。
In FIG. 1, 11 is a line sensor chip (image sensor) in which a plurality of pixels are arranged in the main scanning direction, A 1 is a pixel on the line sensor chip 11 other than the end portion, and A 2 is an end pixel. Indicates. LS 1 and LS 2 are wirings which are electrically separated and serve as a light shielding layer. Also, 6
Is a collector color that separates each pixel. Although only two line sensor chips are shown here,
The overall structure is 5 in the main scanning direction as shown in FIG.
One line sensor chip 11 is arranged linearly. Reference numeral 12 is a module substrate made of ceramic or the like for disposing the line sensor chip 11.

【0048】図1において、各ラインセンサチップ11
の読み取り部としての複数個の画素A1 ,A2 が主走査
方向に配列され、そのラインセンサチップが更に図2に
示すように直線状に配列されることで全ての画素が直線
状に並んでいる。遮光層となる配線LS1 及びLS2
電気的に分離するために、各画素の開口部は互いに連通
する形となり、また端部画素A2 は、配線の引きまわし
上、コレクタカラー6で規定される画素内に他の画素と
異なる非遮光部Hを有する。この非遮光部Hにより入射
光量が増加することとなるが、本実施例では、その増加
分だけ本来の開口部Sの面積を小さくしている。すなわ
ち、各ラインセンサチップ11における全ての画素の主
走査方向の実効読み取り幅bは同じであるが、各ライン
センサチップ11の端部画素A2 の副走査方向の読み取
り幅a′は他の画素A1 の副走査方向の読み取り幅aに
比べ短かくなっており、端部画素の開口面積を他の画素
の開口面積と同一にしている。
In FIG. 1, each line sensor chip 11
A plurality of pixels A 1 and A 2 as a reading unit of the array are arranged in the main scanning direction, and the line sensor chip is further arranged in a linear shape as shown in FIG. 2 so that all the pixels are arranged in a linear shape. I'm out. In order to electrically separate the wirings LS 1 and LS 2 to be the light-shielding layer, the openings of the respective pixels are in communication with each other, and the end pixel A 2 is defined by the collector collar 6 because of the wiring. A non-light-shielding portion H different from other pixels is provided in each pixel. The non-light-shielding portion H increases the amount of incident light, but in this embodiment, the original area of the opening S is reduced by the increase. That is, the effective reading width b in the main scanning direction of all the pixels in each line sensor chip 11 is the same, but the reading width a ′ in the sub-scanning direction of the end pixel A 2 of each line sensor chip 11 is another pixel. It is shorter than the reading width a of A 1 in the sub-scanning direction, and the opening area of the end pixel is the same as the opening area of other pixels.

【0049】複数のラインセンサチップ11で構成され
た密着型イメージセンサでは、図2に示された最も左の
センサの左端の画素から主走査方向へ順次出力信号が読
み出されていくが、本実施例のように、端部の画素の副
走査方向の読み取り幅を他の画素の幅に比べて短かくす
ることにより、従来、他の画素に比べ非遮光部Hの為に
開口面積が大きかった端部の画素の出力レベルを下げ、
感度を全画素一定となるようにすることができる。
In the contact image sensor composed of a plurality of line sensor chips 11, the output signal is sequentially read out in the main scanning direction from the leftmost pixel of the leftmost sensor shown in FIG. As in the embodiment, by making the reading width of the end pixel in the sub-scanning direction shorter than the width of other pixels, conventionally, the opening area is large because of the non-light-shielding portion H as compared with other pixels. Lower the output level of the pixel at the end,
The sensitivity can be made constant for all pixels.

【0050】次に本実施例による光電変換動作について
1画素分をとりあげて説明する。
Next, the photoelectric conversion operation according to this embodiment will be described taking one pixel.

【0051】図4は、本実施例のイメージセンサの一画
素分の回路構成図である。
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of one pixel of the image sensor of this embodiment.

【0052】図4において、PSは画素を形成するバイ
ポーラトランジスタ、SW1 はエミッタを基準電圧源V
ESに接続しリセットを行う為のスイッチ手段としてのN
MOSトランジスタ、SW2 はベースを基準電圧源VBB
に接続しリセットを行う為のスイッチ手段としてのPM
OSトランジスタ、SW3 は信号電荷転送用のスイッチ
手段としてのNMOSトランジスタ、CTは信号電圧の
生成される容量負荷である。
In FIG. 4, PS is a bipolar transistor forming a pixel, SW 1 is an emitter of a reference voltage source V
N as switch means for connecting to ES and performing reset
The base of the MOS transistor SW 2 is a reference voltage source V BB
PM as switch means for connecting to and resetting
OS transistor, SW 3 is an NMOS transistor as a switch means for transferring signal charge, and CT is a capacitive load for generating a signal voltage.

