JPH05310764A - Producltion of high-purity monoalkyl-or monoarylarsine compound - Google Patents
Producltion of high-purity monoalkyl-or monoarylarsine compoundInfo
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- JPH05310764A JPH05310764A JP13964592A JP13964592A JPH05310764A JP H05310764 A JPH05310764 A JP H05310764A JP 13964592 A JP13964592 A JP 13964592A JP 13964592 A JP13964592 A JP 13964592A JP H05310764 A JPH05310764 A JP H05310764A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 トリハロゲン化砒素とグリニャール試薬とを
反応させ、次いでこの反応生成物を還元させる方法にお
いて、前記グリニャール試薬とトリハロゲン化砒素との
反応を反応生成物の沸点より低沸点の有機溶剤の存在下
に、また、前記還元を当該還元生成物より高沸点の有機
溶剤の存在下に行うことからなるモノアルキルまたはモ
ノアリールアルシンの製造方法。
【効果】 ジエチルエーテル等を含まない高純度のモノ
アルキルまたはモノアリールアルシンを高収率で、しか
も安全に製造することができる。(57) [Summary] [Structure] In a method of reacting an arsenic trihalogenide with a Grignard reagent, and then reducing the reaction product, the reaction between the Grignard reagent and the arsenic trihalogenide is performed from the boiling point of the reaction product. A method for producing monoalkyl or monoarylarsine, which comprises performing the reduction in the presence of an organic solvent having a low boiling point and in the presence of an organic solvent having a boiling point higher than that of the reduction product. [Effect] High-purity monoalkyl or monoarylarsine that does not contain diethyl ether or the like can be produced in high yield and safely.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、特には、MOCVD(Metalo
rganic Chemical Vapour Deposition)法等を用いて化合
物半導体薄膜を形成する際の原料として用いられる高純
度のモノアルキルまたはモノアリールアルシンを製造す
る方法に関する。The present invention is particularly applicable to MOCVD (Metalo
The present invention relates to a method for producing high-purity monoalkyl or monoarylarsine used as a raw material when forming a compound semiconductor thin film by using the rganic Chemical Vapor Deposition method or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】インジウム-リン、ガリウム-砒素をはじ
めとするIII-V族化合物半導体材料は、電子デバイスを
作成する材料として有用である。この化合物半導体薄膜
を形成する方法としては、MBE(Molecular Beam Epita
xy)、ハライドCVD、MOCVD、MOMBE(Metalorganic
Molecular Beam Epitaxy)などがある。これらの中でもM
OCVDやMOMBEは結晶成長系内を高真空に保つ必要がな
く、原料の交換が容易であり、メンテナンスが楽なた
め、最近広く用いられるようになってきた。ところが、
III-V族化合物半導体のうちV族元素として砒素を用い
る場合、この原料としてアルシンが一般に用いられてい
る。しかし、このアルシンは毒性が高いため、量産化で
多量に使用するようになるとその取扱上の安全の問題が
クローズアップされてきた。2. Description of the Related Art III-V group compound semiconductor materials such as indium-phosphorus and gallium-arsenic are useful as materials for producing electronic devices. As a method for forming this compound semiconductor thin film, MBE (Molecular Beam Epita
xy), halide CVD, MOCVD, MOMBE (Metalorganic
Molecular Beam Epitaxy). Among these M
OCVD and MOMBE have been widely used recently because it is not necessary to maintain a high vacuum inside the crystal growth system, the exchange of raw materials is easy, and maintenance is easy. However,
When arsenic is used as the group V element in the III-V group compound semiconductor, arsine is generally used as the raw material. However, since this arsine is highly toxic, safety problems in its handling have been highlighted when it comes to mass use in mass production.
