JPH05315467A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH05315467A JPH05315467A JP4113468A JP11346892A JPH05315467A JP H05315467 A JPH05315467 A JP H05315467A JP 4113468 A JP4113468 A JP 4113468A JP 11346892 A JP11346892 A JP 11346892A JP H05315467 A JPH05315467 A JP H05315467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- substrate
- hole
- substrates
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 15
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子および放熱板の間の熱抵抗を改善
し、小型化かつ製造を容易なものとすること。 【構成】 放熱板９上に搭載される第１絶縁基板１にこ
れを貫通した穴部２５または切り欠き部２６を設け、半
導体素子が搭載される絶縁体もしくは金属からなる第２
基板２、３を上記穴部または上記切り欠き部の内周面に
対し余裕をもって収容し、上記穴部または切り欠き部に
収容した第２基板と穴部または上記切り欠き部の内周面
とを接合剤４ａ、４ｂにより一部で接合して一体化して
あることを特徴とする。
し、小型化かつ製造を容易なものとすること。 【構成】 放熱板９上に搭載される第１絶縁基板１にこ
れを貫通した穴部２５または切り欠き部２６を設け、半
導体素子が搭載される絶縁体もしくは金属からなる第２
基板２、３を上記穴部または上記切り欠き部の内周面に
対し余裕をもって収容し、上記穴部または切り欠き部に
収容した第２基板と穴部または上記切り欠き部の内周面
とを接合剤４ａ、４ｂにより一部で接合して一体化して
あることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特に高周波電力増幅
用の厚膜混成集積回路装置に関するものである。
用の厚膜混成集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、無線通信装置の電力増幅部をハイ
ブリッド型の集積回路としたものが多く提供され、より
小型化する傾向がある。従来の装置としては、例えば、
図３、図４に示すようなものや、図５、図６に示すよう
なものがある。図３、図４に示すものは、アルミナ等か
らなる第１絶縁基板１の表面に、メタライズされた導体
膜である入力用導体５ａ、出力用導体５ｂおよび接地用
導体５ｃが形成されている。７は半導体素子（トランジ
スタ）を示し、その半導体素子７のボンディングパッド
に金属細線８ａ、８ｂを介してそれぞれ入力用導体５
ａ、接地用導体５ｃ上に接続されている。また基板１上
には回路上必要な導体、回路素子が形成されている。
ブリッド型の集積回路としたものが多く提供され、より
小型化する傾向がある。従来の装置としては、例えば、
図３、図４に示すようなものや、図５、図６に示すよう
なものがある。図３、図４に示すものは、アルミナ等か
らなる第１絶縁基板１の表面に、メタライズされた導体
膜である入力用導体５ａ、出力用導体５ｂおよび接地用
導体５ｃが形成されている。７は半導体素子（トランジ
スタ）を示し、その半導体素子７のボンディングパッド
に金属細線８ａ、８ｂを介してそれぞれ入力用導体５
ａ、接地用導体５ｃ上に接続されている。また基板１上
には回路上必要な導体、回路素子が形成されている。
【０００３】半導体素子７は、高周波領域での大電力増
幅に使用するため発熱量が大きく、そのため半導体素子
７の放熱をよくするために、導体５ｂ上に放熱プレート
１１が設けられている。この放熱プレート１１上に半導
体素子７が半田材により接合されている。また、回路装
置全体の放熱性をよくするために放熱板９が半田材１０
を介して第１絶縁基板１の裏面に設けられている。絶縁
基板１の上下面を導通させるためにスルーホール１２を
穿設してある。１３は外部接続用の電源端子、及び入力
端子であり、１４はキャップである。
幅に使用するため発熱量が大きく、そのため半導体素子
７の放熱をよくするために、導体５ｂ上に放熱プレート
１１が設けられている。この放熱プレート１１上に半導
体素子７が半田材により接合されている。また、回路装
置全体の放熱性をよくするために放熱板９が半田材１０
を介して第１絶縁基板１の裏面に設けられている。絶縁
基板１の上下面を導通させるためにスルーホール１２を
穿設してある。１３は外部接続用の電源端子、及び入力
端子であり、１４はキャップである。
【０００４】図５、図６に示すものは、半導体素子の発
熱量が非常に大きくなった場合の半導体装置の構造であ
り、上述した放熱プレート１１の代わりに、第２絶縁基
板１５として熱伝導性の非常によいベリリア等を使用す
る。第２絶縁基板１５上の半導体組み立ては別の工程で
行い、半田付け工程で放熱板９上への搭載が行われ、第
２絶縁基板１５にロウ付けされているリード１６、１７
が第１絶縁基板１の導体膜５ａ、５ｂと半田１８により
接続される。このように第２絶縁基板１５上の半導体組
み立てを別の工程で行ってから半田付け工程で放熱板９
上へ搭載する理由は、第１絶縁基板１と第２絶縁基板１
５との材質の違いによる熱膨張係数の相違から、例えば
後述する図７に示すように埋設したのではこれらの基板