【0053】その動作を簡単に説明する。 <リセット動作>まず、PMOSトランジスタSW2
ゲートに負のパルス電圧が印加されてベースが電圧VBB
にクランプされる。
The operation will be briefly described. <Reset Operation> First, a negative pulse voltage is applied to the gate of the PMOS transistor SW 2 so that the base has the voltage V BB.
Clamped to.

【0054】次に、NMOSトランジスタSW1 のゲー
トに正のパルス電圧が印加されてエミッタが電圧源VES
に接続され、ベース・エミッタ間に電流が流れて、ベー
スに残留する光生成キャリアが消滅する。 <蓄積動作>NMOSトランジスタSW1 ,SW3 とも
オフ状態となりエミッタ、ベースともに浮遊状態とされ
蓄積動作が開始される。 <読出動作>次いでNMOSトランジスタSW3 のゲー
トに正のパルス電圧が印加されてオンし、エミッタと容
量負荷CTとが接続されて信号電圧が容量負荷CTに読
み出される。
Next, a positive pulse voltage is applied to the gate of the NMOS transistor SW 1 so that the emitter becomes the voltage source V ES.
, A current flows between the base and the emitter, and photogenerated carriers remaining in the base disappear. <Storage Operation> Both the NMOS transistors SW 1 and SW 3 are turned off, and both the emitter and the base are in a floating state and the storage operation is started. <Read Operation> Next, a positive pulse voltage is applied to the gate of the NMOS transistor SW 3 to turn it on, the emitter and the capacitive load CT are connected, and the signal voltage is read to the capacitive load CT.

【0055】このようなイメージセンサの基本的構成は
発明者大見及び田中に付与された米国特許第4,68
6,554号明細書に、容量負荷を含む出力回路にバイ
ポーラ・トランジスタのエミッタが接続された電荷蓄積
型の高感度、低ノイズの光電変換装置として、記載され
ている。
The basic configuration of such an image sensor is US Pat. No. 4,684 assigned to the inventors Omi and Tanaka.
No. 6,554 describes a charge storage type high sensitivity, low noise photoelectric conversion device in which an emitter of a bipolar transistor is connected to an output circuit including a capacitive load.

【0056】次に本発明の第2実施例について説明す
る。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0057】図3は本発明の第2実施例の密着型イメー
ジセンサの一部を拡大した模式的平面図である。図3に
おいて、各ラインセンサチップの複数個の画素A1 及び
2は、主走査方向に等しいピッチpで直線状に配列さ
れている。また、各ラインセンサチップ11の端部同士
も他の画素A1 同士間のピッチpに等しいピッチとなる
ようラインセンサチップ11が配置されている。このよ
うに全画素のピッチを一定にした以外の基本的構成は前
述の第1実施例と同じである。すなわち、端部の画素A
2 の副走査方向の読み取り幅a′が他の画素の副走査方
向の読み取り幅aに比べ短かいこと、及び画素の主走査
方向の読み取り幅はすべて同じ幅bとしていることは第
1実施例と同じである。この結果、第1実施例と同様
に、端部画素と他の画素との出力信号が均一にそろうこ
とに加えて、ラインセンサチップ間の接続部分で間隔が
短縮されたので画像情報が欠落することが防止され、良
好な出力信号を得ることができる。
FIG. 3 is an enlarged schematic plan view of a part of the contact image sensor according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 3, a plurality of pixels A 1 and A 2 of each line sensor chip are linearly arranged at an equal pitch p in the main scanning direction. Further, the line sensor chips 11 are arranged such that the end portions of the line sensor chips 11 have a pitch equal to the pitch p between the other pixels A 1 . The basic structure is the same as that of the first embodiment except that the pitch of all pixels is constant. That is, the pixel A at the end
The reading width a'in the sub-scanning direction 2 is shorter than the reading width a in the sub-scanning direction of other pixels, and the reading widths of the pixels in the main scanning direction are all the same width b. Is the same as. As a result, similarly to the first embodiment, in addition to the output signals of the end pixels and other pixels being even, the distance between the line sensor chips is shortened, so that image information is lost. This can be prevented and a good output signal can be obtained.