【0003】そこで、最近、このアルシンの代わりにア
ルキルアルシンの使用が提案され、特にモノアルキルア
ルシンは分子中に水素を2つ有するため半導体薄膜への
炭素の混入が少なく、毒性を低減したアルシン代替材料
として注目されている〔例えば、Appl.Phys.Lett.,50,
(5),1987〕。Therefore, recently, the use of alkylarsine in place of this arsine has been proposed. Particularly, since monoalkylarsine has two hydrogen atoms in the molecule, carbon contamination in the semiconductor thin film is small and toxicity is reduced. Has attracted attention as a material (for example, Appl.Phys.Lett., 50 ,
(5), 1987].
【0004】従来、モノアルキルまたはモノアリールア
ルシンの合成法として、 モノアルキルジハロゲノアルシンをリチウムアルミニ
ウムハイドライドで還元する方法Conventionally, as a synthetic method of monoalkyl or monoarylarsine, a method of reducing monoalkyldihalogenoarsine with lithium aluminum hydride
【化1】 アルシンとオレフィンの反応による方法[Chemical 1] Method by reaction of arsine and olefin
【化2】 (上記式中、Rはアルキル基又はアリール基、Xはハロ
ゲン、R= はアルケンを表わす)の2法が知られている。[Chemical 2] (In the above formula, R represents an alkyl group or an aryl group, X represents a halogen, and R = represents an alkene).
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の方法は、ジや
トリのアルキルアルシンが生成するため、モノアルキル
アルシンの収率が低く、また、毒性の高いアルシンを用
いるため、安全上好ましいものではない。The above method is not preferable in terms of safety because di- or tri-alkylarsine is produced and the yield of monoalkylarsine is low, and highly toxic arsine is used. ..
【0006】一方、上記の方法においては、従来還元
反応の反応溶媒としてジエチルエーテルが用いられてい
る(Zeitschrift fuer anorganische und allgemeine Ch
emie.Band 336. 1965)。しかし、モノアルキルまたはモ
ノアリールアルシンは一般的に沸点の低いものが多く、
還元反応で生成したモノアルキルまたはモノアリールア
ルシンと反応溶媒のジエチルエーテルとの蒸留分離が困
難であり、高純度化の障害となっていた。On the other hand, in the above method, diethyl ether is conventionally used as a reaction solvent for the reduction reaction (Zeitschrift fuer anorganische und allgemeine Ch
emie.Band 336. 1965). However, many monoalkyl or monoaryl arsines generally have a low boiling point,
It was difficult to separate the monoalkyl or monoaryl arsine produced by the reduction reaction from the reaction solvent diethyl ether, which was an obstacle to high purification.
【0007】また、還元剤として、従来から水素化リチ
ウムアルミニウムが用いられているが、この水素化リチ
ウムアルミニウムは通常ジエチルエーテルを溶媒として
製造されているので、水素化リチウムアルミニウム中に
ジエチルエーテルが微量混入しており、これが還元反応
生成物であるモノアルキルまたはモノアリールアルシン
中に混入する。また、水素化リチウムアルミニウムは製
品ロット間での反応性の差が大きく、還元反応での収率
のバラつきが大きい。さらに、水素化リチウムアルミニ
ウムは発火性、爆発性を有する粉体で取扱いが困難であ
る。Lithium aluminum hydride has been conventionally used as a reducing agent. Since this lithium aluminum hydride is usually produced by using diethyl ether as a solvent, a small amount of diethyl ether is contained in the lithium aluminum hydride. It is contaminated, and this is contaminated in the reduction reaction product, monoalkyl or monoarylarsine. In addition, lithium aluminum hydride has a large difference in reactivity between product lots, and the variation in the yield in the reduction reaction is large. Further, lithium aluminum hydride is a powder having an ignitability and an explosive property, and is difficult to handle.
【0008】本発明は、これらの課題を解決するもの
で、本発明の目的は、ジエチルエーテル等を含まない高
純度のモノアルキルまたはモノアリールアルシンを高収
率で、しかも安全に製造する方法を提供することにあ
る。The present invention solves these problems, and an object of the present invention is to provide a method for safely producing a high-purity monoalkyl or monoarylarsine containing no diethyl ether in a high yield. To provide.
