JPH05314313A - 磁気インク文字読取り用磁気抵抗ヘッド - Google Patents
磁気インク文字読取り用磁気抵抗ヘッドInfo
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- JPH05314313A JPH05314313A JP4283459A JP28345992A JPH05314313A JP H05314313 A JPH05314313 A JP H05314313A JP 4283459 A JP4283459 A JP 4283459A JP 28345992 A JP28345992 A JP 28345992A JP H05314313 A JPH05314313 A JP H05314313A
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- G06K7/08—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes
- G06K7/082—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors
- G06K7/087—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors flux-sensitive, e.g. magnetic, detectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 文書１６とリードヘッド２２間の相対速度に
関係なく磁気インクで印字された文書の文字符号１６−
２を読取り可能であって、小型で安価に製造できる磁気
抵抗型リードヘッドを提供する。 【構成】 磁気抵抗技術を用いたＭＩＣＲ文字１６−２
を読取るための方法およびリードヘッド２２。第１およ
び第２の磁気抵抗センサー２２−１，２２−２がベース
上に支持された基板上に印刷形成される。この第１およ
び第２の磁気抵抗センサーは幅Ｗおよび両センサー間に
間隔Ｇを有し、ＷおよびＧは読取るべきＭＩＣＲ文字の
フォントに関連して定められる。第１および第２の磁気
抵抗センサーは全ブリッジ回路に接続され磁気抵抗技術
により適当な感度でＭＩＣＲ文字を読取る。
関係なく磁気インクで印字された文書の文字符号１６−
２を読取り可能であって、小型で安価に製造できる磁気
抵抗型リードヘッドを提供する。 【構成】 磁気抵抗技術を用いたＭＩＣＲ文字１６−２
を読取るための方法およびリードヘッド２２。第１およ
び第２の磁気抵抗センサー２２−１，２２−２がベース
上に支持された基板上に印刷形成される。この第１およ
び第２の磁気抵抗センサーは幅Ｗおよび両センサー間に
間隔Ｇを有し、ＷおよびＧは読取るべきＭＩＣＲ文字の
フォントに関連して定められる。第１および第２の磁気
抵抗センサーは全ブリッジ回路に接続され磁気抵抗技術
により適当な感度でＭＩＣＲ文字を読取る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気インクで印刷され
た磁界の強さが非常に弱い文字を磁気抵抗技術を用いて
読取る方法および装置に関するものである。
た磁界の強さが非常に弱い文字を磁気抵抗技術を用いて
読取る方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在用いられているＭＩＣＲ文字、即
ち、例えばＥ１３ＢやＣＭＣ７フォント形式で磁気イン
クにより印刷された文書の文字は磁界の強さが極端に弱
い。読める範囲で非常に弱く印刷されたＣＭＣ７フォン
トのバーまたはコード文字は磁界の強さが約０．０６ガ
ウスである。従来、このような弱い磁界の強さを確実に
検出するために、誘導技術を適用した読取り用リードヘ
ッドが用いられていた。
ち、例えばＥ１３ＢやＣＭＣ７フォント形式で磁気イン
クにより印刷された文書の文字は磁界の強さが極端に弱
い。読める範囲で非常に弱く印刷されたＣＭＣ７フォン
トのバーまたはコード文字は磁界の強さが約０．０６ガ
ウスである。従来、このような弱い磁界の強さを確実に
検出するために、誘導技術を適用した読取り用リードヘ
ッドが用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、誘導型
のリードヘッドを用いてＭＩＣＲ文書のデータを読取る
場合には、以下のような問題が生ずる。 １．リードヘッドは多数のコイル巻線を内部に有するた
め、構造が大型になるとともに、手作業あるいは半自動
化工程による製造コストが大きくなる。
のリードヘッドを用いてＭＩＣＲ文書のデータを読取る
場合には、以下のような問題が生ずる。 １．リードヘッドは多数のコイル巻線を内部に有するた
め、構造が大型になるとともに、手作業あるいは半自動
化工程による製造コストが大きくなる。
【０００４】２．充分な信号強度を得るためには、リー
ドヘッドと読取るべき文書上のＭＩＣＲ文字との間に大
きな相対速度が必要である。即ち、出力強度は上記相対
速度により定まる。従来は、約４００インチ／秒（１０
１６ｃｍ／秒）が静止リードヘッドに対する実行可能な
最高の文書移動速度であった。一方低速側については、
約４５インチ／秒（１１４．３ｃｍ／秒）が充分な読取
り出力を得るための最低必要速度であった。約２０イン
チ／秒（５０．８ｃｍ／秒）の速度で、実用上実施可能
な回転数で用いた場合、誘導型リードヘッドは出力を発
生しない。
ドヘッドと読取るべき文書上のＭＩＣＲ文字との間に大
きな相対速度が必要である。即ち、出力強度は上記相対
速度により定まる。従来は、約４００インチ／秒（１０
１６ｃｍ／秒）が静止リードヘッドに対する実行可能な
最高の文書移動速度であった。一方低速側については、
約４５インチ／秒（１１４．３ｃｍ／秒）が充分な読取
り出力を得るための最低必要速度であった。約２０イン
チ／秒（５０．８ｃｍ／秒）の速度で、実用上実施可能
な回転数で用いた場合、誘導型リードヘッドは出力を発
生しない。
【０００５】３．リードヘッドの物理的寸法が大きくな
る。 ４．高いＳ／Ｎ比を得るためには、リードヘッドとＭＩ
ＣＲ文字との間の相対速度を高速に保たなければならな
い。
る。 ４．高いＳ／Ｎ比を得るためには、リードヘッドとＭＩ
ＣＲ文字との間の相対速度を高速に保たなければならな
い。
【０００６】磁気抵抗技術を適用した従来のリードヘッ