が割れる危険が極めて大きいので、基板間に隙間をもた
せて放熱板９に固定するようにしたのである。
熱量が非常に大きくなった場合の半導体装置の構造であ
り、上述した放熱プレート１１の代わりに、第２絶縁基
板１５として熱伝導性の非常によいベリリア等を使用す
る。第２絶縁基板１５上の半導体組み立ては別の工程で
行い、半田付け工程で放熱板９上への搭載が行われ、第
２絶縁基板１５にロウ付けされているリード１６、１７
が第１絶縁基板１の導体膜５ａ、５ｂと半田１８により
接続される。このように第２絶縁基板１５上の半導体組
み立てを別の工程で行ってから半田付け工程で放熱板９
上へ搭載する理由は、第１絶縁基板１と第２絶縁基板１
５との材質の違いによる熱膨張係数の相違から、例えば
後述する図７に示すように埋設したのではこれらの基板
が割れる危険が極めて大きいので、基板間に隙間をもた
せて放熱板９に固定するようにしたのである。
【０００５】実開昭６２−１０７４４５号には、絶縁基
板上にペレットを実装したヒートシンクを搭載した構成
のものでは、ワイヤボンディングの際にヒートシンクの
角部がワイヤに接触しやすい欠点と、絶縁基板上面から
ヒートシンクとペレットがとび出しているために装置の
厚みを厚くしている欠点とを有するから、この欠点を改
良するために、図７に示すような構造の混成集積回路装
置が提案されている。すなわち、絶縁基板２０に貫通孔
２１を設け、その孔２１にヒートシンク２２が埋め込ま
れペレット２３がヒートシンク２２上にあり、ペレット
２３の上面が絶縁基板２０の上面よりも低くなってい
る、というものである。
板上にペレットを実装したヒートシンクを搭載した構成
のものでは、ワイヤボンディングの際にヒートシンクの
角部がワイヤに接触しやすい欠点と、絶縁基板上面から
ヒートシンクとペレットがとび出しているために装置の
厚みを厚くしている欠点とを有するから、この欠点を改
良するために、図７に示すような構造の混成集積回路装
置が提案されている。すなわち、絶縁基板２０に貫通孔
２１を設け、その孔２１にヒートシンク２２が埋め込ま
れペレット２３がヒートシンク２２上にあり、ペレット
２３の上面が絶縁基板２０の上面よりも低くなってい
る、というものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３、図４に示したも
のでは、半導体素子７の放熱をよくするために放熱プレ
ート１１を第１絶縁基板１上に搭載した構成であるか
ら、小型化するためには、上側に突出して高さが高くな
る点や第１絶縁基板１における占有面積が大きくなる点
に問題がある。図５、図６に示したものでは、第２絶縁
基板１５上の半導体組み立ては別の工程で行い、半田付
け工程で組み入れるようになっているから、工程数が多
い点、また第１絶縁基板１における占有面積が大きくな
る点で問題がある。図７に示したものでは、絶縁基板２
０の孔２１にヒートシンク２２を埋め込んだものである
から、双方の材質の違いによる熱膨張係数の相違によ
り、絶縁基板２０が割れる問題がある。
のでは、半導体素子７の放熱をよくするために放熱プレ
ート１１を第１絶縁基板１上に搭載した構成であるか
ら、小型化するためには、上側に突出して高さが高くな
る点や第１絶縁基板１における占有面積が大きくなる点
に問題がある。図５、図６に示したものでは、第２絶縁
基板１５上の半導体組み立ては別の工程で行い、半田付
け工程で組み入れるようになっているから、工程数が多
い点、また第１絶縁基板１における占有面積が大きくな
る点で問題がある。図７に示したものでは、絶縁基板２
０の孔２１にヒートシンク２２を埋め込んだものである
から、双方の材質の違いによる熱膨張係数の相違によ
り、絶縁基板２０が割れる問題がある。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、半導体素子および放熱板の間の
熱抵抗を改善し、小型化かつ製造が容易な高周波半導体
装置を提供することを目的とする。
ためになされたもので、半導体素子および放熱板の間の
熱抵抗を改善し、小型化かつ製造が容易な高周波半導体
装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の混成集積回路
装置は、放熱板上に搭載される第１絶縁基板にこれを貫
通した穴部または切り欠き部を設け、半導体素子が搭載
される絶縁体もしくは金属からなる第２基板を上記穴部
または上記切り欠き部の内周面に対し余裕をもって収容
し、上記穴部または切り欠き部に収容した第２基板と穴
部または上記切り欠き部の内周面とを接合剤により一部
で接合して一体化してあることを特徴とする。
装置は、放熱板上に搭載される第１絶縁基板にこれを貫
通した穴部または切り欠き部を設け、半導体素子が搭載
される絶縁体もしくは金属からなる第２基板を上記穴部
または上記切り欠き部の内周面に対し余裕をもって収容
し、上記穴部または切り欠き部に収容した第２基板と穴
部または上記切り欠き部の内周面とを接合剤により一部
で接合して一体化してあることを特徴とする。
【０００９】上記接合剤により一部で接合して一体化す
る場合、第２基板が四角形であるときはその一辺で接合
するのがよい。また、第２基板は熱伝導性のよいものと
するが、その材質は、絶縁基板の場合にはベリリアもし
くは窒化アルミ、金属の場合は銅とするのがよい。
る場合、第２基板が四角形であるときはその一辺で接合
するのがよい。また、第２基板は熱伝導性のよいものと
するが、その材質は、絶縁基板の場合にはベリリアもし
くは窒化アルミ、金属の場合は銅とするのがよい。
【００１０】
【作用】第１絶縁基板の穴部または切り欠き部に第２基