【0058】以上説明したように、第1,第2実施例で
はバイポーラトランジスタを用いた電荷蓄積・増幅型の
イメージセンサを主に説明したが、本発明は光ダイオー
ドを受光部としMOSスイッチや電荷結合素子(CC
D)等で信号電荷を転送するタイプのセンサや光導電型
フォトセンサにも好ましく適用できるものである。
As described above, in the first and second embodiments, the charge storage / amplification type image sensor using the bipolar transistor has been mainly described, but the present invention uses the photodiode as the light receiving portion and the MOS switch and the charge. Coupling element (CC
It is also preferably applicable to a sensor of the type which transfers signal charges in D) or the like or a photoconductive photosensor.

【0059】なお、図2に示したような密着型イメージ
センサはAL等で形成された筐体に、LEDアレイ等の
光源や短焦点結像素子アレイ等の結像光学系とともに一
体的に組み立てられて密着型イメージセンサユニットを
構成する。
The contact-type image sensor as shown in FIG. 2 is integrally assembled in a housing formed of AL or the like with a light source such as an LED array and an image forming optical system such as a short focus image forming element array. The contact type image sensor unit is constructed.

【0060】図5は、本実施例に係る密着型イメージセ
ンサユニットを用いて構成した画像情報処理装置として
通信機能を有するファクシミリの一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a facsimile having a communication function as an image information processing apparatus constructed by using the contact image sensor unit according to this embodiment.

【0061】ここで、100が実装した密着型イメージ
センサユニットである。102は原稿Qを読み取り位置
に向けて給送するための給送手段としての給送ローラ、
104は原稿Qを一枚ずつ確実に分離給送するための分
離片である。106はセンサユニット100に対して読
み取り位置に設けられて原稿Qの被読み取り面を規制す
るとともに原稿Qを搬送する搬送手段としてのプラテン
ローラである。
Here, 100 is a mounted image sensor unit. Reference numeral 102 denotes a feeding roller as a feeding unit for feeding the document Q toward the reading position.
Reference numeral 104 denotes a separating piece for surely separating and feeding the documents Q one by one. Reference numeral 106 denotes a platen roller which is provided at the reading position with respect to the sensor unit 100, regulates the surface to be read of the document Q, and serves as a conveying unit that conveys the document Q.

【0062】Pは図示の例ではロール紙形態をした記録
媒体であり、センサユニット100により読み取られた
画像情報あるいはファクシミリ装置等の場合には外部か
ら送信された画像情報がここに再生される。110は当
該画像形成を行うための記録手段としての記録ヘッド
で、サーマルヘッド、インクジェット記録ヘッド等種々
のものを用いることができる。また、この記録ヘッド
は、シリアルタイプのものでも、ラインタイプのもので
もよい。112は記録ヘッド110による記録位置に対
して記録媒体Pを搬送するとともにその被記録面を規制
する搬送手段としてのプラテンローラである。
In the illustrated example, P is a recording medium in the form of roll paper, and the image information read by the sensor unit 100 or the image information transmitted from the outside in the case of a facsimile machine or the like is reproduced here. Reference numeral 110 denotes a recording head as recording means for performing the image formation, and various types such as a thermal head and an inkjet recording head can be used. The recording head may be a serial type or a line type. Reference numeral 112 denotes a platen roller as a conveying unit that conveys the recording medium P to the recording position of the recording head 110 and regulates the recording surface thereof.

【0063】120は、入力/出力手段としての操作入
力を受容するスイッチやメッセージその他、装置の状態
を報知するための表示部等を配したオペレーションパネ
ルである。
Reference numeral 120 denotes an operation panel provided with a switch for accepting an operation input as an input / output means, a message, and a display section for notifying the state of the apparatus.

【0064】130は、制御手段としてのシステムコン
トロール基板であり、各部の制御を行う制御部(コント
ローラー)や、光電変換素子の駆動回路(ドライバ
ー)、画像情報の処理部(プロセッサー)、送受信部等
が設けられる。140は装置の電源である。
Reference numeral 130 denotes a system control board as a control means, such as a control section (controller) for controlling each section, a drive circuit (driver) for the photoelectric conversion element, an image information processing section (processor), a transmission / reception section, etc. Is provided. 140 is a power supply for the apparatus.

【0065】本発明の情報処理装置に用いられる記録手
段としては、例えば米国特許第4723129号明細
書、同第4740796号明細書にその代表的な構成や
原理が開示されているものが好ましい。この方式は液体
(インク)が保持されているシートや液路に対応して配
置されている電気熱変換体に、記録情報に対応していて
核沸騰を越える急速な温度上昇を与える少なくとも一つ
の駆動信号を印加することによって、電気熱変換体に熱
エネルギーを発生せしめ、記録ヘッド110の熱作用面
に膜沸騰させて、結果的にこの駆動信号に一対一に対応
し液体(インク)内の気泡を形成できるので有効であ
る。この気泡の成長、収縮により吐出用開口を介して液
体(インク)を吐出させて、少なくとも一つの滴を形成
する。
As the recording means used in the information processing apparatus of the present invention, those whose typical constitutions and principles are disclosed in, for example, US Pat. Nos. 4,723,129 and 4,740,796 are preferable. According to this method, at least one of the electrothermal converters arranged corresponding to the sheet or the liquid path holding the liquid (ink) is subjected to the recorded information and rapidly increases in temperature over the nucleate boiling. By applying a drive signal, heat energy is generated in the electrothermal converter to cause film boiling on the heat-acting surface of the recording head 110, and as a result, one-to-one correspondence with this drive signal occurs in the liquid (ink). This is effective because bubbles can be formed. Liquid (ink) is ejected through the ejection openings by the growth and contraction of the bubbles to form at least one droplet.

【0066】更に、記録装置が記録できる最大記録媒体
の幅に対応した長さを有するフルラインタイプの記録ヘ
ッド110としては、上述した明細書に開示されている
ような複数記録ヘッドの組み合わせによって、その長さ
を満たす構成や一体的に形成された一個の記録ヘッドと
しての構成のいずれでも良い。
Further, as the full line type recording head 110 having a length corresponding to the width of the maximum recording medium which can be recorded by the recording apparatus, a combination of a plurality of recording heads as disclosed in the above-mentioned specification is used. Either a structure satisfying the length or a structure as one recording head integrally formed may be used.

【0067】加えて、装置本体に装着されることで、装
置本体との電気的な接続や装置本体からのインクの供給
が可能になる交換自在のチップタイプの記録ヘッド、あ
るいは記録ヘッド自体にインクタンクが一体的に設けら
れたカートリッジタイプの記録ヘッドを用いた場合にも
本発明は有効である。
In addition, the ink can be attached to the replaceable chip type recording head or the recording head itself, which can be electrically connected to the apparatus main body and can supply ink from the apparatus main body by being attached to the apparatus main body. The present invention is also effective when a cartridge type recording head in which a tank is integrally provided is used.

【0068】次に本発明の第2の密着型イメージセンサ
について説明する。
Next, the second contact type image sensor of the present invention will be described.

【0069】[第1の実施例]図9により、本発明の第
1の実施例を説明する。図9は本発明の密着型イメージ
センサを、図12に示した従来例と同方向の断面から見
た図である。
[First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a view of the contact image sensor of the present invention as seen from a cross section in the same direction as the conventional example shown in FIG.

【0070】図9において、28は短焦点結像素子アレ
イ(ここでは例として、前出のSLA−9シリーズTC
40を使用する。)、21はラインセンサ受光部、30
は光反射板、211は光源LED、213は光軸中心
線、32は読み取る原稿、34は光源211から発光さ
れる光の光軸中心線を示している。
In FIG. 9, 28 is a short-focus image forming element array (here, as an example, the above-mentioned SLA-9 series TC is used.
40 is used. ), 21 is a line sensor light receiving part, 30
Is a light reflection plate, 211 is a light source LED, 213 is an optical axis center line, 32 is a document to be read, and 34 is an optical axis center line of light emitted from the light source 211.

【0071】図9の動作説明をする、原稿32に光源2
11の発光する光を照射し、原稿32からの反射光は、
光反射板30により反射されて向きを変えられ、短焦点
結像素子アレイ28の光軸に沿って入射する。更にこの
反射光は、短焦点結像素子アレイ28により、受光部ラ
インセンサ21に結像される。
The operation of FIG. 9 will be described.
11 emitted light is emitted, and the reflected light from the original 32 is
The light is reflected by the light reflecting plate 30 to change its direction, and is incident along the optical axis of the short focus image forming element array 28. Further, this reflected light is imaged on the light receiving section line sensor 21 by the short focus imaging element array 28.

【0072】ここで本実施例に使用する短焦点結像素子
アレイ28(セルホックレンズアレイSLA−9TC4
0)について、図18を参照して説明する。
Here, the short focus image forming element array 28 (selfoc lens array SLA-9TC4) used in this embodiment is used.
0) will be described with reference to FIG.