ドにおいては、文書上のＭＩＣＲデータや文字、符号を
読取るために充分な強度の信号が発生されなかった。
ドにおいては、文書上のＭＩＣＲデータや文字、符号を
読取るために充分な強度の信号が発生されなかった。
【０００７】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、文書とリードヘッド間の相対速度に関
係なく文書の文字符号を読取り可能であって、小型で安
価に製造できる磁気抵抗型リードヘッドの提供を目的と
する。
たものであって、文書とリードヘッド間の相対速度に関
係なく文書の文字符号を読取り可能であって、小型で安
価に製造できる磁気抵抗型リードヘッドの提供を目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、リードヘッド内に新規構成の読取り素
子を設けた磁気抵抗技術を用い、文書からＭＩＣＲ文字
を読取るときに読取り素子からの出力を用いて必要な感
度を得るための特別な回路を備えている。
め、本発明では、リードヘッド内に新規構成の読取り素
子を設けた磁気抵抗技術を用い、文書からＭＩＣＲ文字
を読取るときに読取り素子からの出力を用いて必要な感
度を得るための特別な回路を備えている。
【０００９】即ち、本発明においては、磁気インクで印
字された符号を読取るためのリードヘッドにおいて：第
１および第２の磁気抵抗センサーを有する基板を備え、
該第１および第２の磁気抵抗センサーは幅がＷで両セン
サー間の間隔がＧであって、これらのＷおよびＧの値は
読取るべき符号のフォントに対応して定められ；さらに
前記第１および第２の磁気抵抗センサーを回路に接続す
るための結合手段を備えている。
字された符号を読取るためのリードヘッドにおいて：第
１および第２の磁気抵抗センサーを有する基板を備え、
該第１および第２の磁気抵抗センサーは幅がＷで両セン
サー間の間隔がＧであって、これらのＷおよびＧの値は
読取るべき符号のフォントに対応して定められ；さらに
前記第１および第２の磁気抵抗センサーを回路に接続す
るための結合手段を備えている。
【００１０】
【作用】本発明に係るリードヘッドは、薄膜装置として
形成され、小型な形状が得られかつ安価に製造できる。
本発明に係るリードヘッドからの出力信号強度は、文書
上の文字とリードヘッド間の相対速度に無関係である。
形成され、小型な形状が得られかつ安価に製造できる。
本発明に係るリードヘッドからの出力信号強度は、文書
上の文字とリードヘッド間の相対速度に無関係である。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明に係るリードヘッドが用いら
れた記録再生装置１０のブロック構成図である。この装
置１０は、読取るべき文書１６を受ける文書トラック１
４を含む。文書１６の下部には、図１に示すように、Ｍ
ＩＣＲ帯である磁気インク文字書込み用の帯領域１６−
１が設けられ、この帯領域１６−１内に読取るべきＭＩ
ＣＲ文字１６−２が形成されている。この装置１０はさ
らに文書移送手段１８を含む。この文書移送手段１８
は、文書１６を書込み用ライトヘッド２０を通過させて
移送し、ここで読取るべき文書上の磁気インク文字が磁
化される。続いて文書移送手段１８は、本発明に係るリ
ードヘッド２２の動作に合せて文書１６を移送する。リ
ードヘッド２２の出力は読取り回路２４に送られ、この
回路２４の出力はコントローラ２６に送られる。
れた記録再生装置１０のブロック構成図である。この装
置１０は、読取るべき文書１６を受ける文書トラック１
４を含む。文書１６の下部には、図１に示すように、Ｍ
ＩＣＲ帯である磁気インク文字書込み用の帯領域１６−
１が設けられ、この帯領域１６−１内に読取るべきＭＩ
ＣＲ文字１６−２が形成されている。この装置１０はさ
らに文書移送手段１８を含む。この文書移送手段１８
は、文書１６を書込み用ライトヘッド２０を通過させて
移送し、ここで読取るべき文書上の磁気インク文字が磁
化される。続いて文書移送手段１８は、本発明に係るリ
ードヘッド２２の動作に合せて文書１６を移送する。リ
ードヘッド２２の出力は読取り回路２４に送られ、この
回路２４の出力はコントローラ２６に送られる。
【００１２】リードヘッド２２についてさらに詳細に説
明する前に、磁気インクで印刷された２種類の異なる型
の文字フォントについて以下に説明する。図２はＣＭＣ
７フォントで印字された”０”を表す符号２８を示す。
図３はこの符号２８がリードヘッド２２を通過したとき
に得られるこの符号に対応した波形３０を示す。同様
に、図４はＣＭＣフォントで印字された”１”を表す符
号３２を示す。図５はこの符号３２に対応した波形３４
を示す。図６はＥ１３Ｂフォントで印字された”０”を
表す符号３６を示す。図７はこの符号３６がリードヘッ
ド２２を通過したときに得られるこの符号に対応した波
形３８を示す。同様に、図８はＥ１３Ｂフォントで印字
された”１”を表す符号４０を示し、図９はこの符号４
０に対応した波形４２を示す。以下本発明を上記２種類
のフォントに基づいて説明するが、本発明は原理的にこ
れらに限定されず磁気インクで印字された他の型やフォ
ントの符号に対しても適用可能である。
明する前に、磁気インクで印刷された２種類の異なる型
の文字フォントについて以下に説明する。図２はＣＭＣ
７フォントで印字された”０”を表す符号２８を示す。
図３はこの符号２８がリードヘッド２２を通過したとき
に得られるこの符号に対応した波形３０を示す。同様
に、図４はＣＭＣフォントで印字された”１”を表す符
号３２を示す。図５はこの符号３２に対応した波形３４
を示す。図６はＥ１３Ｂフォントで印字された”０”を
表す符号３６を示す。図７はこの符号３６がリードヘッ
ド２２を通過したときに得られるこの符号に対応した波
形３８を示す。同様に、図８はＥ１３Ｂフォントで印字
された”１”を表す符号４０を示し、図９はこの符号４
０に対応した波形４２を示す。以下本発明を上記２種類
のフォントに基づいて説明するが、本発明は原理的にこ
れらに限定されず磁気インクで印字された他の型やフォ
ントの符号に対しても適用可能である。
【００１３】図１０および図１１は、図１のリードヘッ
ド２２をさらに詳細に示す。リードヘッド２２は、第１
および第２の磁気抵抗素子２２−１，２２−２を含む。
これらの磁気抵抗素子は、シリコン基板２２−３（図１
１）上に沈積形成されガラス等のベース２２−３１上に
搭載される。端末ピン２２−４，２２−５等の接続手段
が第１の磁気抵抗素子２２−１と外部回路とを結合する
ために用いられる。同様に、端末ピン２２−６，２２−
７が第２の磁気抵抗素子２２−２と外部回路とを結合す
るために用いられる。この実施例では、第１および第２
の磁気抵抗素子２２−１，２２−２はＮｉＦｅ合金から
なり基板２２−３上に沈積形成されガラスベース２２−
３１上に搭載される。
ド２２をさらに詳細に示す。リードヘッド２２は、第１
および第２の磁気抵抗素子２２−１，２２−２を含む。
これらの磁気抵抗素子は、シリコン基板２２−３（図１
１）上に沈積形成されガラス等のベース２２−３１上に
搭載される。端末ピン２２−４，２２−５等の接続手段
が第１の磁気抵抗素子２２−１と外部回路とを結合する
ために用いられる。同様に、端末ピン２２−６，２２−
７が第２の磁気抵抗素子２２−２と外部回路とを結合す
るために用いられる。この実施例では、第１および第２
の磁気抵抗素子２２−１，２２−２はＮｉＦｅ合金から
なり基板２２−３上に沈積形成されガラスベース２２−
３１上に搭載される。
【００１４】読取るべきＭＩＣＲ文字に対するプリント
ヘッド２２の関係は図１０に最もよく表されている。図
１０の上部は、図２で説明したＣＭＣフォントの”０”
を表す符号２８を示している。図１０では、符号２８は
全体的に拡大され、垂直方向に圧縮されている。しかし
ながら、符号を形成するバーの幅や間隔は、同じ図１０
に示す第１および第２の磁気抵抗素子２２−１，２２−
２の幅に対し正確なスケールで描かれている。第１の磁
気抵抗素子２２−１の幅はＷ１で示され、第２の磁気抵
抗素子２２−２の幅はＷ２で示されている。この場合、
Ｗ１＝Ｗ２である。両磁気抵抗素子２２−１，２２−２
間の間隔はＧ１である。
ヘッド２２の関係は図１０に最もよく表されている。図
１０の上部は、図２で説明したＣＭＣフォントの”０”
を表す符号２８を示している。図１０では、符号２８は
全体的に拡大され、垂直方向に圧縮されている。しかし
ながら、符号を形成するバーの幅や間隔は、同じ図１０
に示す第１および第２の磁気抵抗素子２２−１，２２−
２の幅に対し正確なスケールで描かれている。第１の磁
気抵抗素子２２−１の幅はＷ１で示され、第２の磁気抵
抗素子２２−２の幅はＷ２で示されている。この場合、
Ｗ１＝Ｗ２である。両磁気抵抗素子２２−１，２２−２
間の間隔はＧ１である。
【００１５】ＣＭＣ７のコード化フォントで印字した符
号の各バー２８−１等は全て等しい幅Ｗ３を有する。ま
た、図示したこのフォントは２つの異なるバー間隔を有
する。狭い方の間隔はＷ４で表され、広い方の間隔はＷ
５で表されている。この場合、Ｗ５＝２（Ｗ４）であ
る。幅Ｗ３，Ｗ４，Ｗ５の各種組合せにおける各幅寸法
は使用されているフォントに対応して定まる。図１０に
示すように、ＷはＷ１＋Ｗ２＋Ｇ１即ち２Ｗ１＋Ｇ１に
等しい。好ましい実施例においては、Ｗは１／２Ｗ３に
等しいかまたはそれ未満である。また、Ｇ１は０．３×
Ｗ１に等しいかまたはそれ未満である。このようなパラ
メータ関係とすることにより、例えばＣＭＣ７フォント
においてバーの幅が最大でバー間隔が最小であるような
悪い状態においても、リードヘッド２２は最良の読取り
機能を発揮する。
号の各バー２８−１等は全て等しい幅Ｗ３を有する。ま
た、図示したこのフォントは２つの異なるバー間隔を有
する。狭い方の間隔はＷ４で表され、広い方の間隔はＷ
５で表されている。この場合、Ｗ５＝２（Ｗ４）であ
る。幅Ｗ３，Ｗ４，Ｗ５の各種組合せにおける各幅寸法
は使用されているフォントに対応して定まる。図１０に
示すように、ＷはＷ１＋Ｗ２＋Ｇ１即ち２Ｗ１＋Ｇ１に
等しい。好ましい実施例においては、Ｗは１／２Ｗ３に
等しいかまたはそれ未満である。また、Ｇ１は０．３×
Ｗ１に等しいかまたはそれ未満である。このようなパラ
メータ関係とすることにより、例えばＣＭＣ７フォント
においてバーの幅が最大でバー間隔が最小であるような
悪い状態においても、リードヘッド２２は最良の読取り
機能を発揮する。
【００１６】上記実施例いおいて、リードヘッド２２は
以下の寸法である。Ｗ１＝Ｗ２＝０．００１３インチ
（０．００３３０２ｃｍ）であり、これらの間隔Ｇ１は
０．０００３インチ（０．０００７６２ｃｍ）であり、
図１０に示すように合計の幅Ｗは０．００２９インチ
（０．００７３６６ｃｍ）になる。図１０に示すバー２
８−１等の各バーの幅Ｗ３は０．００６インチ（０．０
１５２４ｃｍ）であり、狭い方のバー間隔Ｗ４は同じく
０．００６インチ（０．０１５２４ｃｍ）である。な
お、ＣＭＣ７フォントでは、図１０に示すように、合計
の幅Ｗ（０．００２９インチ）はバー２８−１の幅Ｗ３
（０．００６インチ）より小さい。
以下の寸法である。Ｗ１＝Ｗ２＝０．００１３インチ
（０．００３３０２ｃｍ）であり、これらの間隔Ｇ１は
０．０００３インチ（０．０００７６２ｃｍ）であり、
図１０に示すように合計の幅Ｗは０．００２９インチ
（０．００７３６６ｃｍ）になる。図１０に示すバー２
８−１等の各バーの幅Ｗ３は０．００６インチ（０．０
１５２４ｃｍ）であり、狭い方のバー間隔Ｗ４は同じく
０．００６インチ（０．０１５２４ｃｍ）である。な
お、ＣＭＣ７フォントでは、図１０に示すように、合計
の幅Ｗ（０．００２９インチ）はバー２８−１の幅Ｗ３
（０．００６インチ）より小さい。
【００１７】従来技術に係る磁気抵抗リードヘッドの問
題の１つは、センサーの幅がバー２８−１等の幅より広
いことであった。図１２は、幅約０．０１０インチ
（０．０００２５４ｃｍ）の従来技術に係るリードヘッ
ド１４を示す。注意すべき点は、この幅の値が、符号２
８を構成するバー２８−１等の幅より大きいことであ
る。この結果磁気波形４６は、符号の一部を構成する２
本のバー２８−１，２８−２間の隙間を識別できない。
題の１つは、センサーの幅がバー２８−１等の幅より広
いことであった。図１２は、幅約０．０１０インチ
（０．０００２５４ｃｍ）の従来技術に係るリードヘッ
ド１４を示す。注意すべき点は、この幅の値が、符号２
８を構成するバー２８−１等の幅より大きいことであ
る。この結果磁気波形４６は、符号の一部を構成する２
本のバー２８−１，２８−２間の隙間を識別できない。
【００１８】本発明のリードヘッド２２により図１２の
符号２８と同じ部分を読取ったときに発生した磁気波形
４８を、図１２の波形４６の波形と比較するためこれと
同じスケールで図１３に示す。リードヘッド２２の幅Ｗ
（図１０）は、ＣＭＣ７フォントのバー２８−１の幅よ
り狭い。
符号２８と同じ部分を読取ったときに発生した磁気波形
４８を、図１２の波形４６の波形と比較するためこれと
同じスケールで図１３に示す。リードヘッド２２の幅Ｗ
（図１０）は、ＣＭＣ７フォントのバー２８−１の幅よ
り狭い。
【００１９】従来技術の読取り機の問題の１つは、文書
や勘定書等に印字されたＭＩＣＲ文字から発生する低レ
ベル信号を読取るために必要な感度が得られないことで
あった。
や勘定書等に印字されたＭＩＣＲ文字から発生する低レ
ベル信号を読取るために必要な感度が得られないことで
あった。
【００２０】上記本発明の実施例においては、リードヘ
ッド２２の磁気抵抗素子２２−１，２２−２はニッケル
−鉄の合金からなり、図１１で示すように、基板２２−
３上に沈積されている。各磁気抵抗素子２２−１，２２
−２の合計抵抗は１．６キロオームである。
ッド２２の磁気抵抗素子２２−１，２２−２はニッケル
−鉄の合金からなり、図１１で示すように、基板２２−
３上に沈積されている。各磁気抵抗素子２２−１，２２
−２の合計抵抗は１．６キロオームである。
【００２１】もう１つの重要な特徴は、１実施例におい
て、磁気抵抗素子２２−１，２２−２を作成するとき
に、１つの素子が受ける最大の磁界は約２００ガウスで
あるということである。磁気抵抗型の読取り機の問題の
１つは、磁気抵抗素子が高密度の磁界を受けると抵抗変
化により読取り信号を発生するが、この場合磁気抵抗素
子はその抵抗変化を初期状態に戻るまで長期間にわたっ
て保持することである。このために最大磁界強度を設定
する必要がでてくる。従って、もしリードヘッド２２が
非常に強い磁界環境で用いられる場合には、上記最大磁
界強度以下に抑えるために充分な磁気シールドが必要に
なる。
て、磁気抵抗素子２２−１，２２−２を作成するとき
に、１つの素子が受ける最大の磁界は約２００ガウスで
あるということである。磁気抵抗型の読取り機の問題の
１つは、磁気抵抗素子が高密度の磁界を受けると抵抗変
化により読取り信号を発生するが、この場合磁気抵抗素
子はその抵抗変化を初期状態に戻るまで長期間にわたっ
て保持することである。このために最大磁界強度を設定
する必要がでてくる。従って、もしリードヘッド２２が
非常に強い磁界環境で用いられる場合には、上記最大磁
界強度以下に抑えるために充分な磁気シールドが必要に
なる。
【００２２】図１４は、図１に概略図示した読取り回路
２４の回路図である。読取り機の方向を定めるため、図
１４の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２を例えば図１０の第
１および第２の磁気抵抗センサー素子２２−１，２２−
２にそれぞれ対応させる。文書１６が図１の移送手段に
より右に移送されると、磁気抵抗素子ＭＲ２が先に文書
１６上のＭＩＣＲ文字を感知する位置に達する。この実
施例においては、各磁気抵抗素子２２−１，２２−２は
ともに１．６キロオームの抵抗を有する。また、抵抗体
Ｒ１，Ｒ２はともに１．６キロオームの抵抗を有する。
これらの抵抗体Ｒ１，Ｒ２は図１０、図１１で点線で示
されている。
２４の回路図である。読取り機の方向を定めるため、図
１４の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２を例えば図１０の第
１および第２の磁気抵抗センサー素子２２−１，２２−
２にそれぞれ対応させる。文書１６が図１の移送手段に
より右に移送されると、磁気抵抗素子ＭＲ２が先に文書
１６上のＭＩＣＲ文字を感知する位置に達する。この実
施例においては、各磁気抵抗素子２２−１，２２−２は
ともに１．６キロオームの抵抗を有する。また、抵抗体
Ｒ１，Ｒ２はともに１．６キロオームの抵抗を有する。
これらの抵抗体Ｒ１，Ｒ２は図１０、図１１で点線で示
されている。
【００２３】上記読取り回路２４（図１４）の作用は以
下の通りである。リードヘッド２２に対面する文書１６
がない場合または文書１６の動きがない場合には、図示
した回路の接合点５０，５２の電圧は２．５ボルトであ
る。これらの接合点５０，５２は図示したように、キャ
パシターＣ１，Ｃ２を介して差動増幅器５４の（＋）お
よび（−）の入力端子に接続される。接合点５０，５２
の電圧が２．５ボルトの状態では差動増幅器５４の出力
は０ボルトである。この読取り回路２４は全ブリッジ回
路を形成している。これに対し従来技術の回路は、図１
２で説明したように、１つのセンサー素子が結合する半
ブリッジ回路である。
下の通りである。リードヘッド２２に対面する文書１６
がない場合または文書１６の動きがない場合には、図示
した回路の接合点５０，５２の電圧は２．５ボルトであ
る。これらの接合点５０，５２は図示したように、キャ
パシターＣ１，Ｃ２を介して差動増幅器５４の（＋）お
よび（−）の入力端子に接続される。接合点５０，５２
の電圧が２．５ボルトの状態では差動増幅器５４の出力
は０ボルトである。この読取り回路２４は全ブリッジ回
路を形成している。これに対し従来技術の回路は、図１
２で説明したように、１つのセンサー素子が結合する半
ブリッジ回路である。
【００２４】文書１６が左から右に移動すると（図
１）、ＭＩＣＲ文字はライトヘッド２０により公知態様
で励磁される。その後、文書１６は図１に示すように、
リードヘッド２２の作用に連動して移送され、磁気抵抗
素子ＭＲ２が最初に文書１６のＭＩＣＲデータに対面す
る。文書１６上のＭＩＣＲ文字からの磁束線が磁気抵抗
素子ＭＲ２に当ると、素子の抵抗が増加し、接合点５２
の電位レベルを文書がないときの２．５ボルト以下に落
とす。これにより接合点５０，５２間に電圧の差が生
じ、差動増幅器５４が出力を発生する。
１）、ＭＩＣＲ文字はライトヘッド２０により公知態様
で励磁される。その後、文書１６は図１に示すように、
リードヘッド２２の作用に連動して移送され、磁気抵抗
素子ＭＲ２が最初に文書１６のＭＩＣＲデータに対面す
る。文書１６上のＭＩＣＲ文字からの磁束線が磁気抵抗
素子ＭＲ２に当ると、素子の抵抗が増加し、接合点５２
の電位レベルを文書がないときの２．５ボルト以下に落
とす。これにより接合点５０，５２間に電圧の差が生
じ、差動増幅器５４が出力を発生する。
【００２５】文書１６がさらに右（図１）に移動する
と、磁気抵抗素子ＭＲ２に当っていたＭＩＣＲ文字から
の磁束線はもう一方の磁気抵抗素子ＭＲ１に当るように
なる。通常は、両磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ１に照射さ
れる磁束線は常にそうとは限らないが同じである。磁束
線が磁気抵抗素子ＭＲ１を照射すると、その抵抗値が増
加し、接合点５０の電圧を低下させる。接合点５２の電
圧が低下しそのすぐ後に接合点５０の電圧が低下するた
め、接合点５０，５２間の電位差はほとんどないかあっ
たとしてもわずかである。従って、差動増幅器５４から
の出力は非常に小さい。リードヘッド２２から充分な出
力を得ることが本発明の重要な特徴である。
と、磁気抵抗素子ＭＲ２に当っていたＭＩＣＲ文字から
の磁束線はもう一方の磁気抵抗素子ＭＲ１に当るように
なる。通常は、両磁気抵抗素子ＭＲ２，ＭＲ１に照射さ
れる磁束線は常にそうとは限らないが同じである。磁束
線が磁気抵抗素子ＭＲ１を照射すると、その抵抗値が増
加し、接合点５０の電圧を低下させる。接合点５２の電
圧が低下しそのすぐ後に接合点５０の電圧が低下するた
め、接合点５０，５２間の電位差はほとんどないかあっ
たとしてもわずかである。従って、差動増幅器５４から
の出力は非常に小さい。リードヘッド２２から充分な出
力を得ることが本発明の重要な特徴である。
【００２６】図１５は、図１に示す読取り回路２４の別
の実施例であり符号２４−２で表す。この回路２４−２
は、図１４の回路２４と同様の構成部品からなるが、前
記回路２４に比べリードヘッド２２から強い信号を出力
するように構成されている。このために、図１５に示す
ように、磁気抵抗素子ＭＲ１とこれに連結される抵抗体
の位置が逆転されている。リードヘッド２２の物理的レ
イアウトが同じと仮定すると、実質上同じ強度の磁束線
がまず磁気抵抗素子ＭＲ２とカップリングし、そのすぐ
後にこの磁束線は磁気抵抗素子ＭＲ１を照射する。磁束
線が磁気抵抗素子ＭＲ２に当ると前述のように接合点５
２の電圧が下がり、磁束線が磁気抵抗素子ＭＲ１に当る
と接合点５０の電圧が上昇する。例えば、接合点５２
（図１５）の電圧が２．５ボルトから約２ボルトに低下
し、接合点５０の電圧が２．５ボルトから約３ボルトに
上昇すると、１ボルトの電位差が生じこれが差動増幅器
５４に供給されこの増幅器を動作させる。
の実施例であり符号２４−２で表す。この回路２４−２
は、図１４の回路２４と同様の構成部品からなるが、前
記回路２４に比べリードヘッド２２から強い信号を出力
するように構成されている。このために、図１５に示す
ように、磁気抵抗素子ＭＲ１とこれに連結される抵抗体
の位置が逆転されている。リードヘッド２２の物理的レ
イアウトが同じと仮定すると、実質上同じ強度の磁束線
がまず磁気抵抗素子ＭＲ２とカップリングし、そのすぐ
後にこの磁束線は磁気抵抗素子ＭＲ１を照射する。磁束
線が磁気抵抗素子ＭＲ２に当ると前述のように接合点５
２の電圧が下がり、磁束線が磁気抵抗素子ＭＲ１に当る
と接合点５０の電圧が上昇する。例えば、接合点５２
（図１５）の電圧が２．５ボルトから約２ボルトに低下
し、接合点５０の電圧が２．５ボルトから約３ボルトに
上昇すると、１ボルトの電位差が生じこれが差動増幅器
５４に供給されこの増幅器を動作させる。
【００２７】図１５の読取り回路２４−２は図１４の読
取り回路２４に比べ２倍の感度を有する。実際には、接
合点５０，５２での電圧変化は１００マイクロボルト程
度である。回路２４，２４−２内に設けた抵抗体Ｒ１，
Ｒ２は使用中発熱する。抵抗体Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ熱
係数を有する。キャパシターＣ１，Ｃ２は、抵抗体Ｒ
１，Ｒ２に電流が流れた後に発生する緩やかなＤＣ変化
を除去するために設けられる。言換えると、文書上の文
字がリードヘッド２２を通過するときに発生するＡＣ変
化は検知後の変化である。
取り回路２４に比べ２倍の感度を有する。実際には、接
合点５０，５２での電圧変化は１００マイクロボルト程
度である。回路２４，２４−２内に設けた抵抗体Ｒ１，
Ｒ２は使用中発熱する。抵抗体Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ熱
係数を有する。キャパシターＣ１，Ｃ２は、抵抗体Ｒ
１，Ｒ２に電流が流れた後に発生する緩やかなＤＣ変化
を除去するために設けられる。言換えると、文書上の文
字がリードヘッド２２を通過するときに発生するＡＣ変
化は検知後の変化である。
【００２８】例えば読取り回路２４−２についてみる
と、その構成上、接合点５２での電位レベルはＶ／２か
ら（Ｖ／２−ｅ１）に変化する。接合点５０での電位レ
ベルはＶ／２から（Ｖ／２＋ｅ１）に変化する。ｅ１の
値は接合点５２，５０での電圧変化を表す。従って、増
幅器５４への入力は、増幅前の状態で、その差が（Ｖ／
２−ｅ１）−（Ｖ／２＋ｅ１）＝−２ｅ１となる。この
差は回路２４における差の２倍であり、従って読取り回
路２４−２の感度は回路２４の感度の２倍になる。
と、その構成上、接合点５２での電位レベルはＶ／２か
ら（Ｖ／２−ｅ１）に変化する。接合点５０での電位レ
ベルはＶ／２から（Ｖ／２＋ｅ１）に変化する。ｅ１の
値は接合点５２，５０での電圧変化を表す。従って、増
幅器５４への入力は、増幅前の状態で、その差が（Ｖ／
２−ｅ１）−（Ｖ／２＋ｅ１）＝−２ｅ１となる。この
差は回路２４における差の２倍であり、従って読取り回
路２４−２の感度は回路２４の感度の２倍になる。
【００２９】図１４、図１５、図１６に示す差動増幅器
５４は前記実施例において、接合点５６（図１６）での
ゲインは１８０である。前述のように、読取り回路２４
−２からの信号レベルは読取り回路２４からの信号レベ
ルの２倍である。作動増幅器（演算増幅器）５８がさら
にゲイン１０を付加する。演算増幅器５８の出力はコン
トローラ２６に送られさらに処理される。ここでの処理
自体は本発明とは関係ない。
５４は前記実施例において、接合点５６（図１６）での
ゲインは１８０である。前述のように、読取り回路２４
−２からの信号レベルは読取り回路２４からの信号レベ
ルの２倍である。作動増幅器（演算増幅器）５８がさら
にゲイン１０を付加する。演算増幅器５８の出力はコン
トローラ２６に送られさらに処理される。ここでの処理
自体は本発明とは関係ない。
【００３０】前述のように、磁気抵抗素子２２−１，２
２−２の抵抗は、磁界中に置かれると変化する。この点
に関連して、図１７は、磁気抵抗素子２２−１，２２−
