JPH05283283A - チップ型cr複合素子及びその製造方法 - Google Patents
チップ型cr複合素子及びその製造方法Info
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- JPH05283283A JPH05283283A JP10606092A JP10606092A JPH05283283A JP H05283283 A JPH05283283 A JP H05283283A JP 10606092 A JP10606092 A JP 10606092A JP 10606092 A JP10606092 A JP 10606092A JP H05283283 A JPH05283283 A JP H05283283A
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装コストが安価で、コンパクトにプリント
基板に実装でき、突入電流を吸収するスナバ回路に利用
できる。僅かな工程で低コストに製造できる。 【構成】 内部電極層11を有するチップ状セラミック
誘電体12の両端部に内部電極層に電気的に接続させて
抵抗層13を設け、この抵抗層の表面に外部電極層14
を設ける。必要によりセラミック誘電体と抵抗層の間に
外部電極層と同一組成の下地電極層を設けてもよい。
基板に実装でき、突入電流を吸収するスナバ回路に利用
できる。僅かな工程で低コストに製造できる。 【構成】 内部電極層11を有するチップ状セラミック
誘電体12の両端部に内部電極層に電気的に接続させて
抵抗層13を設け、この抵抗層の表面に外部電極層14
を設ける。必要によりセラミック誘電体と抵抗層の間に
外部電極層と同一組成の下地電極層を設けてもよい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型積層セラミッ
クコンデンサの外部電極に抵抗層を形成してなる表面実
装型のCR複合素子及びその製造方法に関する。更に詳
しくは突入電流を吸収するスナバ回路に適するチップ型
CR複合素子及びその製造方法に関するものである。
クコンデンサの外部電極に抵抗層を形成してなる表面実
装型のCR複合素子及びその製造方法に関する。更に詳
しくは突入電流を吸収するスナバ回路に適するチップ型
CR複合素子及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】スナバ回路はスイッチング電源等の回路
で使用されるパワートランジスタやダイオードを突入電
流から保護する目的で設けられる。従来のスナバ回路
は、パワートランジスタやダイオードに対して、高電圧
コンデンサと抵抗体の直列回路を並列に接続して構成さ
れ、これらのコンデンサと抵抗体はプリント基板にそれ
ぞれ搭載されている。
で使用されるパワートランジスタやダイオードを突入電
流から保護する目的で設けられる。従来のスナバ回路
は、パワートランジスタやダイオードに対して、高電圧
コンデンサと抵抗体の直列回路を並列に接続して構成さ
れ、これらのコンデンサと抵抗体はプリント基板にそれ
ぞれ搭載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成のス
ナバ回路では、コンデンサと抵抗体をプリント基板に個
別に搭載するため、部品の実装コストが高くなり、しか
も基板に広い実装スペースを必要とした。本発明の目的
は、実装コストが安価で、コンパクトにプリント基板に
実装でき、突入電流を吸収するスナバ回路に利用可能な
チップ型CR複合素子を提供することにある。本発明の
別の目的は、僅かな工程で低コストに製造できるチップ
型CR複合素子の製造方法を提供することにある。
ナバ回路では、コンデンサと抵抗体をプリント基板に個
別に搭載するため、部品の実装コストが高くなり、しか
も基板に広い実装スペースを必要とした。本発明の目的
は、実装コストが安価で、コンパクトにプリント基板に
実装でき、突入電流を吸収するスナバ回路に利用可能な
チップ型CR複合素子を提供することにある。本発明の
別の目的は、僅かな工程で低コストに製造できるチップ
型CR複合素子の製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のチップ型CR複合素子は、図1に示すよう
に内部電極層11を有するチップ状セラミック誘電体1
2と、このセラミック誘電体12の両端部に内部電極層
11に電気的に接続して設けられた抵抗層13と、この
抵抗層13の表面に設けられた外部電極層14とを備え
たものである。抵抗層13は酸化ルテニウムとガラスフ
リットとからなるものが、これらの配合比を変えるだけ
で抵抗値を変えられるため好ましい。外部電極層14は
積層セラミックコンデンサの外部電極に用いられる公知
の金属、例えばAg又はAgとPdにより構成される。
またチップ状セラミック誘電体12と抵抗層13の間に
外部電極層14と同一組成の下地電極層16を設けてお
くと、内部電極層11と抵抗層13の電気的接続が良好
になり好ましい。
に、本発明のチップ型CR複合素子は、図1に示すよう
に内部電極層11を有するチップ状セラミック誘電体1
2と、このセラミック誘電体12の両端部に内部電極層
11に電気的に接続して設けられた抵抗層13と、この
抵抗層13の表面に設けられた外部電極層14とを備え
たものである。抵抗層13は酸化ルテニウムとガラスフ
リットとからなるものが、これらの配合比を変えるだけ
で抵抗値を変えられるため好ましい。外部電極層14は
積層セラミックコンデンサの外部電極に用いられる公知
の金属、例えばAg又はAgとPdにより構成される。
またチップ状セラミック誘電体12と抵抗層13の間に
外部電極層14と同一組成の下地電極層16を設けてお
くと、内部電極層11と抵抗層13の電気的接続が良好
になり好ましい。