【0073】図18(a)は結像素子アレイ28の外形
図であり、図18(b)は図18(a)のE−E′断面
図である。
FIG. 18A is an external view of the imaging element array 28, and FIG. 18B is a sectional view taken along line EE 'of FIG. 18A.

【0074】図において、41はレンズ素子であり、1
つの直径は1.045mmである。ZO は結像素子アレ
イ28の高さ(厚さ)でZO =21.71mm±1.6
mmである。
In the figure, 41 is a lens element, and 1
One diameter is 1.045 mm. Z O is the height (thickness) of the imaging element array 28, and Z O = 21.71 mm ± 1.6
mm.

【0075】図18(b)において、42は仮想原稿
面、43は仮想受光面であり、l=9.15mmで完全
に結像する。
In FIG. 18B, reference numeral 42 is a virtual original surface, and 43 is a virtual light receiving surface, and a complete image is formed at l = 9.15 mm.

【0076】図9に示すように、本実施例では、l0
1 +l2 =lとなる。
As shown in FIG. 9, in this embodiment, l 0 =
l 1 + l 2 = l.

【0077】今、l1 =5.0mmとすると、l2 =l
−l1 =9.15−5.0=4.15mmとなる。但
し、原稿と接するガラス37の屈折率によりl2 はやや
ずれる。l0 も図14に示したラインセンサを覆う樹脂
206によりl0 =l=9.15mmよりややずれる。
Now, if l 1 = 5.0 mm, then l 2 = l
The -l 1 = 9.15-5.0 = 4.15mm. However, l 2 is slightly deviated due to the refractive index of the glass 37 in contact with the original. l 0 is also slightly deviated from l 0 = l = 9.15 mm by the resin 206 covering the line sensor shown in FIG.

【0078】l1 =5.0mmとするとL2 は約12m
mとなり、図12の従来例のL1 =43.0mmの1/
3以下である。
When l 1 = 5.0 mm, L 2 is about 12 m
m, which is 1 / L 1 = 43.0 mm of the conventional example of FIG.
It is 3 or less.

【0079】[第2の実施例]図10に、本発明の第2
の実施例を示す。第1の実施例では、短焦点結像素子ア
レイ28への原稿面からの光を光反射板30で反射後に
入射させていたが、本実施例では結像素子アレイ28か
らラインセンサ21への入射光も光反射板38により反
射させている。ここでl3 +l4 =l0 となり、l3
5.0mmとすると、l4 =l0 −l3 =4.15mm
となるが、図14に示した樹脂206の存在によりわず
かにずれる。第1の実施例でL3 は約46mmとなる
が、本実施例のL4 はl3 =5.0mmとすると約34
mmとなりさらに小型化される。
[Second Embodiment] FIG. 10 shows a second embodiment of the present invention.
An example of is shown. In the first embodiment, the light from the document surface to the short-focus imaging element array 28 is incident after being reflected by the light reflecting plate 30, but in the present embodiment, the light from the imaging element array 28 to the line sensor 21. Incident light is also reflected by the light reflection plate 38. Here, l 3 + l 4 = l 0 , and l 3 =
Assuming 5.0 mm, l 4 = l 0 −l 3 = 4.15 mm
However, the presence of the resin 206 shown in FIG. 14 causes a slight deviation. In the first embodiment, L 3 is about 46 mm, but when L 4 of this embodiment is l 3 = 5.0 mm, it is about 34 mm.
mm, further downsizing.

【0080】次に、図19は、このような密着型イメー
ジセンサを用いた情報処理装置としてのファクシミリ装
置を示す外観図であり、図20はその断面図である。
Next, FIG. 19 is an external view showing a facsimile apparatus as an information processing apparatus using such a contact type image sensor, and FIG. 20 is a sectional view thereof.