２が文書１６に対面してＭＩＣＲ文字１６−２に対応し
た磁気波形を読取る状態を示す。
２−２の抵抗は、磁界中に置かれると変化する。この点
に関連して、図１７は、磁気抵抗素子２２−１，２２−
２が文書１６に対面してＭＩＣＲ文字１６−２に対応し
た磁気波形を読取る状態を示す。
【００３１】磁気抵抗素子に関し、抵抗Ｒ＝Ｒ0＋ΔＲ
ｃｏｓ2θである。ここで Ｒ0＝等方性抵抗（抵抗値は全ての測定角度について同
じ）； ΔＲ＝磁気抵抗（異方性であり抵抗値は測定角度によっ
て変る）； θ＝電流と磁気方向との間の角度である。
ｃｏｓ2θである。ここで Ｒ0＝等方性抵抗（抵抗値は全ての測定角度について同
じ）； ΔＲ＝磁気抵抗（異方性であり抵抗値は測定角度によっ
て変る）； θ＝電流と磁気方向との間の角度である。
【００３２】図１７は、第１および第２の磁気抵抗素子
２２−１，２２−２が文書１６の表面上に表されている
ＭＩＣＲ文字１６−２を読取っている状態を示す。図１
８は、磁気抵抗素子２２−１に作用する磁力線６２，６
４等からなる磁界状態を示す。上記式で用いた角度θは
図１８に示されている。角度θの頂点６０は磁力線６４
に対する接線上にある。角度θの１辺は磁気抵抗素子２
２−１に対し直角で頂点６０を通る垂線６６からなり、
他の１辺は頂点６０での磁力線６４に対する接線６８か
らなる。磁気抵抗素子２２−１は角度θがゼロのとき、
即ち頂点が図１８の点７０の位置のときに信号レベルが
最大になる。０度のコサインは１であり、従って、磁気
抵抗素子２２−１の抵抗Ｒはその等方性抵抗値Ｒ0 に等
しくなる。角度θが１８０度になると、そのコサインは
−１になる。従って、上記式から磁気抵抗素子２２−１
の抵抗Ｒはその抵抗値Ｒ0 より小さくなる。
２２−１，２２−２が文書１６の表面上に表されている
ＭＩＣＲ文字１６−２を読取っている状態を示す。図１
８は、磁気抵抗素子２２−１に作用する磁力線６２，６
４等からなる磁界状態を示す。上記式で用いた角度θは
図１８に示されている。角度θの頂点６０は磁力線６４
に対する接線上にある。角度θの１辺は磁気抵抗素子２
２−１に対し直角で頂点６０を通る垂線６６からなり、
他の１辺は頂点６０での磁力線６４に対する接線６８か
らなる。磁気抵抗素子２２−１は角度θがゼロのとき、
即ち頂点が図１８の点７０の位置のときに信号レベルが
最大になる。０度のコサインは１であり、従って、磁気
抵抗素子２２−１の抵抗Ｒはその等方性抵抗値Ｒ0 に等
しくなる。角度θが１８０度になると、そのコサインは
−１になる。従って、上記式から磁気抵抗素子２２−１
の抵抗Ｒはその抵抗値Ｒ0 より小さくなる。
【００３３】従来の誘導技術によるリードヘッドに比べ
た本発明の別の特徴は、読取り中の文書とリードヘッド
表面間の間隔である。従来の誘導技術の場合、この間隔
の許容最大値は約０．００１インチ（０．００２５４ｃ
ｍ）である。しかしながら、間隔が約０．００２インチ
（０．００５０８ｃｍ）のときに信号が検出される場合
がある。このような場合、従来は高精度で信頼性の高い
信号が得られなかった。
た本発明の別の特徴は、読取り中の文書とリードヘッド
表面間の間隔である。従来の誘導技術の場合、この間隔
の許容最大値は約０．００１インチ（０．００２５４ｃ
ｍ）である。しかしながら、間隔が約０．００２インチ
（０．００５０８ｃｍ）のときに信号が検出される場合
がある。このような場合、従来は高精度で信頼性の高い
信号が得られなかった。
【００３４】これに対し、本発明に係るリードヘッド２
２においては、読取るべき文書をリードヘッド表面から
約０．００８インチ（０．０２０３２ｃｍ）離しても信
頼性の高い読取りが可能である。これにより、誘導型の
リードヘッドに比べリードヘッド２２のコストを低下さ
せることができ、また摩耗や損傷等のおそれが低減す
る。
２においては、読取るべき文書をリードヘッド表面から
約０．００８インチ（０．０２０３２ｃｍ）離しても信
頼性の高い読取りが可能である。これにより、誘導型の
リードヘッドに比べリードヘッド２２のコストを低下さ
せることができ、また摩耗や損傷等のおそれが低減す
る。
【００３５】本発明に係るリードヘッド２２の別の特徴
は、従来の誘導型リードヘッドのように速度に依存しな
いことである。例えば、文書１６はリードヘッド２２に
対し実際上速度ゼロから１，０００インチ／秒（２，５
４０ｃｍ／秒）の速度範囲で移動可能である。実際の上
限速度は未定である。例えば、文書が１００インチ／秒
（ＩＰＳ）（２５４ｃｍ／秒）の速度でリードヘッドを
通過すると、ＣＭＣ７でのコード化用最大信号周波数は
約７ＫＨになる。文書の速度が２００ＩＰＳ（５０８ｃ
ｍ／秒）になると、最大信号周波数は１４ＫＨになる。
Ｅ１３Ｂフォントの周波数応答性はＣＭＣ７の場合より
小さい。もし文書の速度が１，０００ＩＰＳ（２，５４
０ｃｍ／秒）まで増加したと仮定すると、最大信号周波
数は７０ＫＨになる。文書の速度が３，０００ＩＰＳ
（７，６２０ｃｍ／秒）の場合には、最大信号周波数は
２１０ＫＨになる。記録再生装置１０の最大応答周波数
は約２００ＫＨであり、従って速度については３，００
０ＩＰＳ近傍が上限である。注記すべき点は、文書を
１，０００ＩＰＳで駆動することはほとんど不可能であ
り、実際上は、文書を制御しながら移送できる最大速度
は約４００ＩＰＳ（１，０１６ｃｍ／秒）である。
は、従来の誘導型リードヘッドのように速度に依存しな
いことである。例えば、文書１６はリードヘッド２２に
対し実際上速度ゼロから１，０００インチ／秒（２，５
４０ｃｍ／秒）の速度範囲で移動可能である。実際の上
限速度は未定である。例えば、文書が１００インチ／秒
（ＩＰＳ）（２５４ｃｍ／秒）の速度でリードヘッドを
通過すると、ＣＭＣ７でのコード化用最大信号周波数は
約７ＫＨになる。文書の速度が２００ＩＰＳ（５０８ｃ
ｍ／秒）になると、最大信号周波数は１４ＫＨになる。
Ｅ１３Ｂフォントの周波数応答性はＣＭＣ７の場合より
小さい。もし文書の速度が１，０００ＩＰＳ（２，５４
０ｃｍ／秒）まで増加したと仮定すると、最大信号周波
数は７０ＫＨになる。文書の速度が３，０００ＩＰＳ
（７，６２０ｃｍ／秒）の場合には、最大信号周波数は
２１０ＫＨになる。記録再生装置１０の最大応答周波数
は約２００ＫＨであり、従って速度については３，００
０ＩＰＳ近傍が上限である。注記すべき点は、文書を
１，０００ＩＰＳで駆動することはほとんど不可能であ