板を余裕をもって収容してその全周でなく一部で接合し
てあるため、第１絶縁基板と第２基板との材質の相違に
より熱膨張に差異があっても、熱応力の発生部分が接合
部周辺に限られ、第１絶縁基板や第２基板の割れる危険
が大幅に減少する。
板を余裕をもって収容してその全周でなく一部で接合し
てあるため、第１絶縁基板と第２基板との材質の相違に
より熱膨張に差異があっても、熱応力の発生部分が接合
部周辺に限られ、第１絶縁基板や第２基板の割れる危険
が大幅に減少する。
【００１１】上記第１絶縁基板と第２基板との一体化は
製造工程の比較的早い時期に行うことができるから、従
来のように第２基板に対するサブアセンブリの必要がな
くなる。このことは第２基板を従来のサブアセンブリし
て半田付け工程で組み入れる場合に比べて小さく形成で
きる。また、第２基板は第１絶縁基板とは別個に形成し
て接合するので、第１絶縁基板より熱伝導性のよいもの
を使用でき、これによって図３、図４に示した放熱プレ
ート１１を省略できる。
製造工程の比較的早い時期に行うことができるから、従
来のように第２基板に対するサブアセンブリの必要がな
くなる。このことは第２基板を従来のサブアセンブリし
て半田付け工程で組み入れる場合に比べて小さく形成で
きる。また、第２基板は第１絶縁基板とは別個に形成し
て接合するので、第１絶縁基板より熱伝導性のよいもの
を使用でき、これによって図３、図４に示した放熱プレ
ート１１を省略できる。
【００１２】
【実施例】実施例 図１は本発明の実施例を概略的に示す斜視図であり、図
２は図１のものに高周波半導体装置を実装した状態のＡ
−Ａ線に沿った断面図である。これらの図において図３
〜図６に示したものと同等部分は同一符号で示してあ
る。
２は図１のものに高周波半導体装置を実装した状態のＡ
−Ａ線に沿った断面図である。これらの図において図３
〜図６に示したものと同等部分は同一符号で示してあ
る。
【００１３】図１において、第１絶縁基板１は、四角形
の穴部２５、四角形の一辺で開放された切り欠き部２６
を設けられており、その穴部２５に第２基板２を、また
切り欠き部２６に第２基板３を、夫々周辺に小間隙を形
成する寸法に形成して余裕をもって収容し、上記四角形
の一辺に対応する部分で接合剤４ａ、４ｂにより接合さ
れている。この接合剤４ａ、４ｂは半導体素子７のダイ
ボンド時の温度（約４００°Ｃ）に十分耐えられる材
料、例えば５００°Ｃ付近で焼結させるガラス系のペー
スト材を用いる。そしてこの接合は、ダイボンディング
の前に行われ、第１絶縁基板１と第２基板２、３が一体
化されたものとする。図１の接地導体膜５ｃはスルーホ
ル１２を介して下面導体と接続している。この第１絶縁
基板１及び第２基板２、３に高周波半導体装置を実装す
ると図２のようになる。
の穴部２５、四角形の一辺で開放された切り欠き部２６
を設けられており、その穴部２５に第２基板２を、また
切り欠き部２６に第２基板３を、夫々周辺に小間隙を形
成する寸法に形成して余裕をもって収容し、上記四角形
の一辺に対応する部分で接合剤４ａ、４ｂにより接合さ
れている。この接合剤４ａ、４ｂは半導体素子７のダイ
ボンド時の温度（約４００°Ｃ）に十分耐えられる材
料、例えば５００°Ｃ付近で焼結させるガラス系のペー
スト材を用いる。そしてこの接合は、ダイボンディング
の前に行われ、第１絶縁基板１と第２基板２、３が一体
化されたものとする。図１の接地導体膜５ｃはスルーホ
ル１２を介して下面導体と接続している。この第１絶縁
基板１及び第２基板２、３に高周波半導体装置を実装す
ると図２のようになる。
【００１４】図２において、半導体素子７の裏面電極が
放熱板９と電気的に絶縁の必要な場合は、第２基板２は
絶縁基板とするが、電界効果形トランジスタのような場
合には、その裏面電極は放熱板９と電気的に同電位とな
るので、第２基板２は金属板でよい。勿論第２基板３に
おいても同様である。これらの材質は具体的には、第１
絶縁基板１はアルミナ、第２基板２、３はこれらが絶縁
基板の場合にはベリリアもしくは窒化アルミ、第２基板
２、３はこれらが金属板の場合には銅で構成する。同図
において、６ａ、６ｂは第２基板２が絶縁基板であると
きメタライズドした導体膜、８ｃは導体膜６ａと出力導
体膜５ｂを接続する金属細線である。
放熱板９と電気的に絶縁の必要な場合は、第２基板２は
絶縁基板とするが、電界効果形トランジスタのような場
合には、その裏面電極は放熱板９と電気的に同電位とな
るので、第２基板２は金属板でよい。勿論第２基板３に
おいても同様である。これらの材質は具体的には、第１
絶縁基板１はアルミナ、第２基板２、３はこれらが絶縁
基板の場合にはベリリアもしくは窒化アルミ、第２基板
２、３はこれらが金属板の場合には銅で構成する。同図
において、６ａ、６ｂは第２基板２が絶縁基板であると
きメタライズドした導体膜、８ｃは導体膜６ａと出力導
体膜５ｂを接続する金属細線である。
【００１５】このような構成の混成集積回路装置は、予
め第１絶縁基板１と第２基板２、３を一体化しておくこ
とが出でき、その一体化は四角形の一辺で接合され他の
辺が自由な状態であるから、熱膨張係数に違いがあって
も熱応力による破損の恐れがほとんどなくなり、第１絶
縁基板１および第２基板２、３に対するダイボンディン
グを同じ工程で行うことができ、第２基板２、３に対し
て半導体素子７等をサブアセンブリしておく必要がなく
なり、また、第２基板２、３は第１絶縁基板１とは別個
に形成して接合するものであるから、第１絶縁基板より
も熱伝導性のよいものを使用できて、図４に示したよう
な放熱プレート１１を設ける必要がなくなる。従って、
基板の割れを防止できてしかも組立工程の簡略化と小型
化を達成できる。
め第１絶縁基板１と第２基板２、３を一体化しておくこ
とが出でき、その一体化は四角形の一辺で接合され他の
辺が自由な状態であるから、熱膨張係数に違いがあって
も熱応力による破損の恐れがほとんどなくなり、第１絶
縁基板１および第２基板２、３に対するダイボンディン
グを同じ工程で行うことができ、第２基板２、３に対し
て半導体素子７等をサブアセンブリしておく必要がなく
なり、また、第２基板２、３は第１絶縁基板１とは別個
に形成して接合するものであるから、第１絶縁基板より
も熱伝導性のよいものを使用できて、図４に示したよう
な放熱プレート１１を設ける必要がなくなる。従って、
基板の割れを防止できてしかも組立工程の簡略化と小型
化を達成できる。
【００１６】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、複数の
絶縁基板もしくは金属板を部分的に接合して熱応力によ
る基板の割れの問題を解決するとともに組立工程の簡略
化と小型化を達成できる効果を奏する。
絶縁基板もしくは金属板を部分的に接合して熱応力によ
る基板の割れの問題を解決するとともに組立工程の簡略
化と小型化を達成できる効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例の第１絶縁基板と第２基板
を一体化した状態を示す概略斜視図である。
を一体化した状態を示す概略斜視図である。
【図２】図１に示す一体化した基板に高周波半導体を実
装した状態のＡ−Ａ線に沿った概略縦断面図である。
装した状態のＡ−Ａ線に沿った概略縦断面図である。
【図３】従来の高周波電力増幅用厚膜混成集積回路装置
の一例を示す概略斜視図である。
の一例を示す概略斜視図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿った縦断面図である。
【図５】従来の高周波電力増幅用厚膜混成集積回路装置
の他の例を示す斜視図である。
の他の例を示す斜視図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ線に沿った縦断面図である。
【図７】従来の混成集積回路装置のさらに他の例を示す
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
１ 第１絶縁基板 ２ 第２基板 ３ 第２基板 ４ａ 接合剤 ７ 半導体素子 ９ 放熱板 ２５ 穴部 ２６ 切り欠き部
Claims (1)
- 【請求項１】 放熱板上に搭載される第１絶縁基板にこ
れを貫通した穴部または切り欠き部を設け、半導体素子
が搭載される絶縁体もしくは金属からなる第２基板を上
記穴部または上記切り欠き部の内周面に対し余裕をもっ
て収容し、上記穴部または切り欠き部に収容した第２基
板と穴部または上記切り欠き部の内周面とを接合剤によ
り一部で接合して一体化してあることを特徴とする混成
集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113468A JPH05315467A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113468A JPH05315467A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315467A true JPH05315467A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14613018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4113468A Pending JPH05315467A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315467A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0836227A3 (en) * | 1996-10-09 | 1999-03-10 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| US6320756B1 (en) | 1999-01-18 | 2001-11-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Electronic device mounting structure using electronic device mounting member and cushioning |
| JP2007027227A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2010192496A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Kyocera Corp | 素子搭載用基板 |
| US9030005B2 (en) | 2010-08-27 | 2015-05-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2019041086A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-14 | 京セラ株式会社 | 半導体パッケージおよび半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02210852A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Hitachi Ltd | 高周波ビデオ増幅装置 |