【0081】このような密着型マルチチップイメージセ
ンサ(ここでは符号310で示す)は、例えば、ファク
シミリの原稿読取位置に固定金具309を介して配設さ
れる。ここでは、ファクシミリ本体300の前縁に原稿
挿入口303が設けてあり、この原稿挿入口303のガ
イドステージ304には平行してスリット305が形成
され、該スリット305には原稿の挿入位置を決めるガ
イド駒306がスライド可能に装置してある。また、上
記ファクシミリ本体300の前部上面にはキイボードパ
ネル301及びオペレーションメッセージの表示部30
7が配置してあり、その直後に原稿取出し口302が設
けられている。
Such a contact type multi-chip image sensor (indicated by reference numeral 310 in this case) is arranged, for example, at a document reading position of a facsimile via a fixing member 309. Here, a document insertion port 303 is provided at the front edge of the facsimile main body 300, a slit 305 is formed in parallel with the guide stage 304 of the document insertion port 303, and an insertion position of the document is determined in the slit 305. The guide piece 306 is slidably mounted. Also, a key board panel 301 and an operation message display unit 30 are provided on the front upper surface of the facsimile main body 300.
7 is arranged, and the document take-out port 302 is provided immediately after that.

【0082】そして、上記原稿挿入口303から挿入し
た原稿318は分離片317を介して給送ローラ308
に至り、そこからプラテンローラ316と上記イメージ
センサ310との間を通り、上記原稿取出し口302に
排出される。
Then, the original 318 inserted through the original insertion port 303 is fed through the separating piece 317 to the feeding roller 308.
From there, the sheet passes between the platen roller 316 and the image sensor 310, and is discharged to the document outlet 302.

【0083】上記ファクシミリ本体300の後部にはロ
ール状の記録紙314が収納されていて、その端部がプ
ラテンローラ315を介して外部に取り出されるように
なっており、上記プラテンローラ315の位置で、記録
ヘッド311により情報の記録がなされる。なお、図
中、符号312はファクシミリのシステムコントロール
基板であり、313は電源ユニットである。
Roll-shaped recording paper 314 is housed in the rear portion of the facsimile main body 300, and the end portion of the recording paper 314 is taken out through the platen roller 315 to the outside, and at the position of the platen roller 315. Information is recorded by the recording head 311. In the figure, reference numeral 312 is a facsimile system control board, and 313 is a power supply unit.

【0084】このような構成では、ラインセンサ21は
原稿読取りの際、第1番目から第N番目まで順次、読取
り動作され、その間、上記ガイド駒306で区切られた
原稿外の読取りデータは上記ファクシミリのシステムコ
ントローラで処理され、切り捨てられる。
With such a configuration, the line sensor 21 sequentially performs the reading operation from the 1st to the Nth at the time of reading the original, while the reading data outside the original divided by the guide piece 306 is read by the facsimile. It is processed and truncated by the system controller.

【0085】以上述べた実施例において、本発明はセン
サ部に、マルチチップ密着型イメージセンサを用いて
も、アモルファスタイプのものを使用してもかまわな
い。又、短焦点結像素子アレイとして「セルフォックレ
ンズアレイ」のSLA−9シリーズを例として使用した
が、同社の他のシリーズのものでも、又、現在実用化さ
れている「プラスチックロッドレンズアレイ」(三菱レ
イヨン株式会社製)を使用してもかまわない。
In the embodiments described above, the present invention may use either a multi-chip contact type image sensor or an amorphous type for the sensor unit. Also, the SLA-9 series of "SELFOC lens array" was used as an example of the array of short-focus imaging elements, but other series of the same company, "Plastic rod lens array", which is currently in practical use. (Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) may be used.

【0086】[0086]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イメージセンサの端部画素の副走査方向の読み取り幅を
短かくすることにより、非遮光領域の有無の違いから生
じる他の画素との実効的な受光(開口)面積の差をなく
し、出力信号のレベル差を製造コストを上げずに補正で
きる効果がある。
As described above, according to the present invention,
By making the reading width of the end pixel of the image sensor in the sub-scanning direction short, the difference in the effective light receiving (opening) area with other pixels due to the presence or absence of the non-light-shielding area is eliminated, and the output signal There is an effect that the level difference can be corrected without increasing the manufacturing cost.

【0087】また本発明によれば、読み取るべき原稿面
に対して短焦点結像素子アレイの光軸が平行となる位置
に短焦点結像素子アレイを配置し、その光軸が光反射板
により読み取るべき原稿面に向く様に光反射板を配置す
ることにより、 (1)密着型イメージセンサを小型、薄型にする。 (2)密着型イメージセンサを使用する情報処理装置の
小型、薄型化設計に自由度を与える。 ことが可能となる。
According to the present invention, the short focus imaging element array is arranged at a position where the optical axis of the short focus imaging element array is parallel to the original surface to be read, and the optical axis is formed by the light reflecting plate. By arranging the light reflection plate so as to face the document surface to be read, (1) the contact image sensor is made small and thin. (2) A degree of freedom is given to a compact and thin design of an information processing device using a contact image sensor. It becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例である密着型イメージセン
サの一部を拡大した模式的平面図である。
FIG. 1 is an enlarged schematic plan view of a part of a contact image sensor according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例である密着型イメージセン
サの全体の模式的平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view of the entire contact image sensor according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2実施例である密着型イメージセン
サの一部を拡大した模式的平面図である。
FIG. 3 is an enlarged schematic plan view of a part of the contact image sensor according to the second embodiment of the present invention.

【図4】本実施例のイメージセンサの一画素分の回路構
成図である。
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of one pixel of the image sensor of the present embodiment.

【図5】本実施例に係る密着型イメージセンサユニット
を用いて構成した画像情報処理装置として通信機能を有
するファクシミリの一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a facsimile having a communication function as an image information processing apparatus configured by using the contact image sensor unit according to the present embodiment.

【図6】密着型イメージセンサのセンサチップにおける
1つの画素を含む部分の断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a portion including one pixel in the sensor chip of the contact image sensor.

【図7】画素の電極に対する電源及び信号線の引きまわ
し配線の一例を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a wiring around a power supply and a signal line with respect to an electrode of a pixel.

【図8】従来例の密着型イメージセンサにおける配線引
きまわしの一例を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of wiring distribution in a conventional contact image sensor.

【図9】本発明の第1の実施例を示す断面図であるであ
る。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the first embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施例を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.

【図11】従来の密着型イメージセンサ外形図である。FIG. 11 is an external view of a conventional contact image sensor.

【図12】従来の密着型イメージセンサの断面図であ
る。
FIG. 12 is a cross-sectional view of a conventional contact image sensor.

【図13】従来の密着型イメージセンサの内部構造を示
す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing the internal structure of a conventional contact image sensor.

【図14】ラインセンサを示す斜視図(a)及びその断
面図(b)である。
FIG. 14 is a perspective view (a) and a cross-sectional view (b) showing the line sensor.

【図15】ラインセンサの平面図である。FIG. 15 is a plan view of a line sensor.

【図16】個々のラインセンサの構造を示す平面図であ
る。
FIG. 16 is a plan view showing the structure of each line sensor.

【図17】LED光源の斜視図である。FIG. 17 is a perspective view of an LED light source.

【図18】短焦点結像素子の構造、及びその光軸を説明
する図である。
FIG. 18 is a diagram illustrating the structure of a short-focus imaging element and its optical axis.

【図19】ファクシミリ装置の斜視図である。FIG. 19 is a perspective view of a facsimile device.

【図20】ファクシミリ装置の断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view of a facsimile device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 p型基板 2 n−エピタキシャル層 3 バイポーラトランジスタ 3B ベース領域 3E エミッタ領域 3C コレクタ領域 4 n型埋込み層 5 p型分離領域 6 コレクタカラー 7 酸化膜 8 PMOS型トランジスタ 8D ドレイン電極領域 8S ソース電極領域 8G ゲート電極 9 画素 10 層間絶縁膜 11 ラインセンサチップ 12 モジュール基板 A1 画素 A2 端部画素 LS1 電源及び遮光用AL線 LS2 電源及び遮光用AL線 P1 多結晶シリコン配線 P2 多結晶シリコン配線 H LS1 及びLS2 間で生じる非遮光領域 PS バイポーラトランジスタ SW1 NMOSトランジスタ SW2 PMOSトランジスタ SW3 NMOSトランジスタ CT 容量負荷 21 ラインセンサ 28 短焦点結像素子アレイ 30,38 光反射板 32 原稿 211 光源LED 213 光軸中心線1 p-type substrate 2 n-epitaxial layer 3 bipolar transistor 3B base region 3E emitter region 3C collector region 4 n-type buried layer 5 p-type isolation region 6 collector collar 7 oxide film 8 PMOS-type transistor 8D drain electrode region 8S source electrode region 8G Gate electrode 9 Pixel 10 Interlayer insulating film 11 Line sensor chip 12 Module substrate A 1 Pixel A 2 Edge pixel LS 1 AL line for power supply and shading LS 2 Power supply and light-shielding AL line P 1 Polycrystalline silicon wiring P 2 Polycrystalline silicon wiring H LS 1 And LS 2 Non-light-shielding area that occurs between PS PS Bipolar transistor SW 1 NMOS transistor SW 2 PMOS transistor SW 3 NMOS transistor CT Capacitive load 21 Line sensor 28 Short-focus imaging element array 30, 38 Light reflector 32 Original 211 Light source LED 213 Optical axis center line