り、実際上は、文書を制御しながら移送できる最大速度
は約４００ＩＰＳ（１，０１６ｃｍ／秒）である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、簡単な構成で装置の小型化が達成され、また実用上
可能な速度範囲で信頼性の高い磁気記録情報の読取り作
用が得られる。
は、簡単な構成で装置の小型化が達成され、また実用上
可能な速度範囲で信頼性の高い磁気記録情報の読取り作
用が得られる。
【図１】 本発明に係るリードヘッドにより文書上のＭ
ＩＣＲ文字を読取り中の記録再生装置のブロック構成図
である。
ＩＣＲ文字を読取り中の記録再生装置のブロック構成図
である。
【図２】 ＣＭＣ７フォントで印字した符号”０”の説
明図である。
明図である。
【図３】 図２の符号の磁気波形図である。
【図４】 ＣＭＣ７フォントで印字した符号”１”の説
明図である。
明図である。
【図５】 図４の符号の磁気波形図である。
【図６】 Ｅ１３Ｂフォントで印字した符号”０”の説
明図である。
明図である。
【図７】 図６の符号の磁気波形図である。
【図８】 Ｅ１３Ｂフォントで印字した符号”１”の説
明図である。
明図である。
【図９】 図８の符号の磁気波形図である。
【図１０】 本発明に係るリードヘッド内に備る磁気抵
抗センサー素子とＣＭＣ７フォントで印字したＭＩＣＲ
文字との関係を示す説明図である。
抗センサー素子とＣＭＣ７フォントで印字したＭＩＣＲ
文字との関係を示す説明図である。
【図１１】 基板上に形成された本発明に係るリードヘ
ッドの平面図である。
ッドの平面図である。
【図１２】 ＣＭＣ７フォントで印字した符号の一部を
従来のリードヘッドで読取った場合の磁気波形の説明図
である。
従来のリードヘッドで読取った場合の磁気波形の説明図
である。
【図１３】 図１２の符号と同じ部分を本発明に係るリ
ードヘッドで読取った場合の磁気波形の説明図である。
ードヘッドで読取った場合の磁気波形の説明図である。
【図１４】 図１０の本発明に係る磁気抵抗素子からの
出力を検出するために用いる読取り回路の一例の回路図
である。
出力を検出するために用いる読取り回路の一例の回路図
である。
【図１５】 図１に示す本発明に係る読取り回路の別の
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図１６】 図１４および図１５に示した読取り回路に
さらに演算増幅器を付加した回路のブロック図である。
さらに演算増幅器を付加した回路のブロック図である。
【図１７】 図１１の磁気抵抗センサー素子により磁力
線を検出するときの作用説明図である。
線を検出するときの作用説明図である。
【図１８】 図１７の矢印Ｂ方向からみた磁力線の詳細
説明図である。
説明図である。
１０；記録再生装置、１４；文書の通路、１６；文書、
１６−１；磁気インクの印字帯領域、１６−２；磁気イ
ンク文字、１８；文書移送手段、２０；書込み用ライト
ヘッド、２２；読取り用リードヘッド、２２−１，２２
−２；磁気抵抗素子、２４，２４−２；読取り回路、２
６；コントローラ。
１６−１；磁気インクの印字帯領域、１６−２；磁気イ
ンク文字、１８；文書移送手段、２０；書込み用ライト
ヘッド、２２；読取り用リードヘッド、２２−１，２２
−２；磁気抵抗素子、２４，２４−２；読取り回路、２
６；コントローラ。
Claims (23)
- 【請求項１】 磁気インクで印字された符号を読取るた
めのリードヘッドにおいて：第１および第２の磁気抵抗
センサーを有する基板を備え、該第１および第２の磁気
抵抗センサーは幅がＷで両センサー間の間隔がＧであっ
て、これらのＷおよびＧの値は読取るべき符号のフォン
トに対応して定められ；さらに前記第１および第２の磁
気抵抗センサーを回路に接続するための結合手段を備え
たことを特徴とする磁気インク文字読取り用磁気抵抗ヘ
ッド。 - 【請求項２】 前記第１および第２の磁気抵抗センサー
がＮｉＦｅ合金からなることを特徴とする請求項１に記
載の磁気インク文字読取り用磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項３】 前記Ｇは前記Ｗの約０．３倍であること
を特徴とする請求項２に記載の磁気インク文字読取り用
磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項４】 Ｗ１をＣＭＣ７のコード化符号による１
本のバーの幅またはバー間の間隔としたとき、前記Ｗは
Ｗ１の約０．５倍であることを特徴とする請求項３に記
載の磁気インク文字読取り用磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項５】 前記Ｇは約０．０００３インチ（０．０
００７６２ｃｍ）またはそれ以下であり、前記Ｗは約
０．００１３インチ（０．００３３０２ｃｍ）またはそ
れ以下であり、前記第１および第２の磁気抵抗センサー
の高さは約０．６インチ（１．５２４ｃｍ）であること
を特徴とする請求項４に記載の磁気インク文字読取り用
磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項６】 ＭＩＣＲ文字読取り用に構成され、前記
第１および第２の磁気抵抗センサーおよびこれらの間隔
の合計の幅が前記ＭＩＣＲ文字の１つのバーの幅または
バー間の間隔の幅よりも小さいことを特徴とする請求項
１に記載の磁気インク文字読取り用磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項７】 ＣＭＣ７フォントのＭＩＣＲ文字読取り
用に構成され、前記第１および第２の磁気抵抗センサー
およびこれらの間隔の合計の幅が前記ＣＭＣ７フォント
の１つのバーの幅またはバー間の間隔の幅よりも小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気インク文字読取
り用磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項８】 前記第１および第２の磁気抵抗センサー
がＮｉＦｅ合金からなりその長さは少なくとも前記ＭＩ
ＣＲ文字の高さに等しいことを特徴とする請求項７に記
載の磁気インク文字読取り用磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項９】 前記第１および第２の磁気抵抗センサー