【0009】すなわち、本発明は、トリハロゲン化砒素
とグリニャール試薬とを反応させ、次いでこの反応生成
物を還元させる方法において、前記グリニャール試薬と
トリハロゲン化砒素との反応を反応生成物の沸点より低
沸点の有機溶剤の存在下に、また、前記還元を当該還元
生成物より高沸点の有機溶剤の存在下に行うことからな
るモノアルキルまたはモノアリールアルシンの製造方法
であり、特に好ましくは、前記還元剤としてナトリウム
水素化ビス(2-メトキシエトキシ)アルミニウムを用い
ることからなるものである。That is, according to the present invention, in the method of reacting a trihalogenated arsenic with a Grignard reagent and then reducing the reaction product, the reaction between the Grignard reagent and the trihalogenated arsenic is performed from the boiling point of the reaction product. In the presence of an organic solvent having a low boiling point, and a method for producing a monoalkyl or monoaryl arsine, which comprises performing the reduction in the presence of an organic solvent having a higher boiling point than the reduction product, particularly preferably, It consists of using sodium bis (2-methoxyethoxy) aluminum hydride as a reducing agent.
【0010】本発明は、いずれの種類のアルキル基また
はアリール基を有するアルシンの製造にも適用すること
ができるが、MOCVD法により化合物半導体薄膜を形成す
る際の原料となるイソプロピル、tert-ブチル、フェニ
ル、シクロヘキシル等のモノアルキルまたはモノアリー
ルアルシンの製造に好適である。The present invention can be applied to the production of arsine having any type of alkyl group or aryl group, but isopropyl, tert-butyl, which is a raw material for forming a compound semiconductor thin film by the MOCVD method, It is suitable for producing monoalkyl or monoaryl arsines such as phenyl and cyclohexyl.
【0011】本発明で用いるグリニャール試薬は、マグ
ネシウムを入れたエーテル系溶媒中にハロゲン化アルキ
ルあるいはアリールを滴下すれば得られる。この場合の
マグネシウムは反応効率を高くするためにチップ状にし
たものが望ましい。上記エーテル系溶媒としては、当該
グリニャール試薬とトリハロゲン化砒素との反応に用い
るものと同じものを用いることが好ましく、特には、グ
リニャール試薬の溶解性等の理由からジエチルエーテル
やテトラヒドロフランなどが好ましい。The Grignard reagent used in the present invention can be obtained by dropping an alkyl halide or aryl halide in an ether solvent containing magnesium. In this case, it is desirable that the magnesium be in the form of chips in order to increase the reaction efficiency. As the ether solvent, it is preferable to use the same one as used for the reaction between the Grignard reagent and arsenic trihalogenide, and particularly diethyl ether, tetrahydrofuran or the like is preferable because of the solubility of the Grignard reagent.
【0012】トリハロゲン化砒素とグリニャール試薬と
の反応は、反応生成物であるモノアルキルまたはモノア
リールジハロゲノアルシンの沸点より低沸点の有機溶剤
を反応溶媒として用いるが、この有機溶剤としてはエー
テル系溶剤が好ましく、アルキル基やアリール基がイソ
プロピル、tert-ブチル、フェニル、シクロヘキシルの
場合、ジエチルエーテルやテトラヒドロフランなどを例
示できる。これは、反応に用いられる原料がいずれも生
成物より沸点が低く、蒸留により、未反応の原料を反応
溶媒とともに留出できるようにし、高純度の反応生成物
が得られるためである。In the reaction of the arsenic trihalogenide with the Grignard reagent, an organic solvent having a lower boiling point than the boiling point of the reaction product monoalkyl or monoaryldihalogenoarsine is used as the reaction solvent. A solvent is preferable, and when the alkyl group or aryl group is isopropyl, tert-butyl, phenyl or cyclohexyl, diethyl ether or tetrahydrofuran can be exemplified. This is because all the raw materials used in the reaction have a lower boiling point than the product, and by distillation, the unreacted raw materials can be distilled out together with the reaction solvent, and a high-purity reaction product can be obtained.