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画素を複数個配列し、遮光層となって該
画素の開口部を規定するとともに該画素の電極となる電
極配線を端部画素から引き出すイメージセンサにおい
て、 前記端部画素の主走査方向の読み取り幅を他の画素と等
しくしたまま、副走査方向の読み取り幅を短かくして、
前記端部画素の開口面積を他の画素の開口面積と同一に
したことを特徴とするイメージセンサ。
1. An image sensor in which a plurality of pixels are arranged to serve as a light-shielding layer to define an opening of the pixel and an electrode wiring serving as an electrode of the pixel is drawn out from the end pixel. While keeping the reading width in the scanning direction equal to other pixels, shorten the reading width in the sub-scanning direction,
An image sensor, wherein the opening area of the end pixel is the same as the opening area of other pixels.
【請求項2】 前記画素の光電変換部は増幅型光センサ
である請求項1に記載のイメージセンサ。
2. The image sensor according to claim 1, wherein the photoelectric conversion unit of the pixel is an amplification type optical sensor.
【請求項3】 前記画素の光電変換部は光ダイオードで
あり、この光ダイオードからの信号電荷を転送する為の
電荷結合素子が設けられている請求項1に記載のイメー
ジセンサ。
3. The image sensor according to claim 1, wherein the photoelectric conversion unit of the pixel is a photo diode, and a charge coupled device for transferring a signal charge from the photo diode is provided.
【請求項4】 前記増幅型光センサはバイポーラトラン
ジスタ型光センサであり、このバイポーラトランジスタ
型光センサのエミッタに接続された容量負荷を含む出力
回路から光電変換された信号が前記容量負荷における電
圧として読み出される請求項2に記載のイメージセン
サ。
4. The amplification type optical sensor is a bipolar transistor type optical sensor, and a signal photoelectrically converted from an output circuit including a capacitive load connected to an emitter of the bipolar transistor type optical sensor is used as a voltage at the capacitive load. The image sensor according to claim 2, which is read out.
【請求項5】 請求項1に記載のイメージセンサを複数
個配列した密着型イメージセンサ。
5. A contact image sensor in which a plurality of the image sensors according to claim 1 are arranged.
【請求項6】 画素の全てが同じピッチにて配列されて
いる請求項5に記載の密着型イメージセンサ。
6. The contact image sensor according to claim 5, wherein all the pixels are arranged at the same pitch.
【請求項7】 請求項5又は請求項6記載の密着型イメ
ージセンサを搭載した情報処理装置。
7. An information processing apparatus equipped with the contact image sensor according to claim 5 or 6.
【請求項8】 短焦点結像素子アレイを光学系とする密
着型イメージセンサにおいて、 前記短焦点結像素子アレイを、その光軸が、読み取るべ
き原稿面と実質的に平行となるように配置し、かつ前記
原稿面からの反射光の向きを変えて前記短焦点結像素子
アレイの光軸に沿って入射させる光反射板を設けたこと
を特徴とする密着型イメージセンサ。
8. A contact type image sensor using a short-focus image forming element array as an optical system, wherein the short-focus image forming element array is arranged such that its optical axis is substantially parallel to a document surface to be read. In addition, the contact type image sensor is provided with a light reflecting plate which changes the direction of the reflected light from the document surface and makes the light incident along the optical axis of the short focus image forming element array.
【請求項9】 前記短焦点結像素子アレイの光軸をセン
サに向ける光反射板を配置したことを特徴とする請求項
8に記載の密着型イメージセンサ。
9. The contact-type image sensor according to claim 8, wherein a light reflection plate is arranged so that an optical axis of the short-focus imaging element array is directed toward the sensor.
【請求項10】 前記原稿面からの反射光の向きを90
°変えるように前記光反射板を配置したことを特徴とす
る請求項8に記載の密着型イメージセンサ。
10. The direction of reflected light from the document surface is set to 90.
9. The contact image sensor according to claim 8, wherein the light reflection plate is arranged so as to be changed.
【請求項11】 請求項8又は請求項9に記載の密着型
イメージセンサと、原稿を該イメージセンサの原稿読取
位置に支持する手段とを具備したことを特徴とする情報
処理装置。
11. An information processing apparatus comprising: the contact image sensor according to claim 8 or 9, and means for supporting a document at a document reading position of the image sensor.
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