-
1992
- 1992-05-06 JP JP4113468A patent/JPH05315467A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02210852A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Hitachi Ltd | 高周波ビデオ増幅装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0836227A3 (en) * | 1996-10-09 | 1999-03-10 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| US6320756B1 (en) | 1999-01-18 | 2001-11-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Electronic device mounting structure using electronic device mounting member and cushioning |
| JP2007027227A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2010192496A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Kyocera Corp | 素子搭載用基板 |
| US9030005B2 (en) | 2010-08-27 | 2015-05-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2019041086A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-14 | 京セラ株式会社 | 半導体パッケージおよび半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5075759A (en) | Surface mounting semiconductor device and method | |
| US5796165A (en) | High-frequency integrated circuit device having a multilayer structure | |
| JP3009788B2 (ja) | 集積回路用パッケージ | |
| EP0468475B1 (en) | Power semiconductor device suitable for automation of production | |
| JPH11150225A (ja) | リードフレームベースの垂直相互接続パッケージ | |
| US4314270A (en) | Hybrid thick film integrated circuit heat dissipating and grounding assembly | |
| JP2956786B2 (ja) | 合成ハイブリッド半導体ストラクチャ | |
| JP3336982B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US5406120A (en) | Hermetically sealed semiconductor ceramic package | |
| TWI236741B (en) | Chip package and substrate | |
| JP3816821B2 (ja) | 高周波用パワーモジュール基板及びその製造方法 | |
| JPH05315467A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2728322B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6050354B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2021082714A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0645504A (ja) | 半導体装置 | |
| US6291893B1 (en) | Power semiconductor device for “flip-chip” connections | |
| JP2001274278A (ja) | マイクロ波半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3036256B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08148647A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6220701B2 (ja) | ||
| JPH04144162A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03175805A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPS6334962A (ja) | パツケ−ジ構造体 | |
| JP2002203938A (ja) | ハイブリッド半導体装置 |