はそれぞれ前記基板上に沈積された第１および第２の連
続体素子からなることを特徴とする請求項８に記載の磁
気インク文字読取り用磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項１０】 前記第１および第２の磁気抵抗センサ
ーはそれぞれ前記基板上に沈積された第１および第２の
連続体素子からなることを特徴とする請求項１に記載の
磁気インク文字読取り装置用磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項１１】 文書上のＭＩＣＲ文字を読取るための
リードヘッドにおいて：第１および第２の磁気抵抗セン
サーを有する基板と；出力部を有する全ブリッジ回路
と；前記第１および第２の磁気抵抗センサーを前記全ブ
リッジ回路に接続するための接続手段とを具備したこと
を特徴とするリードヘッド。 - 【請求項１２】 文書上のＭＩＣＲ文字を読取るための
読取り機において：第１および第２の磁気抵抗素子を有
する基板を具備し、該第１および第２の磁気抵抗素子は
幅がＷであって両素子間の間隔はＧであり、これらのＷ
およびＧは読取るべきＭＩＣＲ文字のフォントに対応し
て定められ；全ブリッジ回路を具備し；さらに前記第１
および第２の磁気抵抗素子を前記全ブリッジ回路に接続
するための接続手段を具備したことを特徴とする読取り
機。 - 【請求項１３】 文書上のＭＩＣＲ文字を読取るための
読取り機において：第１および第２の磁気抵抗素子を有
する基板を具備し、該第１および第２の磁気抵抗素子は
幅がＷであって両素子間の間隔はＧであり、これらのＷ
およびＧは読取るべきＭＩＣＲ文字のフォントに対応し
て定められ；第１の抵抗体および前記第１の磁気抵抗素
子同士を間に第１の接合点を介して直列接続し、該直列
接続された第１の抵抗体および第１の磁気抵抗素子は電
圧源とアースとの間に設けられ；第２の抵抗体および前
記第２の磁気抵抗素子同士をそれらの間に第２の接合点
を介して直列接続し、該直列接続された第２の抵抗体お
よび第２の磁気抵抗素子は前記電圧源と前記アースとの
間に設けられ；第１および第２の入力部と１つの出力部
を有する差動増幅器を備え；前記第１の接合点と前記差
動増幅器の前記第１の入力部とを連結する第１の結合手
段を備え；さらに前記第２の接合点と前記差動増幅器の
前記第２の入力部とを連結する第２の結合手段を備えた
ことを特徴とする読取り機。 - 【請求項１４】 前記第１および第２の磁気抵抗素子の
各々が前記電圧源に接続されたことを特徴とする請求項
１３に記載の読取り機。 - 【請求項１５】 前記第１および第２の磁気抵抗素子の
うち一方は前記電圧源に接続され、残りの一方は前記ア
ースに接続されたことを特徴とする請求項１３に記載の
読取り機。 - 【請求項１６】 前記第１および第２の結合手段はキャ
パシターを含むことを特徴とする請求項１５に記載の読
取り機。 - 【請求項１７】 読取り機に対するキャリヤの移動速度
に無関係に該キャリヤ上のＭＩＣＲ文字を検知する検知
方法において： （ａ）第１および第２の磁気抵抗センサーを基板上に配
置し、該第１および第２の磁気抵抗センサーは幅がＷで
あり両センサー間の間隔がＧであって、該ＷおよびＧは
読取るべきＭＩＣＲ文字のフォントに対応して定めら
れ、前記第１および第２の磁気抵抗センサーおよび前記
基板により前記読取り機を構成するステップと； （ｂ）前記読取り機と前記キャリヤとを相対的に移動さ
せるステップと； （ｃ）読取ったＭＩＣＲ文字の磁気波形を出力する全ブ
リッジ回路に対し前記第１および第２の磁気抵抗センサ
ーを結合するステップとを含むことを特徴とする磁気イ
ンク文字の検知方法。 - 【請求項１８】 前記配置ステップ（ａ）はプリント回
路技術を用いて実行されることを特徴とする請求項１７
に記載の磁気インク文字の検知方法。 - 【請求項１９】 文書上のＭＩＣＲ文字が約０．０６ガ
ウスの磁界強度を有し、前記文書が読取り部に対し約４
５インチ／秒（１１４．３ｃｍ／秒）の速度で移動する
ときに該文書上のＭＩＣＲ文字を検知する磁気インク文
字の検知方法において： （ａ）前記読取り部で基板上に第１および第２の磁気抵
抗センサーを配置し、該第１および第２の磁気抵抗セン
サーは幅がＷであって両センサー間の間隔がＧであり、
該ＷおよびＧは読取るべきＭＩＣＲ文字のフォントに関
連して定められるステップと； （ｂ）前記読取り部と前記文書上のＭＩＣＲ文字とを相
対的に移動させるステップと； （ｃ）読取ったＭＩＣＲ文字の磁気波形を出力する全ブ
リッジ回路に対し前記第１および第２の磁気抵抗センサ
ーを結合するステップとを含むことを特徴とする磁気イ
ンク文字の検知方法。 - 【請求項２０】 ＭＩＣＲ文字を検知する方法におい
て： （ａ）検知すべきＭＩＣＲ文字に対応して第１および第
２のセンサーの寸法およびそれらの間隔の大きさを定め
るステップと； （ｂ）前記第１および第２のセンサーを基板上に配置し
てリードヘッドを形成するステップと； （ｃ）読取るべきＭＩＣＲ文字と前記リードヘッドとを
相対的に移動させて前記第１および第２のセンサーの各
々から出力を発生させるステップと； （ｄ）前記第１および第２のセンサーからの出力をブリ
ッジ回路に取入れて読取り中の文字の磁気波形を得るス
テップとを含むことを特徴とする磁気インク文字の検知
方法。 - 【請求項２１】 前記ブリッジ回路を用いて磁気波形を
得るステップは、該ブリッジ回路において倍電圧技術を
適用して実行することを特徴とする請求項２０に記載し
た磁気インク文字の検知方法。 - 【請求項２２】 キャリヤ上のＭＩＣＲ文字を検知する
方法において： （ａ）リードヘッド上に間隔を隔てて第１および第２の
センサーを配設するステップと； （ｂ）前記読取るべき文字と前記リードヘッドとを相対
的に移動させて前記第１および第２のセンサーの各々か
ら出力を発生させるステップと； （ｃ）前記第１および第２のセンサーからの出力を全ブ
リッジ回路に取入れて読取り中の文字の磁気波形を得る
ステップとを含むことを特徴とする磁気インク文字の検
知方法。 - 【請求項２３】 前記ブリッジ回路を用いて磁気波形を
得るステップは、該ブリッジ回路において倍電圧技術を
適用して実行することを特徴とする請求項２２に記載し
た磁気インク文字の検知方法。
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