【0005】本発明のチップ型CR複合素子は次の方法
により作製される。先ず、内部電極層が両端部に露出し
た公知の積層セラミックコンデンサ用のチップ状セラミ
ック誘電体を用意する。次いでこのセラミック誘電体の
両端部に例えば酸化ルテニウムとガラスフリットとから
なる抵抗ペーストを浸漬法等によりコーティングする。
この抵抗ペーストを150〜200℃程度の温度で乾燥
した後、乾燥したペースト層の表面に公知の積層セラミ
ックコンデンサの外部電極用の導電性ペーストを浸漬法
等によりコーティングする。導電性ペーストを150〜
200℃程度の温度で乾燥した後、セラミック誘電体を
600〜900℃程度の温度で焼成して2つのペースト
層をセラミック誘電体の両端部に焼付ける。これによ
り、図1に示すようにセラミック誘電体11の両端部に
抵抗層13及び外部電極層14が積層されて形成され
る。
により作製される。先ず、内部電極層が両端部に露出し
た公知の積層セラミックコンデンサ用のチップ状セラミ
ック誘電体を用意する。次いでこのセラミック誘電体の
両端部に例えば酸化ルテニウムとガラスフリットとから
なる抵抗ペーストを浸漬法等によりコーティングする。
この抵抗ペーストを150〜200℃程度の温度で乾燥
した後、乾燥したペースト層の表面に公知の積層セラミ
ックコンデンサの外部電極用の導電性ペーストを浸漬法
等によりコーティングする。導電性ペーストを150〜
200℃程度の温度で乾燥した後、セラミック誘電体を
600〜900℃程度の温度で焼成して2つのペースト
層をセラミック誘電体の両端部に焼付ける。これによ
り、図1に示すようにセラミック誘電体11の両端部に
抵抗層13及び外部電極層14が積層されて形成され
る。
【0006】図示しないが、必要に応じて外部電極層の
表面に、外部電極層のはんだ食われ防止用のNiめっき
層、又ははんだ濡れ性の向上のためにSnやSn/Pb
のめっき層を設けてもよい。なお、内部電極層と抵抗層
の電気的接続をより確実にするために、セラミック誘電
体の両端部に外部電極層と同一組成の導電性ペーストを
コーティングして、これを乾燥した後、上記製法と同様
の抵抗ペーストと導電性ペーストを順次コーティング
し、3つのペーストを同時に焼付けて、図2に示すよう
にチップ状セラミック誘電体11の両端部に下地電極層
16、抵抗層13及び外部電極層14をこの順に積層形
成してもよい。
表面に、外部電極層のはんだ食われ防止用のNiめっき
層、又ははんだ濡れ性の向上のためにSnやSn/Pb
のめっき層を設けてもよい。なお、内部電極層と抵抗層
の電気的接続をより確実にするために、セラミック誘電
体の両端部に外部電極層と同一組成の導電性ペーストを
コーティングして、これを乾燥した後、上記製法と同様
の抵抗ペーストと導電性ペーストを順次コーティング
し、3つのペーストを同時に焼付けて、図2に示すよう
にチップ状セラミック誘電体11の両端部に下地電極層
16、抵抗層13及び外部電極層14をこの順に積層形
成してもよい。
【0007】
【作用】従来のチップ型積層セラミックコンデンサの外
部電極層の下に抵抗層を形成することにより、コンデン
サと抵抗体がリード線やプリント配線を介することな
く、一体的にコンデンサと抵抗が複合したチップ型CR
複合素子が作られる。このため、部品点数が削減され、
コンパクトに製造できる。またこのCR複合素子は1つ
の部品でコンデンサとしての機能と抵抗体としての機能
を有し、かつプリント基板にリード線を介さずに直接実
装できるため、実装コストが安価になり、実装スペース
が少なくて済む。このCR複合素子をスナバ回路に用い
た場合、この回路の抵抗値は厳密な値が要求されないた
め、通常の抵抗素子を作製するときのような抵抗値補正
(トリミング)工程は不要である。
部電極層の下に抵抗層を形成することにより、コンデン
サと抵抗体がリード線やプリント配線を介することな
く、一体的にコンデンサと抵抗が複合したチップ型CR
複合素子が作られる。このため、部品点数が削減され、
コンパクトに製造できる。またこのCR複合素子は1つ
の部品でコンデンサとしての機能と抵抗体としての機能
を有し、かつプリント基板にリード線を介さずに直接実
装できるため、実装コストが安価になり、実装スペース
が少なくて済む。このCR複合素子をスナバ回路に用い
た場合、この回路の抵抗値は厳密な値が要求されないた
め、通常の抵抗素子を作製するときのような抵抗値補正
(トリミング)工程は不要である。
【0008】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、抵
抗ペーストと外部電極用の導電性ペーストをコーティン
グして乾燥した後、一度の焼成でセラミック誘電体の両
端部に抵抗層と外部電極層が形成できるので、僅かな工
程で低コストにCR複合素子を製造することができる。
また本発明のCR複合素子は、チップ状であるため、実
装コストが安価で、しかもコンパクトにプリント基板に
実装でき、突入電流を吸収するスナバ回路に好適に利用
することができる。
抗ペーストと外部電極用の導電性ペーストをコーティン
グして乾燥した後、一度の焼成でセラミック誘電体の両
端部に抵抗層と外部電極層が形成できるので、僅かな工
程で低コストにCR複合素子を製造することができる。
また本発明のCR複合素子は、チップ状であるため、実
装コストが安価で、しかもコンパクトにプリント基板に
実装でき、突入電流を吸収するスナバ回路に好適に利用
することができる。
【図1】本発明のCR複合素子の断面図。
【図2】本発明の別のCR複合素子の断面図。
11 内部電極層 12 セラミック誘電体 13 抵抗層 14 外部電極層 16 下地電極層
Claims (5)
- 【請求項1】 内部電極層(11)を有するチップ状セラミ
ック誘電体(12)と、前記セラミック誘電体(12)の両端部
に前記内部電極層(11)に電気的に接続して設けられた抵