【0013】尚、トリハロゲン化砒素としては、三塩化
砒素、三臭化砒素、三ヨウ化砒素等のいずれでも用いる
ことができるが、特には、沸点、価格及び安定性の面か
ら三塩化砒素が好ましい。As the trihalogenated arsenic, any of arsenic trichloride, arsenic tribromide, arsenic triiodide and the like can be used, but in particular, from the viewpoint of boiling point, price and stability, arsenic trichloride is used. Is preferred.
【0014】モノアルキルまたはモノアリールジハロゲ
ノアルシンを還元する際の有機溶剤としては、還元生成
物であるモノアルキルまたはモノアリールアルシンより
高沸点の溶剤を用いるが、この有機溶剤としてはエーテ
ル系溶剤が好ましく、アルキル基やアリール基がイソプ
ロピル、tert-ブチル、フェニル、シクロヘキシルの場
合、例えば、ジn-ブチルエーテル、ジイソペンチルエー
テル等を用いることが、特に好ましい。これは、還元に
より得られるモノアルキルまたはモノアリールアルシン
の沸点が低いため、蒸留によりこの還元生成物のみを留
出させ、未還元のジハロゲノアルシンを反応溶媒ととも
に釜残として残し、高純度のモノアルキルまたはモノア
リールアルシンが得られるためである。As the organic solvent for reducing the monoalkyl or monoaryldihalogenoarsine, a solvent having a boiling point higher than that of the reduction product monoalkyl or monoarylarsine is used. As the organic solvent, an ether solvent is used. When the alkyl or aryl group is isopropyl, tert-butyl, phenyl or cyclohexyl, it is particularly preferable to use, for example, di-n-butyl ether, diisopentyl ether or the like. This is because the monoalkyl or monoaryl arsine obtained by the reduction has a low boiling point, so only this reduction product is distilled off by distillation, and unreduced dihalogeno arsine is left as a bottom residue together with the reaction solvent to obtain a high-purity mono This is because alkyl or monoaryl arsine is obtained.
【0015】この還元における還元剤としては、水素化
アルミニウムリチウム、水素化ほう素ナトリウム或いは
ナトリウム水素化ビス(2-メトキシエトキシ)アルミニ
ウム等分子中に活性ヒドリドを有するものを用いること
ができる。しかし、ジエチルエーテルの混入がないこ
と、反応活性、安全性、取扱いの容易さ等の面から、ナ
トリウム水素化ビス(2-メトキシエトキシ)アルミニウ
ムを用いることが好ましい。このナトリウム水素化ビス
(2-メトキシエトキシ)アルミニウムは通常70%トル
エン溶液として市販されているため還元反応の前にトル
エンを加熱留去することが望ましい。As the reducing agent in this reduction, lithium aluminum hydride, sodium borohydride, sodium bis (2-methoxyethoxy) aluminum hydride or the like having an active hydride in the molecule can be used. However, sodium bis (2-methoxyethoxy) aluminum hydride is preferably used from the viewpoints of no contamination with diethyl ether, reaction activity, safety, and easy handling. This sodium hydrogen bis
Since (2-methoxyethoxy) aluminum is usually marketed as a 70% toluene solution, it is desirable to distill off the toluene by heating before the reduction reaction.
【0016】還元剤の添加量はモノアルキルまたはモノ
アリールジハロゲノアルシンの量に対し1.5倍当量以
上加えることが反応率の点から好ましい。From the viewpoint of reaction rate, it is preferable to add the reducing agent in an amount of 1.5 times equivalent or more with respect to the amount of monoalkyl or monoaryldihalogenoarsine.
【0017】以上のようにして得られた還元反応生成物
であるモノアルキルまたはモノアリールアルシンは蒸留
により簡便に分離、精製することができる。The monoalkyl or monoaryl arsine as the reduction reaction product obtained as described above can be easily separated and purified by distillation.
【0018】[0018]
(実施例1)反応はすべて不活性雰囲気下で行った。グリニャール試薬の合成 マグネシウムチップ137g(5.63mol)にエチルエー
テル600mlとtert-ブチルクロライド30mlを加え、
ここにtert-ブチルクロライド600mlとエーテル12
00mlの混合溶媒を滴下して反応させた。tert-ブチル
クロライドの全使用量は630ml(5.73mol)であっ
た。反応終了後、静置して沈殿物を沈降させた後、グラ
スフィルターでろ過し、淡黄色の液体を得た。(Example 1) All reactions were performed under an inert atmosphere. Synthesis of Grignard reagent To 137 g (5.63 mol) of magnesium chips, 600 ml of ethyl ether and 30 ml of tert-butyl chloride were added,
600 ml of tert-butyl chloride and 12 ether
00 ml of the mixed solvent was added dropwise for reaction. The total amount of tert-butyl chloride used was 630 ml (5.73 mol). After completion of the reaction, the mixture was left to stand to precipitate the precipitate, and then filtered through a glass filter to obtain a pale yellow liquid.
【0019】これを5mlサンプリングし、20mlの1M
塩酸水溶液で加水分解した後、1M水酸化ナトリウム水
溶液で滴定したところ濃度は1.9mol/l、収率は67
%であった。5 ml of this was sampled and 20 ml of 1M
After hydrolysis with hydrochloric acid aqueous solution, titration with 1M aqueous sodium hydroxide solution gave a concentration of 1.9 mol / l and a yield of 67.
%Met.
【0020】tert-ブチルジクロロアルシンの合成 三塩化砒素202g(1.11mol)にジエチルエーテル6
00mlを加え、これに上記で調製したグリニャール試薬
のジエチルエーテル溶液580ml(1.13mol)を冷却下
で滴下した。滴下終了後、直ちに蒸留装置を取りつけ、
ジエチルエーテルを減圧留去した後、反応溶器を120
℃まで加熱し、5mmHgで減圧し、受器を冷却しながら留
分を捕集した。得られた無色透明液体を50cmの蒸留塔
を用い、30mmHgの減圧下精密蒸留したところ、白色固
体175g(0.86mol)を得た。1H-NMRにより、固体はt
ert-ブチルジクロロアルシンと同定された。収率は77
%であった。 Synthesis of tert-butyldichloroarsine 202 g (1.11 mol) of arsenic trichloride was added to diethyl ether 6
00 ml was added thereto, and 580 ml (1.13 mol) of a diethyl ether solution of the Grignard reagent prepared above was added dropwise under cooling. Immediately after dropping, attach a distillation device,
After the diethyl ether was distilled off under reduced pressure, the reaction vessel was heated to 120
The mixture was heated to ℃, decompressed at 5 mmHg, and the fraction was collected while cooling the receiver. The obtained colorless transparent liquid was subjected to precision distillation under reduced pressure of 30 mmHg using a 50 cm distillation column to obtain 175 g (0.86 mol) of a white solid. By 1 H-NMR, the solid is t
Identified as ert-butyldichloroarsine. Yield 77
%Met.
【0021】モノtert-ブチルアルシンの合成 市販のナトリウム水素化ビス(2-メトキシエトキシ)ア
ルミニウムの70%トルエン溶液374g(1.30mol)
をフラスコに入れ、100℃、5mmHg、2時間でトルエ
ンを加熱減圧留去した。常温にもどした後、ジn-ブチル
エーテル700mlを加え、−10℃に冷却した。これ
に、ジn-ブチルエーテル225mlに溶解させたtert-ブ
チルジクロロアルシン175g(0.86mol)を滴下し
た。滴下終了後、70℃で1時間加熱撹拌した。常温に
もどした後、再び約−10℃に冷却し、3N塩酸水溶液
600mlを徐々に加えた。反応液は白濁し、さらに加え
ると完全に2層分離した。上層の有機相を分離し、水洗
した後蒸留し、無色透明液体87gを得た。 Synthesis of mono-tert- butylarsine Commercially available sodium bis (2-methoxyethoxy) aluminum hydride 70% solution in toluene 374 g (1.30 mol)
Was placed in a flask, and toluene was distilled off under reduced pressure with heating at 100 ° C., 5 mmHg for 2 hours. After returning to room temperature, 700 ml of di-n-butyl ether was added and cooled to -10 ° C. To this, 175 g (0.86 mol) of tert-butyldichloroarsine dissolved in 225 ml of di-n-butyl ether was added dropwise. After completion of the dropping, the mixture was heated and stirred at 70 ° C. for 1 hour. After returning to room temperature, it was cooled to about -10 ° C again, and 600 ml of 3N hydrochloric acid aqueous solution was gradually added. The reaction solution became cloudy, and when further added, two layers were completely separated. The upper organic phase was separated, washed with water and then distilled to obtain 87 g of a colorless transparent liquid.
【0022】これを50cmの蒸留塔を用い精密蒸留した
ところ留分は65gあった。1H、13C-NMRにより、モノte
rt-ブチルアルシンと同定された。収率は56%であっ
た。ガスクロマトグラフィーにより定量したところジエ
チルエーテルおよびジn-ブチルエーテルは5ppm以下で
あった。When this was subjected to precision distillation using a 50 cm distillation column, the fraction was 65 g. By 1 H, 13 C-NMR, mono te
It was identified as rt-butylarsine. The yield was 56%. As a result of quantification by gas chromatography, the amount of diethyl ether and di-n-butyl ether was 5 ppm or less.
【0023】(比較例1)水素化リチウムアルミニウム
3.2g(0.084mol)にジエチルエーテル55mlを加え
懸濁液とした。一方、tert-ブチルジクロロアルシン2
0g(0.10mol)をジエチルエーテル30mlに溶かし、
−10℃に冷やした水素化リチウムアルミニウムの懸濁
液中に滴下した。滴下後、70℃で1時間還流した。常
温にもどした後、−10℃で冷却し、3N塩酸水溶液2
00mlを加えた。二層分離し、上層の有機相を取りだし
水洗したのち、蒸留し、無色透明の液体6.6gを得た。
さらに精密蒸留したところ留分は3.4gあった。収率は
25%であった。ガスクロマトグラフィーによりジエチ
ルエーテルが1%混入していた。Comparative Example 1 55 ml of diethyl ether was added to 3.2 g (0.084 mol) of lithium aluminum hydride to give a suspension. On the other hand, tert-butyldichloroarsine 2
0 g (0.10 mol) was dissolved in 30 ml of diethyl ether,
It was added dropwise to a suspension of lithium aluminum hydride cooled to -10 ° C. After the dropping, the mixture was refluxed at 70 ° C. for 1 hour. After returning to room temperature, it is cooled at -10 ° C and 3N hydrochloric acid aqueous solution 2
00 ml was added. The two layers were separated, the upper organic phase was taken out, washed with water and then distilled to obtain 6.6 g of a colorless transparent liquid.
Further precise distillation gave a fraction of 3.4 g. The yield was 25%. Diethyl ether was contaminated by 1% by gas chromatography.
【0024】(比較例2)水素化リチウムアルミニウム
4.4g(0.12mol)にジn-ブチルエーテル68mlを加え
懸濁液とした。一方、tert-ブチルジクロロアルシン2
3g(0.11mol)を30mlのジn-ブチルエーテルに溶か
し、−10℃に冷やした水素化リチウムアルミニウムの
懸濁液中に滴下した。滴下後、70℃で1時間還流し
た。常温にもどした後、−10℃に冷却し、3N塩酸水
溶液150mlを加えた。二層分離し、上層の有機相を水
洗したのち蒸留し、無色透明液体7.3gを得た。さらに
精密蒸留し留分5.8gを得た。収率は40%であった。
ガスクロマトグラフィーによりジエチルエーテルが20
0ppm混入していた。Comparative Example 2 To 4.4 g (0.12 mol) of lithium aluminum hydride was added 68 ml of di-n-butyl ether to give a suspension. On the other hand, tert-butyldichloroarsine 2
3 g (0.11 mol) was dissolved in 30 ml of di-n-butyl ether and added dropwise to a suspension of lithium aluminum hydride cooled to -10 ° C. After the dropping, the mixture was refluxed at 70 ° C. for 1 hour. After returning to room temperature, it was cooled to -10 ° C and 150 ml of 3N hydrochloric acid aqueous solution was added. Two layers were separated, the upper organic phase was washed with water and then distilled to obtain 7.3 g of a colorless transparent liquid. Further precise distillation was carried out to obtain 5.8 g of a fraction. The yield was 40%.
Gas chromatography showed 20
It was mixed with 0 ppm.
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明によれば、ジエチルエーテル等を
含まない高純度のモノアルキルまたはモノアリールアル
シンを高収率で、しかも安全に製造することができる。According to the present invention, high-purity monoalkyl or monoarylarsine containing no diethyl ether or the like can be produced in high yield and safely.
Claims (2)
とを反応させてモノアルキルまたはモノアリールジハロ
ゲノアルシンとし、次いで、これを還元してモノアルキ
ルまたはモノアリールアルシンを製造する方法におい
て、前記トリハロゲン化砒素とグリニャール試薬との反
応を反応生成物のモノアルキルまたはモノアリールジハ
ロゲノアルシンの沸点より低沸点の有機溶剤の存在下
で、また前記還元を当該還元反応生成物のモノアルキル
またはモノアリールアルシンより高沸点の有機溶剤の存
在下に行うことを特徴とする高純度モノアルキルまたは
モノアリールアルシン化合物の製造方法。1. A method of reacting an arsenic trihalogenide with a Grignard reagent to give a monoalkyl or monoaryldihalogenoarsine, which is then reduced to produce a monoalkyl or monoarylarsine. The reaction of arsenic with a Grignard reagent is carried out in the presence of an organic solvent having a boiling point lower than that of the reaction product monoalkyl or monoaryldihalogenoarsine, and the reduction is carried out from the reduction reaction product monoalkyl or monoarylarsine. A method for producing a high-purity monoalkyl or monoarylarsine compound, which is carried out in the presence of a high-boiling organic solvent.
ウム水素化ビス(2-メトキシエトキシ)アルミニウムを
用いることを特徴とする請求項1に記載の高純度モノア
ルキルまたはモノアリールアルシン化合物の製造方法。2. The method for producing a high-purity monoalkyl or monoarylarsine compound according to claim 1, wherein sodium bis (2-methoxyethoxy) aluminum hydride is used as a reducing agent in the reduction reaction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13964592A JPH05310764A (en) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | Producltion of high-purity monoalkyl-or monoarylarsine compound |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13964592A JPH05310764A (en) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | Producltion of high-purity monoalkyl-or monoarylarsine compound |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05310764A true JPH05310764A (en) | 1993-11-22 |
Family
ID=15250103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13964592A Pending JPH05310764A (en) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | Producltion of high-purity monoalkyl-or monoarylarsine compound |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05310764A (en) |
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---|---|---|---|---|
EP0839817A3 (en) * | 1996-10-31 | 1998-11-18 | Furukawa Co., Ltd. | Method for purifying mono-alkyl-arsines or mono-alkyl-phosphines |
CN115340576A (en) * | 2022-08-16 | 2022-11-15 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | Preparation method of high-purity tert-butyl arsenic |
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1992
- 1992-05-06 JP JP13964592A patent/JPH05310764A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0839817A3 (en) * | 1996-10-31 | 1998-11-18 | Furukawa Co., Ltd. | Method for purifying mono-alkyl-arsines or mono-alkyl-phosphines |
CN115340576A (en) * | 2022-08-16 | 2022-11-15 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | Preparation method of high-purity tert-butyl arsenic |
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