抗層(13)と、 前記抵抗層(13)の表面に設けられた外部電極層(14)とを
備えたチップ型CR複合素子。 - 【請求項2】 抵抗層(13)が酸化ルテニウムとガラスフ
リットとからなる請求項1記載のチップ型CR複合素
子。 - 【請求項3】 外部電極層(14)がAg又はAgとPdか
らなる請求項1記載のチップ型CR複合素子。 - 【請求項4】 セラミック誘電体(12)と抵抗層(13)の間
に外部電極層(14)と同一組成の下地電極層(16)が設けら
れた請求項1記載のチップ型CR複合素子。 - 【請求項5】 チップ状セラミック誘電体(12)の両端部
に抵抗ペーストをコーティングして乾燥し、 乾燥した抵抗ペースト層の表面に導電性ペーストをコー
ティングして乾燥し、上記2つの乾燥したペースト層を
有するセラミック誘電体を焼成するチップ型CR複合素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10606092A JPH05283283A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | チップ型cr複合素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10606092A JPH05283283A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | チップ型cr複合素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05283283A true JPH05283283A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14424074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10606092A Withdrawn JPH05283283A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | チップ型cr複合素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05283283A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6124769A (en) * | 1997-10-06 | 2000-09-26 | Tdk Corporation | Electronic device, and its fabrication method |
US6525628B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-02-25 | Avx Corporation | Surface mount RC array with narrow tab portions on each of the electrode plates |
US7054136B2 (en) | 2002-06-06 | 2006-05-30 | Avx Corporation | Controlled ESR low inductance multilayer ceramic capacitor |
JP2006237234A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型複合電子部品 |
JP2008010475A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Nec Tokin Corp | 積層型圧電セラミックス素子 |
JP2008252962A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 一体型電動圧縮機 |
US7605683B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic electronic component |
US7646586B2 (en) | 2006-03-01 | 2010-01-12 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor and method of manufacturing same |
JP2013168526A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型電子部品及びその製造方法 |
JP2017168746A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP10606092A patent/JPH05283283A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006237234A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型複合電子部品 |
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US8308442B2 (en) | 2007-03-29 | 2012-11-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Integrated electric compressor |
JP2013168526A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型電子部品及びその製造方法 |
JP2017168746A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |